RU2806180C1 - METHOD FOR MANUFACTURING FLEXIBLE SOLAR CELLS WITH CdTe ABSORBING LAYER ON POLYMER FILM - Google Patents

METHOD FOR MANUFACTURING FLEXIBLE SOLAR CELLS WITH CdTe ABSORBING LAYER ON POLYMER FILM Download PDF

Info

Publication number
RU2806180C1
RU2806180C1 RU2023111423A RU2023111423A RU2806180C1 RU 2806180 C1 RU2806180 C1 RU 2806180C1 RU 2023111423 A RU2023111423 A RU 2023111423A RU 2023111423 A RU2023111423 A RU 2023111423A RU 2806180 C1 RU2806180 C1 RU 2806180C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
solar cells
absorbing layer
substrate
film
Prior art date
Application number
RU2023111423A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Денис Сергеевич Луценко
Михаил Вячеславович Гапанович
Original Assignee
Ооо "Сангелиант"
Filing date
Publication date
Application filed by Ооо "Сангелиант" filed Critical Ооо "Сангелиант"
Application granted granted Critical
Publication of RU2806180C1 publication Critical patent/RU2806180C1/en

Links

Abstract

FIELD: solar cells.
SUBSTANCE: technology for manufacturing flexible thin-film solar cells with a heterojunction in the Mo/MoOx//CdTe//CdS//i-ZnO//ITO structure. At the first stage, a polyimide film with a tensile strength of 170-250 MPa is used under standard conditions for a film thickness of 38-50 mcm. The film is pre-annealed in vacuum at temperature T≈ +250°C in a vacuum oven for at least 1 hour. Then a molybdenum coating is applied to it on both sides to reduce its deformation. In this case, a layer of MoOx is applied to the working surface of Mo using the magnetron sputtering method, by replacing the working gas in the magnetron chamber from argon to oxygen. At the second stage, an absorbing layer - cadmium telluride - is applied using the PVD method. In this case, the size of the evaporator is less than the distance between the substrate and the evaporator and can be considered a point size. At the third stage, photoconductivity of the absorbing layer is activated, in which a NaF layer is applied before applying the activator layer (CdCb). At the fourth stage, a CdS buffer layer is applied. ZnO was then deposited onto the samples. After this, annealing was carried out at T=450°C for at least 120 minutes in an inert atmosphere. A layer of ITO is then applied.
EFFECT: manufacture of flexible thin-film solar cells with a CdTe absorbing layer; reduced deformation and increase the thermal stability of the solar cell.
1 cl, 5 dwg

Description

Изобретение относится к технологии создания гибких тонкопленочньгх солнечных батарей с гетеропереходом CdTe/CdS. Более конкретно изобретение относится к технологии создания гибких тонкопленочных солнечных батарей фронтальной «substrate» конфигурации с поглощающим слоем CdTe на гибкой полиимидной пленке.The invention relates to a technology for creating flexible thin-film solar cells with a CdTe/CdS heterojunction. More specifically, the invention relates to a technology for creating flexible thin-film solar cells of a frontal “substrate” configuration with a CdTe absorbing layer on a flexible polyimide film.

Сборка тонкопленочных солнечных батарей фронтальной конфигурации «substrate» представляет собой последовательное нанесение слоев на основу (Фиг. 1. Последовательность слоев - подложка - слой тыльного контакта - поглощающий слой - буферный слой - слой оптического окна - слой верхнего прозрачного электрода - контактная сетка). Солнечный свет при этом проходит сквозь верхний прозрачный электрод и оптическое окно. Так как в таком случае нет требований к прозрачности основы, в качестве подложки может использоваться непрозрачная гибкая легкая полимерная пленка.The assembly of thin-film solar cells with a front-facing “substrate” configuration is a sequential application of layers on a base (Fig. 1. Sequence of layers - substrate - back contact layer - absorbing layer - buffer layer - optical window layer - layer of the upper transparent electrode - contact grid). In this case, sunlight passes through the upper transparent electrode and the optical window. Since in this case there are no requirements for the transparency of the base, an opaque flexible lightweight polymer film can be used as a substrate.

Сборка солнечной батареи на такой гибкой основе позволяет значительно снизить удельный вес устройства, а также облегчить его монтаж. Это особенно важно для т.н. строительной фотовольтаики (BIPV), подразумевающей интеграцию солнечных батарей с жилыми домами или промышленными объектами.Assembling a solar battery on such a flexible basis can significantly reduce the specific weight of the device, as well as facilitate its installation. This is especially important for the so-called. building photovoltaics (BIPV), which involves the integration of solar panels with residential buildings or industrial facilities.

В настоящее время известны следующие способы создания гибких солнечных батарей с поглощающим слоем CdTe. Однако они имеют ряд недостатков.Currently, the following methods are known for creating flexible solar cells with a CdTe absorbing layer. However, they have a number of disadvantages.

В патенте [A process for large-scale production of CdTe/CdS thin film solar cells [text]: пат.WO 2003032406 A2 / N. Romeo, A. Bosio, A. Romeo; заявитель Solar Systems & Equipments S.R.L.; 04.10.2002] описан крупномасштабный процесс создания гибких солнечных батарей тыльной «superstrate» конфигурации на прозрачной подложке. Данный способ предъявляет требование к прозрачности основы, так как свет при такой (тыльной) конфигурации устройства сначала проходит сквозь основу, из-за чего не всякая пленка может выступать в качестве нее. Помимо этого от полимерной пленки требуется и достаточная термостойкость, так как в ходе производства устройства по предлагаемой технологии на стадии активации фотопроводимости поглощающего слоя (теллурида кадмия) слоистую структуру с напыленным на нее активатором (CdCl2:) необходимо отжигать при температурах +380°С…+420°С в вакуумной камере и при давлении инертного газа 300-1000 мбар.In the patent [A process for large-scale production of CdTe/CdS thin film solar cells [text]: patent WO 2003032406 A2 / N. Romeo, A. Bosio, A. Romeo; applicant Solar Systems & Equipments SRL; 10/04/2002] describes a large-scale process for creating flexible solar cells with a rear “superstrate” configuration on a transparent substrate. This method imposes a requirement on the transparency of the base, since light with this (rear) configuration of the device first passes through the base, which is why not every film can act as it. In addition, the polymer film also requires sufficient heat resistance, since during the production of the device using the proposed technology, at the stage of activation of the photoconductivity of the absorbing layer (cadmium telluride), the layered structure with the activator (CdCl 2 :) deposited on it must be annealed at temperatures of +380°C... +420°C in a vacuum chamber and at an inert gas pressure of 300-1000 mbar.

В патенте [Method for producing thin-film solar cells [text]: пат. WO 2015028520 A1 / K.Velappan, B. Siepchen, et al.; заявитель China Triumpf International Engineering Co., Ltd., Ctf Solar Gmbh; 27.08.2014] описан способ создания тонкопленочньгх солнечных элементов тыльной «superstrate» и фронтальной «substrate» конфигурации. В нем описано применение метода напыления галогенидов металлов (активаторов) между слоями CdS (буферный) и CdTe (поглощающий). В качестве активатора фотопроводимости, в том числе предлагается использовать ZnCl2. Данный метод может быть применен при создании солнечных батарей фронтальной «substrate» конфигурации, в связи с чем позволяет избежать требования к прозрачности основы. Однако на одной из стадий создания солнечного элемента в данном патенте применяются температуры до +550°С, что затрудняет использование легких, но недостаточно термостойких подложек из полиимидной пленки.In the patent [Method for producing thin-film solar cells [text]: patent. WO 2015028520 A1 / K. Velappan, B. Siepchen, et al.; applicant China Triumpf International Engineering Co., Ltd., Ctf Solar Gmbh; 08/27/2014] describes a method for creating thin-film solar cells with a rear “superstrate” and front “substrate” configuration. It describes the application of a method of sputtering metal halides (activators) between layers of CdS (buffer) and CdTe (absorbent). It is also proposed to use ZnCl 2 as an activator of photoconductivity. This method can be used to create solar cells with a frontal “substrate” configuration, and therefore avoids the requirement for substrate transparency. However, at one of the stages of creating a solar cell in this patent, temperatures up to +550 ° C are used, which makes it difficult to use lightweight, but not sufficiently heat-resistant polyimide film substrates.

В патенте [CdTe thin-film solar cell with an n-p-p<+>structure [text]: пат. CN 203103315U / Zhang Chuanjun et. al.; заявитель Shanghai Solar Battery Research and Development Center; 17.10.2012] описан тонкопленочный солнечный элемент, состоящий из подложки, слоя нижнего контакта из металлического Мо, сильно легированного слоя p<+>-CdTe, слабого легированного слоя CdTe р-типа, слоя n-CdS и прозрачной проводящей оксидной пленки слоя верхнего прозрачного электрода. Данный метод заключается в использовании т.н. Back Surface Field (BSF), который получается в ходе нанесения высоколегированного слоя, поглощающего слоя на тыльный контакт. Использование таких слоев излишне усложняет конструкцию солнечного элемента, к тому же требует точного контроля температуры.In the patent [CdTe thin-film solar cell with an npp<+>structure [text]: patent. CN 203103315U / Zhang Chuanjun et. al.; applicant Shanghai Solar Battery Research and Development Center; 10/17/2012] describes a thin-film solar cell consisting of a substrate, a lower contact layer of metal Mo, a heavily doped p <+> -CdTe layer, a weakly doped p-type CdTe layer, an n-CdS layer and a transparent conducting oxide film of a top transparent layer electrode. This method consists of using the so-called. Back Surface Field (BSF), which is obtained by applying a highly alloyed absorbent layer to the back contact. The use of such layers unnecessarily complicates the solar cell design and also requires precise temperature control.

Наиболее близким к предлагаемой разработке является патент [Способ изготовления базовых слоев гибких фотоэлектрических преобразователей на основе CdTe в квазизамкнутом объеме [text]: пат. RU2675403 C1 / Крюков Ю.А., Фурсаев Д.В. и др.; патентообладатель Государственный университет "Дубна"; 14.11.2017], в котором описан метод напыления основных слоев солнечной батареи в квазизамкнутом объеме. При этом расстояние от зоны испарения (испарителя) до зоны конденсации (подложка) соизмеримо с диаметром реактора. Данное решение имеет недостаток, заключающийся в том, что при таком малом расстоянии между испарителем и подложкой температура зоны испарения влияет на температуру подложки, на которой происходит конденсация. Так, например, при напылении поглощающего слоя солнечной батареи - теллурида кадмия данным способом при температуре испарителя 425-460°С, температура подложки составляет 319-353°С. Однако высокая температура подложки на данном этапе может влиять на ее механические свойства, поэтому в случае легкой основы необходимо использовать только термостойкие пленки с низким коэффициентом термического расширения. Также авторы отмечают, что в качестве гибких подложек можно использовать полиимидные пленки толщиной 7-20 мкм, термостабильные до температуры 450°С. Однако пленки такой небольшой толщины в процессе создания устройства склонны к нежелательной существенной деформации. Кроме того, в данном изобретении используется дорогая и малодоступная разновидность полиимида UPILEX-S.The closest to the proposed development is the patent [Method of manufacturing base layers of flexible photovoltaic converters based on CdTe in a quasi-closed volume [text]: patent. RU2675403 C1 / Kryukov Yu.A., Fursaev D.V. and etc.; patent holder State University "Dubna"; 11/14/2017], which describes the method of deposition of the main layers of a solar cell in a quasi-closed volume. In this case, the distance from the evaporation zone (evaporator) to the condensation zone (substrate) is commensurate with the diameter of the reactor. This solution has the disadvantage that with such a small distance between the evaporator and the substrate, the temperature of the evaporation zone affects the temperature of the substrate on which condensation occurs. So, for example, when spraying the absorbing layer of a solar battery - cadmium telluride using this method at an evaporator temperature of 425-460°C, the substrate temperature is 319-353°C. However, the high temperature of the substrate at this stage can affect its mechanical properties, therefore, in the case of a lightweight substrate, it is necessary to use only heat-resistant films with a low coefficient of thermal expansion. The authors also note that polyimide films with a thickness of 7-20 microns, thermally stable up to a temperature of 450°C, can be used as flexible substrates. However, films of such a small thickness are prone to undesirable significant deformation during the creation of the device. In addition, this invention uses an expensive and hard-to-find variety of polyimide, UPILEX-S.

Задачей предлагаемого изобретения является создание гибких солнечных элементов фронтальной конструкции с гетеропереходом CdTe/CdS на других сортах полиимидной пленки.The objective of the present invention is to create flexible solar cells of a front design with a CdTe/CdS heterojunction on other types of polyimide film.

Отличительной особенностью предлагаемого нами изобретения является то, что при нанесении слоя CdTe расстояние между зоной испарения и зоной конденсации существенно превышает их размеры, таким образом, испаритель является точечным по отношению к подложке. Это позволяет избежать дополнительного нежелательного нагрева подложки испарителем. Другой особенностью является использование в качестве подложки полиимидной пленки, стабильной в диапазоне температур Т=300-450°С, прочность на разрыв которой составляет 170-250 МПа при стандартных условиях при толщине 38-50 мкм. При этом пленку предварительно отжигают в вакууме при температуре Т=+250°С в вакуумной печи не менее 1 часа. Также особенностью является то, что слой молибдена (нижний контакт) наносят с двух сторон подложки, что позволяет уменьшить ее деформацию при нанесении последующих слоев солнечного элемента. При этом на рабочую поверхность Мо наносят слой МоОх методом магнетронного напыления путем замены рабочего газа в камере магнетрона с аргона на кислород. Кроме того, перед нанесением слоя CdCl3 наносят 10 нм NaF, после этого проводят отжиг в инертной атмосфере при Т=430°С в течение 30 мин, после чего образцы промывают и высушивают, затем методом термического вакуумного испарения наносят слой CdS и ZnO методом магнетронного распыления. После этого проводят отжиг солнечного элемента при Т=450°С в течение не менее 120 минут в инертной атмосфере, затем наносят верхний прозрачный контакт из прозрачного проводящего оксида и металлическую контактную сетку.A distinctive feature of our invention is that when applying a CdTe layer, the distance between the evaporation zone and the condensation zone significantly exceeds their dimensions, thus the evaporator is point-like in relation to the substrate. This avoids additional unwanted heating of the substrate by the evaporator. Another feature is the use of polyimide film as a substrate, stable in the temperature range T=300-450°C, the tensile strength of which is 170-250 MPa under standard conditions with a thickness of 38-50 microns. In this case, the film is pre-annealed in vacuum at a temperature of T=+250°C in a vacuum oven for at least 1 hour. Another feature is that the molybdenum layer (bottom contact) is applied on both sides of the substrate, which makes it possible to reduce its deformation when applying subsequent layers of the solar cell. In this case, a layer of MoOx is applied to the working surface of Mo using the magnetron sputtering method by replacing the working gas in the magnetron chamber from argon to oxygen. In addition, before applying the CdCl 3 layer, 10 nm NaF is applied, after which annealing is carried out in an inert atmosphere at T = 430°C for 30 minutes, after which the samples are washed and dried, then a layer of CdS and ZnO is applied using thermal vacuum evaporation using magnetron spraying. After this, the solar cell is annealed at T=450°C for at least 120 minutes in an inert atmosphere, then an upper transparent contact made of a transparent conductive oxide and a metal contact grid are applied.

Таким образом, предлагаемое изобретение позволяет создавать гибкие солнечные элементы с гетеропереходом CdTe/CdS фронтальной конструкции на полиимидных пленках, отличных от UPILEX-S.Thus, the proposed invention makes it possible to create flexible solar cells with a front-facing CdTe/CdS heterojunction on polyimide films other than UPILEX-S.

Заявляемое изобретение иллюстрируется, но никак не ограничивается следующим примером.The claimed invention is illustrated, but not limited in any way, by the following example.

Пример 1. Создание гибкого солнечного элемента с КПД=7.6%Example 1. Creation of a flexible solar cell with efficiency = 7.6%

В качестве подложки использовалась полиимидная пленка типа «Каргоп», с толщиной 50 мкм, прочность на разрыв которой была не ниже 176 МПа (нагрузка Fmax=80,4 Н) (Фиг. 2). Данную пленку предварительно отжигали в вакууме при Т=250°С. Затем на нее наносили 1.5 мкм Мо по ранее разработанной методике магнетронного напыления [Способ металлизации полиимидной пленки [text]: пат. RU2673294 C2 / Гапанович М.В., Тихонина Н.А., Новиков Г.Ф.; патентообладатель Гапанович М.В.; 07.02.2017] с обеих сторон. В случае нанесения данного слоя лишь с одной стороны наблюдалась заметная деформация при нанесении слоя CdTe (Фиг. 3. 1 - слой молибдена с одной стороны подложки, 2 - слой молибдена нанесен с обеих сторон подложки). При этом на рабочую поверхность Мо наносят слой МоОх методом магнетронного напыления, путем замены рабочего газа в камере магнетрона с аргона на кислород. Затем на подложку, нагретую слоем галогенных ламп до Т=350°С, наносили 5 мкм CdTe. Схема напыления приведена на Фиг. 4 (1 - тигель с напыляемым веществом, 2 - подложка, 3 - нагреватель, 4 - термопара, R=15 см). При этом размер испарителя был 4 см, а расстояние между подложкой и испарителем - 15 см. На Фиг. 5 изображена полиимидная пленка, половина которой после нанесения молибдена перед нанесением МоОх закрывалась алюминиевой фольгой, после чего наносился теллурид кадмия по маске. Как видно из Фиг. 5 (1 - Мо/МоОх, 2 - Мо/МоОх // CdTe, 3 - Мо), наличие слоя МоОх улучшало адгезию CdTe.As a substrate, a polyimide film of the “Kargop” type was used, with a thickness of 50 microns, the tensile strength of which was not lower than 176 MPa (load F max = 80.4 N) (Fig. 2). This film was pre-annealed in vacuum at T=250°C. Then 1.5 μm Mo was applied to it using a previously developed magnetron sputtering technique [Method of metallization of polyimide film [text]: Pat. RU2673294 C2 / Gapanovich M.V., Tikhonina N.A., Novikov G.F.; patent holder Gapanovich M.V.; 02/07/2017] on both sides. In the case of applying this layer on only one side, noticeable deformation was observed when applying the CdTe layer (Fig. 3. 1 - molybdenum layer on one side of the substrate, 2 - molybdenum layer applied on both sides of the substrate). In this case, a layer of MoO x is applied to the working surface of Mo using the magnetron sputtering method, by replacing the working gas in the magnetron chamber from argon to oxygen. Then, 5 µm CdTe was deposited onto the substrate, heated by a layer of halogen lamps to T=350°C. The spraying scheme is shown in Fig. 4 (1 - crucible with sprayed substance, 2 - substrate, 3 - heater, 4 - thermocouple, R=15 cm). In this case, the size of the evaporator was 4 cm, and the distance between the substrate and the evaporator was 15 cm. In Fig. Figure 5 shows a polyimide film, half of which, after applying molybdenum, before applying MoO x , was covered with aluminum foil, after which cadmium telluride was applied over a mask. As can be seen from FIG. 5 (1 - Mo/MoO x , 2 - Mo/MoO x // CdTe, 3 - Mo), the presence of a MoO x layer improved the adhesion of CdTe.

Затем наносили 10 нм NaF и 1 мкм CdCb, после чего отжигали в токе азота при Т=430°С в течение 30 мин, после промывки водой и высушивания на полученные образцы наносили 200 нм CdS методом термического испарения, аналогично приведенному на Фиг. 4. При этом температура подложки была Т=200°С. Затем на образцы наносилось - 50 нм ZnO. После этого образцы отжигали в диапазоне времен от 30 до 120 мин в инертной атмосфере при Т=450°С. После этого наносили слой ITO методом магнетронного напыления и контактную сетку из металлического индия. В Табл. 1 приведены вольтамперные характеристики полученных солнечных элементов, измеренные в условиях освещения AM 1.5 (эмулятор солнечного спектра с измерителем Keithley 2401). Как видно из Фиг. 6, КПД солнечного элемента максимален при времени отжига t=120 мин, при этом при нанесении слоя NaF в процессе отжига значительно возрастает и составляет 7,6%.Then 10 nm NaF and 1 μm CdCb were applied, after which they were annealed in a nitrogen stream at T = 430°C for 30 min. After washing with water and drying, 200 nm CdS was applied to the resulting samples by thermal evaporation, similar to that shown in Fig. 4. In this case, the substrate temperature was T=200°C. Then 50 nm ZnO was applied to the samples. After this, the samples were annealed in the time range from 30 to 120 minutes in an inert atmosphere at T=450°C. After this, an ITO layer was deposited using magnetron sputtering and a contact grid made of metallic indium. In Table. Figure 1 shows the current-voltage characteristics of the resulting solar cells, measured under AM 1.5 lighting conditions (solar spectrum emulator with Keithley 2401 meter). As can be seen from FIG. 6, the efficiency of the solar cell is maximum at an annealing time of t=120 min, while when applying a NaF layer during the annealing process it increases significantly and amounts to 7.6%.

Claims (1)

Способ изготовления гибких солнечных батарей фронтальной конфигурации, включающих следующие слои: подложка - полиимидная пленка, нижний контакт - слой молибдена, поглощающий слой - теллурид кадмия, буферный слой - сульфид кадмия, оптическое окно из оксида цинка, верхний прозрачный контакт из прозрачного проводящего оксида с металлической сеткой; отличающийся тем, что полиимидные пленки берут с прочностью на разрыв 170-250 МПа при толщине в диапазоне от 38 до 50 мкм; полиимидную пленку дополнительно покрывают слоем молибдена с тыльной стороны, при этом на один из молибденовых слоев дополнительно наносят слой МоОх методом магнетронного напыления путем замены рабочего газа в камере магнетрона с аргона на кислород; тем, что линейные размеры испарителя меньше, чем расстояние между испарителем и подложкой; тем, что поглощающий слой теллурида кадмия покрывают последовательно слоями NaF, CdCl2, затем отжигают в инертной атмосфере при Т=430°С в течение 30 минут, после чего промывают и высушивают; тем, что после нанесения буферного слоя сульфида кадмия и оптического окна оксида цинка проводят отжиг в инертной атмосфере при Т=450°С в течение не менее 120 мин.A method for manufacturing flexible solar cells with a frontal configuration, including the following layers: substrate - polyimide film, lower contact - molybdenum layer, absorbing layer - cadmium telluride, buffer layer - cadmium sulfide, optical window made of zinc oxide, upper transparent contact made of transparent conductive oxide with metal mesh; characterized in that polyimide films are taken with a tensile strength of 170-250 MPa with a thickness in the range from 38 to 50 microns; the polyimide film is additionally coated with a layer of molybdenum on the back side, while a layer of MoO x is additionally applied to one of the molybdenum layers using magnetron sputtering by replacing the working gas in the magnetron chamber from argon to oxygen; the fact that the linear dimensions of the evaporator are smaller than the distance between the evaporator and the substrate; the fact that the absorbing layer of cadmium telluride is coated sequentially with layers of NaF, CdCl 2 , then annealed in an inert atmosphere at T=430°C for 30 minutes, after which it is washed and dried; in that after applying the buffer layer of cadmium sulfide and the optical window of zinc oxide, annealing is carried out in an inert atmosphere at T = 450°C for at least 120 minutes.
RU2023111423A 2023-05-03 METHOD FOR MANUFACTURING FLEXIBLE SOLAR CELLS WITH CdTe ABSORBING LAYER ON POLYMER FILM RU2806180C1 (en)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2806180C1 true RU2806180C1 (en) 2023-10-27

Family

ID=

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU100336U1 (en) * 2010-08-03 2010-12-10 Закрытое акционерное общество "СуперОкс" THIN FILM PHOTOELECTRIC ELEMENT
CN103296092B (en) * 2013-06-18 2015-11-18 天津理工大学 A kind of CIGS solar cell device and preparation method thereof
CN104733547B (en) * 2015-03-27 2017-01-25 西交利物浦大学 Flexible cadmium telluride thin-film solar cell based on graphene and preparation method of flexible cadmium telluride thin-film solar cell
CN106409941A (en) * 2016-07-07 2017-02-15 天津理工大学 Copper zinc tin selenium solar cell device and preparing method thereof
RU2623717C1 (en) * 2016-03-17 2017-06-28 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения Российской академии наук (ИК СО РАН) Method of preparing polymer films for solar batteries (versions)
RU2788942C2 (en) * 2021-02-26 2023-01-26 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской академии наук (ИПХФ РАН) Photovoltaic device with perovskite photoactive layer and inorganic passivating coating based on metal halogenides and method for manufacture of this device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU100336U1 (en) * 2010-08-03 2010-12-10 Закрытое акционерное общество "СуперОкс" THIN FILM PHOTOELECTRIC ELEMENT
CN103296092B (en) * 2013-06-18 2015-11-18 天津理工大学 A kind of CIGS solar cell device and preparation method thereof
CN104733547B (en) * 2015-03-27 2017-01-25 西交利物浦大学 Flexible cadmium telluride thin-film solar cell based on graphene and preparation method of flexible cadmium telluride thin-film solar cell
RU2623717C1 (en) * 2016-03-17 2017-06-28 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения Российской академии наук (ИК СО РАН) Method of preparing polymer films for solar batteries (versions)
CN106409941A (en) * 2016-07-07 2017-02-15 天津理工大学 Copper zinc tin selenium solar cell device and preparing method thereof
RU2788942C2 (en) * 2021-02-26 2023-01-26 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской академии наук (ИПХФ РАН) Photovoltaic device with perovskite photoactive layer and inorganic passivating coating based on metal halogenides and method for manufacture of this device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Tiwari et al. CdTe solar cell in a novel configuration
Perrenoud et al. The use of aluminium doped ZnO as transparent conductive oxide for CdS/CdTe solar cells
US20080308147A1 (en) Rear electrode structure for use in photovoltaic device such as CIGS/CIS photovoltaic device and method of making same
US8343797B2 (en) Process for preparing a solar cell
CN102625953B (en) Contact doping before solar cell
KR101389832B1 (en) Cigs or czts based film solar cells and method for preparing thereof
US9461187B2 (en) Solar cell apparatus and method for manufacturing the same
KR20090123645A (en) High-efficiency cigs solar cells and manufacturing method thereof
CN102779891A (en) CIGS thin film type solar cell device and preparation method thereof
TWI558830B (en) Method of making a transparent conductive oxide layer
WO2014025176A1 (en) Flexible-substrate cigs solar cell having improved na supply method, and method for manufacturing same
EP2534692A2 (en) Photovoltaic device with transparent, conductive barrier layer
CN102782860A (en) Photovoltaic cell having a novel TCO layer built therein
CN108039379B (en) A kind of zinc oxide combination electrode film and preparation method thereof that metal foil surface is metal-doped
RU2806180C1 (en) METHOD FOR MANUFACTURING FLEXIBLE SOLAR CELLS WITH CdTe ABSORBING LAYER ON POLYMER FILM
KR20120113130A (en) Solar cell apparatus and method of fabricating the same
CN108428753B (en) Semitransparent thin film solar cell and preparation method thereof
CN103098233B (en) Solar cell and manufacture method thereof
KR101334055B1 (en) Manufacturing method of chalcogenide solar cell with double texture structure having texture layer and chalcogenide solar cell by the same
CN102820345B (en) Copper zinc tin germanium selenium thin film, preparation method thereof and copper zinc tin germanium selenium thin film solar cell
KR20100093240A (en) Thin film solar cells and manufacturing method for the same
CN109545869A (en) A kind of flexible cadmium telluride solar cell of two-sided three terminal
KR20150038788A (en) Method for manufacturing CZTS-based thin film solar cell
KR20200097118A (en) Method for manufacturing CIGS thin film solar cell
KR101485009B1 (en) fabricating method of CIGS base thin film solar cell and solar cell thereof