RU2793118C2 - Method for manufacturing a device with an improved encapsulating structure for detecting electromagnetic radiation - Google Patents
Method for manufacturing a device with an improved encapsulating structure for detecting electromagnetic radiation Download PDFInfo
- Publication number
- RU2793118C2 RU2793118C2 RU2019132072A RU2019132072A RU2793118C2 RU 2793118 C2 RU2793118 C2 RU 2793118C2 RU 2019132072 A RU2019132072 A RU 2019132072A RU 2019132072 A RU2019132072 A RU 2019132072A RU 2793118 C2 RU2793118 C2 RU 2793118C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- thin
- relief
- encapsulating
- sealing layer
- Prior art date
Links
Images
Abstract
Description
ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИFIELD OF TECHNOLOGY
[001] Область изобретения относится к способам изготовления устройств для детектирования электромагнитного излучения, в частности инфракрасного или терагерцового излучения, содержащих инкапсулирующую структуру, образующую полость, в которой расположен по меньшей мере один тепловой детектор. Изобретение в особенности применимо к области получения инфракрасного или терагерцового изображения, термографии или даже детектирования газа.[001] The scope of the invention relates to methods for manufacturing devices for detecting electromagnetic radiation, in particular infrared or terahertz radiation, containing an encapsulating structure forming a cavity in which at least one thermal detector is located. The invention is particularly applicable to the field of infrared or terahertz imaging, thermography or even gas detection.
ПРЕДШЕСТВУЮЩИЙ УРОВЕНЬ ТЕХНИКИPRIOR ART
[002] Устройства для детектирования электромагнитного излучения, например, инфракрасного или терагерцового излучения, могут содержать матрицу тепловых детекторов, каждый из которых содержит мембрану, способную поглощать подлежащее детектированию электромагнитное излучение, и содержит термометрический преобразователь, такой как терморезистивный материал. Для обеспечения теплоизоляции термометрических преобразователей относительно считывающей подложки, над подложками с помощью крепежных стоек обычно подвешивают поглощающие мембраны и теплоизолируют от них с помощью теплоизолирующих кронштейнов. Эти крепежные стойки и теплоизолирующие кронштейны также выполняют и электрическую функцию, поскольку они соединяют поглощающие мембраны со схемой считывания, которая обычно размещена в подложке.[002] Devices for detecting electromagnetic radiation, such as infrared or terahertz radiation, may include an array of thermal detectors, each of which contains a membrane capable of absorbing the electromagnetic radiation to be detected, and contains a thermometric transducer, such as a thermoresistive material. To ensure thermal insulation of thermometric transducers relative to the reading substrate, absorbing membranes are usually suspended above the substrates using mounting racks and thermally insulated from them using heat-insulating brackets. These mounts and heat-insulating brackets also serve an electrical function as they connect the absorbing membranes to the sensing circuitry, which is usually embedded in the substrate.
[003] Для обеспечения оптимальной работы тепловых детекторов может потребоваться низкий уровень давления. С этой целью тепловые детекторы, как правило, изолируют или заключают в оболочку, отдельно или в группе из более чем одного из них, по меньшей мере, в одной герметичной полости, которая находится в условиях вакуума или низкого давления. Герметичная полость ограничена инкапсулирующей структурой, также называемой капсулой, как показано в документе Дюмон и др. «Текущий прогресс в упаковке на уровне пикселей для неохлаждаемой IRFPA (Матрица Инфракрасных Приемников в Фокальной Плоскости)», Proc. SPIE 8353, Инфракрасная технология и приложения XXXVIII, 835311, 2012, для конфигурации, в которой инкапсулирующая структура ограничивает множество герметичных полостей, каждая из которых инкапсулирует один тепловой детектор (конфигурация, называемая «упаковка на уровне пикселей»).[003] Low pressure levels may be required for optimum performance of thermal detectors. To this end, thermal detectors are typically insulated or encased, either alone or in a group of more than one of them, in at least one sealed cavity that is under vacuum or low pressure. The sealed cavity is bounded by an encapsulating structure, also called a capsule, as shown in Dumont et al., “Current progress in pixel-level packaging for uncooled IRFPA (Focal Plane Infrared Array)”, Proc. SPIE 8353, Infrared Technology and Applications XXXVIII, 835311, 2012, for a configuration in which an encapsulating structure delimits a plurality of sealed cavities, each of which encapsulates one thermal detector (a configuration referred to as "pixel-level packaging").
[004] В патенте США №9933309 описан другой пример детектирующего устройства 1, в котором инкапсулирующая структура 20 ограничивает герметичную полость 3, инкапсулирующую матрицу тепловых детекторов 10. Как показано на Фиг. 1, инкапсулирующая структура 20 также содержит тонкий инкапсулирующий слой 21, который вместе с подложкой 2 ограничивает герметичную полость 3. Тонкий инкапсулирующий слой 21 содержит множество выпускных отверстий, позволяющих откачивать из полости 3 жертвенные слои, используемые во время процесса изготовления. Тонкий герметизирующий слой 24 покрывает, по меньшей мере частично, инкапсулирующий слой и обеспечивает герметичность полости, перекрывая выпускные отверстия 22. Тонкие инкапсулирующий и герметизирующий слои 21, 24 изготавливают из материалов, прозрачных для подлежащего детектированию электромагнитного излучения. Тонкий антиотражающий слой 25 может покрывать тонкий герметизирующий слой 24.[004] US Pat. No. 9,933,309 describes another example of a
[005] Тонкие инкапсулирующие и герметизирующие слои могут быть изготовлены из разных материалов, например, аморфного кремния для инкапсулирующего слоя и германия для герметизирующего слоя, которые, поэтому, имеют разные коэффициенты теплового расширения (СТЕ). Фактически, способ изготовления такого детектирующего устройства может включать один или несколько этапов, на которых изготавливаемое устройство подвергают воздействию высоких температур. Таким образом, в качестве иллюстрации, речь может идти просто об активации газопоглотительного материала, расположенного в герметичной полости 3, при температуре приблизительно 300°C, при этом этот газопоглотительный материал выполнен с возможностью вступления в реакцию с остаточным газом, потенциально присутствующим в полости, чтобы поддерживать последний при достаточном уровне вакуума. Оказывается, что разница в СТЕ между материалами инкапсулирующего и герметизирующего слоев может создавать механические напряжения в инкапсулирующей структуре, что может привести к ослаблению ее механической прочности.[005] The thin encapsulating and sealing layers can be made from different materials, such as amorphous silicon for the encapsulating layer and germanium for the sealing layer, which therefore have different coefficients of thermal expansion (CTE). In fact, the method of manufacturing such a detecting device may include one or more steps in which the manufactured device is subjected to high temperatures. Thus, by way of illustration, it can simply be the activation of the getter material located in the sealed
СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯSUMMARY OF THE INVENTION
[006] Задача изобретения состоит в том, чтобы, по меньшей мере частично, устранить недостатки предшествующего уровня техники и, в частности, предложить способ изготовления такого детектирующего устройства, которое позволяет повысить механическую прочность инкапсулирующей структуры.[006] The object of the invention is to at least partially eliminate the disadvantages of the prior art and, in particular, to propose a method for manufacturing such a detecting device, which allows to increase the mechanical strength of the encapsulating structure.
[007] С этой целью одним объектом изобретения является способ изготовления устройства для детектирования электромагнитного излучения, содержащего по меньшей мере один тепловой детектор, установленный на подложке, и одну инкапсулирующую структуру, ограничивающую вместе с подложкой полость, в которой расположен тепловой детектор. Способ включает следующие этапы:[007] To this end, one object of the invention is a method of manufacturing an electromagnetic radiation detection device comprising at least one thermal detector mounted on a substrate and one encapsulating structure delimiting, together with the substrate, a cavity in which the thermal detector is located. The method includes the following steps:
- создание теплового детектора из по меньшей мере одного первого жертвенного слоя, осажденного на подложке;- creating a thermal detector from at least one first sacrificial layer deposited on the substrate;
- создание тонкого инкапсулирующего слоя инкапсулирующей структуры, проходящего над указанным тепловым детектором от по меньшей мере одного второго жертвенного слоя, расположенного на первом жертвенном слое, причем указанный тонкий инкапсулирующий слой выполняют из инкапсулирующего материала;- creating a thin encapsulating layer of an encapsulating structure passing over said thermal detector from at least one second sacrificial layer located on the first sacrificial layer, said thin encapsulating layer being made of an encapsulating material;
- создание, путем физического осаждения из паровой фазы, тонкого «герметизирующего» слоя, покрывающего указанный тонкий инкапсулирующий слой, причем указанный тонкий герметизирующий слой выполняют из герметизирующего материала, коэффициент теплового расширения которого, отличается от коэффициента теплового расширения инкапсулирующего материала.- creating, by physical vapor deposition, a thin "sealing" layer covering said thin encapsulating layer, said thin sealing layer being made of a sealing material whose thermal expansion coefficient is different from that of the encapsulating material.
В соответствии с изобретением, способ, кроме того, включает следующий этап:According to the invention, the method further comprises the following step:
- до этапа изготовления тонкого герметизирующего слоя, на тонком инкапсулирующем слое выполняют по меньшей мере один рельеф, имеющий подходящую среднюю толщину, чтобы во время осаждения тонкого герметизирующего слоя последний имел локальный разрыв непрерывности на рельефе.- before the stage of manufacturing a thin sealing layer, at least one relief is made on the thin encapsulating layer, having a suitable average thickness, so that during the deposition of a thin sealing layer, the latter has a local discontinuity in the relief.
[009] Ниже приведены некоторые предпочтительные, но не ограничивающие аспекты этого способа изготовления.[009] The following are some preferred, but non-limiting, aspects of this manufacturing method.
[0010] Рельеф может образовывать двумерную решетку продольных сегментов, по меньшей мере частично окружающих тепловой детектор в ортогональной проекции относительно подложки.[0010] The pattern may form a two-dimensional array of longitudinal segments at least partially surrounding the thermal detector in an orthogonal projection relative to the substrate.
[0011] Решетка продольных сегментов рельефа может непрерывно окружать тепловой детектор в ортогональной проекции относительно подложки.[0011] The array of longitudinal relief segments may continuously surround the thermal detector in an orthogonal projection relative to the substrate.
[0012] Тепловой детектор может содержать абсорбирующую мембрану, подвешенную над подложкой и содержащую термометрический преобразователь, причем указанный рельеф расположен на расстоянии, в ортогональной проекции относительно подложки, от абсорбирующей мембраны.[0012] The thermal detector may include an absorbent membrane suspended above the substrate and containing a thermometric transducer, and the specified pattern is located at a distance, in orthogonal projection relative to the substrate, from the absorbent membrane.
[0013] Тонкий герметизирующий слой может иметь среднюю толщину ees, например, рельеф имеет среднюю толщину, большую или равную одной пятой от средней толщины ees.[0013] The thin sealing layer may have an average thickness e es , for example, the pattern has an average thickness greater than or equal to one fifth of the average thickness e es .
[0014] Этап изготовления рельефа может включать осаждение первого слоя, выполненного из материала, отличного от материала тонкого инкапсулирующего слоя, с последующим локализованным структурированием первого слоя, путем его выборочного травления относительно тонкого инкапсулирующего слоя, для формирования рельефа.[0014] The embossing step may include depositing a first layer made of a material other than the thin encapsulating layer material, followed by localized patterning of the first layer by selectively etching it with respect to the thin encapsulating layer to form the relief.
[0015] Детектирующее устройство может содержать матрицу тепловых детекторов, размещенных в указанной полости, причем рельеф образует двумерную решетку продольных сегментов, по меньшей мере частично окружающих каждый из тепловых детекторов в ортогональной проекции относительно подложки.[0015] The detecting device may comprise an array of thermal detectors placed in said cavity, wherein the relief forms a two-dimensional array of longitudinal segments at least partially surrounding each of the thermal detectors in an orthogonal projection relative to the substrate.
[0016] Тонкий инкапсулирующий слой может быть выполнен на кремниевой основе, а тонкий герметизирующий слой - на германиевой основе.[0016] The thin encapsulating layer may be silicon-based and the thin sealing layer may be germanium-based.
[0017] Тонкий герметизирующий слой предпочтительно осаждают из паровой фазы.[0017] The thin sealing layer is preferably vapor deposited.
[0018] Способ изготовления может включать этап изготовления тонкого антиотражающего слоя путем физического осаждения из паровой фазы на тонкий герметизирующий слой, причем тонкий антиотражающий слой имеет локальный разрыв непрерывности.[0018] The manufacturing method may include the step of manufacturing a thin anti-reflection layer by physical vapor deposition on a thin sealing layer, wherein the thin anti-reflection layer has a local discontinuity.
[0019] Способ изготовления может включать:[0019] The manufacturing method may include:
- между этапом изготовления рельефа и этапом изготовления тонкого герметизирующего слоя, этап формирования по меньшей мере одного сквозного отверстия, называемого выпускным отверстием, проходящим через тонкий инкапсулирующий слой, при этом тонкий герметизирующий слой создают таким образом, чтобы перекрывать выпускное отверстие,- between the step of making a pattern and the step of making a thin sealing layer, the step of forming at least one through hole, called an outlet hole, passing through a thin encapsulating layer, while a thin sealing layer is created in such a way as to block the outlet hole,
- этап удаления жертвенных слоев через выпускное отверстие.- step of removing the sacrificial layers through the outlet.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
[0020] Другие аспекты, цели, преимущества и особенности изобретения станут более очевидными после прочтения следующего подробного описания его предпочтительных вариантов выполнения, которое приведено в качестве неограничивающего примера и со ссылкой на прилагаемые чертежи, на которых:[0020] Other aspects, objects, advantages and features of the invention will become more apparent after reading the following detailed description of its preferred embodiments, which is given as a non-limiting example and with reference to the accompanying drawings, in which:
Фиг. 1, который уже был описан, изображает схематический вид в частичном поперечном разрезе детектирующего устройства, выполненного в соответствии с одним примером предшествующего уровня техники;Fig. 1, which has already been described, is a schematic, partial cross-sectional view of a detection device made in accordance with one example of the prior art;
Фиг. 2А-2J схематически иллюстрируют в частичном поперечном разрезе различные этапы способа изготовления детектирующего устройства, выполненного в соответствии с одним вариантом выполнения.Fig. 2A-2J schematically illustrate, in partial cross section, the various steps of a method for manufacturing a detection device in accordance with one embodiment.
ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ КОНКРЕТНЫХ ВАРИАНТОВ ВЫПОЛНЕНИЯDETAILED DESCRIPTION OF SPECIFIC EMBODIMENTS
[0021] На чертежах и в остальной части описания для ссылки на идентичные или похожие элементы используются одинаковые номера позиций. Кроме того, для ясности понимания чертежей различные элементы показаны не в масштабе. Кроме того, различные варианты выполнения и варианты не исключают друг друга и могут быть объединены вместе. Если не указано иное, термины «по существу», «приблизительно» и «порядка» означают с точностью до 10% и предпочтительно с точностью до 5%. Кроме того, выражение «содержащий», за которым следует существительное в единственном числе, следует понимать как означающее «содержащий по меньшей мере один» и не означающее «содержащий один», если не указано иное.[0021] In the drawings and in the rest of the description, the same reference numbers are used to refer to identical or similar elements. In addition, for clarity of understanding of the drawings, various elements are shown not to scale. Moreover, the various embodiments and variants are not mutually exclusive and may be combined together. Unless otherwise indicated, the terms "substantially", "approximately" and "of the order of" mean within 10% and preferably within 5%. In addition, the expression "comprising" followed by a singular noun is to be understood as meaning "comprising at least one" and not meaning "comprising one" unless otherwise indicated.
[0022] Изобретение относится к способу изготовления устройства для детектирования электромагнитного излучения. Детектирующее устройство содержит по меньшей мере один тепловой детектор, который инкапсулирован, один или в группе из более чем одного из них, в полости, которая предпочтительно является герметичной и ограничена инкапсулирующей структурой. Тепловой детектор может быть выполнен с возможностью детектирования инфракрасного или терагерцового излучения. В частности, он может детектировать инфракрасное излучение в длинноволновом инфракрасном диапазоне (диапазон LWIR) от 7 до 14 мкм.[0022] The invention relates to a method for manufacturing a device for detecting electromagnetic radiation. The detecting device comprises at least one thermal detector which is encapsulated, alone or in a group of more than one of them, in a cavity which is preferably sealed and delimited by an encapsulating structure. The thermal detector may be configured to detect infrared or terahertz radiation. In particular, it can detect infrared radiation in the long-wave infrared range (LWIR range) from 7 to 14 µm.
[0023] Фиг. 2А-2J иллюстрируют различные этапы способа изготовления детектирующего устройства 1, выполненного в соответствии с одним вариантом выполнения.[0023] FIG. 2A-2J illustrate various steps of a method for manufacturing a
[0024] В этом варианте выполнения каждый тепловой детектор 10 содержит абсорбирующую мембрану 11, содержащую термометрический преобразователь 12, подходящий для детектирования инфракрасного излучения в полосе LWIR. Термометрический преобразователь 12 представляет собой элемент, имеющий электрические свойства, которые меняются в зависимости от его температуры и, в данном случае, он образован из терморезистивного материала, выполненного, например, из оксида титана или ванадия или из аморфного кремния. Как вариант, он может представлять собой конденсатор, выполненный из сегнетоэлектрического или пироэлектрического материала, диод (с р-n или с p-i-n-переходом) или даже полевой транзистор со структурой металл-оксид-полупроводник (MOSFET).[0024] In this embodiment, each
[0025] Кроме того, тепловой детектор 10 в настоящем документе имеет конфигурацию, в которой термометрический преобразователь 12 размещен в мембране, которая подвешена над считывающей подложкой 2 и выполнен с возможностью поглощения подлежащего детектированию электромагнитного излучения. Абсорбирующая мембрана 11 расположена в той же плоскости, что и теплоизолирующие кронштейны. Возможны и другие конфигурации, например, конфигурация, в которой абсорбирующая мембрана 11 расположена над теплоизолирующими кронштейнами, как, в частности, описано в международной патентной публикации №2018/055276, или даже конфигурация, в которой абсорбирующий элемент расположен отдельно и над мембраной, содержащей термометрический преобразователь 12, как, например, описано в заявке на патент США №2009/140147.[0025] In addition, the
[0026] Детектирующее устройство 1 в настоящем изобретении содержит матрицу тепловых детекторов 10, формирующих чувствительные пиксели. Инкапсулирующая структура 20 предпочтительно ограничивает герметичную полость 3, которая инкапсулирует матрицу тепловых детекторов 10. В качестве варианта, детектирующее устройство 1 может содержать множество полостей, каждая из которых инкапсулирует один тепловой детектор 10, как, в частности, описано в вышеупомянутой статье Дюмона и др., 2012.[0026] The detecting
[0027] Здесь и в остальной части описания задана трехмерная система ортогональных координат (X, Y, Z), в которой плоскость XY по существу параллельна плоскости считывающей подложки 2 детектирующего устройства 1, а ось Z ориентирована в направлении, по существу ортогональном плоскости XY считывающей подложки 2. Кроме того, термины «нижний» и «верхний» будут пониматься как относящиеся к положениям, которые находятся ближе и дальше от считывающей подложки 2 в направлении + Z.[0027] Here and in the rest of the description, a three-dimensional orthogonal coordinate system (X, Y, Z) is defined, in which the XY plane is essentially parallel to the plane of the
[0028] В этом примере тепловые детекторы 10 изготавливают с использованием минеральных жертвенных слоев 31, 32, которые впоследствии подлежат удалению влажным травлением в кислой среде (пары HF). Могут быть использованы и другие методы, такие как использование жертвенных слоев, сделанных из полиимида или ему эквивалентных материалов, которые затем удаляют сухим травлением, например, в кислородной плазме.[0028] In this example,
[0029] Как показано на Фиг. 2А, матрицу тепловых детекторов 10 сначала изготавливают путем осаждения по меньшей мере одного первого жертвенного слоя 31 на подложку 2. Этот этап идентичен или аналогичен описанному в патенте США №9933309.[0029] As shown in FIG. 2A, an array of
[0030] Детектирующее устройство 1 содержит считывающую подложку 2, которая в этом примере выполнена на кремниевой основе и содержит электронную схему (не показана), позволяющую управлять тепловым детектором 10 и считывать его. Схема считывания в настоящем изобретении принимает форму интегральной схемы CMOS, расположенной в подложке-носителе. Она содержит линейные сегменты, которые являются проводящими и, например, выполнены из металла и отделены друг от друга диэлектрическим материалом, например минеральным материалом на кремниевой основе, таким как оксид кремния SiOX, нитрид кремния SiNX или их сплавы. Она также может содержать активные или пассивные электронные элементы (не показаны), например, диоды, транзисторы, конденсаторы, резисторы и т.д., которые соединены электрическими межсоединениями, с одной стороны - с тепловым детектором 10, а с другой стороны - с контактной площадкой (не показана), причем последняя выполнена с возможностью подключения детектирующей системы к внешнему электронному устройству.[0030] The detecting
[0031] Для каждого теплового детектора 10 также изготавливают отражающий элемент 13. Отражающий элемент 13 в настоящем изобретении образован сегментом проводящей линии последнего уровня межсоединений, причем указанный сегмент выполнен из материала, выполненного с возможностью отражения детектируемого электромагнитного излучения. Он расположен напротив абсорбирующей мембраны 11 и выполнен с возможностью формирования в ней четвертьволновой интерференционной полости для детектирования электромагнитного излучения.[0031] A
[0032] Если интерметаллические диэлектрические слои выполнены из минерального материала, и если жертвенные слои 31, 32, используемые для изготовления тепловых детекторов 10 и инкапсулирующей структуры 20, также выполнены из минерального материала, то верхнюю поверхность считывающей подложки 2 покрывают защитным слоем (не показан). Последний в настоящем изобретении соответствует слою, препятствующему травлению, изготовленному из материала, который является по существу инертным по отношению к химическому травителю, используемому впоследствии для удаления минеральных жертвенных слоев, например, инертным по отношению к парофазной HF-среде. Таким образом, этот защитный слой образует химически инертный, герметичный слой. Он также является электрически изолирующим для предотвращения любого короткого замыкания между проводящими сегментами линии. Таким образом, на этом этапе удаления жертвенных слоев это позволяет предотвратить травление нижележащих минеральных изолирующих слоев. Он может быть выполнен из нитрида или оксида алюминия, из трифторида или нитрида алюминия или из ненамеренно легированного аморфного кремния.[0032] If the intermetallic dielectric layers are made of a mineral material, and if the
[0033] Сперва первый жертвенный слой 31 осаждают на считывающую подложку 2, причем этот слой, например, изготавливают из минерального материала, такого как оксид кремния SiOX, осажденный путем плазмохимического осаждения из паровой фазы (PECVD). Этот минеральный материал может быть удален влажным химическим травлением, в частности, химическим травлением в кислой среде, причем травитель предпочтительно представляет собой парофазную плавиковую кислоту (HF). Этот минеральный жертвенный слой 31 осаждают так, что он непрерывно проходит практически по всей поверхности считывающей подложки 2 и, таким образом, покрывает защитный слой. Толщина жертвенного слоя 31 вдоль оси Z может составлять от нескольких сотен нанометров до нескольких микрон.[0033] First, the first
[0034] Затем изготавливают следующие элементы: крепежные стойки 14, проходящие через жертвенный слой 31, теплоизолирующие кронштейны (не показаны) и абсорбирующую мембрану 11, которая расположена на жертвенном слое 31. Абсорбирующую мембрану 11 выполняют с возможностью подвешивания выше считывающей подложки 2 с помощью крепежных стоек 14 и теплоизолируют от считывающей подложки 2 с помощью теплоизолирующих кронштейнов. Крепежные стойки 14 являются электропроводящими и локально проходят через защитный слой для обеспечения электрического контакта со считывающей схемой. Абсорбирующая мембрана 11 отстоит от считывающей подложки 2 и, в частности, отражающего слоя, на ненулевое расстоянии. Это расстояние предпочтительно регулируют таким образом, чтобы образовалась четвертьволновая интерференционная полость, которая оптимизирует поглощение электромагнитного излучения, подлежащего детектированию мембраной 11. Когда тепловой детектор 10 выполнен с возможностью детектирования инфракрасного излучения в диапазоне LWIR, это расстояние обычно составляет от 1 до 5 мкм и, предпочтительно, составляет 2 мкм. Абсорбирующая мембрана 11 содержит включенный в нее терморезистивный материал, который соединен со считывающей схемой посредством теплоизолирующих кронштейнов и крепежных стоек 14.[0034] Then the following elements are made: fastening posts 14 passing through the
[0035] Затем изготавливают инкапсулирующую структуру 20. Как правило, инкапсулирующая структура 20, или капсула, образует со считывающей подложкой 2 полость 3, которая является преимущественно герметичной и внутри которой, в данном случае, находится матрица тепловых детекторов 10. Инкапсулирующая структура 20 содержит по меньшей мере один тонкий инкапсулирующий слой 21, покрытый по меньшей мере одним тонким герметизирующим слоем 24. Тонкие инкапсулирующие и герметизирующие слои 21, 24 изготавливают из разных материалов, имеющих разные коэффициенты теплового расширения (СТЕ). Например, тонкий инкапсулирующий слой 21 может быть изготовлен из аморфного кремния, а тонкий герметизирующий слой 24 может быть изготовлен из германия. Под тонким слоем подразумевается слой, осажденный с использованием методов, используемых для осаждения материалов, используемых в области микроэлектроники, и толщина которого предпочтительно составляет менее 10 мкм.[0035] The encapsulating
[0036] Как показано на Фиг. 2В, сначала осаждают второй жертвенный слой 32, предпочтительно такой же природы, что и первый жертвенный слой 31. Жертвенный слой 32 покрывает жертвенный слой 31, а также абсорбирующую мембрану 11 и теплоизолирующие кронштейны. Используя обычные методы фотолитографии, жертвенные слои 31, 32 затем локализовано травят до поверхности считывающей подложки 2 (или до связи между собой сегментов, размещенных на подложке). Протравленные области могут иметь форму траншей с непрерывным и замкнутым периметром, окружающих матрицу тепловых детекторов 10.[0036] As shown in FIG. 2B, a second
[0037] Затем тонкий инкапсулирующий слой 21, который в настоящем изобретении выполнен из аморфного кремния и который покрывает как верхнюю поверхность жертвенного слоя 32, так и боковые стороны траншей, осаждают, например, с помощью химического осаждения из паровой фазы (CVD). Тонкий инкапсулирующий слой 21 содержит верхнюю стенку 21.1, которая расположена выше и на некотором расстоянии от тепловых детекторов 10, и боковую стенку 21.2, которая окружает матрицу тепловых детекторов 10 в плоскости XY, предпочтительно непрерывно. Верхняя стенка 21.1 является по существу плоской и расположена над тепловыми детекторами 10 на ненулевом расстоянии от подвешенных мембран, причем это расстояние составляет, например, от 0,5 до 5 мкм, предпочтительно от 0,5 до 3,5 мкм и предпочтительно равно 1,5 мкм. Боковая стенка 21.2 в данном примере является периферийной для того, чтобы окружать тепловые детекторы 10 в плоскости XY. Она проходит от верхней стенки 21.1 и локально лежит на считывающей подложке 2. Следовательно, в этом примере тонкий инкапсулирующий слой 21 непрерывно проходит над матрицей тепловых детекторов 10 и вокруг нее, образуя вместе со считывающей подложкой 2 полость 3. Тонкий инкапсулирующий слой 21 изготавливают из материала, прозрачного для подлежащего детектированию электромагнитного излучения, в данном случае из аморфного кремния, причем он имеет среднюю толщину, которая преимущественно равна нечетному кратному λ/4nCE, где λ представляет собой центральную длину волны полосы детектирования представляющего интерес электромагнитного излучения, например, 10 мкм в случае полосы LWIR, а nCE - показатель преломления материала тонкого инкапсулирующего слоя 21. Эта толщина может составлять от нескольких сотен нанометров до нескольких микрон, и, например, равна приблизительно 800 нм.[0037] Then, a
[0038] Как показано на Фиг. 2С, 2D и 2Е, на тонком инкапсулирующем слое 21, а точнее на его верхней стенке 21.1 затем создают рельеф 23. Под рельефом 23 подразумевается сегмент материала, проходящий локально над тонким инкапсулирующим слоем 21, образуя выступ из верхней поверхности 21а. Преимущественно он имеет верхнюю поверхность 23а, которая проходит по существу параллельно верхней поверхности 21а тонкого инкапсулирующего слоя 21, на которой он лежит. Верхняя поверхность 23а ограничена боковыми поверхностями 23b, которые проходят по существу ортогонально к тонкому инкапсулирующему слою 21. Таким образом, рельеф 23 может иметь поперечное сечение в поперечной плоскости, параллельной оси Z, по существу прямоугольной или квадратной формы. Локальная толщина определяется как локальный размер рельефа 23 вдоль оси Z. Среднюю толщину er определяют как среднее локальных толщин. Эту среднюю толщину er выбирают так, чтобы вызвать локальный разрыв непрерывности тонкого герметизирующего слоя 24, изготавливаемого впоследствии в результате физического осаждения из паровой фазы.[0038] As shown in FIG. 2C, 2D and 2E, a
[0039] Для этого предпочтительно осаждать слой, выполненный из материала, отличного от материала тонкого инкапсулирующего слоя 21, и имеющего селективность травления по отношению к нему. Затем, посредством фотолитографии и травления, осажденный слой локально структурируется, чтобы сформировать рельеф 23 на тонком инкапсулирующем слое 21. Рельеф 23 может представлять собой один или несколько продольных сегментов, которые проходят над тонким инкапсулирующим слоем 21. Под продольным сегментом подразумевается объем материала, который имеет продольный размер, превышающий поперечные размеры по ширине и толщине. Продольные сегменты предпочтительно являются смежными и непрерывными друг с другом, но, как вариант, могут быть отделены друг от друга. Рельеф 23 также может быть выполнен из одного или нескольких отдельных сегментов, имеющих в плоскости XY размеры одного порядка.[0039] To this end, it is preferable to deposit a layer made of a material different from that of the
[0040] Предпочтительно, рельеф 23 образует двумерную решетку, следовательно такую, которая проходит вдоль двух поперечных осей, параллельных плоскости XY, и состоящую из продольных сегментов, которые, по меньшей мере частично, окружают, в ортогональной проекции, каждый тепловой детектор 10. Под выражением «в ортогональной проекцией» или «в ортогональной проекции относительно подложки» подразумевается проекция вдоль оси Z в плоскости, параллельной плоскости подложки 2. Под выражением «по меньшей мере частично» подразумевается то, что продольные сегменты рельефа 23 окружают только одну часть теплового детектора 10 в плоскости XY. Таким образом, продольные сегменты могут быть отдельными друг от друга сегментами. Предпочтительно, чтобы продольные сегменты рельефа 23 непрерывно окружали, в ортогональной проекции, каждый тепловой детектор 10. Таким образом, они соединены друг с другом и, таким образом, имеют между собой непрерывный материал.[0040] Preferably, the
[0041] Предпочтительно, рельеф 23 расположен на расстоянии, в ортогональной проекции, от тепловых детекторов 10 и, предпочтительно, от абсорбирующих мембран 11, чтобы не нарушать пропускание электромагнитного излучения, которое должно быть зарегистрировано. Другими словами, рельеф 23 расположен строго вертикально относительно области, не содержащей абсорбирующих мембран 11. Таким образом, он может быть расположен строго вертикально относительно крепежных стоек 14 или даже строго вертикально относительно области, проходящей между крепежными стойками 14 двух соседних тепловых детекторов 10.[0041] Preferably, the
[0042] Рельеф 23 имеет среднюю толщину er, выбранную таким образом, чтобы во время последующего изготовления на тонком инкапсулирующем слое 21 и на рельефе 23 тонкого герметизирующего слоя 24 путем физического осаждения из паровой фазы, наличие рельефа 23 вызывало бы локальный разрыв непрерывности тонкого герметизирующего слоя 24, то есть разрыв в материале тонкого герметизирующего слоя 24 в плоскости XY у рельефа 23. Рельеф 23 имеет среднюю толщину er, большую или равную приблизительно одной пятой от средней толщины eCS тонкого герметизирующего слоя 24, предпочтительно большую или равную одной четверти и предпочтительно большую или равную приблизительно половине средней толщины eCS. Например, в случае тонкого герметизирующего слоя 24, имеющего среднюю толщину 1800 нм, рельеф 23 может иметь толщину, большую или равную 400 нм, например, равную приблизительно 800 нм или даже 1000 нм.[0042] The
[0043] Как показано на Фиг. 2F, затем выполняют локализованное травление тонкого герметизирующего слоя 21, чтобы сформировать сквозные отверстия, образующие выпускные отверстия 22. Каждое выпускное отверстие 22 в настоящем изобретении преимущественно расположено обращенным к центру абсорбирующей мембраны 11. Затем абсорбирующая мембрана 11 может быть структурирована таким образом, чтобы иметь сквозное отверстие (не показано), расположенное напротив выпускного отверстия 22, как описано в документе ЕР 3067675.[0043] As shown in FIG. 2F, localized etching of the
[0044] Как показано на Фиг. 2G, различные жертвенные слои 31, 32 затем удаляют, в случае минеральных жертвенных слоев, как в настоящем изобретении, путем влажного травления в парах HF, через различные выпускные отверстия, чтобы освободить абсорбирующую мембрану 11 каждого теплового детектора 10 и сформировать полость 3. При необходимости детектирующее устройство 1 затем помещают в условия вакуума или низкого давления.[0044] As shown in FIG. 2G, the various
[0045] Как показано на Фиг. 2Н и 2I, затем осаждают тонкий герметизирующий слой 24 так, чтобы он покрывал тонкий инкапсулирующий слой 21 и рельеф 23, и чтобы он перекрывал выпускные отверстия 22. Тонкий герметизирующий слой 24 выполняют из материала, который является прозрачным для подлежащего детектированию электромагнитного излучения и имеющего высокий показатель преломления, и, например, изготавливают из германия или сплава кремний-германий. Его среднюю толщину в настоящем изобретении регулируют таким образом, чтобы она по существу была равна нечетному кратному λ/4nCS, где nCS - показатель преломления материала тонкого герметизирующего слоя 24. В качестве примера, тонкий герметизирующий слой 24 может быть изготовлен из германия и иметь среднюю толщину, равную приблизительно 1800 нм.[0045] As shown in FIG. 2H and 2I, then a
[0046] Материал тонкого герметизирующего слоя 24 отличается от материала тонкого инкапсулирующего слоя 21 и имеет другой коэффициент теплового расширения. В качестве примера, это может быть германий, СТЕ которого равен приблизительно 5,9×10-6 К-1, который в этом примере отличается от аморфного кремния тонкого инкапсулирующего слоя 21, СТЕ которого равен приблизительно 2,6×10-6 К-1.[0046] The material of the
[0047] Осаждение осуществляют путем физического осаждения из паровой фазы (PVD) и, например, путем испарения в вакууме, испарения электронным пучком или катодного распыления. Осаждение PVD сводится к образованию тонкого слоя материала на верхней поверхности приемной области. Таким образом, материал тонкого герметизирующего слоя 24 осаждают на верхней поверхности 21а тонкого инкапсулирующего слоя 21, не покрытого рельефом 23, и на верхней поверхности 23а рельефа 23. Материал тонкого герметизирующего слоя 24 по существу не осаждают на боковых поверхностях 23b рельефа 23 (в отличие от конформного осаждения, осуществляемого химическим осаждением из паровой фазы), что приводит к локальному нарушению непрерывности тонкого герметизирующего слоя 24. В результате тонкий герметизирующий слой 24 формируется по меньшей мере из одного сегмента 24.1 слоя, который лежит на тонком инкапсулирующем слое 21, и из по меньшей мере одной площадки 24.2, которая лежит на рельефе 23, причем в данном случае продольная площадка принимает форму полосы. Каждый сегмент 24.1 слоя является отдельным и, следовательно, не имеет непрерывности материала со смежными продольными площадками 24.2. Другими словами, между каждым сегментом 24.1 слоя и одной или несколькими соседними площадками 24.2 существует физическое разделение (и наоборот).[0047] The deposition is carried out by physical vapor deposition (PVD) and, for example, by vacuum evaporation, electron beam evaporation or cathode sputtering. PVD deposition is reduced to the formation of a thin layer of material on the upper surface of the receiving area. Thus, the thin
[0048] Если рельеф 23 образует непрерывную двумерную решетку вокруг тепловых детекторов 10, то продольные площадки 24.2 соединяются друг с другом и также образуют непрерывную решетку, расположенную поверх решетки рельефа 23. Поэтому возникает разрыв непрерывности, т.е. физическое разделение между продольными площадками 24.2, с одной стороны, и одним или несколькими соседними слоями 24.1, с другой стороны. Кроме того, соседние сегменты 24.1 слоя отделены друг от друга в плоскости XY.[0048] If the
[0049] Следует понимать, что разрыв непрерывности слоя отличается от простого нарушения планарности слоя из-за рельефа 23. То, что раскрыто в настоящем изобретении, отличается от того, что раскрыто в документах предшествующего уровня техники, которые, например, описывают конформное осаждение слоя на плоской поверхности, локально покрытой рельефом. Этот осажденный слой может затем непрерывно проходить по плоской поверхности и граням рельефа. В этом случае рельеф приводит к разрыву в плоскостности осажденного слоя в плоскости XY, а не к разрыву непрерывности слоя. Другими словами, часть слоя, расположенная на рельефе, не отделена (физически не отделена) от части слоя, расположенной на плоской поверхности.[0049] It should be understood that the discontinuity of the layer is different from the simple disruption of the planarity of the layer due to the
[0050] Кроме того, локальный разрыв непрерывности может быть усилен эффектом затенения, связанным с площадками 24.2, лежащими на рельефе 23. В частности, из-за квазиоднонаправленности излучения источника PVD материала, подлежащего осаждению, в частности, во время осаждения путем испарения, площадки 24.2 имеют поперечное сечение, которое расширяется в направлении +Z, то есть ширина в плоскости XY увеличивается с расстоянием от рельефа 23 в направлении +Z. Это расширение площадок 24.2 приводит к сужению сегментов 24.1 слоя в направлении +Z. Этот эффект затенения усиливает локальный разрыв непрерывности тонкого инкапсулирующего слоя 21.[0050] In addition, the local discontinuity can be enhanced by the shading effect associated with the pads 24.2 lying on the
[0051] В результате, из-за наличия рельефа 23 среднюю толщину er выбирают в зависимости от толщины eCS тонкого герметизирующего слоя 24 так, что в непрерывности тонкого герметизирующего слоя 24 на рельефе 23 образуется локальный разрыв. Таким образом, тонкий герметизирующий слой 24 имеет разрыв в материале в плоскости XY, что образует область релаксации механических напряжений, возникающих в результате разности коэффициентов теплового расширения между материалами тонкого инкапсулирующего и герметизирующего слоев 21, 24. По этой причине механическая прочность инкапсулирующей структуры 20 улучшается.[0051] As a result, due to the presence of the
[0052] Особенно предпочтительно, чтобы рельеф 23 образовывал двумерную решетку, непрерывно ограничивающую каждый из тепловых детекторов 10. Таким образом, осажденный тонкий герметизирующий слой 24 в этом случае формируется из множества сегментов 24.1 слоя, которые отделены от друг от друга и отделены от соседних площадок 24.2, каждая из которых расположена напротив одного теплового детектора 10. Область ослабления механических напряжений окружает каждый сегмент 24.1 тонкого герметизирующего слоя 24, что дополнительно повышает механическую прочность инкапсулирующей структуры 20.[0052] It is particularly preferred that the
[0053] Как показано на Фиг. 2J, предпочтительно изготавливают тонкий антиотражающий слой 25, который осаждают с помощью PVD, чтобы покрыть тонкий герметизирующий слой 24. Из-за локального нарушения непрерывности тонкого герметизирующего слоя 25 и используемой технологии осаждения, то есть PVD, тонкий антиотражающий слой 24 также содержит локальный разрыв непрерывности. В настоящем изобретении это слой образован из сегментов 25.1, которые отделены друг от друга и которые покрывают сегменты 24.1 тонкого герметизирующего слоя 24, и из продольных площадок 25.2, которые являются отдельными и которые покрывают соседние продольные площадки 24.2 тонкого герметизирующего слоя 24. Тонкий антиотражающий слой 25 может быть изготовлен из ZnS и иметь среднюю толщину от нескольких сотен нанометров до нескольких микрон и, например, равную примерно 1,2 мкм в контексте детектирования излучения LWIR.[0053] As shown in FIG. 2J, a
[0054] Таким образом, способ изготовления позволяет получить детектирующее устройство 1, у которого сформированная инкапсулирующая структура 20 имеет улучшенную механическую прочность. Это преимущественно позволяет изготавливать тонкий герметизирующий слой 24 и тонкий антиотражающий слой 25 в виде множества сегментов 24.1, 25.1, которые отделены друг от друга, то есть без непрерывности материала между ними в плоскости XY. Механические напряжения, возникающие из-за разницы между СТЕ различных материалов инкапсулирующей структуры 20, могут быть эффективно ослаблены. Инкапсулирующая структура 20 обладает улучшенной механической прочностью при термическом воздействии на нее высоких температур, таком как, например, активация газопоглотительного материала, расположенного в полости 3, при температуре приблизительно 300°C, причем этот газопоглотительный материал предназначен для реакции с остаточным газом, потенциально присутствующим в полости 3, чтобы поддерживать последний при достаточном уровне вакуума. Речь может также идти об этапе осаждения тонкого герметизирующего слоя 24 и/или тонкого антиотражающего слоя 25, или даже о пайке, используемой для запечатывания унитарных детектирующих микросхем в упаковках и т.д.[0054] Thus, the manufacturing method makes it possible to obtain a detecting
[0055] Этот способ изготовления позволяет избежать необходимости осуществлять, для получения локального нарушения непрерывности, определенный этап локализованного травления тонкого герметизирующего слоя 24 и, при необходимости, тонкого антиотражающего слоя 25, причем указанные слои осаждают на тонкий инкапсулирующий слой 21, не содержащий рельефа 23, с толщиной, выбранной для получения такого эффекта, например, в конфигурации, показанной на Фиг. 1. Кроме того, это позволяет избежать недостатков, которые могут возникнуть в результате такого локализованного травления.[0055] This manufacturing method avoids the need to carry out, in order to obtain a local discontinuity, a certain step of localized etching of a
[0056] В частности, можно выполнять локализованное влажное травление тонких герметизирующих и антиотражающих слоев, когда последние проходят плоским образом над тонким инкапсулирующим слоем 21. Однако изотропный характер влажного травления может привести к травлению в поперечном направлении порядка двукратной толщины тонких слоев, подлежащих травлению. Таким образом, для общей средней толщины тонких герметизирующих и антиотражающих слоев порядка приблизительно 3000 нм будет получен желоб, имеющий поперечный размер приблизительно 6 мкм в плоскости XY, что будет иметь неприемлемое влияние на рабочие характеристики детектирующего устройства 1, в частности, в случае, когда шаг пикселей матрицы тепловых детекторов 10 составляет порядка 12 мкм или менее.[0056] In particular, it is possible to perform localized wet etching of thin encapsulation and anti-reflection layers when the latter pass in a flat manner over the
[0057] Кроме того, также было бы возможно проводить локализованное сухое травление (например, локализованное плазменное травление) тонких герметизирующих и антиотражающих слоев. Однако материал, используемый для изготовления тонкого герметизирующего слоя 24, может иметь низкую селективность травления по отношению к материалу тонкого инкапсулирующего слоя 21, как в случае германия по отношению к аморфному кремнию. Сухое травление регулируют по времени, что, возможно, приводит либо только к частичному травлению тонкого герметизирующего слоя 24 и, следовательно, к отсутствию локального разрыва в непрерывности, либо к полному травлению тонкого герметизирующего слоя 24, но также и к (частичному) травлению тонкого инкапсулирующего слоя 21, которое затем приводит к еще большему снижению механической прочности инкапсулирующей структуры 20. Для уменьшения отсутствия селективности травления между материалами тонких инкапсулирующих и герметизирующих тонких слоев, тонкий между указанными двумя тонкими слоями может быть помещен ограничивающий травление слой, но за счет ухудшения рабочих характеристик детектирующего устройства 1, поскольку материал тонкого препятствующего травлению слоя может поглощать отличную от нуля часть подлежащего детектированию электромагнитного излучения.[0057] In addition, it would also be possible to carry out localized dry etching (eg, localized plasma etching) of thin sealing and anti-reflection layers. However, the material used to make the
[0058] Способ изготовления, выполненный в соответствии с изобретением, позволяет, тем самым, улучшить механическую прочность инкапсулирующей структуры 20 путем создания локального разрыва в непрерывности тонкого герметизирующего слоя 24 и, в случае необходимости, тонкого антиотражающего слоя 25, благодаря выполнению рельефа 23 с толщиной, выбранной для этой цели. При этом нет необходимости прибегать к конкретному этапу локализованного травления тонких герметизирующих и антиотражающих слоев, что, в частности, позволяет сохранить рабочие характеристики детектирующего устройства 1.[0058] The manufacturing method according to the invention thus makes it possible to improve the mechanical strength of the encapsulating
[0059] Выше были описаны конкретные варианты выполнения. Различные варианты и модификации будут очевидны для специалистов в данной области техники.[0059] Specific embodiments have been described above. Various variations and modifications will be apparent to those skilled in the art.
Claims (19)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1859483A FR3087261B1 (en) | 2018-10-12 | 2018-10-12 | METHOD OF MANUFACTURING AN ELECTROMAGNETIC RADIATION DETECTION DEVICE WITH IMPROVED ENCAPSULATION STRUCTURE |
FRFR1859483 | 2018-10-12 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2019132072A RU2019132072A (en) | 2021-04-12 |
RU2793118C2 true RU2793118C2 (en) | 2023-03-29 |
Family
ID=
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1694597A1 (en) * | 2003-12-19 | 2006-08-30 | Commissariat A L'energie Atomique | Microcomponent comprising a hermetic microcavity and method for production of such a microcomponent |
RU2386934C2 (en) * | 2004-03-04 | 2010-04-20 | Коммиссариат А Л'Энержи Атомик | Method for manufacturing of device for detection of heat radiation comprising active microbolometre and passive microbolometre |
US9018723B2 (en) * | 2013-06-27 | 2015-04-28 | Stmicroelectronics Pte Ltd | Infrared camera sensor |
RU2595306C1 (en) * | 2015-07-03 | 2016-08-27 | Общество с ограниченной ответственностью "Фотоэлектронные приборы" | Heat radiation sensor and its manufacturing method |
US9933309B2 (en) * | 2015-02-20 | 2018-04-03 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Device for detecting radiation including an encapsulating structure having an improved mechanical strength |
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1694597A1 (en) * | 2003-12-19 | 2006-08-30 | Commissariat A L'energie Atomique | Microcomponent comprising a hermetic microcavity and method for production of such a microcomponent |
RU2386934C2 (en) * | 2004-03-04 | 2010-04-20 | Коммиссариат А Л'Энержи Атомик | Method for manufacturing of device for detection of heat radiation comprising active microbolometre and passive microbolometre |
US9018723B2 (en) * | 2013-06-27 | 2015-04-28 | Stmicroelectronics Pte Ltd | Infrared camera sensor |
US9933309B2 (en) * | 2015-02-20 | 2018-04-03 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Device for detecting radiation including an encapsulating structure having an improved mechanical strength |
RU2595306C1 (en) * | 2015-07-03 | 2016-08-27 | Общество с ограниченной ответственностью "Фотоэлектронные приборы" | Heat radiation sensor and its manufacturing method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8866082B2 (en) | Electromagnetic radiation detector with micro-encapsulation, and device for detecting electromagnetic radiation using such detectors | |
JP7008019B2 (en) | Thermal infrared sensor array in wafer level package | |
JP5926542B2 (en) | Infrared detector based on suspended bolometer microplate | |
EP2559067B1 (en) | Uncooled infrared detector and methods for manufacturing the same | |
JP7030422B2 (en) | A device for detecting electromagnetic radiation having an enclosed structure including at least one interference filter. | |
KR102609052B1 (en) | Surface micro-machined infrared sensor using highly temperature stable interferometric absorber | |
CN108982973B (en) | Electromagnetic radiation detector encapsulated by thin layer transfer | |
US9064982B2 (en) | Thin-film encapsulated infrared sensor | |
JP2004521329A (en) | Infrared detector implementing improved anti-reflection element | |
JP2016194507A (en) | Device for detecting electromagnetic radiation possessing hermetic encapsulating structure comprising exhaust vent | |
US20160273968A1 (en) | Sealed Infrared Imagers and Sensors | |
Lapadatu et al. | High-performance long wave infrared bolometer fabricated by wafer bonding | |
US20140239179A1 (en) | Sealed Infrared Imagers | |
US20220416113A1 (en) | Process for fabricating a detecting device the getter of which is better protected | |
US10981782B2 (en) | Process for fabricating a device for detecting electromagnetic radiation having an improved encapsulation structure | |
RU2793118C2 (en) | Method for manufacturing a device with an improved encapsulating structure for detecting electromagnetic radiation | |
US9035413B2 (en) | Semiconductor device with embedded converter element and production method for a semiconductor device with an embedded converter element | |
US11575063B2 (en) | Method for fabricating a detection device comprising a step of direct bonding of a thin sealing layer provided with a getter material | |
CN111373231A (en) | Electromagnetic radiation detection device with reduced cross talk | |
CN116829914A (en) | Method for manufacturing a detection device comprising an encapsulation structure with an opaque layer placed on the peripheral wall of a mineral | |
JP6552547B2 (en) | Infrared sensor and infrared solid-state imaging device | |
US20230213389A1 (en) | Method for manufacturing a detection device comprising a peripheral wall made of a mineral material | |
US20210347636A1 (en) | Process for manufacturing a device for detecting electromagnetic radiation, comprising a suspended detection element | |
KR20210065864A (en) | Method for fabricating a detection device comprising a step of transferring and direct bonding of a thin layer provided with a getter material | |
JP3810293B2 (en) | Thermal infrared solid-state imaging device and manufacturing method thereof |