RU2791963C1 - Method for switching the carrier type in carbon diamond-like films - Google Patents
Method for switching the carrier type in carbon diamond-like films Download PDFInfo
- Publication number
- RU2791963C1 RU2791963C1 RU2022120559A RU2022120559A RU2791963C1 RU 2791963 C1 RU2791963 C1 RU 2791963C1 RU 2022120559 A RU2022120559 A RU 2022120559A RU 2022120559 A RU2022120559 A RU 2022120559A RU 2791963 C1 RU2791963 C1 RU 2791963C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- diamond
- carbon
- film
- switching
- clusters
- Prior art date
Links
Images
Abstract
Description
Согласно кластерной модели углеродных пленок [1] основными структурными составляющими алмазоподобных пленок являются кластеры графита, в которых атомы углерода с Sp2-связями организованы в пластины, состоящие из гексагональных колец, связанные π-связями в стопки - кластеры графита. Эти кластеры погружены в матрицу из атомов углерода, связанные Sp3-связями. Кластеры sp2 контролируют электрические свойства, матрица sp3 контролирует механические свойства. Однако остается неясным главное - какие структурные составляющие доминируют в структуре пленки и каково состояние электронной подсистемы графитоподобных кластеров.According to the cluster model of carbon films [1], the main structural components of diamond-like films are graphite clusters, in which carbon atoms with Sp 2 bonds are organized into plates consisting of hexagonal rings connected by π bonds into stacks - graphite clusters. These clusters are embedded in a matrix of carbon atoms linked by Sp 3 bonds. The sp 2 clusters control the electrical properties, the sp 3 matrix controls the mechanical properties. However, the main thing remains unclear - which structural components dominate in the structure of the film and what is the state of the electronic subsystem of graphite-like clusters.
Известен способ получения тонкой алмазоподобной пленки путем конденсации углерода на стеклянные подложки из парогазовой фазы, получаемой лазерным испарением в вакууме углеродных мишений, где в качестве мишени используются спрессованные таблетки из высокочистого графита диаметром 5 мм и толщиной 2-3 мм, а в качестве источника лазерного излучения используют расфокусированное излучение лазера на основе алюмо-иттриевого граната с длиной волны 1064 нм с диаметром пятна 3 мм, энергией импульса не ниже 9,0 Дж, длительностью импульса не менее 8 мс (миллисекунд), то есть интенсивностью лазерного излучения 1,6 104 Вт/см2. В результате на подложку из парогазовой фазы конденсируется углерод, в котором доля sp3 связей не ниже 80%, что позволяет сформировать алмазоподобные пленки толщиной до 100 нм и более [2]. Однако интегральная проводимость таких пленок как макрообъектов близка к нулю, то есть такая пленка проявляет диэлектрические свойства.A known method for producing a thin diamond-like film by condensation of carbon on glass substrates from the vapor-gas phase, obtained by laser evaporation in vacuum of carbon targets, where compressed tablets of high-purity graphite with a diameter of 5 mm and a thickness of 2-3 mm are used as a target, and as a source of laser radiation use defocused laser radiation based on yttrium aluminum garnet with a wavelength of 1064 nm with a spot diameter of 3 mm, a pulse energy of at least 9.0 J, a pulse duration of at least 8 ms (milliseconds), that is, a laser radiation intensity of 1.6 10 4 W / cm 2 . As a result, carbon condenses on the substrate from the vapor-gas phase, in which the proportion of sp3 bonds is not less than 80%, which makes it possible to form diamond-like films with a thickness of up to 100 nm or more [2]. However, the integral conductivity of such films as macroobjects is close to zero, that is, such a film exhibits dielectric properties.
Известен способ контроля структурного состояния алмазоподобных тонких пленок, суть которого состоит в том, что после получения углеродной алмазоподобной тонкой пленки осуществляют сканирование поверхности в сканирующем зондовом микроскопе в режиме туннельного тока [3]. Выявляемая структура локальных токовых каналов и непроводящих областей свидетельствует о структуре композита, состоящего из алмазоподобных и графитоподобных кластеров. Графитоподобные кластеры формируют цепочки из проводящих кластеров, а совокупность алмазоподобных кластеров выполняет роль диэлектрической среды, в которую погружены графитоподобные кластеры. Данный способ, взятый за прототип, не позволяет управлять типом носителя заряда в цепочке графитоподобных кластеров, так как не осуществляется селекция проводящих каналов по состоянию их электронной подсистемы.A known method for controlling the structural state of diamond-like thin films, the essence of which is that after obtaining a carbon diamond-like thin film, the surface is scanned in a scanning probe microscope in the tunnel current mode [3]. The detected structure of local current channels and non-conducting regions indicates the structure of the composite consisting of diamond-like and graphite-like clusters. Graphite-like clusters form chains of conducting clusters, and a set of diamond-like clusters plays the role of a dielectric medium in which graphite-like clusters are immersed. This method, taken as a prototype, does not allow you to control the type of charge carrier in a chain of graphite-like clusters, since there is no selection of conducting channels according to the state of their electronic subsystem.
Цель изобретения состоит в получении углеродной алмазоподобной пленки с достаточной концентрацией графитоподобных кластеров, формирующих цепочечные структуры проводящих каналов и определение порогового эффекта переключения типа носителя заряда в проводящем канале углеродной алмазоподобной пленке.The purpose of the invention is to obtain a carbon diamond-like film with a sufficient concentration of graphite-like clusters that form chain structures of conductive channels and to determine the threshold effect of switching the type of charge carrier in the conductive channel of a carbon diamond-like film.
Сущность изобретения. Предлагается получать алмазоподобные пленки на металлической или диэлектрической с металлическим подслоем подложках путем конденсации углерода из парогазовой фазы, получаемой прямым испарением углеродной мишени расфокусированным лазерным излучением лазера на основе алюмо-иттриевого граната с длиной волны 1,064 мкм с энергией 5-7 Дж, обладающие локальной проводимостью. Последующим сканированием поверхности алмазоподобной пленки проводящим зондом сканирующего зондового микроскопа в режиме туннельного тока фиксируются проводящие каналы, распределенные по поверхности. Выбираются локальные проводящие каналы путем построения их вольт-амперных зависимостей, отвечающие необходимым свойствам, например, скорости переключения типа носителя заряда.The essence of the invention. It is proposed to obtain diamond-like films on metal or dielectric substrates with a metal sublayer by carbon condensation from the vapor-gas phase obtained by direct evaporation of a carbon target by defocused laser radiation based on an yttrium aluminum garnet with a wavelength of 1.064 μm and an energy of 5-7 J, which have local conductivity. Subsequent scanning of the surface of the diamond-like film with a conductive probe of a scanning probe microscope in the tunneling current mode fixes the conductive channels distributed over the surface. Local conductive channels are selected by constructing their current-voltage dependences that correspond to the necessary properties, for example, the speed of switching the type of charge carrier.
Способ реализуется следующим образом.The method is implemented as follows.
1. Готовят углеродные мишени из высокочистого пиролитического графита в виде таблеток диаметром 5 мм и толщиной 2-3 мм с помощью прессформы и пресса с усилием 500 кг.1. Prepare carbon targets from high-purity pyrolytic graphite in the form of tablets with a diameter of 5 mm and a thickness of 2-3 mm using a mold and a press with a force of 500 kg.
2. Размещают в вакууме с остаточным давлением 10-5 мм.рт. столба мишени и металлические или диэлектрические с металлическим подслоем подложки.2. Placed in a vacuum with a residual pressure of 10-5 mm Hg. a target column and metal or dielectric substrates with a metal sublayer.
3. Производят воздействие на поверхность углеродной мишени расфокусированным излучением лазера на основе алюмо-иттриевого граната с длиной волны 1,064 мкм с энергией 5-7 Дж для получения парогазовой фазы в вакуумном объеме.3. The surface of the carbon target is exposed to defocused laser radiation based on yttrium aluminum garnet with a wavelength of 1.064 μm and an energy of 5-7 J to obtain a vapor-gas phase in a vacuum volume.
4. Поверхность углеродной алмазоподобной пленки сканируется в режиме туннельного тока для фиксации проводящих каналов, распределенных по поверхности углеродной пленки4. The surface of the carbon DLC film is scanned in the tunneling current mode to fix the conductive channels distributed over the surface of the carbon film.
5. Получают вольт-амперные зависимости проводящих каналов и выбирают каналы со скачкообразной вольт-амперной зависимостью при достижения критического напряжения.5. Current-voltage dependences of the conducting channels are obtained and channels with a jump-like current-voltage dependence are selected when the critical voltage is reached.
Воздействие расфокусированным лазерным излучением до размера пятна 3-5 мм в основном осуществляет прямое испарение мишени и формирование парогазовой фазы с высокой кинетической энергией атомов углерода, конденсация которой на подготовленные подложки формирует алмазоподобную пленку с преимущественным содержанием алмазоподобных кластеров и низкой концентрацией графитоподобных кластеров. Локальная проводимость углеродных алмазоподобных пленок обусловлена наличием в структуре пленок графитоподобных кластеров, организованные в цепочки кластеров, формирующих проводящие каналы между проводящим зондом и металлическим подслоем. Фиксация проводящих каналов осуществляется сканированием поверхности пленки проводящим зондом в режиме туннельного тока в сканирующем зондовом микроскопе Solver Next. Скачкообразный характер вольт-амперной зависимости проводящего канала при достижении критического напряжения свидетельствует о смене типа носителя с электронного на дырочный и наоборот - с дырочного на электронный в цепочке графитоподобных кластеров алмазоподобной пленки.Exposure to defocused laser radiation up to a spot size of 3-5 mm mainly leads to direct evaporation of the target and the formation of a vapor-gas phase with a high kinetic energy of carbon atoms, the condensation of which on prepared substrates forms a diamond-like film with a predominant content of diamond-like clusters and a low concentration of graphite-like clusters. The local conductivity of carbon diamond-like films is due to the presence of graphite-like clusters in the structure of the films, organized into chains of clusters that form conductive channels between the conductive probe and the metal sublayer. The conductive channels are fixed by scanning the film surface with a conductive probe in the tunneling current mode in the Solver Next scanning probe microscope. The jumplike nature of the current-voltage dependence of the conducting channel when the critical voltage is reached indicates a change in the type of carrier from electron to hole and vice versa - from hole to electronic in a chain of graphite-like clusters of a diamond-like film.
Осуществление изобретение осуществляется следующим образом.Implementation of the invention is carried out as follows.
Пример 1. В вакуумной камере располагают углеродные мишени и металлические или диэлектрические с предварительно нанесенным проводящим подсдоем металла (например алюминия) подложки. Расфокусированное лазерное излучение (диаметр пятна 3-5 мм) лазера на основе алюмо-иттриевого граната с длиной волны 1,064 мкм с энергией 5-7 Дж вводится в вакуумный объем при достижении давления не хуже 10-5 торр (фиг. 1). Расфокусированное лазерное излучение с энергией 5-7 Дж осуществляет испарение мишени и формирование парогазовой фазы, конденсация углерода которой формирует углеродную алмазоподобную пленку, структурное состояние которой можно определить как композит, состоящий из преимущественно алмазоподобных кластеров и графитоподобных кластеров, распределенных случайным образом среди алмазоподобных кластеров. Проводимость такой пленки как макрообъекта нулевая, то есть макроскопически углеродная алмазоподобная пленка является диэлектриком.Example 1. Carbon targets and metal or dielectric substrates with a pre-applied conductive metal (for example, aluminum) substrate are placed in a vacuum chamber. Defocused laser radiation (spot diameter 3-5 mm) of a laser based on yttrium aluminum garnet with a wavelength of 1.064 μm and an energy of 5-7 J is introduced into a vacuum volume when a pressure of at least 10 -5 Torr is reached (Fig. 1). Defocused laser radiation with an energy of 5-7 J carries out the evaporation of the target and the formation of a vapor-gas phase, the carbon condensation of which forms a carbon diamond-like film, the structural state of which can be defined as a composite consisting of predominantly diamond-like clusters and graphite-like clusters randomly distributed among diamond-like clusters. The conductivity of such a film as a macro object is zero, that is, macroscopically, a carbon diamond-like film is a dielectric.
Пример 2. Для идентификации объектов, сформированных sp3- или sp2-связями, провели сканирование поверхности пленки в режиме туннельного тока. На фиг. 2 показано распределение токовых каналов, зафиксированных проводящим зондом.Example 2. To identify objects formed by sp 3 or sp 2 bonds, the film surface was scanned in the tunneling current mode. In FIG. 2 shows the distribution of current channels fixed by a conducting probe.
Из данных фиг. 2 следует, что токовые каналы сконцентрированы в своеобразные ансамбли, внутри которых расположены непроводящее области. Естественно предположить, что токовые каналы представляют собой цепочки углеродных графитоподобных кластеров, сформированные за счет sp2-связей, а непроводящие области алмазоподобные кластеры, сформированные за счет sp3-связей. Отметим, что токовые каналы фактически представляют собой точечные объекты на поверхности пленки.From the data of Fig. 2 it follows that the current channels are concentrated into original ensembles, inside which non-conducting regions are located. It is natural to assume that the current channels are chains of graphite-like carbon clusters formed due to sp 2 bonds, while the non-conducting regions are diamond-like clusters formed due to sp 3 bonds. Note that the current channels actually represent point objects on the film surface.
Пример 3. Выделили проводящий канал (фиг. 3 справа) в структуре проводящих каналов и построили его вольт-амперную зависимость (фиг. 3 слева). Вольт-амперная зависимость в интервале приложенного напряжения от -600 мВ и до +600 мВ представляет собой фактически линейную (омическую) зависимость тока от напряжения. Такая зависимость не удовлетворяет условиям переключения типа проводимости (типа носителя заряда), так как не фиксируется в данном интервале напряжений критерий переключения, например, ток насыщения.Example 3. Selected conductive channel (Fig. 3 on the right) in the structure of conductive channels and built its current-voltage dependence (Fig. 3 on the left). The current-voltage dependence in the applied voltage range from -600 mV to +600 mV is actually a linear (ohmic) current-voltage dependence. Such a dependence does not satisfy the conditions for switching the type of conductivity (the type of charge carrier), since the switching criterion, for example, the saturation current, is not fixed in a given voltage range.
Пример 4. Выделили проводящий канал в структуре проводящих каналов (фиг. 4 справа) и построили его вольт-амперную зависимость (фиг. 4 слева). Вольт-амперная зависимость в интервале приложенного напряжения от -600 мВ и до +600 мВ представляет собой фактически переключение тока насыщения одной проводимости на ток насыщения противоположной. Однако линейная (омическая) зависимость тока от напряжения в интервале напряжений от -300 мВ и до +100 мВ между зондом и проводящим подслоем размывает эффект переключения и во времени, определяемом временным интервалом изменения напряжения. Такая зависимость не удовлетворяет условиям переключения типа проводимости (типа носителя заряда), так как эффект переключения типа проводимости растянут во временном интервале изменения напряжения.Example 4. Selected a conductive channel in the structure of conductive channels (Fig. 4 on the right) and built its current-voltage dependence (Fig. 4 on the left). The current-voltage dependence in the range of applied voltage from -600 mV to +600 mV is actually a switching of the saturation current of one conductivity to the saturation current of the opposite one. However, the linear (ohmic) dependence of the current on the voltage in the voltage range from -300 mV to +100 mV between the probe and the conductive sublayer smears the switching effect in time, which is determined by the time interval of the voltage change. Such a dependence does not satisfy the conditions for switching the type of conduction (type of charge carrier), since the effect of switching the type of conduction is extended in the time interval of the voltage change.
Пример 5. Выделили проводящий канал в структуре проводящих каналов (фиг. 5 справа) и построили его вольт-амперную зависимость (фиг. 5 слева). Вольт-амперная зависимость в интервале приложенного напряжения от -600 мВ и до +600 мВ представляет собой фактически переключение тока насыщения одной проводимости на ток насыщения противоположной при достижении критического напряжения между зондом и проводящим подслоем примерно -100 мВ. Такая зависимость удовлетворяет условиям переключения типа проводимости (типа носителя заряда), так как фактически представляет собой триггерный эффект переключения.Example 5. A conducting channel was selected in the structure of conducting channels (Fig. 5 on the right) and its current-voltage dependence was plotted (Fig. 5 on the left). The current-voltage dependence in the range of applied voltage from -600 mV to +600 mV is actually a switching of the saturation current of one conductivity to the saturation current of the opposite one when the critical voltage between the probe and the conductive sublayer is approximately -100 mV. This dependence satisfies the conditions for switching the type of conductivity (the type of charge carrier), since it actually represents the trigger effect of switching.
Представленные на фиг. 3, 4, 5 вольт-амперные зависимости демонстрируют некоторое многообразие, обусловленное как структурным состоянием углеродной алмазоподобной пленки, представляющим собой фактически композит из алмазоподобных кластеров и графитоподобных кластеров, организованных в цепочечные структуры, так и состоянием электронной подсистемы углеродных графитоподобных кластеров. Цепочки графитоподобных кластеров могут представлять собой одномерные структуры, в которых графитоподобные кластеры могут непосредственно контактировать со смежными. В этом случае мы получаем локальную линейную (омическую) зависимость тока от напряжения. Однако тот факт, что нулевой ток наблюдается не при нулевом напряжении может свидетельствовать о более сложной ситуации при формировании тока в цепочечных структурах.Shown in FIG. 3, 4, 5, the current-voltage dependences demonstrate some diversity, due to both the structural state of the carbon diamond-like film, which is actually a composite of diamond-like clusters and graphite-like clusters organized into chain structures, and the state of the electronic subsystem of carbon graphite-like clusters. Chains of graphite-like clusters can be one-dimensional structures in which graphite-like clusters can directly contact adjacent ones. In this case, we get a local linear (ohmic) dependence of current on voltage. However, the fact that zero current is not observed at zero voltage may indicate a more complex situation in the formation of current in chain structures.
Во-первых, переключение (инверсия) типа носителя в углеродной алмазоподобной пленке с электронного на дырочный или с дырочного на электронный, скачек тока при изменении приложенного локального напряжения в критическом интервале связана с особой структурой графитоподобного кластера, представляющей собой совокупность от 1 до 3 гексагональных плоскостей, смещенных относительно друг друга в положения, отличающиеся от их положения в идеальном кристалле графита [4]. Такую совокупность графитоподобных и алмазоподобных кластеров углеродных пленок по своим электронным свойствам можно считать полупроводниковым материалом, в котором перенос заряда осуществляется как электронами, так и дырками.Firstly, the switching (inversion) of the carrier type in a carbon diamond-like film from electron to hole or from hole to electron, the current jump when the applied local voltage changes in the critical interval is associated with a special structure of a graphite-like cluster, which is a combination of 1 to 3 hexagonal planes , shifted relative to each other into positions that differ from their position in an ideal graphite crystal [4]. Such a set of graphite-like and diamond-like clusters of carbon films can be considered as a semiconductor material in terms of its electronic properties, in which charge transfer is carried out by both electrons and holes.
Во-вторых, цепочки графитоподобных кластеров могут быть разделены алмазоподобными кластерами, представляющими собой диэлектрические барьеры. В такой структуре цепочки кластеров электрический ток может протекать за счет одноэлектронного туннелирования [5], где переход электрона с одного графитоподобного кластера на другой требует совершения работы по преодолению электростатического силового барьера.Second, chains of graphite-like clusters can be separated by diamond-like clusters, which are dielectric barriers. In such a structure of a chain of clusters, an electric current can flow due to single-electron tunneling [5], where the transition of an electron from one graphite-like cluster to another requires work to be done to overcome the electrostatic force barrier.
1. J. Robertson, Diamond-like amorphous carbon. Mater. Sci. Eng. R, 37 (2002)129-281.1. J. Robertson, Diamond-like amorphous carbon. mater. sci. Eng. R, 37 (2002) 129-281.
2. Плотников B.A., Демьянов Б.Ф., Макаров С.В., Ярцев В.И. Способ получения алмазоподобных тонких пленок. Патент РФ №2668240 от 27.09.2018 г.2. Plotnikov B.A., Demyanov B.F., Makarov S.V., Yartsev V.I. Method for obtaining diamond-like thin films. Patent of the Russian Federation No. 2668240 dated September 27, 2018
3. Плотников В.А., Макаров С.В. Способ контроля структурного состояния алмазоподобных тонких пленок. Патент РФ №2723893 от 18.06.2020 г.3. Plotnikov V.A., Makarov S.V. Method for controlling the structural state of diamond-like thin films. Patent of the Russian Federation No. 2723893 dated 06/18/2020
4. V.A. Plotnikov, B.F. Dem'yanov, S.V. Makarov Atomic structure of carbon clusters laser-produced diamond-like carbon films // Diamond Relat. Mater. V. 114, (2021), 1083344.V.A. Plotnikov, B.F. Dem'yanov, S.V. Makarov Atomic structure of carbon clusters laser-produced diamond-like carbon films // Diamond Relat. mater. V. 114, (2021), 108334
5. Д.В. Аверин, К.К. Лихарев. Когерентные колебания в туннельных переходах малых размеров // ЖЭТФ. 1986. Т. 90. С. 733-783.5. D.V. Averin, K.K. Likharev. Coherent oscillations in tunnel junctions of small sizes // ZhETF. 1986. T. 90. S. 733-783.
Claims (1)
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2791963C1 true RU2791963C1 (en) | 2023-03-14 |
Family
ID=
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2367059C1 (en) * | 2007-12-13 | 2009-09-10 | Институт радиотехники и электроники Российской Академии Наук | Tunnel device |
| US20120064341A1 (en) * | 2010-02-01 | 2012-03-15 | Los Alamos National Security, Llc | Carbon nanotube/metal carbide composites with enhanced properties |
| JP2018145060A (en) * | 2017-03-07 | 2018-09-20 | セイコーインスツル株式会社 | Carbon nanotube film, coating component, and manufacturing method of carbon nanotube |
| JP6623512B2 (en) * | 2014-11-06 | 2019-12-25 | 日本ゼオン株式会社 | Carbon nanostructure aggregate and method for producing the same |
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2367059C1 (en) * | 2007-12-13 | 2009-09-10 | Институт радиотехники и электроники Российской Академии Наук | Tunnel device |
| US20120064341A1 (en) * | 2010-02-01 | 2012-03-15 | Los Alamos National Security, Llc | Carbon nanotube/metal carbide composites with enhanced properties |
| JP6623512B2 (en) * | 2014-11-06 | 2019-12-25 | 日本ゼオン株式会社 | Carbon nanostructure aggregate and method for producing the same |
| JP2018145060A (en) * | 2017-03-07 | 2018-09-20 | セイコーインスツル株式会社 | Carbon nanotube film, coating component, and manufacturing method of carbon nanotube |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Mahvash et al. | Space-charge limited transport in large-area monolayer hexagonal boron nitride | |
| JP3967791B2 (en) | Amorphous multilayer structure and manufacturing method thereof | |
| Gebeshuber et al. | Nanoscopic surface modification by slow ion bombardment | |
| WO2009132165A2 (en) | Microfabrication of carbon-based devices such as gate-controlled graphene devices | |
| JP6195266B2 (en) | Manufacturing method of electronic device | |
| RU2791963C1 (en) | Method for switching the carrier type in carbon diamond-like films | |
| Kadyshevitch et al. | Photoelectron transmission through organized organic thin films | |
| Yang et al. | Reversible photomodulation of two-dimensional electron gas in LaAlO3/SrTiO3 heterostructures | |
| Babaev et al. | Carbon material with a highly ordered linear-chain structure | |
| US20080074026A1 (en) | Field emission electron source and method of manufacturing the same | |
| Parida et al. | Anisotropic electrical conduction on ion induced nanorippled CoSi surface | |
| Lucot et al. | Deposition and FIB direct patterning of nanowires and nanorings into suspended sheets of graphene | |
| Lesieur et al. | Defect characterization and detection in Langmuir-Blodgett films | |
| KR20090093081A (en) | Manufacturing method of aligned nanowire and element application | |
| Tigau | Structure and electrical conduction of Sb2O3 thin films | |
| Salaneck et al. | Surface charging effects on valence band spectra in x-ray photoemission: crystalline and amorphous As2S3 | |
| Davanloo et al. | Photoconductive switch enhancements and lifetime studies for use in stacked Blumlein pulsers | |
| Shao et al. | Understanding the opposite electrical responses of an individual ZnO nanowire under different bending deformations | |
| Dimitriadis et al. | Microstructure and its effect on the conductivity of magnetron sputtered carbon thin films | |
| Yan et al. | Formation and characterization of SiC-Si heterojunction by carbon implantation with a MEVVA ion source | |
| Nešpůrek | Space-charge-limited currents in N, N′-diphenyl-p-phenylenediamine and Gaussian distribution of traps | |
| Koval et al. | Coulomb gap variable range hopping in graphitized polymer surfaces | |
| CN1353461A (en) | Single electron transistor and preparation method thereof | |
| KR930022493A (en) | A semiconductor device having a semiconductor body provided with a TixW₁-x barrier layer on its surface, and a method of manufacturing the same | |
| Grigor’ev et al. | On mechanisms of decreasing friction in coatings of transition metal dichalcogenides due to effect of radiation |