RU2814736C1 - Amplitude-modulated signal optoelectronic detector - Google Patents
Amplitude-modulated signal optoelectronic detector Download PDFInfo
- Publication number
- RU2814736C1 RU2814736C1 RU2023113637A RU2023113637A RU2814736C1 RU 2814736 C1 RU2814736 C1 RU 2814736C1 RU 2023113637 A RU2023113637 A RU 2023113637A RU 2023113637 A RU2023113637 A RU 2023113637A RU 2814736 C1 RU2814736 C1 RU 2814736C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- photoresistor
- signal
- frequency
- amplitude
- optoelectronic detector
- Prior art date
Links
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 17
- 238000004891 communication Methods 0.000 abstract description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 12
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005094 computer simulation Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000013178 mathematical model Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Abstract
Description
Изобретение относится к области радиотехники, оптоэлектроники и может быть использовано в системах радиосвязи.The invention relates to the field of radio engineering, optoelectronics and can be used in radio communication systems.
Возросшие требование к скорости обработки информации, ограничения в передачи электронных потоков с частотой выше 2ГГц по проводным микрополосковым линиям связи, привели к использованию фотонов в качестве носителей сигналов информации Использование оптронов для прямого перемножения оптических и электрических сигналов значительно упрощает конструкцию радиотехнических устройств за счет идеальной гальванической развязки и резко повышает качество, например, амплитудно-модулированных (АМ) сигналов за счет исключений нелинейных искажений Increased requirements for information processing speed, restrictions on the transmission of electronic streams with frequencies above 2 GHz over wired microstrip communication lines, have led to the use of photons as carriers of information signals. The use of optocouplers for direct multiplication of optical and electrical signals significantly simplifies the design of radio devices due to ideal galvanic isolation and dramatically improves the quality, for example, of amplitude-modulated (AM) signals due to the elimination of nonlinear distortions
Известен передатчик с амплитудной модуляцией в который входит оптрон - устройство содержащее источник света и фотоприемник (светодиод и фоторезистор). Передатчик с АМ содержит фоторезистор, включенный в последовательную цепь между высокочастотным генератором и через усилитель мощности с антенной, при этом между фоторезистором и источником света, управляемым источником сообщения, расположен световод (RU 39240, МПК Н04В 10/54, опубл. 20.07.2004). A transmitter with amplitude modulation is known, which includes an optocoupler - a device containing a light source and a photodetector (LED and photoresistor). The AM transmitter contains a photoresistor connected in a series circuit between the high-frequency generator and through a power amplifier with an antenna, while a light guide is located between the photoresistor and the light source controlled by the message source (RU 39240, IPC N04V 10/54, publ. 07/20/2004) .
Известен балансный модулятор, в который входит оптрон. Балансный модулятор содержит фоторезистор, высокочастотный генератор, между фоторезистором и источником света расположен световод. Фоторезистор включен последовательно сопротивлению, фильтр высоких частот и нагрузка включены параллельно сопротивлению, источник питания фоторезистора, управляемый источником сообщения, включен параллельно фоторезистору с сопротивлением, а источник света подключен к высокочастотному генератор (RU 183602, МПК Н04В 10/54, опубл. 27.09.2018).A balanced modulator is known, which includes an optocoupler. The balanced modulator contains a photoresistor, a high-frequency generator, and a light guide is located between the photoresistor and the light source. The photoresistor is connected in series with the resistance, the high-pass filter and the load are connected in parallel with the resistance, the photoresistor power supply, controlled by the message source, is connected in parallel with the photoresistor with the resistance, and the light source is connected to the high-frequency generator (RU 183602, MPK N04V 10/54, publ. 09/27/2018 ).
Недостаток перечисленных оптоэлектронных устройств на основе оптрона связан с тем, что они выполняют только функции занесения информации в электрический сигнал (амплитудная модуляция (АМ) электрических сигналов), а извлечение информации из АМ радиосигнала и оптического АМ сигнала на поднесущей, осуществляется столько с помощью электронных устройств – диодных детекторов. The disadvantage of the listed optoelectronic devices based on optocouplers is due to the fact that they only perform the functions of entering information into an electrical signal (amplitude modulation (AM) of electrical signals), and the extraction of information from an AM radio signal and an optical AM signal on a subcarrier is carried out using electronic devices – diode detectors.
Из уровня техники известен диодный детектор для извлечения информации из АМ электрических сигналов, который является наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату (прототип) Известный диодный детектор состоит из последовательно включенного диода и конденсатора, параллельно которому включено регистрирующее устройство. Детектор работает следующим образом: амплитудно-модулированный сигнал подают на диод и последовательно включенный фильтра низких частот. На выходе диода спектр сигнала содержит модулирующий сигнал и АМ сигнал на гармониках несущего ВЧ сигнала кратных основной. Модулирующий сигнал выделяются с помощью фильтра нижних частот, и поступает в регистрирующее устройство. В результате на выходе устройства имеем низкочастотное колебание, амплитуда которого изменяется по закону передаваемого сообщения. [Баскаков С.И. Радиотехнические цепи и сигналы. М.: Высшая школа, 1988, стр.286-292].A diode detector is known from the prior art for extracting information from AM electrical signals, which is the closest in technical essence and achieved result (prototype). The known diode detector consists of a diode and a capacitor connected in series, with a recording device connected in parallel. The detector works as follows: an amplitude-modulated signal is fed to a diode and a low-pass filter connected in series. At the diode output, the signal spectrum contains a modulating signal and an AM signal at harmonics of the RF carrier signal that are multiples of the fundamental one. The modulating signal is isolated using a low-pass filter and enters the recording device. As a result, at the output of the device we have a low-frequency oscillation, the amplitude of which varies according to the law of the transmitted message. [Baskakov S.I. Radio engineering circuits and signals. M.: Higher School, 1988, pp. 286-292].
Недостаток такого детектора заключается в невозможности детектировать оптический АМ сигнал.The disadvantage of such a detector is the inability to detect an optical AM signal.
Создание оптоэлектронного детектора позволит изготовлять и приемную аппаратуру на основе резисторных оптронов. The creation of an optoelectronic detector will make it possible to produce receiving equipment based on resistor optocouplers.
Целью изобретения является создание оптоэлектронного детектора АМ сигналов, на основе оптрона.The purpose of the invention is to create an optoelectronic detector of AM signals based on an optocoupler.
Технический результат заключается в создании оптоэлектронного детектора АМ сигналов на основе оптрона с использованием инерционных свойств фоторезистора.The technical result consists in creating an optoelectronic detector of AM signals based on an optocoupler using the inertial properties of a photoresistor.
Сущность изобретения заключается в том, что оптоэлектронный детектор амплитудно-модулированных сигналов состоит из оптрона, содержащего светодиод, сигнал со светодиода подан через фокусирующую систему на фоторезистор, последовательно с фоторезистором включено сопротивление нагрузки. Причем фоторезистор выполнен с возможностью выделения на выходе только низкочастотного сигнала, несущего информацию, когда граничная частота фоторезистора удовлетворяет условию: The essence of the invention is that an optoelectronic detector of amplitude-modulated signals consists of an optocoupler containing an LED, the signal from the LED is fed through a focusing system to a photoresistor, and a load resistance is connected in series with the photoresistor. Moreover, the photoresistor is configured to isolate at the output only a low-frequency signal carrying information when the cutoff frequency of the photoresistor satisfies the condition:
, ,
где и Ω соответственно несущая и модулирующая частоты амплитудно-модулированного сигнала, - граничная частота фоторезистора.Where and Ω, respectively, the carrier and modulating frequencies of the amplitude-modulated signal, - limiting frequency of the photoresistor.
На фиг. 1 изображена схема оптоэлектронного детектора амплитудно-модулированных сигналов; на фиг. 2А,В приведены рассчитанные осциллограммы тока фоторезистора в относительных единицах при подаче АМ сигнала на светодиод.; на фиг. 3 приведен рассчитанный сигнал при ; на фиг. 4А представлен сигнал на выходе фоторезистора при освещении его отсеченным оптическим АМ сигналом при частоте низкочастотного (НЧ) сигнала 10КГц и частоте поднесущего сигнала 0,5МГц; на фиг. 4В представлен низкочастотный сигнал на выходе фоторезистора при повышении частоты несущего сигнала до 1МГц и выполнения условия .In fig. 1 shows a diagram of an optoelectronic detector of amplitude-modulated signals; in fig. 2A,B show the calculated oscillograms of the photoresistor current in relative units when an AM signal is applied to the LED; in fig. Figure 3 shows the calculated signal at ; in fig. 4A shows the signal at the output of the photoresistor when illuminated with a cut-off optical AM signal at a low-frequency (LF) signal frequency of 10 KHz and a subcarrier signal frequency of 0.5 MHz; in fig. Figure 4B shows the low-frequency signal at the output of the photoresistor when the frequency of the carrier signal increases to 1 MHz and the condition is met .
Оптоэлектронный детектор (фиг.1) амплитудно-модулированных оптических сигналов состоит резисторного оптрона 1, содержащего светодиод 2, фокусирующую систему 3, расположенную между светодиодом 2 и фоторезистором 4. Фоторезистор 4, последовательно с которым, включено нагрузочное сопротивление 5.The optoelectronic detector (Fig. 1) of amplitude-modulated optical signals consists of a resistor optocoupler 1 containing an LED 2, a focusing system 3 located between the LED 2 and a photoresistor 4. A photoresistor 4, in series with which a load resistor 5 is connected.
Оптоэлектронный детектор амплитудно-модулированных сигналов (фиг.1) на основе резисторного оптрона 1 работает следующим образом: на светодиод 2 подается АМ сигнал с постоянной составляющей, которая обеспечивает угол отсечки .. Оптический сигнал от светодиода 2 проходит через фокусирующую систему 3 и попадает на фоторезистор 4. На выходе фоторезистора 4 за счет инерционных свойств фоторезистора 4 на нагрузочном сопротивлении 5 выделяется только низкочастотный сигнал несущий информацию. An optoelectronic detector of amplitude-modulated signals (Fig. 1) based on a resistor optocoupler 1 operates as follows: an AM signal with a constant component is supplied to LED 2, which provides a cutoff angle . . The optical signal from the LED 2 passes through the focusing system 3 and reaches the photoresistor 4. At the output of the photoresistor 4, due to the inertial properties of the photoresistor 4, only a low-frequency signal carrying information is released at the load resistance 5.
В качестве фильтра низких частот в оптоэлектронном детекторе используется фоторезистор 4. Фоторезистор 4 выполняет функцию конденсатора, сглаживающего высокочастотные колебания. АМ сигнал, поступает на светодиод 2 резисторного оптрона 1. Оптический сигнал от светодиода 2 через фокусирующую систему 3 попадает на фоторезистор 4, последовательно с которым включено нагрузочное сопротивление 5. Если граничная частота фоторезистора 4 удовлетворяет условию:Photoresistor 4 is used as a low-pass filter in the optoelectronic detector. Photoresistor 4 acts as a capacitor that smoothes out high-frequency oscillations. The AM signal is supplied to LED 2 of resistor optocoupler 1. The optical signal from LED 2 through the focusing system 3 reaches photoresistor 4, in series with which load resistance 5 is connected. If the cutoff frequency of photoresistor 4 satisfies the condition:
, (1) , (1)
то фоторезистор 4 регистрирует только низкочастотный сигнал с частотой . На высокочастотный сигнал с частотой фоторезистор 4 не успевает реагировать. Следовательно, на выходе фоторезистора 4 на нагрузочном сопротивлении 5 выделяется низкочастотный сигнал с частотой Ω. then photoresistor 4 registers only a low-frequency signal with a frequency . To a high frequency signal with a frequency photoresistor 4 does not have time to react. Consequently, at the output of photoresistor 4, a low-frequency signal with a frequency Ω is released at the load resistance 5.
Нами построена математическая модель процесса детектирования оптического АМ сигнала на поднесущей с помощью резисторного оптрона 1. На светодиод 2 поступает электрический АМ сигнал. Оптический сигнал в виде отсеченного АМ сигнала на уровне через фокусирующую систему попадает на фоторезистор 4. Считаем, что фоторезистор 4 изготовлен из беспримесного материала с омическими контактами, возбуждение светом считается однородным по объему полупроводника. Запишем дифференциальное уравнение кинетики проводимости фоторезистора в безразмерном виде, это значительно упрощает расчеты и позволяет сравнивать их с экспериментальными результатами [1]. We have built a mathematical model of the process of detecting an optical AM signal on a subcarrier using resistor optocoupler 1. LED 2 receives an electrical AM signal. Optical signal in the form of a clipped AM signal at the level through the focusing system it reaches photoresistor 4. We assume that photoresistor 4 is made of pure material with ohmic contacts; excitation by light is considered uniform throughout the volume of the semiconductor. Let us write the differential equation of the conductivity kinetics of a photoresistor in dimensionless form; this greatly simplifies the calculations and allows us to compare them with experimental results [1].
Дифференциальное уравнение кинетики концентрации свободных носителей в зоне проводимости в нормированном виде в единицах будет иметь вид:Differential equation for the kinetics of the concentration of free carriers in the conduction band in normalized form in units will look like:
, (2) , (2)
где , - коэффициент поглощения света, - квантовый выход, -амплитуда освещенности фоторезистора в квант/м2сек, , R - коэффициент отражения, М-глубина модуляции, - частота модулирующего сигнала, - частота поднесущего сигнала. В такой записи постоянная скорости рекомбинации (), и граничная частота () будут равны 1, соответственно циклическая граничная частота фоторезистора равна . - функция Хевисайда, моделирующая отсечку АМ сигнала на уровне . Частоты в соотношении (2) записаны в единицах граничной частоты и показывают, во сколько раз частоты модулирующего и несущего сигнала отличаются от граничной частоты. Уравнение (2) не имеет аналитического решения и может быть исследовано с помощью компьютерного моделирования, например, с помощью программного обеспечения Mathcad.Where , - light absorption coefficient, - quantum yield, -amplitude of illumination of the photoresistor in quantum/m 2 sec, , R - reflection coefficient, M - modulation depth, - frequency of the modulating signal, - frequency of the subcarrier signal. In such a notation, the recombination rate constant ( ), and cutoff frequency ( ) will be equal to 1, respectively, the cyclic cutoff frequency of the photoresistor is equal to . - Heaviside function, simulating AM signal cutoff at the level . Frequencies in relation (2) are written in units of the cutoff frequency and show how many times the frequencies of the modulating and carrier signals differ from the cutoff frequency. Equation (2) does not have an analytical solution and can be studied using computer simulation, for example, using Mathcad software.
На фиг.2А - показана расчетная осциллограмма при поднесущей частоте составляющей половине граничной частоте . Частота модулирующего сигнала составляет . Из фиг.2А следует, что фоторезистор полностью регистрирует сигнал отсеченный АМ оптический сигнал т.к. . На фиг.2В приведена расчетная осциллограмма при поднесущей частоте в пять раз выше граничной частоты фоторезистора . В этом случае не полностью выполняется соотношение (1) , поэтому на выходе фоторезистора фиг.2В присутствует высокочастотный сигнал. Figure 2A shows the calculated oscillogram at a subcarrier frequency that is half the cutoff frequency . The frequency of the modulating signal is . From Fig. 2A it follows that the photoresistor completely registers the signal cut off by the AM optical signal because . Figure 2B shows the calculated oscillogram at a subcarrier frequency five times higher than the cutoff frequency of the photoresistor . In this case, relation (1) is not fully satisfied , therefore, a high-frequency signal is present at the output of the photoresistor of Fig. 2B.
На фиг.3 приведен рассчитанный сигнал при . В этом случае полностью выполняется соотношение .На выходе фоторезистора наблюдается только сигнал с частотой Ω. Высокочастотный сигнал полностью отфильтрован. Расчет показывает, что амплитуда ВЧ сигнала составляет менее 1% от амплитуды модулирующего сигнала.Figure 3 shows the calculated signal at . In this case, the relation is completely satisfied .Only a signal with frequency Ω is observed at the output of the photoresistor. The high frequency signal is completely filtered. The calculation shows that the amplitude of the RF signal is less than 1% of the amplitude of the modulating signal.
Нами изготовлена действующая модель оптронного детектора. Использовался фотодиод марки АЛ106В с длительностью фронта нарастания 10 нс, . Фоторезистор изготовлен из высокоомного кремния марки БНЛ-1 с удельным сопротивлением . Омические контакты к фоторезистору изготовлены на основе графита. Размеры фоторезистора . Измеренная граничная частота фоторезистора равна 43КГц На фиг.4А представлен сигнал на выходе фоторезистора при освещении его отсеченным оптическим АМ сигналом при частоте низкочастотного (НЧ) сигнала 10КГц и частоте поднесущего сигнала 0,5МГц. В данном случае не полностью выполняется условие (1), т.к.. Из фиг.4А видно, что в сигнале еще присутствуют ВЧ гармоники. Граничная частоты фоторезистора должна удовлетворяет условию: , где ω и Ω - соответственно несущая и модулирующая частоты АМ сигнала. При повышении частоты несущего сигнала до 1МГц и выполнения условия на выходе фоторезистора наблюдается только низкочастотный сигнал (фиг.4В). Измерение амплитуда ВЧ сигнала показала, что она не превышает 1% от амплитуды НЧ сигнала. Фоторезистор выполняет не только функцию приемника оптического АМ сигнала, но и исполняет функцию фильтра низких частот за счет инерционных свойства фоторезистора на частотах выше граничной частоты. Все реальные АМ сигналы имеют несущую (), что минимум на два порядка выше модулирующих частот, в качестве которых выступают частоты спектра голоса человека, которые располагаются в области . Следовательно, фоторезистор с граничной частотой 43 КГц регистрирует частоты до 20КГц, и как показали расчетные исследования, и измерения макета, надежно интегрирует высокочастотные составляющие гармоник выше 1МГц, что вполне достаточно для детектирования АМ сигналов. Физические принципы инерции фоторезистора отличны от инерционных свойств RC цепи и обусловлены кинетикой рекомбинации свободных носителей в полупроводниках. Следовательно, оптоэлектронный детектор работает на других физических принципах интегрирования высокочастотного сигнала, хотя дифференциальные уравнения кинетики свободных носителей в полупроводнике и зарядки конденсатора одинаковы.We have manufactured a working model of an optocoupler detector. An AL106V photodiode with a rise time of 10 ns was used, . The photoresistor is made of high-resistance silicon brand BNL-1 with resistivity . The ohmic contacts to the photoresistor are made on the basis of graphite. Photoresistor dimensions . The measured cut-off frequency of the photoresistor is 43 KHz. Figure 4A shows the signal at the output of the photoresistor when illuminated with a cut-off optical AM signal at a low-frequency (LF) signal frequency of 10 KHz and a subcarrier signal frequency of 0.5 MHz. In this case, condition (1) is not fully satisfied, because . From Fig. 4A it can be seen that HF harmonics are still present in the signal. The limiting frequency of the photoresistor must satisfy the following condition: , where ω and Ω are the carrier and modulating frequencies of the AM signal, respectively. When the frequency of the carrier signal increases to 1 MHz and the condition is met At the output of the photoresistor, only a low-frequency signal is observed (Fig. 4B). Measurement of the amplitude of the HF signal showed that it does not exceed 1% of the amplitude of the LF signal. The photoresistor not only performs the function of an AM optical signal receiver, but also performs the function of a low-pass filter due to the inertial properties of the photoresistor at frequencies above the cutoff frequency. All real AM signals have a carrier ( ), which is at least two orders of magnitude higher than the modulating frequencies, which are the frequencies of the human voice spectrum, which are located in the region . Consequently, a photoresistor with a cut-off frequency of 43 KHz registers frequencies up to 20 KHz, and, as calculation studies and prototype measurements have shown, reliably integrates high-frequency components of harmonics above 1 MHz, which is quite sufficient for detecting AM signals. The physical principles of inertia of a photoresistor are different from the inertial properties of an RC circuit and are determined by the kinetics of recombination of free carriers in semiconductors. Consequently, an optoelectronic detector operates on different physical principles for integrating a high-frequency signal, although the differential equations for the kinetics of free carriers in a semiconductor and capacitor charging are the same.
По сравнению с известным решением, создан детектор оптоэлектронного детектора АМ сигналов на основе резисторного оптрона с использованием инерционных свойств фоторезистора.In comparison with the known solution, an optoelectronic detector for AM signals has been created based on a resistor optocoupler using the inertial properties of a photoresistor.
ЛитератураLiterature
Денисов Б.Н., Зазулин Я.А., Шелкунов А.Н., Пьянзин Д.В. Влияние кинетики рекомбинации носителей тока на коэффициент нелинейных искажений амплитудного модулятора на основе фоторезисторного оптрона. Журнал радиоэлектроники (электронный журнал). 2018. №8. Режим доступа: http://jre.cplire.ru/jre/aug18/15/text.pdfDOI 10.30898/1684-1719.2018.8.15).Denisov B.N., Zazulin Ya.A., Shelkunov A.N., Pyanzin D.V. The influence of the kinetics of current carrier recombination on the coefficient of nonlinear distortion of an amplitude modulator based on a photoresistor optocoupler. Journal of Radioelectronics (electronic journal). 2018. No. 8. Access mode: http://jre.cplire.ru/jre/aug18/15/text.pdfDOI 10.30898/1684-1719.2018.8.15).
Claims (3)
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2814736C1 true RU2814736C1 (en) | 2024-03-04 |
Family
ID=
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4739251A (en) * | 1986-06-06 | 1988-04-19 | Telediffusion De France | Analysis circuit for an amplitude-modulated electric signal comprising a frequency transposer |
| RU2287891C1 (en) * | 2005-03-30 | 2006-11-20 | Олег Федорович Меньших | Amplitude-modulated oscillation detector |
| RU2583128C1 (en) * | 2015-03-11 | 2016-05-10 | федеральное автономное учреждение "Государственный научно-исследовательский испытательный институт проблем технической защиты информации Федеральной службы по техническому и экспортному контролю" | Apparatus for selecting signals according to frequency |
| RU178364U1 (en) * | 2017-08-15 | 2018-03-30 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет) | DETECTOR OF AMPLITUDE-MODULATED SIGNALS |
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4739251A (en) * | 1986-06-06 | 1988-04-19 | Telediffusion De France | Analysis circuit for an amplitude-modulated electric signal comprising a frequency transposer |
| RU2287891C1 (en) * | 2005-03-30 | 2006-11-20 | Олег Федорович Меньших | Amplitude-modulated oscillation detector |
| RU2583128C1 (en) * | 2015-03-11 | 2016-05-10 | федеральное автономное учреждение "Государственный научно-исследовательский испытательный институт проблем технической защиты информации Федеральной службы по техническому и экспортному контролю" | Apparatus for selecting signals according to frequency |
| RU178364U1 (en) * | 2017-08-15 | 2018-03-30 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет) | DETECTOR OF AMPLITUDE-MODULATED SIGNALS |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Денисов, Б. Н. и др. Функциональные свойства фоторезисторного оптрона / Учебный эксперимент в образовании. - 2014. - No4(72). - С. 32-43. - EDN TBHNXB, cc.36,41, рис.6. Studfiles, Вятский государственный университет, Основы электроники, часть 3, дата размещения в Интернет 22.03.2022 https://web.archive.org/web/20220322103915/https://studfile.net/preview/4353535/page:25/, с.487, раздел 11.4, рис.11.34, поз. "ОК", с.488. Денисов, Б. Н. Прием модулированных по оптической частоте сигналов / Учебный эксперимент в образовании. - 2012. - No 2. - С. 34-41. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Sarkhosh et al. | Reduced cost photonic instantaneous frequency measurement system | |
| CN104165756B (en) | High sensitivity light vector Network Analyzer based on stimulated Brillouin scattering | |
| CN110161773B (en) | Ultra-wideband white noise source based on cutting supercontinuum | |
| CN113391136B (en) | Microwave photon frequency measuring device and method based on fixed low-frequency detection | |
| CN104954066A (en) | Device and method for measuring frequency response of optical device | |
| CN106341182A (en) | Microwave source phase noise measurement device based on optical carrier radio frequency link | |
| CN106501601A (en) | A kind of photodetector frequency response measurement method and measuring system | |
| CN107741525A (en) | Photodetector frequency response measurement method and device | |
| CN103968934A (en) | Vibration information obtaining method based on optoelectronic oscillator | |
| RU2814736C1 (en) | Amplitude-modulated signal optoelectronic detector | |
| CN111193548B (en) | Microwave photon waveform generation device and method based on cyclic frequency shift | |
| CN103163051B (en) | Polarized light scattering measurement system and method based on magneto-optic modulation | |
| US20110248150A1 (en) | Device for quantifying and locating a light signal modulated at a predetermined frequency | |
| CN112448771A (en) | Microwave photon broadband receiver | |
| CN103411691A (en) | Gigahertz sine gating near-infrared single photon detector with tunable frequency | |
| CN104991180A (en) | Photoelectric detector assembly bandwidth detecting method and device | |
| CN105281829B (en) | Light vector Network Analyzer device based on Sagnac-ring | |
| CN102778800A (en) | Method and device for generating light pulse by direct current light | |
| CN114966197A (en) | Transient microwave frequency measuring device and method based on stimulated Brillouin scattering effect | |
| Wu et al. | Detection of a directly modulated terahertz light with quantum-well photodetector | |
| GB2179817A (en) | Electro-optical receiver | |
| CN112311468A (en) | Non-pulse signal based linear optical sampling method and system | |
| RU183602U1 (en) | Balance modulator | |
| CN110601754A (en) | Optical device spectral response testing device and method based on microwave photon down-conversion | |
| CN114095083B (en) | Microwave source phase noise measurement system and method based on microwave photon carrier suppression |