RU2793118C2 - Method for manufacturing a device with an improved encapsulating structure for detecting electromagnetic radiation - Google Patents

Method for manufacturing a device with an improved encapsulating structure for detecting electromagnetic radiation Download PDF

Info

Publication number
RU2793118C2
RU2793118C2 RU2019132072A RU2019132072A RU2793118C2 RU 2793118 C2 RU2793118 C2 RU 2793118C2 RU 2019132072 A RU2019132072 A RU 2019132072A RU 2019132072 A RU2019132072 A RU 2019132072A RU 2793118 C2 RU2793118 C2 RU 2793118C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
thin
relief
encapsulating
sealing layer
Prior art date
Application number
RU2019132072A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2019132072A (en
Inventor
Жан-Жак ЁН
Жоффруа ДЮМОН
Original Assignee
Комиссариат А Л'Энержи Атомик Э О Энержи Альтернатив
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from FR1859483A external-priority patent/FR3087261B1/en
Application filed by Комиссариат А Л'Энержи Атомик Э О Энержи Альтернатив filed Critical Комиссариат А Л'Энержи Атомик Э О Энержи Альтернатив
Publication of RU2019132072A publication Critical patent/RU2019132072A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2793118C2 publication Critical patent/RU2793118C2/en

Links

Images

Abstract

FIELD: electromagnetic radiation.
SUBSTANCE: methods for manufacturing devices for detecting electromagnetic radiation, in particular infrared or terahertz radiation. Method for manufacturing a device for detecting electromagnetic radiation comprises at least one thermal detector on a substrate and one sealing structure, which together with the substrate defines a cavity in which the thermal detector is located, the method includes manufacturing a thermal detector; providing a thin sealing layer of the sealing structure extending over the thermal detector, the thin sealing layer being made of a sealing material; creating, by physical vapor deposition (PVD), a second thin seal layer overlying the first thin seal layer, wherein the second thin seal layer is made of a seal material with a coefficient of thermal expansion different from that of the material of the first seal layer of the material. The method according to the invention includes, creation on the first thin encapsulating layer, before the step of creating the second thin sealing layer, at least one pattern with a suitable average thickness, so that during the deposition of the second thin sealing layer, the latter is formed from at least one segment located on the first thin sealing layer, and from at least one area separated from the specified segment of the second layer and lying on the pattern, thereby forming a local discontinuity of the second thin sealing layer at the pattern.
EFFECT: method proposed according to the invention makes it possible to manufacture such detecting devices that provide an increase in the mechanical strength of the sealing structure.
11 cl, 11 dwg

Description

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИFIELD OF TECHNOLOGY

[001] Область изобретения относится к способам изготовления устройств для детектирования электромагнитного излучения, в частности инфракрасного или терагерцового излучения, содержащих инкапсулирующую структуру, образующую полость, в которой расположен по меньшей мере один тепловой детектор. Изобретение в особенности применимо к области получения инфракрасного или терагерцового изображения, термографии или даже детектирования газа.[001] The scope of the invention relates to methods for manufacturing devices for detecting electromagnetic radiation, in particular infrared or terahertz radiation, containing an encapsulating structure forming a cavity in which at least one thermal detector is located. The invention is particularly applicable to the field of infrared or terahertz imaging, thermography or even gas detection.

ПРЕДШЕСТВУЮЩИЙ УРОВЕНЬ ТЕХНИКИPRIOR ART

[002] Устройства для детектирования электромагнитного излучения, например, инфракрасного или терагерцового излучения, могут содержать матрицу тепловых детекторов, каждый из которых содержит мембрану, способную поглощать подлежащее детектированию электромагнитное излучение, и содержит термометрический преобразователь, такой как терморезистивный материал. Для обеспечения теплоизоляции термометрических преобразователей относительно считывающей подложки, над подложками с помощью крепежных стоек обычно подвешивают поглощающие мембраны и теплоизолируют от них с помощью теплоизолирующих кронштейнов. Эти крепежные стойки и теплоизолирующие кронштейны также выполняют и электрическую функцию, поскольку они соединяют поглощающие мембраны со схемой считывания, которая обычно размещена в подложке.[002] Devices for detecting electromagnetic radiation, such as infrared or terahertz radiation, may include an array of thermal detectors, each of which contains a membrane capable of absorbing the electromagnetic radiation to be detected, and contains a thermometric transducer, such as a thermoresistive material. To ensure thermal insulation of thermometric transducers relative to the reading substrate, absorbing membranes are usually suspended above the substrates using mounting racks and thermally insulated from them using heat-insulating brackets. These mounts and heat-insulating brackets also serve an electrical function as they connect the absorbing membranes to the sensing circuitry, which is usually embedded in the substrate.

[003] Для обеспечения оптимальной работы тепловых детекторов может потребоваться низкий уровень давления. С этой целью тепловые детекторы, как правило, изолируют или заключают в оболочку, отдельно или в группе из более чем одного из них, по меньшей мере, в одной герметичной полости, которая находится в условиях вакуума или низкого давления. Герметичная полость ограничена инкапсулирующей структурой, также называемой капсулой, как показано в документе Дюмон и др. «Текущий прогресс в упаковке на уровне пикселей для неохлаждаемой IRFPA (Матрица Инфракрасных Приемников в Фокальной Плоскости)», Proc. SPIE 8353, Инфракрасная технология и приложения XXXVIII, 835311, 2012, для конфигурации, в которой инкапсулирующая структура ограничивает множество герметичных полостей, каждая из которых инкапсулирует один тепловой детектор (конфигурация, называемая «упаковка на уровне пикселей»).[003] Low pressure levels may be required for optimum performance of thermal detectors. To this end, thermal detectors are typically insulated or encased, either alone or in a group of more than one of them, in at least one sealed cavity that is under vacuum or low pressure. The sealed cavity is bounded by an encapsulating structure, also called a capsule, as shown in Dumont et al., “Current progress in pixel-level packaging for uncooled IRFPA (Focal Plane Infrared Array)”, Proc. SPIE 8353, Infrared Technology and Applications XXXVIII, 835311, 2012, for a configuration in which an encapsulating structure delimits a plurality of sealed cavities, each of which encapsulates one thermal detector (a configuration referred to as "pixel-level packaging").

[004] В патенте США №9933309 описан другой пример детектирующего устройства 1, в котором инкапсулирующая структура 20 ограничивает герметичную полость 3, инкапсулирующую матрицу тепловых детекторов 10. Как показано на Фиг. 1, инкапсулирующая структура 20 также содержит тонкий инкапсулирующий слой 21, который вместе с подложкой 2 ограничивает герметичную полость 3. Тонкий инкапсулирующий слой 21 содержит множество выпускных отверстий, позволяющих откачивать из полости 3 жертвенные слои, используемые во время процесса изготовления. Тонкий герметизирующий слой 24 покрывает, по меньшей мере частично, инкапсулирующий слой и обеспечивает герметичность полости, перекрывая выпускные отверстия 22. Тонкие инкапсулирующий и герметизирующий слои 21, 24 изготавливают из материалов, прозрачных для подлежащего детектированию электромагнитного излучения. Тонкий антиотражающий слой 25 может покрывать тонкий герметизирующий слой 24.[004] US Pat. No. 9,933,309 describes another example of a detection device 1 in which an encapsulating structure 20 defines a sealed cavity 3 encapsulating an array of thermal detectors 10. As shown in FIG. 1, the encapsulating structure 20 also includes a thin encapsulating layer 21 which, together with the substrate 2, defines the sealed cavity 3. The thin encapsulating layer 21 includes a plurality of outlets to allow the sacrificial layers used during the manufacturing process to be evacuated from the cavity 3. The thin sealing layer 24 at least partially covers the encapsulating layer and seals the cavity by sealing off the outlets 22. The thin encapsulating and sealing layers 21, 24 are made from materials that are transparent to the electromagnetic radiation to be detected. The thin anti-reflection layer 25 may overlay the thin sealing layer 24.

[005] Тонкие инкапсулирующие и герметизирующие слои могут быть изготовлены из разных материалов, например, аморфного кремния для инкапсулирующего слоя и германия для герметизирующего слоя, которые, поэтому, имеют разные коэффициенты теплового расширения (СТЕ). Фактически, способ изготовления такого детектирующего устройства может включать один или несколько этапов, на которых изготавливаемое устройство подвергают воздействию высоких температур. Таким образом, в качестве иллюстрации, речь может идти просто об активации газопоглотительного материала, расположенного в герметичной полости 3, при температуре приблизительно 300°C, при этом этот газопоглотительный материал выполнен с возможностью вступления в реакцию с остаточным газом, потенциально присутствующим в полости, чтобы поддерживать последний при достаточном уровне вакуума. Оказывается, что разница в СТЕ между материалами инкапсулирующего и герметизирующего слоев может создавать механические напряжения в инкапсулирующей структуре, что может привести к ослаблению ее механической прочности.[005] The thin encapsulating and sealing layers can be made from different materials, such as amorphous silicon for the encapsulating layer and germanium for the sealing layer, which therefore have different coefficients of thermal expansion (CTE). In fact, the method of manufacturing such a detecting device may include one or more steps in which the manufactured device is subjected to high temperatures. Thus, by way of illustration, it can simply be the activation of the getter material located in the sealed cavity 3 at a temperature of approximately 300° C., this getter material being configured to react with the residual gas potentially present in the cavity so that maintain the latter at a sufficient level of vacuum. It turns out that the difference in CTE between the materials of the encapsulating and sealing layers can create mechanical stresses in the encapsulating structure, which can lead to a weakening of its mechanical strength.

СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯSUMMARY OF THE INVENTION

[006] Задача изобретения состоит в том, чтобы, по меньшей мере частично, устранить недостатки предшествующего уровня техники и, в частности, предложить способ изготовления такого детектирующего устройства, которое позволяет повысить механическую прочность инкапсулирующей структуры.[006] The object of the invention is to at least partially eliminate the disadvantages of the prior art and, in particular, to propose a method for manufacturing such a detecting device, which allows to increase the mechanical strength of the encapsulating structure.

[007] С этой целью одним объектом изобретения является способ изготовления устройства для детектирования электромагнитного излучения, содержащего по меньшей мере один тепловой детектор, установленный на подложке, и одну инкапсулирующую структуру, ограничивающую вместе с подложкой полость, в которой расположен тепловой детектор. Способ включает следующие этапы:[007] To this end, one object of the invention is a method of manufacturing an electromagnetic radiation detection device comprising at least one thermal detector mounted on a substrate and one encapsulating structure delimiting, together with the substrate, a cavity in which the thermal detector is located. The method includes the following steps:

- создание теплового детектора из по меньшей мере одного первого жертвенного слоя, осажденного на подложке;- creating a thermal detector from at least one first sacrificial layer deposited on the substrate;

- создание тонкого инкапсулирующего слоя инкапсулирующей структуры, проходящего над указанным тепловым детектором от по меньшей мере одного второго жертвенного слоя, расположенного на первом жертвенном слое, причем указанный тонкий инкапсулирующий слой выполняют из инкапсулирующего материала;- creating a thin encapsulating layer of an encapsulating structure passing over said thermal detector from at least one second sacrificial layer located on the first sacrificial layer, said thin encapsulating layer being made of an encapsulating material;

- создание, путем физического осаждения из паровой фазы, тонкого «герметизирующего» слоя, покрывающего указанный тонкий инкапсулирующий слой, причем указанный тонкий герметизирующий слой выполняют из герметизирующего материала, коэффициент теплового расширения которого, отличается от коэффициента теплового расширения инкапсулирующего материала.- creating, by physical vapor deposition, a thin "sealing" layer covering said thin encapsulating layer, said thin sealing layer being made of a sealing material whose thermal expansion coefficient is different from that of the encapsulating material.

В соответствии с изобретением, способ, кроме того, включает следующий этап:According to the invention, the method further comprises the following step:

- до этапа изготовления тонкого герметизирующего слоя, на тонком инкапсулирующем слое выполняют по меньшей мере один рельеф, имеющий подходящую среднюю толщину, чтобы во время осаждения тонкого герметизирующего слоя последний имел локальный разрыв непрерывности на рельефе.- before the stage of manufacturing a thin sealing layer, at least one relief is made on the thin encapsulating layer, having a suitable average thickness, so that during the deposition of a thin sealing layer, the latter has a local discontinuity in the relief.

[009] Ниже приведены некоторые предпочтительные, но не ограничивающие аспекты этого способа изготовления.[009] The following are some preferred, but non-limiting, aspects of this manufacturing method.

[0010] Рельеф может образовывать двумерную решетку продольных сегментов, по меньшей мере частично окружающих тепловой детектор в ортогональной проекции относительно подложки.[0010] The pattern may form a two-dimensional array of longitudinal segments at least partially surrounding the thermal detector in an orthogonal projection relative to the substrate.

[0011] Решетка продольных сегментов рельефа может непрерывно окружать тепловой детектор в ортогональной проекции относительно подложки.[0011] The array of longitudinal relief segments may continuously surround the thermal detector in an orthogonal projection relative to the substrate.

[0012] Тепловой детектор может содержать абсорбирующую мембрану, подвешенную над подложкой и содержащую термометрический преобразователь, причем указанный рельеф расположен на расстоянии, в ортогональной проекции относительно подложки, от абсорбирующей мембраны.[0012] The thermal detector may include an absorbent membrane suspended above the substrate and containing a thermometric transducer, and the specified pattern is located at a distance, in orthogonal projection relative to the substrate, from the absorbent membrane.

[0013] Тонкий герметизирующий слой может иметь среднюю толщину ees, например, рельеф имеет среднюю толщину, большую или равную одной пятой от средней толщины ees.[0013] The thin sealing layer may have an average thickness e es , for example, the pattern has an average thickness greater than or equal to one fifth of the average thickness e es .

[0014] Этап изготовления рельефа может включать осаждение первого слоя, выполненного из материала, отличного от материала тонкого инкапсулирующего слоя, с последующим локализованным структурированием первого слоя, путем его выборочного травления относительно тонкого инкапсулирующего слоя, для формирования рельефа.[0014] The embossing step may include depositing a first layer made of a material other than the thin encapsulating layer material, followed by localized patterning of the first layer by selectively etching it with respect to the thin encapsulating layer to form the relief.

[0015] Детектирующее устройство может содержать матрицу тепловых детекторов, размещенных в указанной полости, причем рельеф образует двумерную решетку продольных сегментов, по меньшей мере частично окружающих каждый из тепловых детекторов в ортогональной проекции относительно подложки.[0015] The detecting device may comprise an array of thermal detectors placed in said cavity, wherein the relief forms a two-dimensional array of longitudinal segments at least partially surrounding each of the thermal detectors in an orthogonal projection relative to the substrate.

[0016] Тонкий инкапсулирующий слой может быть выполнен на кремниевой основе, а тонкий герметизирующий слой - на германиевой основе.[0016] The thin encapsulating layer may be silicon-based and the thin sealing layer may be germanium-based.

[0017] Тонкий герметизирующий слой предпочтительно осаждают из паровой фазы.[0017] The thin sealing layer is preferably vapor deposited.

[0018] Способ изготовления может включать этап изготовления тонкого антиотражающего слоя путем физического осаждения из паровой фазы на тонкий герметизирующий слой, причем тонкий антиотражающий слой имеет локальный разрыв непрерывности.[0018] The manufacturing method may include the step of manufacturing a thin anti-reflection layer by physical vapor deposition on a thin sealing layer, wherein the thin anti-reflection layer has a local discontinuity.

[0019] Способ изготовления может включать:[0019] The manufacturing method may include:

- между этапом изготовления рельефа и этапом изготовления тонкого герметизирующего слоя, этап формирования по меньшей мере одного сквозного отверстия, называемого выпускным отверстием, проходящим через тонкий инкапсулирующий слой, при этом тонкий герметизирующий слой создают таким образом, чтобы перекрывать выпускное отверстие,- between the step of making a pattern and the step of making a thin sealing layer, the step of forming at least one through hole, called an outlet hole, passing through a thin encapsulating layer, while a thin sealing layer is created in such a way as to block the outlet hole,

- этап удаления жертвенных слоев через выпускное отверстие.- step of removing the sacrificial layers through the outlet.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

[0020] Другие аспекты, цели, преимущества и особенности изобретения станут более очевидными после прочтения следующего подробного описания его предпочтительных вариантов выполнения, которое приведено в качестве неограничивающего примера и со ссылкой на прилагаемые чертежи, на которых:[0020] Other aspects, objects, advantages and features of the invention will become more apparent after reading the following detailed description of its preferred embodiments, which is given as a non-limiting example and with reference to the accompanying drawings, in which:

Фиг. 1, который уже был описан, изображает схематический вид в частичном поперечном разрезе детектирующего устройства, выполненного в соответствии с одним примером предшествующего уровня техники;Fig. 1, which has already been described, is a schematic, partial cross-sectional view of a detection device made in accordance with one example of the prior art;

Фиг. 2А-2J схематически иллюстрируют в частичном поперечном разрезе различные этапы способа изготовления детектирующего устройства, выполненного в соответствии с одним вариантом выполнения.Fig. 2A-2J schematically illustrate, in partial cross section, the various steps of a method for manufacturing a detection device in accordance with one embodiment.

ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ КОНКРЕТНЫХ ВАРИАНТОВ ВЫПОЛНЕНИЯDETAILED DESCRIPTION OF SPECIFIC EMBODIMENTS

[0021] На чертежах и в остальной части описания для ссылки на идентичные или похожие элементы используются одинаковые номера позиций. Кроме того, для ясности понимания чертежей различные элементы показаны не в масштабе. Кроме того, различные варианты выполнения и варианты не исключают друг друга и могут быть объединены вместе. Если не указано иное, термины «по существу», «приблизительно» и «порядка» означают с точностью до 10% и предпочтительно с точностью до 5%. Кроме того, выражение «содержащий», за которым следует существительное в единственном числе, следует понимать как означающее «содержащий по меньшей мере один» и не означающее «содержащий один», если не указано иное.[0021] In the drawings and in the rest of the description, the same reference numbers are used to refer to identical or similar elements. In addition, for clarity of understanding of the drawings, various elements are shown not to scale. Moreover, the various embodiments and variants are not mutually exclusive and may be combined together. Unless otherwise indicated, the terms "substantially", "approximately" and "of the order of" mean within 10% and preferably within 5%. In addition, the expression "comprising" followed by a singular noun is to be understood as meaning "comprising at least one" and not meaning "comprising one" unless otherwise indicated.

[0022] Изобретение относится к способу изготовления устройства для детектирования электромагнитного излучения. Детектирующее устройство содержит по меньшей мере один тепловой детектор, который инкапсулирован, один или в группе из более чем одного из них, в полости, которая предпочтительно является герметичной и ограничена инкапсулирующей структурой. Тепловой детектор может быть выполнен с возможностью детектирования инфракрасного или терагерцового излучения. В частности, он может детектировать инфракрасное излучение в длинноволновом инфракрасном диапазоне (диапазон LWIR) от 7 до 14 мкм.[0022] The invention relates to a method for manufacturing a device for detecting electromagnetic radiation. The detecting device comprises at least one thermal detector which is encapsulated, alone or in a group of more than one of them, in a cavity which is preferably sealed and delimited by an encapsulating structure. The thermal detector may be configured to detect infrared or terahertz radiation. In particular, it can detect infrared radiation in the long-wave infrared range (LWIR range) from 7 to 14 µm.

[0023] Фиг. 2А-2J иллюстрируют различные этапы способа изготовления детектирующего устройства 1, выполненного в соответствии с одним вариантом выполнения.[0023] FIG. 2A-2J illustrate various steps of a method for manufacturing a detection device 1 according to one embodiment.

[0024] В этом варианте выполнения каждый тепловой детектор 10 содержит абсорбирующую мембрану 11, содержащую термометрический преобразователь 12, подходящий для детектирования инфракрасного излучения в полосе LWIR. Термометрический преобразователь 12 представляет собой элемент, имеющий электрические свойства, которые меняются в зависимости от его температуры и, в данном случае, он образован из терморезистивного материала, выполненного, например, из оксида титана или ванадия или из аморфного кремния. Как вариант, он может представлять собой конденсатор, выполненный из сегнетоэлектрического или пироэлектрического материала, диод (с р-n или с p-i-n-переходом) или даже полевой транзистор со структурой металл-оксид-полупроводник (MOSFET).[0024] In this embodiment, each thermal detector 10 includes an absorbent membrane 11 containing a thermometric transducer 12 suitable for detecting infrared radiation in the LWIR band. The thermometric transducer 12 is an element having electrical properties that vary with its temperature and, in this case, it is formed from a thermoresistive material made of, for example, titanium or vanadium oxide or amorphous silicon. Alternatively, it can be a capacitor made of a ferroelectric or pyroelectric material, a diode (with p-n or p-i-n junction), or even a metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET).

[0025] Кроме того, тепловой детектор 10 в настоящем документе имеет конфигурацию, в которой термометрический преобразователь 12 размещен в мембране, которая подвешена над считывающей подложкой 2 и выполнен с возможностью поглощения подлежащего детектированию электромагнитного излучения. Абсорбирующая мембрана 11 расположена в той же плоскости, что и теплоизолирующие кронштейны. Возможны и другие конфигурации, например, конфигурация, в которой абсорбирующая мембрана 11 расположена над теплоизолирующими кронштейнами, как, в частности, описано в международной патентной публикации №2018/055276, или даже конфигурация, в которой абсорбирующий элемент расположен отдельно и над мембраной, содержащей термометрический преобразователь 12, как, например, описано в заявке на патент США №2009/140147.[0025] In addition, the thermal detector 10 herein has a configuration in which the thermometric transducer 12 is housed in a membrane that is suspended above the reading substrate 2 and is configured to absorb electromagnetic radiation to be detected. The absorbent membrane 11 is located in the same plane as the heat-insulating brackets. Other configurations are also possible, such as a configuration in which the absorbent membrane 11 is located above the heat-insulating brackets, as described in particular in International Patent Publication No. 2018/055276, or even a configuration in which the absorbent element is located separately and above the membrane containing a thermometric transducer 12 as, for example, described in US Patent Application No. 2009/140147.

[0026] Детектирующее устройство 1 в настоящем изобретении содержит матрицу тепловых детекторов 10, формирующих чувствительные пиксели. Инкапсулирующая структура 20 предпочтительно ограничивает герметичную полость 3, которая инкапсулирует матрицу тепловых детекторов 10. В качестве варианта, детектирующее устройство 1 может содержать множество полостей, каждая из которых инкапсулирует один тепловой детектор 10, как, в частности, описано в вышеупомянутой статье Дюмона и др., 2012.[0026] The detecting device 1 in the present invention includes an array of thermal detectors 10 forming sensitive pixels. The encapsulating structure 20 preferably defines a sealed cavity 3 that encapsulates an array of thermal detectors 10. Alternatively, the detection device 1 may comprise a plurality of cavities, each of which encapsulates one thermal detector 10, as specifically described in the aforementioned article by Dumont et al. , 2012.

[0027] Здесь и в остальной части описания задана трехмерная система ортогональных координат (X, Y, Z), в которой плоскость XY по существу параллельна плоскости считывающей подложки 2 детектирующего устройства 1, а ось Z ориентирована в направлении, по существу ортогональном плоскости XY считывающей подложки 2. Кроме того, термины «нижний» и «верхний» будут пониматься как относящиеся к положениям, которые находятся ближе и дальше от считывающей подложки 2 в направлении + Z.[0027] Here and in the rest of the description, a three-dimensional orthogonal coordinate system (X, Y, Z) is defined, in which the XY plane is essentially parallel to the plane of the reading substrate 2 of the detecting device 1, and the Z axis is oriented in a direction essentially orthogonal to the XY plane of the reading substrates 2. In addition, the terms "lower" and "upper" will be understood to refer to positions closer and further away from the reading substrate 2 in the +Z direction.

[0028] В этом примере тепловые детекторы 10 изготавливают с использованием минеральных жертвенных слоев 31, 32, которые впоследствии подлежат удалению влажным травлением в кислой среде (пары HF). Могут быть использованы и другие методы, такие как использование жертвенных слоев, сделанных из полиимида или ему эквивалентных материалов, которые затем удаляют сухим травлением, например, в кислородной плазме.[0028] In this example, thermal detectors 10 are made using mineral sacrificial layers 31, 32, which are subsequently to be removed by wet acid etching (HF vapor). Other methods may be used, such as the use of sacrificial layers made of polyimide or equivalent materials, which are then removed by dry etching, for example in oxygen plasma.

[0029] Как показано на Фиг. 2А, матрицу тепловых детекторов 10 сначала изготавливают путем осаждения по меньшей мере одного первого жертвенного слоя 31 на подложку 2. Этот этап идентичен или аналогичен описанному в патенте США №9933309.[0029] As shown in FIG. 2A, an array of thermal detectors 10 is first made by depositing at least one first sacrificial layer 31 onto a substrate 2. This step is identical or similar to that described in US Pat. No. 9,933,309.

[0030] Детектирующее устройство 1 содержит считывающую подложку 2, которая в этом примере выполнена на кремниевой основе и содержит электронную схему (не показана), позволяющую управлять тепловым детектором 10 и считывать его. Схема считывания в настоящем изобретении принимает форму интегральной схемы CMOS, расположенной в подложке-носителе. Она содержит линейные сегменты, которые являются проводящими и, например, выполнены из металла и отделены друг от друга диэлектрическим материалом, например минеральным материалом на кремниевой основе, таким как оксид кремния SiOX, нитрид кремния SiNX или их сплавы. Она также может содержать активные или пассивные электронные элементы (не показаны), например, диоды, транзисторы, конденсаторы, резисторы и т.д., которые соединены электрическими межсоединениями, с одной стороны - с тепловым детектором 10, а с другой стороны - с контактной площадкой (не показана), причем последняя выполнена с возможностью подключения детектирующей системы к внешнему электронному устройству.[0030] The detecting device 1 includes a readout substrate 2, which in this example is silicon-based and contains an electronic circuit (not shown) for controlling and reading the thermal detector 10. The reading circuit in the present invention takes the form of a CMOS integrated circuit located in a carrier substrate. It contains line segments which are conductive and, for example, made of metal and separated from each other by a dielectric material, for example a silicon-based mineral material such as silicon oxide SiO X , silicon nitride SiN X or alloys thereof. It may also contain active or passive electronic elements (not shown), for example, diodes, transistors, capacitors, resistors, etc., which are connected by electrical interconnections, on the one hand with a thermal detector 10, and on the other hand with a contact platform (not shown), the latter being configured to connect the detecting system to an external electronic device.

[0031] Для каждого теплового детектора 10 также изготавливают отражающий элемент 13. Отражающий элемент 13 в настоящем изобретении образован сегментом проводящей линии последнего уровня межсоединений, причем указанный сегмент выполнен из материала, выполненного с возможностью отражения детектируемого электромагнитного излучения. Он расположен напротив абсорбирующей мембраны 11 и выполнен с возможностью формирования в ней четвертьволновой интерференционной полости для детектирования электромагнитного излучения.[0031] A reflective element 13 is also made for each thermal detector 10. The reflective element 13 in the present invention is formed by a segment of the conductive line of the last level of interconnections, said segment being made of a material capable of reflecting the detected electromagnetic radiation. It is located opposite the absorbing membrane 11 and is configured to form a quarter-wave interference cavity in it for detecting electromagnetic radiation.

[0032] Если интерметаллические диэлектрические слои выполнены из минерального материала, и если жертвенные слои 31, 32, используемые для изготовления тепловых детекторов 10 и инкапсулирующей структуры 20, также выполнены из минерального материала, то верхнюю поверхность считывающей подложки 2 покрывают защитным слоем (не показан). Последний в настоящем изобретении соответствует слою, препятствующему травлению, изготовленному из материала, который является по существу инертным по отношению к химическому травителю, используемому впоследствии для удаления минеральных жертвенных слоев, например, инертным по отношению к парофазной HF-среде. Таким образом, этот защитный слой образует химически инертный, герметичный слой. Он также является электрически изолирующим для предотвращения любого короткого замыкания между проводящими сегментами линии. Таким образом, на этом этапе удаления жертвенных слоев это позволяет предотвратить травление нижележащих минеральных изолирующих слоев. Он может быть выполнен из нитрида или оксида алюминия, из трифторида или нитрида алюминия или из ненамеренно легированного аморфного кремния.[0032] If the intermetallic dielectric layers are made of a mineral material, and if the sacrificial layers 31, 32 used to make the thermal detectors 10 and the encapsulating structure 20 are also made of a mineral material, then the upper surface of the reading substrate 2 is covered with a protective layer (not shown) . The latter in the present invention corresponds to an anti-etch layer made from a material that is substantially inert to the chemical etchant subsequently used to remove the mineral sacrificial layers, eg inert to the HF vapor phase. Thus, this protective layer forms a chemically inert, sealed layer. It is also electrically insulating to prevent any short circuit between conductive line segments. Thus, at this stage of removing the sacrificial layers, it is possible to prevent etching of the underlying mineral insulating layers. It can be made of aluminum nitride or aluminum oxide, aluminum trifluoride or aluminum nitride, or unintentionally doped amorphous silicon.

[0033] Сперва первый жертвенный слой 31 осаждают на считывающую подложку 2, причем этот слой, например, изготавливают из минерального материала, такого как оксид кремния SiOX, осажденный путем плазмохимического осаждения из паровой фазы (PECVD). Этот минеральный материал может быть удален влажным химическим травлением, в частности, химическим травлением в кислой среде, причем травитель предпочтительно представляет собой парофазную плавиковую кислоту (HF). Этот минеральный жертвенный слой 31 осаждают так, что он непрерывно проходит практически по всей поверхности считывающей подложки 2 и, таким образом, покрывает защитный слой. Толщина жертвенного слоя 31 вдоль оси Z может составлять от нескольких сотен нанометров до нескольких микрон.[0033] First, the first sacrificial layer 31 is deposited on the read substrate 2, which layer is, for example, made of a mineral material such as silicon oxide SiO X deposited by plasma chemical vapor deposition (PECVD). This mineral material can be removed by wet chemical etching, in particular acidic chemical etching, the etchant being preferably vapor phase hydrofluoric acid (HF). This mineral sacrificial layer 31 is deposited so that it extends continuously over almost the entire surface of the reading substrate 2 and thus covers the protective layer. The thickness of the sacrificial layer 31 along the Z-axis can range from several hundred nanometers to several microns.

[0034] Затем изготавливают следующие элементы: крепежные стойки 14, проходящие через жертвенный слой 31, теплоизолирующие кронштейны (не показаны) и абсорбирующую мембрану 11, которая расположена на жертвенном слое 31. Абсорбирующую мембрану 11 выполняют с возможностью подвешивания выше считывающей подложки 2 с помощью крепежных стоек 14 и теплоизолируют от считывающей подложки 2 с помощью теплоизолирующих кронштейнов. Крепежные стойки 14 являются электропроводящими и локально проходят через защитный слой для обеспечения электрического контакта со считывающей схемой. Абсорбирующая мембрана 11 отстоит от считывающей подложки 2 и, в частности, отражающего слоя, на ненулевое расстоянии. Это расстояние предпочтительно регулируют таким образом, чтобы образовалась четвертьволновая интерференционная полость, которая оптимизирует поглощение электромагнитного излучения, подлежащего детектированию мембраной 11. Когда тепловой детектор 10 выполнен с возможностью детектирования инфракрасного излучения в диапазоне LWIR, это расстояние обычно составляет от 1 до 5 мкм и, предпочтительно, составляет 2 мкм. Абсорбирующая мембрана 11 содержит включенный в нее терморезистивный материал, который соединен со считывающей схемой посредством теплоизолирующих кронштейнов и крепежных стоек 14.[0034] Then the following elements are made: fastening posts 14 passing through the sacrificial layer 31, heat-insulating brackets (not shown) and an absorbent membrane 11, which is located on the sacrificial layer 31. racks 14 and heat-insulated from the reading substrate 2 using heat-insulating brackets. Mounting posts 14 are electrically conductive and extend locally through the protective layer to provide electrical contact with the reading circuit. The absorbent membrane 11 is separated from the reading substrate 2 and in particular the reflective layer by a non-zero distance. This distance is preferably adjusted such that a quarter-wave interference cavity is formed which optimizes the absorption of the electromagnetic radiation to be detected by the membrane 11. , is 2 µm. The absorbent membrane 11 contains a thermoresistive material included in it, which is connected to the reading circuit by means of heat-insulating brackets and mounting posts 14.

[0035] Затем изготавливают инкапсулирующую структуру 20. Как правило, инкапсулирующая структура 20, или капсула, образует со считывающей подложкой 2 полость 3, которая является преимущественно герметичной и внутри которой, в данном случае, находится матрица тепловых детекторов 10. Инкапсулирующая структура 20 содержит по меньшей мере один тонкий инкапсулирующий слой 21, покрытый по меньшей мере одним тонким герметизирующим слоем 24. Тонкие инкапсулирующие и герметизирующие слои 21, 24 изготавливают из разных материалов, имеющих разные коэффициенты теплового расширения (СТЕ). Например, тонкий инкапсулирующий слой 21 может быть изготовлен из аморфного кремния, а тонкий герметизирующий слой 24 может быть изготовлен из германия. Под тонким слоем подразумевается слой, осажденный с использованием методов, используемых для осаждения материалов, используемых в области микроэлектроники, и толщина которого предпочтительно составляет менее 10 мкм.[0035] The encapsulating structure 20 is then fabricated. Typically, the encapsulating structure 20, or capsule, forms with the reading substrate 2 a cavity 3 that is predominantly airtight and within which, in this case, is an array of thermal detectors 10. The encapsulating structure 20 contains at least one thin encapsulating layer 21 covered by at least one thin sealing layer 24. Thin encapsulating and sealing layers 21, 24 are made from different materials having different coefficients of thermal expansion (CTE). For example, the thin encapsulating layer 21 may be made of amorphous silicon and the thin sealing layer 24 may be made of germanium. By thin layer is meant a layer deposited using techniques used for depositing materials used in the field of microelectronics and preferably less than 10 µm in thickness.

[0036] Как показано на Фиг. 2В, сначала осаждают второй жертвенный слой 32, предпочтительно такой же природы, что и первый жертвенный слой 31. Жертвенный слой 32 покрывает жертвенный слой 31, а также абсорбирующую мембрану 11 и теплоизолирующие кронштейны. Используя обычные методы фотолитографии, жертвенные слои 31, 32 затем локализовано травят до поверхности считывающей подложки 2 (или до связи между собой сегментов, размещенных на подложке). Протравленные области могут иметь форму траншей с непрерывным и замкнутым периметром, окружающих матрицу тепловых детекторов 10.[0036] As shown in FIG. 2B, a second sacrificial layer 32 is first deposited, preferably of the same nature as the first sacrificial layer 31. The sacrificial layer 32 covers the sacrificial layer 31 as well as the absorbent membrane 11 and the thermally insulating brackets. Using conventional photolithography techniques, the sacrificial layers 31, 32 are then localized etched to the surface of the read substrate 2 (or to the bond between the segments placed on the substrate). The etched areas may take the form of continuous and closed perimeter trenches surrounding the thermal detector array 10.

[0037] Затем тонкий инкапсулирующий слой 21, который в настоящем изобретении выполнен из аморфного кремния и который покрывает как верхнюю поверхность жертвенного слоя 32, так и боковые стороны траншей, осаждают, например, с помощью химического осаждения из паровой фазы (CVD). Тонкий инкапсулирующий слой 21 содержит верхнюю стенку 21.1, которая расположена выше и на некотором расстоянии от тепловых детекторов 10, и боковую стенку 21.2, которая окружает матрицу тепловых детекторов 10 в плоскости XY, предпочтительно непрерывно. Верхняя стенка 21.1 является по существу плоской и расположена над тепловыми детекторами 10 на ненулевом расстоянии от подвешенных мембран, причем это расстояние составляет, например, от 0,5 до 5 мкм, предпочтительно от 0,5 до 3,5 мкм и предпочтительно равно 1,5 мкм. Боковая стенка 21.2 в данном примере является периферийной для того, чтобы окружать тепловые детекторы 10 в плоскости XY. Она проходит от верхней стенки 21.1 и локально лежит на считывающей подложке 2. Следовательно, в этом примере тонкий инкапсулирующий слой 21 непрерывно проходит над матрицей тепловых детекторов 10 и вокруг нее, образуя вместе со считывающей подложкой 2 полость 3. Тонкий инкапсулирующий слой 21 изготавливают из материала, прозрачного для подлежащего детектированию электромагнитного излучения, в данном случае из аморфного кремния, причем он имеет среднюю толщину, которая преимущественно равна нечетному кратному λ/4nCE, где λ представляет собой центральную длину волны полосы детектирования представляющего интерес электромагнитного излучения, например, 10 мкм в случае полосы LWIR, а nCE - показатель преломления материала тонкого инкапсулирующего слоя 21. Эта толщина может составлять от нескольких сотен нанометров до нескольких микрон, и, например, равна приблизительно 800 нм.[0037] Then, a thin encapsulating layer 21, which in the present invention is made of amorphous silicon and which covers both the upper surface of the sacrificial layer 32 and the sides of the trenches, is deposited, for example, using chemical vapor deposition (CVD). The thin encapsulating layer 21 comprises a top wall 21.1 which is located above and at some distance from the thermal detectors 10 and a side wall 21.2 which surrounds the array of thermal detectors 10 in the XY plane, preferably continuously. The upper wall 21.1 is essentially flat and is located above the thermal detectors 10 at a non-zero distance from the suspended membranes, and this distance is, for example, from 0.5 to 5 μm, preferably from 0.5 to 3.5 μm and preferably equal to 1, 5 µm. The side wall 21.2 in this example is peripheral in order to surround the thermal detectors 10 in the XY plane. It extends from the top wall 21.1 and rests locally on the readout substrate 2. Therefore, in this example, the thin encapsulating layer 21 continuously extends over and around the thermal detector array 10, forming together with the reading substrate 2 a cavity 3. The thin encapsulating layer 21 is made of a material , transparent to the electromagnetic radiation to be detected, in this case made of amorphous silicon, and having an average thickness which is advantageously equal to an odd multiple of λ/4n CE , where λ is the center wavelength of the detection band of the electromagnetic radiation of interest, for example 10 µm in in the case of an LWIR band, and n CE is the refractive index of the material of the thin encapsulating layer 21. This thickness may range from several hundred nanometers to several microns, and is, for example, about 800 nm.

[0038] Как показано на Фиг. 2С, 2D и 2Е, на тонком инкапсулирующем слое 21, а точнее на его верхней стенке 21.1 затем создают рельеф 23. Под рельефом 23 подразумевается сегмент материала, проходящий локально над тонким инкапсулирующим слоем 21, образуя выступ из верхней поверхности 21а. Преимущественно он имеет верхнюю поверхность 23а, которая проходит по существу параллельно верхней поверхности 21а тонкого инкапсулирующего слоя 21, на которой он лежит. Верхняя поверхность 23а ограничена боковыми поверхностями 23b, которые проходят по существу ортогонально к тонкому инкапсулирующему слою 21. Таким образом, рельеф 23 может иметь поперечное сечение в поперечной плоскости, параллельной оси Z, по существу прямоугольной или квадратной формы. Локальная толщина определяется как локальный размер рельефа 23 вдоль оси Z. Среднюю толщину er определяют как среднее локальных толщин. Эту среднюю толщину er выбирают так, чтобы вызвать локальный разрыв непрерывности тонкого герметизирующего слоя 24, изготавливаемого впоследствии в результате физического осаждения из паровой фазы.[0038] As shown in FIG. 2C, 2D and 2E, a relief 23 is then created on the thin encapsulating layer 21, and more specifically on its top wall 21.1. By relief 23 is meant a segment of material extending locally over the thin encapsulating layer 21, forming a protrusion from the upper surface 21a. Advantageously, it has an upper surface 23a which extends substantially parallel to the upper surface 21a of the thin encapsulating layer 21 on which it rests. The top surface 23a is defined by side surfaces 23b that extend substantially orthogonally to the thin encapsulating layer 21. Thus, the relief 23 may have a cross-section in a transverse plane parallel to the z-axis of a substantially rectangular or square shape. The local thickness is defined as the local size of the relief 23 along the Z axis. The average thickness e r is defined as the average of the local thicknesses. This average thickness e r is chosen so as to cause a local discontinuity in the thin sealing layer 24 subsequently produced by physical vapor deposition.

[0039] Для этого предпочтительно осаждать слой, выполненный из материала, отличного от материала тонкого инкапсулирующего слоя 21, и имеющего селективность травления по отношению к нему. Затем, посредством фотолитографии и травления, осажденный слой локально структурируется, чтобы сформировать рельеф 23 на тонком инкапсулирующем слое 21. Рельеф 23 может представлять собой один или несколько продольных сегментов, которые проходят над тонким инкапсулирующим слоем 21. Под продольным сегментом подразумевается объем материала, который имеет продольный размер, превышающий поперечные размеры по ширине и толщине. Продольные сегменты предпочтительно являются смежными и непрерывными друг с другом, но, как вариант, могут быть отделены друг от друга. Рельеф 23 также может быть выполнен из одного или нескольких отдельных сегментов, имеющих в плоскости XY размеры одного порядка.[0039] To this end, it is preferable to deposit a layer made of a material different from that of the thin encapsulating layer 21 and having an etching selectivity thereto. Then, through photolithography and etching, the deposited layer is locally structured to form a pattern 23 on the thin encapsulating layer 21. The pattern 23 may be one or more longitudinal segments that extend over the thin encapsulating layer 21. By longitudinal segment is meant the volume of material that has a longitudinal dimension exceeding the transverse dimensions in width and thickness. The longitudinal segments are preferably adjacent and continuous with each other, but may alternatively be separated from each other. The relief 23 can also be made up of one or more separate segments having dimensions of the same order in the XY plane.

[0040] Предпочтительно, рельеф 23 образует двумерную решетку, следовательно такую, которая проходит вдоль двух поперечных осей, параллельных плоскости XY, и состоящую из продольных сегментов, которые, по меньшей мере частично, окружают, в ортогональной проекции, каждый тепловой детектор 10. Под выражением «в ортогональной проекцией» или «в ортогональной проекции относительно подложки» подразумевается проекция вдоль оси Z в плоскости, параллельной плоскости подложки 2. Под выражением «по меньшей мере частично» подразумевается то, что продольные сегменты рельефа 23 окружают только одну часть теплового детектора 10 в плоскости XY. Таким образом, продольные сегменты могут быть отдельными друг от друга сегментами. Предпочтительно, чтобы продольные сегменты рельефа 23 непрерывно окружали, в ортогональной проекции, каждый тепловой детектор 10. Таким образом, они соединены друг с другом и, таким образом, имеют между собой непрерывный материал.[0040] Preferably, the relief 23 forms a two-dimensional array, hence one that extends along two transverse axes parallel to the XY plane and is composed of longitudinal segments that at least partially surround, in orthogonal projection, each thermal detector 10. Below "in orthogonal projection" or "in orthogonal projection with respect to the substrate" means a projection along the Z-axis in a plane parallel to the plane of the substrate 2. By "at least partially" it is meant that the longitudinal segments of the relief 23 surround only one part of the thermal detector 10 in the XY plane. Thus, the longitudinal segments may be separate segments from one another. Preferably, the longitudinal segments of the relief 23 continuously surround, in orthogonal projection, each thermal detector 10. Thus, they are connected to each other and thus have a continuous material between them.

[0041] Предпочтительно, рельеф 23 расположен на расстоянии, в ортогональной проекции, от тепловых детекторов 10 и, предпочтительно, от абсорбирующих мембран 11, чтобы не нарушать пропускание электромагнитного излучения, которое должно быть зарегистрировано. Другими словами, рельеф 23 расположен строго вертикально относительно области, не содержащей абсорбирующих мембран 11. Таким образом, он может быть расположен строго вертикально относительно крепежных стоек 14 или даже строго вертикально относительно области, проходящей между крепежными стойками 14 двух соседних тепловых детекторов 10.[0041] Preferably, the relief 23 is located at a distance, in orthogonal projection, from the thermal detectors 10 and preferably from the absorbent membranes 11, so as not to interfere with the transmission of electromagnetic radiation, which must be registered. In other words, the relief 23 is located exactly vertically relative to the area that does not contain absorbent membranes 11. Thus, it can be located strictly vertically relative to the mounting posts 14, or even strictly vertically relative to the area passing between the mounting posts 14 of two adjacent thermal detectors 10.

[0042] Рельеф 23 имеет среднюю толщину er, выбранную таким образом, чтобы во время последующего изготовления на тонком инкапсулирующем слое 21 и на рельефе 23 тонкого герметизирующего слоя 24 путем физического осаждения из паровой фазы, наличие рельефа 23 вызывало бы локальный разрыв непрерывности тонкого герметизирующего слоя 24, то есть разрыв в материале тонкого герметизирующего слоя 24 в плоскости XY у рельефа 23. Рельеф 23 имеет среднюю толщину er, большую или равную приблизительно одной пятой от средней толщины eCS тонкого герметизирующего слоя 24, предпочтительно большую или равную одной четверти и предпочтительно большую или равную приблизительно половине средней толщины eCS. Например, в случае тонкого герметизирующего слоя 24, имеющего среднюю толщину 1800 нм, рельеф 23 может иметь толщину, большую или равную 400 нм, например, равную приблизительно 800 нм или даже 1000 нм.[0042] The pattern 23 has an average thickness e r selected such that during subsequent fabrication on the thin encapsulating layer 21 and on the pattern 23 of the thin sealing layer 24 by physical vapor deposition, the presence of the pattern 23 would cause a local discontinuity in the thin sealing layer. layer 24, i.e. a break in the material of the thin sealing layer 24 in the XY plane at the relief 23. The relief 23 has an average thickness e r greater than or equal to about one fifth of the average thickness e CS of the thin sealing layer 24, preferably greater than or equal to one quarter and preferably greater than or equal to about half the average thickness e CS . For example, in the case of a thin sealing layer 24 having an average thickness of 1800 nm, the relief 23 may have a thickness greater than or equal to 400 nm, such as approximately 800 nm or even 1000 nm.

[0043] Как показано на Фиг. 2F, затем выполняют локализованное травление тонкого герметизирующего слоя 21, чтобы сформировать сквозные отверстия, образующие выпускные отверстия 22. Каждое выпускное отверстие 22 в настоящем изобретении преимущественно расположено обращенным к центру абсорбирующей мембраны 11. Затем абсорбирующая мембрана 11 может быть структурирована таким образом, чтобы иметь сквозное отверстие (не показано), расположенное напротив выпускного отверстия 22, как описано в документе ЕР 3067675.[0043] As shown in FIG. 2F, localized etching of the thin seal layer 21 is then performed to form the through holes forming the outlet holes 22. Each outlet hole 22 in the present invention is advantageously positioned facing the center of the absorbent membrane 11. The absorbent membrane 11 may then be structured to have a through hole. an opening (not shown) located opposite the outlet 22, as described in EP 3067675.

[0044] Как показано на Фиг. 2G, различные жертвенные слои 31, 32 затем удаляют, в случае минеральных жертвенных слоев, как в настоящем изобретении, путем влажного травления в парах HF, через различные выпускные отверстия, чтобы освободить абсорбирующую мембрану 11 каждого теплового детектора 10 и сформировать полость 3. При необходимости детектирующее устройство 1 затем помещают в условия вакуума или низкого давления.[0044] As shown in FIG. 2G, the various sacrificial layers 31, 32 are then removed, in the case of mineral sacrificial layers as in the present invention, by wet etching in HF vapor, through the various outlets to release the absorbent membrane 11 of each thermal detector 10 and form a cavity 3. If necessary the detecting device 1 is then placed under vacuum or low pressure conditions.

[0045] Как показано на Фиг. 2Н и 2I, затем осаждают тонкий герметизирующий слой 24 так, чтобы он покрывал тонкий инкапсулирующий слой 21 и рельеф 23, и чтобы он перекрывал выпускные отверстия 22. Тонкий герметизирующий слой 24 выполняют из материала, который является прозрачным для подлежащего детектированию электромагнитного излучения и имеющего высокий показатель преломления, и, например, изготавливают из германия или сплава кремний-германий. Его среднюю толщину в настоящем изобретении регулируют таким образом, чтобы она по существу была равна нечетному кратному λ/4nCS, где nCS - показатель преломления материала тонкого герметизирующего слоя 24. В качестве примера, тонкий герметизирующий слой 24 может быть изготовлен из германия и иметь среднюю толщину, равную приблизительно 1800 нм.[0045] As shown in FIG. 2H and 2I, then a thin sealing layer 24 is deposited so that it covers the thin encapsulating layer 21 and the relief 23, and so that it covers the outlets 22. The thin sealing layer 24 is made of a material that is transparent to the electromagnetic radiation to be detected and has a high refractive index, and, for example, are made of germanium or a silicon-germanium alloy. Its average thickness in the present invention is adjusted so that it is essentially equal to an odd multiple of λ/4n CS , where n CS is the refractive index of the material of the thin sealing layer 24. As an example, the thin sealing layer 24 may be made of germanium and have an average thickness of approximately 1800 nm.

[0046] Материал тонкого герметизирующего слоя 24 отличается от материала тонкого инкапсулирующего слоя 21 и имеет другой коэффициент теплового расширения. В качестве примера, это может быть германий, СТЕ которого равен приблизительно 5,9×10-6 К-1, который в этом примере отличается от аморфного кремния тонкого инкапсулирующего слоя 21, СТЕ которого равен приблизительно 2,6×10-6 К-1.[0046] The material of the thin sealing layer 24 is different from the material of the thin encapsulating layer 21 and has a different coefficient of thermal expansion. As an example, this may be germanium, the CTE of which is approximately 5.9×10 -6 K -1 , which in this example differs from the amorphous silicon of the thin encapsulating layer 21, the CTE of which is approximately 2.6×10 -6 K - 1 .

[0047] Осаждение осуществляют путем физического осаждения из паровой фазы (PVD) и, например, путем испарения в вакууме, испарения электронным пучком или катодного распыления. Осаждение PVD сводится к образованию тонкого слоя материала на верхней поверхности приемной области. Таким образом, материал тонкого герметизирующего слоя 24 осаждают на верхней поверхности 21а тонкого инкапсулирующего слоя 21, не покрытого рельефом 23, и на верхней поверхности 23а рельефа 23. Материал тонкого герметизирующего слоя 24 по существу не осаждают на боковых поверхностях 23b рельефа 23 (в отличие от конформного осаждения, осуществляемого химическим осаждением из паровой фазы), что приводит к локальному нарушению непрерывности тонкого герметизирующего слоя 24. В результате тонкий герметизирующий слой 24 формируется по меньшей мере из одного сегмента 24.1 слоя, который лежит на тонком инкапсулирующем слое 21, и из по меньшей мере одной площадки 24.2, которая лежит на рельефе 23, причем в данном случае продольная площадка принимает форму полосы. Каждый сегмент 24.1 слоя является отдельным и, следовательно, не имеет непрерывности материала со смежными продольными площадками 24.2. Другими словами, между каждым сегментом 24.1 слоя и одной или несколькими соседними площадками 24.2 существует физическое разделение (и наоборот).[0047] The deposition is carried out by physical vapor deposition (PVD) and, for example, by vacuum evaporation, electron beam evaporation or cathode sputtering. PVD deposition is reduced to the formation of a thin layer of material on the upper surface of the receiving area. Thus, the thin sealing layer material 24 is deposited on the top surface 21a of the thin encapsulating layer 21 not covered by the pattern 23 and on the top surface 23a of the pattern 23. The thin sealing layer material 24 is substantially not deposited on the side surfaces 23b of the pattern 23 (unlike conformal deposition by chemical vapor deposition), which results in localized discontinuity of the thin seal layer 24. As a result, the thin seal layer 24 is formed from at least one layer segment 24. at least one platform 24.2, which lies on the relief 23, and in this case the longitudinal platform takes the form of a strip. Each layer segment 24.1 is separate and therefore has no material continuity with adjacent longitudinal pads 24.2. In other words, there is a physical separation between each layer segment 24.1 and one or more adjacent pads 24.2 (and vice versa).

[0048] Если рельеф 23 образует непрерывную двумерную решетку вокруг тепловых детекторов 10, то продольные площадки 24.2 соединяются друг с другом и также образуют непрерывную решетку, расположенную поверх решетки рельефа 23. Поэтому возникает разрыв непрерывности, т.е. физическое разделение между продольными площадками 24.2, с одной стороны, и одним или несколькими соседними слоями 24.1, с другой стороны. Кроме того, соседние сегменты 24.1 слоя отделены друг от друга в плоскости XY.[0048] If the relief 23 forms a continuous two-dimensional grid around the thermal detectors 10, then the longitudinal pads 24.2 are connected to each other and also form a continuous grid located on top of the grid of the relief 23. Therefore, a discontinuity occurs, i.e. a physical separation between the longitudinal platforms 24.2 on the one hand and one or more adjacent layers 24.1 on the other hand. In addition, adjacent layer segments 24.1 are separated from each other in the XY plane.

[0049] Следует понимать, что разрыв непрерывности слоя отличается от простого нарушения планарности слоя из-за рельефа 23. То, что раскрыто в настоящем изобретении, отличается от того, что раскрыто в документах предшествующего уровня техники, которые, например, описывают конформное осаждение слоя на плоской поверхности, локально покрытой рельефом. Этот осажденный слой может затем непрерывно проходить по плоской поверхности и граням рельефа. В этом случае рельеф приводит к разрыву в плоскостности осажденного слоя в плоскости XY, а не к разрыву непрерывности слоя. Другими словами, часть слоя, расположенная на рельефе, не отделена (физически не отделена) от части слоя, расположенной на плоской поверхности.[0049] It should be understood that the discontinuity of the layer is different from the simple disruption of the planarity of the layer due to the relief 23. What is disclosed in the present invention is different from what is disclosed in the documents of the prior art, which, for example, describe the conformal deposition of the layer on a flat surface locally covered with relief. This deposited layer can then continuously pass over the flat surface and the edges of the relief. In this case, the relief results in a discontinuity in the flatness of the deposited layer in the XY plane, rather than a discontinuity in the layer. In other words, the part of the layer located on the relief is not separated (not physically separated) from the part of the layer located on a flat surface.

[0050] Кроме того, локальный разрыв непрерывности может быть усилен эффектом затенения, связанным с площадками 24.2, лежащими на рельефе 23. В частности, из-за квазиоднонаправленности излучения источника PVD материала, подлежащего осаждению, в частности, во время осаждения путем испарения, площадки 24.2 имеют поперечное сечение, которое расширяется в направлении +Z, то есть ширина в плоскости XY увеличивается с расстоянием от рельефа 23 в направлении +Z. Это расширение площадок 24.2 приводит к сужению сегментов 24.1 слоя в направлении +Z. Этот эффект затенения усиливает локальный разрыв непрерывности тонкого инкапсулирующего слоя 21.[0050] In addition, the local discontinuity can be enhanced by the shading effect associated with the pads 24.2 lying on the terrain 23. In particular, due to the quasi-unidirectionality of the radiation of the PVD source of the material to be deposited, in particular during deposition by evaporation, the pads 24.2 have a cross section that expands in the +Z direction, i.e. the width in the XY plane increases with distance from the relief 23 in the +Z direction. This expansion of the pads 24.2 causes the layer segments 24.1 to narrow in the +Z direction. This shading effect enhances the local discontinuity of the thin encapsulating layer 21.

[0051] В результате, из-за наличия рельефа 23 среднюю толщину er выбирают в зависимости от толщины eCS тонкого герметизирующего слоя 24 так, что в непрерывности тонкого герметизирующего слоя 24 на рельефе 23 образуется локальный разрыв. Таким образом, тонкий герметизирующий слой 24 имеет разрыв в материале в плоскости XY, что образует область релаксации механических напряжений, возникающих в результате разности коэффициентов теплового расширения между материалами тонкого инкапсулирующего и герметизирующего слоев 21, 24. По этой причине механическая прочность инкапсулирующей структуры 20 улучшается.[0051] As a result, due to the presence of the relief 23, the average thickness e r is selected depending on the thickness e CS of the thin sealing layer 24 so that a local discontinuity is formed in the continuity of the thin sealing layer 24 on the relief 23. Thus, the thin sealing layer 24 has a break in the material in the XY plane, which forms a region of relaxation of mechanical stresses resulting from the difference in thermal expansion coefficients between the materials of the thin encapsulating and sealing layers 21, 24. For this reason, the mechanical strength of the encapsulating structure 20 is improved.

[0052] Особенно предпочтительно, чтобы рельеф 23 образовывал двумерную решетку, непрерывно ограничивающую каждый из тепловых детекторов 10. Таким образом, осажденный тонкий герметизирующий слой 24 в этом случае формируется из множества сегментов 24.1 слоя, которые отделены от друг от друга и отделены от соседних площадок 24.2, каждая из которых расположена напротив одного теплового детектора 10. Область ослабления механических напряжений окружает каждый сегмент 24.1 тонкого герметизирующего слоя 24, что дополнительно повышает механическую прочность инкапсулирующей структуры 20.[0052] It is particularly preferred that the relief 23 forms a two-dimensional lattice continuously delimiting each of the thermal detectors 10. Thus, the deposited thin sealing layer 24 in this case is formed from a plurality of layer segments 24.1 that are separated from each other and separated from adjacent areas 24.2, each positioned opposite one thermal detector 10. A stress relief region surrounds each segment 24.1 of the thin sealing layer 24, further enhancing the mechanical strength of the encapsulating structure 20.

[0053] Как показано на Фиг. 2J, предпочтительно изготавливают тонкий антиотражающий слой 25, который осаждают с помощью PVD, чтобы покрыть тонкий герметизирующий слой 24. Из-за локального нарушения непрерывности тонкого герметизирующего слоя 25 и используемой технологии осаждения, то есть PVD, тонкий антиотражающий слой 24 также содержит локальный разрыв непрерывности. В настоящем изобретении это слой образован из сегментов 25.1, которые отделены друг от друга и которые покрывают сегменты 24.1 тонкого герметизирующего слоя 24, и из продольных площадок 25.2, которые являются отдельными и которые покрывают соседние продольные площадки 24.2 тонкого герметизирующего слоя 24. Тонкий антиотражающий слой 25 может быть изготовлен из ZnS и иметь среднюю толщину от нескольких сотен нанометров до нескольких микрон и, например, равную примерно 1,2 мкм в контексте детектирования излучения LWIR.[0053] As shown in FIG. 2J, a thin anti-reflection layer 25 is preferably fabricated and deposited with PVD to cover the thin seal layer 24. Due to the local discontinuity of the thin seal layer 25 and the deposition technique used, i.e. PVD, the thin anti-reflection layer 24 also contains a local discontinuity. . In the present invention, this layer is formed from segments 25.1, which are separated from each other and which cover the segments 24.1 of the thin sealing layer 24, and from longitudinal areas 25.2, which are separate and which cover the adjacent longitudinal areas 24.2 of the thin sealing layer 24. Thin anti-reflection layer 25 may be made of ZnS and have an average thickness of several hundred nanometers to several microns and, for example, about 1.2 µm in the context of LWIR radiation detection.

[0054] Таким образом, способ изготовления позволяет получить детектирующее устройство 1, у которого сформированная инкапсулирующая структура 20 имеет улучшенную механическую прочность. Это преимущественно позволяет изготавливать тонкий герметизирующий слой 24 и тонкий антиотражающий слой 25 в виде множества сегментов 24.1, 25.1, которые отделены друг от друга, то есть без непрерывности материала между ними в плоскости XY. Механические напряжения, возникающие из-за разницы между СТЕ различных материалов инкапсулирующей структуры 20, могут быть эффективно ослаблены. Инкапсулирующая структура 20 обладает улучшенной механической прочностью при термическом воздействии на нее высоких температур, таком как, например, активация газопоглотительного материала, расположенного в полости 3, при температуре приблизительно 300°C, причем этот газопоглотительный материал предназначен для реакции с остаточным газом, потенциально присутствующим в полости 3, чтобы поддерживать последний при достаточном уровне вакуума. Речь может также идти об этапе осаждения тонкого герметизирующего слоя 24 и/или тонкого антиотражающего слоя 25, или даже о пайке, используемой для запечатывания унитарных детектирующих микросхем в упаковках и т.д.[0054] Thus, the manufacturing method makes it possible to obtain a detecting device 1 in which the formed encapsulating structure 20 has improved mechanical strength. This advantageously allows the thin sealing layer 24 and the thin anti-reflection layer 25 to be produced as a plurality of segments 24.1, 25.1 which are separated from each other, i.e. without material continuity between them in the XY plane. Mechanical stresses arising from differences between CTEs of different materials of the encapsulating structure 20 can be effectively relieved. The encapsulating structure 20 has improved mechanical strength when exposed to high temperatures, such as, for example, activation of the getter material located in the cavity 3 at a temperature of approximately 300° C., this getter material being designed to react with residual gas potentially present in cavity 3 to maintain the latter at a sufficient level of vacuum. It may also be the step of depositing a thin sealing layer 24 and/or a thin anti-reflection layer 25, or even soldering used to seal unitary detection chips in packages, etc.

[0055] Этот способ изготовления позволяет избежать необходимости осуществлять, для получения локального нарушения непрерывности, определенный этап локализованного травления тонкого герметизирующего слоя 24 и, при необходимости, тонкого антиотражающего слоя 25, причем указанные слои осаждают на тонкий инкапсулирующий слой 21, не содержащий рельефа 23, с толщиной, выбранной для получения такого эффекта, например, в конфигурации, показанной на Фиг. 1. Кроме того, это позволяет избежать недостатков, которые могут возникнуть в результате такого локализованного травления.[0055] This manufacturing method avoids the need to carry out, in order to obtain a local discontinuity, a certain step of localized etching of a thin sealing layer 24 and, if necessary, a thin anti-reflection layer 25, these layers being deposited on a thin encapsulating layer 21 that does not contain relief 23, with a thickness chosen to obtain such an effect, for example in the configuration shown in FIG. 1. In addition, it avoids the disadvantages that can result from such localized etching.

[0056] В частности, можно выполнять локализованное влажное травление тонких герметизирующих и антиотражающих слоев, когда последние проходят плоским образом над тонким инкапсулирующим слоем 21. Однако изотропный характер влажного травления может привести к травлению в поперечном направлении порядка двукратной толщины тонких слоев, подлежащих травлению. Таким образом, для общей средней толщины тонких герметизирующих и антиотражающих слоев порядка приблизительно 3000 нм будет получен желоб, имеющий поперечный размер приблизительно 6 мкм в плоскости XY, что будет иметь неприемлемое влияние на рабочие характеристики детектирующего устройства 1, в частности, в случае, когда шаг пикселей матрицы тепловых детекторов 10 составляет порядка 12 мкм или менее.[0056] In particular, it is possible to perform localized wet etching of thin encapsulation and anti-reflection layers when the latter pass in a flat manner over the thin encapsulating layer 21. However, the isotropic nature of wet etching can lead to etching in the transverse direction of about twice the thickness of the thin layers to be etched. Thus, for a total average thickness of thin sealing and anti-reflection layers on the order of about 3000 nm, a trough having a transverse dimension of about 6 µm in the XY plane will be obtained, which will have an unacceptable effect on the performance of the detection device 1, in particular in the case where the pitch pixels of the thermal detector array 10 is on the order of 12 µm or less.

[0057] Кроме того, также было бы возможно проводить локализованное сухое травление (например, локализованное плазменное травление) тонких герметизирующих и антиотражающих слоев. Однако материал, используемый для изготовления тонкого герметизирующего слоя 24, может иметь низкую селективность травления по отношению к материалу тонкого инкапсулирующего слоя 21, как в случае германия по отношению к аморфному кремнию. Сухое травление регулируют по времени, что, возможно, приводит либо только к частичному травлению тонкого герметизирующего слоя 24 и, следовательно, к отсутствию локального разрыва в непрерывности, либо к полному травлению тонкого герметизирующего слоя 24, но также и к (частичному) травлению тонкого инкапсулирующего слоя 21, которое затем приводит к еще большему снижению механической прочности инкапсулирующей структуры 20. Для уменьшения отсутствия селективности травления между материалами тонких инкапсулирующих и герметизирующих тонких слоев, тонкий между указанными двумя тонкими слоями может быть помещен ограничивающий травление слой, но за счет ухудшения рабочих характеристик детектирующего устройства 1, поскольку материал тонкого препятствующего травлению слоя может поглощать отличную от нуля часть подлежащего детектированию электромагнитного излучения.[0057] In addition, it would also be possible to carry out localized dry etching (eg, localized plasma etching) of thin sealing and anti-reflection layers. However, the material used to make the thin encapsulation layer 24 may have a low etch selectivity relative to the material of the thin encapsulating layer 21, as is the case for germanium with respect to amorphous silicon. The dry etch is time controlled, possibly resulting in either only partial etching of the thin sealing layer 24 and hence no local discontinuity, or complete etching of the thin sealing layer 24 but also (partial) etching of the thin encapsulating layer. layer 21, which then leads to an even greater reduction in the mechanical strength of the encapsulating structure 20. To reduce the lack of etch selectivity between the materials of the thin encapsulating and sealing thin layers, a thin etch-limiting layer can be placed between these two thin layers, but at the cost of degrading the performance of the detecting device 1 because the material of the thin anti-etch layer can absorb a non-zero portion of the electromagnetic radiation to be detected.

[0058] Способ изготовления, выполненный в соответствии с изобретением, позволяет, тем самым, улучшить механическую прочность инкапсулирующей структуры 20 путем создания локального разрыва в непрерывности тонкого герметизирующего слоя 24 и, в случае необходимости, тонкого антиотражающего слоя 25, благодаря выполнению рельефа 23 с толщиной, выбранной для этой цели. При этом нет необходимости прибегать к конкретному этапу локализованного травления тонких герметизирующих и антиотражающих слоев, что, в частности, позволяет сохранить рабочие характеристики детектирующего устройства 1.[0058] The manufacturing method according to the invention thus makes it possible to improve the mechanical strength of the encapsulating structure 20 by creating a local discontinuity in the continuity of the thin sealing layer 24 and, if necessary, the thin anti-reflection layer 25, by providing a relief 23 with a thickness chosen for this purpose. In this case, there is no need to resort to a specific stage of localized etching of thin sealing and antireflection layers, which, in particular, allows you to save the performance of the detecting device 1.

[0059] Выше были описаны конкретные варианты выполнения. Различные варианты и модификации будут очевидны для специалистов в данной области техники.[0059] Specific embodiments have been described above. Various variations and modifications will be apparent to those skilled in the art.

Claims (19)

1. Способ изготовления устройства (1) для детектирования электромагнитного излучения, содержащего по меньшей мере один тепловой детектор (10), лежащий на подложке (2), и одну инкапсулирующую структуру (20), ограничивающую, вместе с подложкой (2), полость (3), в которой расположен тепловой детектор (10), при этом способ включает следующие этапы:1. A method for manufacturing a device (1) for detecting electromagnetic radiation, containing at least one thermal detector (10) lying on a substrate (2) and one encapsulating structure (20) limiting, together with the substrate (2), a cavity ( 3), in which the thermal detector (10) is located, and the method includes the following steps: - изготовление теплового детектора (10) из по меньшей мере одного первого жертвенного слоя (31), осажденного на подложке (2);- manufacturing a thermal detector (10) from at least one first sacrificial layer (31) deposited on the substrate (2); - создание тонкого инкапсулирующего слоя (21) инкапсулирующей структуры (20), проходящего над тепловым детектором (10) по меньшей мере одного второго жертвенного слоя (32), расположенного на первом жертвенном слое (31), причем тонкий инкапсулирующий слой (21) выполняют из инкапсулирующего материала;- creation of a thin encapsulating layer (21) of the encapsulating structure (20) passing over the thermal detector (10) of at least one second sacrificial layer (32) located on the first sacrificial layer (31), wherein the thin encapsulating layer (21) is made of encapsulating material; - создание, путем физического осаждения из паровой фазы (PVD), тонкого герметизирующего слоя (24), покрывающего тонкий инкапсулирующий слой (21), причем тонкий герметизирующий слой (24) выполняют из герметизирующего материала, коэффициент теплового расширения которого отличается от коэффициента теплового расширения инкапсулирующего материала,- creation, by physical vapor deposition (PVD), of a thin sealing layer (24) covering the thin encapsulating layer (21), wherein the thin sealing layer (24) is made of a sealing material whose coefficient of thermal expansion differs from that of the encapsulating material, отличающийся тем, что он дополнительно включает следующий этап:characterized in that it additionally includes the following step: - выполнение на тонком инкапсулирующем слое (21), перед этапом создания тонкого герметизирующего слоя (24), по меньшей мере одного рельефа (23), имеющего подходящую среднюю толщину, чтобы во время осаждения тонкого герметизирующего слоя (24) последний формировался из по меньшей мере одного сегмента (24.1), расположенного на тонком инкапсулирующем слое (21), и из по меньшей мере одной площадки (24.2), отделенной от указанного сегмента (24.1) слоя и лежащей на рельефе (23), формируя тем самым локальный разрыв непрерывности тонкого герметизирующего слоя (24) у рельефа (23).- execution on a thin encapsulating layer (21), before the step of creating a thin sealing layer (24), at least one relief (23), having a suitable average thickness, so that during the deposition of a thin sealing layer (24), the latter is formed from at least one segment (24.1) located on the thin encapsulating layer (21) and from at least one area (24.2) separated from said segment (24.1) of the layer and lying on the relief (23), thereby forming a local discontinuity of the thin sealing layer (24) at the relief (23). 2. Способ по п. 1, в котором рельеф (23) образует, в ортогональной проекции относительно подложки (2), двумерную решетку продольных сегментов, по меньшей мере частично окружающих тепловой детектор (10).2. Method according to claim 1, wherein the relief (23) forms, in orthogonal projection with respect to the substrate (2), a two-dimensional array of longitudinal segments at least partially surrounding the thermal detector (10). 3. Способ по п. 2, в котором, в ортогональной проекции относительно подложки (2), решетка продольных сегментов рельефа (23) непрерывно окружает тепловой детектор (10), так что площадка (24.2) проходит непрерывно поверх решетки продольных сегментов рельефа (23) и отделена от указанного сегмента (24.1) слоя, окруженного решеткой продольных сегментов рельефа (23).3. The method according to claim 2, wherein, in orthogonal projection with respect to the substrate (2), the array of longitudinal relief segments (23) continuously surrounds the thermal detector (10), so that the area (24.2) passes continuously over the array of longitudinal relief segments (23 ) and is separated from the specified segment (24.1) of the layer surrounded by a lattice of longitudinal segments of the relief (23). 4. Способ по любому из пп. 1-3, в котором тепловой детектор (10) содержит абсорбирующую мембрану (11), подвешенную над подложкой (2) и содержащую термометрический преобразователь (12), причем рельеф (23), в ортогональной проекции относительно подложки (2), расположен на расстоянии от абсорбирующей мембраны (11).4. The method according to any one of paragraphs. 1-3, in which the thermal detector (10) contains an absorbent membrane (11) suspended above the substrate (2) and containing a thermometric transducer (12), and the relief (23), in orthogonal projection relative to the substrate (2), is located at a distance from the absorbent membrane (11). 5. Способ по любому из пп. 1-4, в котором тонкий герметизирующий слой (24) имеет среднюю толщину ecs, а рельеф (23) имеет среднюю толщину er, большую или равную одной пятой от средней толщины ecs.5. The method according to any one of paragraphs. 1-4, in which the thin sealing layer (24) has an average thickness e cs and the relief (23) has an average thickness e r greater than or equal to one fifth of the average thickness e cs . 6. Способ по любому из пп. 1-5, в котором на этапе выполнения рельефа (23) осаждают первый слой, выполненный из материала, отличающегося от материала тонкого инкапсулирующего слоя (21), с последующим локальным структурированием первого слоя путем его выборочного травления по отношению к тонкому инкапсулирующему слою (21), чтобы сформировать рельеф (23).6. The method according to any one of paragraphs. 1-5, in which at the stage of embossing (23) the first layer is deposited, made of a material different from the material of the thin encapsulating layer (21), followed by local structuring of the first layer by selectively etching it with respect to the thin encapsulating layer (21) to form a relief (23). 7. Способ по любому из пп. 1-6, в котором детектирующее устройство (1) содержит матрицу тепловых детекторов (10), размещенных в указанной полости (3), причем рельеф (23) образует двумерную решетку продольных сегментов, по меньшей мере частично окружающих каждый из тепловых детекторов (10) в ортогональной проекции относительно подложки (2).7. The method according to any one of paragraphs. 1-6, in which the detecting device (1) contains a matrix of thermal detectors (10) placed in the specified cavity (3), and the relief (23) forms a two-dimensional lattice of longitudinal segments at least partially surrounding each of the thermal detectors (10) in orthogonal projection relative to the substrate (2). 8. Способ по любому из пп. 1-7, в котором тонкий инкапсулирующий слой (21) выполняют на кремниевой основе, а тонкий герметизирующий слой (24) выполняют на германиевой основе.8. The method according to any one of paragraphs. 1-7, in which the thin encapsulating layer (21) is silicon-based and the thin sealing layer (24) is germanium-based. 9. Способ по любому из пп. 1-8, в котором тонкий герметизирующий слой (24) осаждают испарением.9. The method according to any one of paragraphs. 1-8, in which a thin sealing layer (24) is deposited by evaporation. 10. Способ по любому из пп. 1-9, в котором изготавливают тонкий антиотражающий слой (25) путем физического осаждения из паровой фазы на тонкий герметизирующий слой (24), причем тонкий антиотражающий слой (25) имеет локальный разрыв непрерывности.10. The method according to any one of paragraphs. 1-9, in which a thin anti-reflection layer (25) is made by physical vapor deposition on a thin sealing layer (24), wherein the thin anti-reflection layer (25) has a local discontinuity. 11. Способ изготовления по любому из пп. 1-10, в котором:11. The method of manufacture according to any one of paragraphs. 1-10, in which: - между выполнением рельефа (23) и созданием тонкого герметизирующего слоя (24) формируют по меньшей мере одно сквозное отверстие, называемое выпускным отверстием (22), проходящее через тонкий инкапсулирующий слой (21),- between the execution of the relief (23) and the creation of a thin sealing layer (24), at least one through hole is formed, called the outlet (22), passing through the thin encapsulating layer (21), при этом тонкий герметизирующий слой (24) затем создают таким образом, чтобы он перекрывал выпускное отверстие (22),while a thin sealing layer (24) is then created in such a way that it overlaps the outlet (22), - удаляют жертвенные слои (31, 32) через выпускное отверстие (22).- remove the sacrificial layers (31, 32) through the outlet (22).
RU2019132072A 2018-10-12 2019-10-10 Method for manufacturing a device with an improved encapsulating structure for detecting electromagnetic radiation RU2793118C2 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1859483A FR3087261B1 (en) 2018-10-12 2018-10-12 METHOD OF MANUFACTURING AN ELECTROMAGNETIC RADIATION DETECTION DEVICE WITH IMPROVED ENCAPSULATION STRUCTURE
FRFR1859483 2018-10-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2019132072A RU2019132072A (en) 2021-04-12
RU2793118C2 true RU2793118C2 (en) 2023-03-29

Family

ID=

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1694597A1 (en) * 2003-12-19 2006-08-30 Commissariat A L'energie Atomique Microcomponent comprising a hermetic microcavity and method for production of such a microcomponent
RU2386934C2 (en) * 2004-03-04 2010-04-20 Коммиссариат А Л'Энержи Атомик Method for manufacturing of device for detection of heat radiation comprising active microbolometre and passive microbolometre
US9018723B2 (en) * 2013-06-27 2015-04-28 Stmicroelectronics Pte Ltd Infrared camera sensor
RU2595306C1 (en) * 2015-07-03 2016-08-27 Общество с ограниченной ответственностью "Фотоэлектронные приборы" Heat radiation sensor and its manufacturing method
US9933309B2 (en) * 2015-02-20 2018-04-03 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Device for detecting radiation including an encapsulating structure having an improved mechanical strength

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1694597A1 (en) * 2003-12-19 2006-08-30 Commissariat A L'energie Atomique Microcomponent comprising a hermetic microcavity and method for production of such a microcomponent
RU2386934C2 (en) * 2004-03-04 2010-04-20 Коммиссариат А Л'Энержи Атомик Method for manufacturing of device for detection of heat radiation comprising active microbolometre and passive microbolometre
US9018723B2 (en) * 2013-06-27 2015-04-28 Stmicroelectronics Pte Ltd Infrared camera sensor
US9933309B2 (en) * 2015-02-20 2018-04-03 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Device for detecting radiation including an encapsulating structure having an improved mechanical strength
RU2595306C1 (en) * 2015-07-03 2016-08-27 Общество с ограниченной ответственностью "Фотоэлектронные приборы" Heat radiation sensor and its manufacturing method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8866082B2 (en) Electromagnetic radiation detector with micro-encapsulation, and device for detecting electromagnetic radiation using such detectors
JP7008019B2 (en) Thermal infrared sensor array in wafer level package
JP5926542B2 (en) Infrared detector based on suspended bolometer microplate
EP2559067B1 (en) Uncooled infrared detector and methods for manufacturing the same
JP7030422B2 (en) A device for detecting electromagnetic radiation having an enclosed structure including at least one interference filter.
KR102609052B1 (en) Surface micro-machined infrared sensor using highly temperature stable interferometric absorber
CN108982973B (en) Electromagnetic radiation detector encapsulated by thin layer transfer
US9064982B2 (en) Thin-film encapsulated infrared sensor
JP2004521329A (en) Infrared detector implementing improved anti-reflection element
JP2016194507A (en) Device for detecting electromagnetic radiation possessing hermetic encapsulating structure comprising exhaust vent
US20160273968A1 (en) Sealed Infrared Imagers and Sensors
Lapadatu et al. High-performance long wave infrared bolometer fabricated by wafer bonding
US20140239179A1 (en) Sealed Infrared Imagers
US20220416113A1 (en) Process for fabricating a detecting device the getter of which is better protected
US10981782B2 (en) Process for fabricating a device for detecting electromagnetic radiation having an improved encapsulation structure
RU2793118C2 (en) Method for manufacturing a device with an improved encapsulating structure for detecting electromagnetic radiation
US9035413B2 (en) Semiconductor device with embedded converter element and production method for a semiconductor device with an embedded converter element
US11575063B2 (en) Method for fabricating a detection device comprising a step of direct bonding of a thin sealing layer provided with a getter material
CN111373231A (en) Electromagnetic radiation detection device with reduced cross talk
CN116829914A (en) Method for manufacturing a detection device comprising an encapsulation structure with an opaque layer placed on the peripheral wall of a mineral
JP6552547B2 (en) Infrared sensor and infrared solid-state imaging device
US20230213389A1 (en) Method for manufacturing a detection device comprising a peripheral wall made of a mineral material
US20210347636A1 (en) Process for manufacturing a device for detecting electromagnetic radiation, comprising a suspended detection element
KR20210065864A (en) Method for fabricating a detection device comprising a step of transferring and direct bonding of a thin layer provided with a getter material
JP3810293B2 (en) Thermal infrared solid-state imaging device and manufacturing method thereof