RU2787255C1 - Способ создания субмонослойных двумерных ферромагнитных материалов, интегрированных с кремнием - Google Patents
Способ создания субмонослойных двумерных ферромагнитных материалов, интегрированных с кремнием Download PDFInfo
- Publication number
- RU2787255C1 RU2787255C1 RU2022114816A RU2022114816A RU2787255C1 RU 2787255 C1 RU2787255 C1 RU 2787255C1 RU 2022114816 A RU2022114816 A RU 2022114816A RU 2022114816 A RU2022114816 A RU 2022114816A RU 2787255 C1 RU2787255 C1 RU 2787255C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- submonolayer
- coverage
- monolayer
- atoms
- dimensional
- Prior art date
Links
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 125000004429 atoms Chemical group 0.000 claims abstract description 27
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 20
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 12
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 abstract description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 230000005294 ferromagnetic Effects 0.000 abstract description 4
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000005291 magnetic Effects 0.000 description 17
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 description 10
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- 230000002194 synthesizing Effects 0.000 description 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 238000002524 electron diffraction data Methods 0.000 description 2
- 230000005307 ferromagnetism Effects 0.000 description 2
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000000097 high energy electron diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000000087 superconducting quantum interference device magnetometry Methods 0.000 description 2
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N Gadolinium Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005900 GeTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 1
- 230000005290 antiferromagnetic Effects 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000004059 degradation Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium Chemical group [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 230000005323 ferromagnetic ordering Effects 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atoms Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000005302 magnetic ordering Effects 0.000 description 1
- 239000008204 materials by function Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229910021428 silicene Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Abstract
Изобретение относится к способам получения двумерных магнитных материалов, а именно субмонослойных двумерных материалов на основе Eu на подложке Si(001), демонстрирующих ферромагнитные свойства. Техническим результатом является предельное уменьшение толщины функционального слоя двумерного ферромагнитного материала для устройств кремниевой наноэлектроники и спинтроники, формируемых на подложках Si(001). Для его достижения предложен способ создания субмонослойных двумерных ферромагнитных материалов, интегрированных с кремнием, заключающийся в осаждении атомов Eu при давлении PEu=(0,3÷10)⋅10-8 торр потока атомов Eu на предварительно очищенную от слоя естественного оксида поверхность подложки Si(001), поддерживаемую при температуре 705°С<Ts<735°С до формирования субмонослоя Eu со степенью покрытия 1/2 монослоя, или поддерживаемую при температуре 610°С<Ts<640°С до формирования субмонослоя Eu со степенью покрытия 3/5 монослоя, или поддерживаемую при температуре 480°С<Ts<510°С до формирования субмонослоя Eu со степенью покрытия 2/3 монослоя, при этом за степень покрытия в монослой принимается покрытие поверхности количеством атомов, равным количеству поверхностных атомов Si(001). 4 ил.
Description
Область техники
Изобретение относится к способам получения двумерных магнитных материалов, а именно субмонослойных двумерных материалов на основе Eu на подложке Si(001), демонстрирующих ферромагнитные свойства.
Уровень техники
Непрерывно растущие потребности повышения производительности и функциональности электронных устройств не могут быть удовлетворены в рамках прежней парадигмы развития за счет увеличения плотности расположения базовых элементов по причине приближения к фундаментальному физическому пределу. Невозможность поддержания прежнего темпа развития с использованием прежней материально-технологической базы стимулирует создание концептуально новых устройств на основе новых функциональных материалов.
Двумерные магнитные системы считаются перспективными кандидатами на роль таких материалов. Их предельно малая толщина (единицы атомных слоев) позволяет создавать на их основе сверхкомпактные электронные устройства, оставаясь в ключе прежнего тренда на миниатюризацию. Вместе с тем, значительное изменение свойств этих материалов за счет внешних воздействий (при приложении магнитного поля, электрического поля, давления и т.п.) дает возможность кардинально преобразовать существующую элементную базу наноэлектроники.
Двумерные магнитные материалы достаточно редки: при уменьшении размерности дальние магнитные упорядочения могут подавляться тепловыми флуктуациями. Хотя в настоящее время известен ряд двумерных магнитных материалов: CrI3, CrBr3, Cr2Ge2Te6, Fe3GeTe2, MnSey, EuSi2, GdSi2 и др., с точки зрения использования в реальных электронных устройствах более предпочтительными являются те их представители, которые удовлетворяют дополнительным параметрам: могут быть интегрированы с существующими полупроводниковыми технологическими платформами, в первую очередь - с кремниевой, а также имеют предельно малые толщины. Поиск и развитие методик синтеза таких материалов является весьма актуальной задачей.
Известна статья «Управление магнетизмом в 2D CrI3 посредством электростатического допирования» «Controlling magnetism in 2D CrI3 by electrostatic doping» (DOI: 10.1038/s41565-018-0135-х), в которой двумерная магнитная пленка создается путем помещения монослоя CrI3 между двумя слоями графена. Графеновые листы используются в качестве защиты и предотвращают окисление на воздухе. Недостатками рассмотренной системы являются технологические сложности ее создания и масштабирования, связанные с тем, что все слои структуры переносятся на подложку отдельными листами, а также со значительной деградацией на воздухе и невозможностью прямой интеграции с кремниевой технологией.
Известна статья «Открытие ферромагнетизма в двумерных ван-дер-Ваальсовских кристаллах» «Discovery of intrinsic ferromagnetism in two-dimensional van der Waals crystals» (DOI: 10.1038/nature22060). Пленки Cr2Ge2Te6 толщиной в два и три монослоя были получены методом эксфолиации и продемонстрировали ферромагнитное поведение. Недостатками этого метода являются плохая воспроизводимость и масштабируемость, а также слабый магнитный сигнал в полученных пленках.
Известен «Способ создания двумерных ферромагнитных материалов EuGe2 и GdGe2 на основе германена», в котором двумерные ферромагнитные материалы EuGe2 и GdGe2 формируются методом МЛЭ осаждением Eu и Gd, соответственно, на нагретую подложку Ge(111) (патент RU 2722664). Данный способ не позволяет формировать двумерные магнитные материалы на кремниевых подложках.
Наиболее близким по технической сущности к заявляемому изобретению является «Способ создания двумерного ферромагнитного материала дисилицида гадолиния со структурой интеркалированных слоев силицена», в котором двумерный ферромагнитный материал GdSi2 формируется методом МЛЭ осаждением Gd на нагретую подложку Si(111) (патент RU 2710570). Однако данный способ не позволяет синтезировать аналогичные материалы на более распространенных подложках Si(001).
Технической проблемой, на решение которой направлено заявляемое изобретение, является уменьшение размеров устройств наноэлектроники и спинтроники, формируемых подложках Si(001), использующих двумерный магнитный материал в качестве функционального слоя.
Раскрытие сущности изобретения
Техническим результатом настоящего изобретения является предельное уменьшение толщины функционального слоя двумерного ферромагнитного материала для устройств кремниевой наноэлектроники и спинтроники, формируемых на подложках Si(001).
Для достижения технического результата предложен способ создания субмонослойных двумерных ферромагнитных материалов, интегрированных с кремнием, заключающийся в осаждении атомов Eu при давлении PEu=(0,3÷10)⋅10-8 торр потока атомов Eu на предварительно очищенную от слоя естественного оксида поверхность подложки Si(001), поддерживаемую при температуре 705°С<Ts<735°С, до формирования субмонослоя Eu со степенью покрытия 1/2 монослоя или поддерживаемую при температуре 610°С<Ts<640°С до формирования субмонослоя Eu со степенью покрытия 3/5 монослоя, или поддерживаемую при температуре 480°С<Ts<510°С до формирования субмонослоя Eu со степенью покрытия 2/3 монослоя, при этом за степень покрытия в монослой принимается покрытие поверхности количеством атомов, равным количеству поверхностных атомов Si(001).
В установках МЛЭ обычно имеет место неоднозначная трактовка температур подложки. В настоящем изобретении температурой подложки считается температура, определяемая по показаниям инфракрасного пирометра. Давлением потока считается давление, измеренное ионизационным манометром, находящимся непосредственно в положении подложки.
Краткое описание чертежей
На фиг. 1 представлены изображения дифракции быстрых электронов, наблюдаемые по окончании формирования двумерных ферромагнитных материалов: (а) после формирования субмонослоя Eu со степенью покрытия 1/2 монослоя при температуре 705°С<Ts<735°С, соответствующее поверхностной фазе (ПФ) 1×2; (b) после формирования субмонослоя Eu со степенью покрытия 3/5 монослоя при температуре 610°С<Ts<640°С, соответствующее ПФ 1×5; (с) после формирования субмонослоя Eu со степенью покрытия 2/3 монослоя при температуре 480°С<Ts<510°С, соответствующее ПФ 1×3. Все изображения сняты вдоль азимута [110] подложки.
На фиг. 2 показаны изображения, полученные методом темнопольной просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) высокого разрешения, демонстрирующие поперечный срез атомной структуры двумерных ферромагнитных материалов со степенью покрытия атомами Eu: (а) 1/2 монослоя; (b) 3/5 монослоя; (с) 2/3 монослоя. Все изображения сняты вдоль оси зоны [110] подложки.
На фиг. 3 показаны структурные модели двумерных ферромагнитных материалов, соответствующих степени покрытия атомами Eu: (а) 1/2 монослоя; (b) 3/5 монослоя; (с) 2/3 монослоя. Светлые шары соответствуют атомам Si, темные шары - атомам Eu. Элементарные ячейки материалов обведены прямоугольником.
На фиг. 4 показаны магнитные свойства сформированных двумерных магнитных материалов, полученные с помощью СКВИД-магнитометрии: (а, с, е) температурные зависимости намагниченности в различных слабых магнитных полях Н||[100], демонстрирующие сдвиг ферромагнитного перехода при приложении поля, для образцов со степенью покрытия атомами Eu: 1/2, 3/5 и 2/3 монослоя, соответственно; (b, d, f) полевые (Н||[100]) зависимости магнитного момента при 2 K для образцов со степенью покрытия атомами Eu: 1/2, 3/5 и 2/3 монослоя, соответственно.
Осуществление изобретения
Пример 1.
Подложка Si(001) помещается в сверхвысоковакуумную камеру (остаточный вакуум Р<1⋅10-10 торр). Затем, для удаления с поверхности подложки слоя естественного оксида осуществляется ее нагрев до температуры Ts=900÷1100°С. Факт очистки поверхности подложки от оксида устанавливается in situ с помощью дифракции быстрых электронов: наблюдается реконструкция поверхности 2×1. После этого температура подложки устанавливается на значение в диапазоне 705°C<Ts<735°C, и происходит открытие заслонки ячейки Eu, нагретой до такой температуры (~430°С), чтобы обеспечивать давление потока атомов европия PEu=(0,3÷10)⋅10-8 торр. Ячейка Eu держится открытой в течение времени, необходимого для осаждения 1/2 монослоя атомов Eu (при давлении потока PEu=3⋅10-8 торр время осаждения составляет t=17,5 с). При этом за степень покрытия в монослой принимается покрытие поверхности количеством атомов, равным количеству поверхностных атомов Si(001). Все температуры подложки указаны по пирометру, температуры ячеек - по термопаре. После этого заслонка ячейки Eu закрывается, и температура подложки сбрасывается до комнатных значений.
Для предотвращения воздействия атмосферы на сформированную структуру при выносе из камеры по окончании роста, она закрывается сплошным защитным слоем, например, Al толщиной более 2 нм.
Контроль кристаллического состояния образца производится in situ с помощью дифракции быстрых электронов. Картина дифракции, наблюдаемая по завершении описанной процедуры и соответствующая формированию на поверхности Si(001) субмонослойной периодической структуры из атомов Eu - поверхностной фазы (ПФ) 1×2 (цифры указывают кратность увеличения периода сформированной структуры ПФ в двух ортогональных направлениях относительно периода нереконструированной поверхности Si(001)) - представлена на фиг. 1а.
Исследование образцов с помощью темнопольной просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения (фиг. 2а) доказывает формирование субмонослоя Eu с заявленной степенью покрытия 1/2, а также упорядочение атомов Eu в субмонослое с периодом в 2 раза больше периода Si(001), что соответствует ПФ 1×2.
Модель кристаллической структуры ПФ 1×2 Eu, построенная на основе изображений просвечивающей электронной микроскопии, показана на Фиг. 3а.
Магнитные свойства полученного двумерного материала, определенные с помощью СКВИД-магнитометрии, показаны на фиг. 4а, b. Температурные зависимости намагниченности, снятые в различных магнитных полях, приложенных вдоль направления [100] подложки (фиг. 4а), демонстрируют увеличение температуры перехода с приложением слабого магнитного поля. Проявляемая сильная зависимость температуры перехода от магнитного поля является индикатором двумерного ферромагнетизма. Приложенное магнитное поле увеличивает щель в спектре спиновых возбуждений, делая возможными дальние ферромагнитные упорядочения при ненулевой температуре. Низкотемпературная полевая зависимость намагниченности (фиг. 4b) позволяет определить момент насыщения, приходящийся на атом Eu. Полученное значение ~3,5 μБ/Eu хотя и оказывается гораздо меньше 7 μБ/Eu, которые можно ожидать для полностью ферромагнитно упорядоченных магнитных моментов ионов Eu с полузаполненными f-оболочками, тем не менее, превосходит соответствующие величины для двумерных соединений на основе Eu, формируемых на подложках Si(111) и Ge(111). Возможная причина уменьшенной величины момента может состоять в наличии антиферромагнитных флуктуаций, возникающих за счет конкурирующих магнитных взаимодействий.
Пример 2.
Способ реализуется, как в примере 1, за исключением того, что осаждение Eu при формировании двумерного ферромагнитного материала происходит на подложку, температура которой установлена на значение в диапазоне 610°С<Ts<640°С. При этом ячейка Eu держится открытой в течение времени, необходимого для осаждения 3/5 монослоя атомов Eu (при давлении потока PEu=3⋅10-8 торр время осаждения составляет t=24 с).
Картина дифракции быстрых электронов, наблюдаемая по завершении описанной процедуры и соответствующая формированию ПФ 1×5, представлена на фиг. 1b.
Изображение темнопольной просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения (фиг. 2b) доказывает формирование субмонослоя Eu с заявленной степенью покрытия 3/5, а также упорядочение атомов Eu в субмонослое с периодом в 5 раз больше периода Si(001), что соответствует ПФ 1×5.
Модель кристаллической структуры ПФ 1×5 Eu, построенная на основе изображений просвечивающей электронной микроскопии, показана на Фиг. 3b.
Температурные и полевые зависимости намагниченности полученной структуры, представленные на фиг. 4с, d, демонстрируют поведение, аналогичное показанному в примере 1 и соответствующее магнитным свойствам двумерного ферромагнитного материала.
Пример 3.
Способ реализуется, как в примере 1 за исключением того, что осаждение Eu при формировании двумерного ферромагнитного материала происходит на подложку, температура которой установлена на значение в диапазоне 480°С<Ts<510°С. При этом ячейка Eu держится открытой в течение времени, необходимого для осаждения 2/3 монослоя атомов Eu (при давлении потока PEu=3⋅10-8 торр время осаждения составляет t=27 с).
Картина дифракции быстрых электронов, наблюдаемая по завершении описанной процедуры и соответствующая формированию ПФ 1×3, представлена на Фиг. 1с.
Изображение темнопольной просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения (фиг. 2с) указывает на формирование субмонослоя Eu со степенью покрытия, близкой к заявленным 2/3, а также упорядочение атомов Eu в субмонослое с периодом в 3 раза больше периода Si(001), что соответствует ПФ 1×3.
Модель кристаллической структуры ПФ 1×3 Eu, построенная на основе изображений просвечивающей электронной микроскопии, показана на фиг. 3с.
Температурные и полевые зависимости намагниченности полученной структуры, представленные на фиг. 4е, f, демонстрируют поведение, аналогичное показанному в примерах 1 и 2 и соответствующее магнитным свойствам двумерного ферромагнитного материала.
Пример 4.
Очистка поверхности кремниевых подложек от атмосферного оксида происходит путем их нагрева до температуры Ts=770÷800°С и экспонирования в потоке атомов Eu с давлением PEu=(0,1÷5)⋅10-8 торр. В остальном способ реализуется как в Примерах 1-3.
Пример 5.
Очистка подложки кремния от естественного оксида производится перед ее загрузкой в камеру промыванием в 5% водном растворе HF, при этом достигается пассивация связей кремния атомами Н, которые впоследствии при прогреве десорбируются с поверхности. В остальном способ реализуется, как в Примерах 1-3.
При выходе ростовых параметров за указанные диапазоны может сформироваться отличающаяся структура, не проявляющая требуемых магнитных свойств, или структура с нарушением сплошности двумерного магнитного материала.
Таким образом, изобретение позволяет осуществлять синтез двумерных ферромагнитных материалов в виде субмонослоя Eu с различной степенью покрытия на подложках Si(001). Эти материалы:
- интегрированы с базовым полупроводниковым материалом;
- обладают регулярной структурой;
- имеют сплошное покрытие;
- не содержат посторонних фаз.
Такие материалы могут быть востребованы в качестве функционального слоя в сверхкомпактных устройствах наноэлектроники и спинтроники.
Claims (1)
- Способ создания субмонослойных двумерных ферромагнитных материалов, интегрированных с кремнием, заключающийся в осаждении атомов Eu при давлении PEu=(0,3÷10)⋅10-8 торр потока атомов Eu на предварительно очищенную от слоя естественного оксида поверхность подложки Si(001), поддерживаемую при температуре 705°С<Ts<735°С до формирования субмонослоя Eu со степенью покрытия 1/2 монослоя, или поддерживаемую при температуре 610°С<Ts<640°С до формирования субмонослоя Eu со степенью покрытия 3/5 монослоя, или поддерживаемую при температуре 480°С<Ts<510°С до формирования субмонослоя Eu со степенью покрытия 2/3 монослоя, при этом за степень покрытия в монослой принимается покрытие поверхности количеством атомов, равным количеству поверхностных атомов Si(001).
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2787255C1 true RU2787255C1 (ru) | 2023-01-09 |
Family
ID=
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU218247U1 (ru) * | 2022-10-31 | 2023-05-17 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный университет" (СПбГУ) | Устройство для получения силицена |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5827802A (en) * | 1993-11-12 | 1998-10-27 | Ufinnova | Method of depositing monomolecular layers |
| WO2012158847A2 (en) * | 2011-05-16 | 2012-11-22 | The University Of Chicago | Materials and methods for the preparation of nanocomposites |
| RU2528581C1 (ru) * | 2013-03-06 | 2014-09-20 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИАПУ ДВО РАН) | Способ получения слоистого наноматериала |
| RU2548225C2 (ru) * | 2013-03-06 | 2015-04-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Владивостокский государственный университет экономики и сервиса" (ВГУЭС) | Способ получения дисперсной частицы |
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5827802A (en) * | 1993-11-12 | 1998-10-27 | Ufinnova | Method of depositing monomolecular layers |
| WO2012158847A2 (en) * | 2011-05-16 | 2012-11-22 | The University Of Chicago | Materials and methods for the preparation of nanocomposites |
| RU2528581C1 (ru) * | 2013-03-06 | 2014-09-20 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИАПУ ДВО РАН) | Способ получения слоистого наноматериала |
| RU2548225C2 (ru) * | 2013-03-06 | 2015-04-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Владивостокский государственный университет экономики и сервиса" (ВГУЭС) | Способ получения дисперсной частицы |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU218247U1 (ru) * | 2022-10-31 | 2023-05-17 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный университет" (СПбГУ) | Устройство для получения силицена |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Ranno et al. | Production and magnetotransport properties of CrO 2 films | |
| Lyadov et al. | Structural and magnetic studies of thin Fe57 films formed by ion beam assisted deposition | |
| Rau et al. | Two-dimensional ferromagnetism of ultra-thin artificial vanadium films | |
| Giordano et al. | Ni 80 Fe 20 nanotubes with optimized spintronic functionalities prepared by atomic layer deposition | |
| Kumar et al. | Room-temperature magnetoelectricity and magnetic field sensing characteristics of 2–2 phase connected Ni–Mn–In/PLZT layered multiferroic heterostructure | |
| RU2787255C1 (ru) | Способ создания субмонослойных двумерных ферромагнитных материалов, интегрированных с кремнием | |
| Sharko et al. | Elastically stressed state at the interface in the layered ferromagnetic/ferroelectric structures with magnetoelectric effect | |
| Wang et al. | Epitaxial growth and room-temperature ferromagnetism of quasi-2D layered Cr4Te5 thin film | |
| Duan et al. | Facile micro-patterning of ferromagnetic CoFe2O4 films using a combined approach of sol–gel method and UV irradiation | |
| Zdoroveyshchev et al. | Micromagnetic and Magnetooptical Properties of Ferromagnetic/Heavy Metal Thin Film Structures | |
| Tsunoda et al. | Extra large unidirectional anisotropy constant of Co–Fe/Mn–Ir bilayers with ultra-thin antiferromagnetic layer | |
| Chen et al. | Large-area freestanding Weyl semimetal WTe2 membranes | |
| Ranjbar et al. | Composition dependence of exchange anisotropy in PtxMn1− x/Co70Fe30 films | |
| Singh et al. | Magnetic and magnetotransport study of Si/Ni multilayers correlated with structural and microstructural properties | |
| Suschke et al. | Observation of multiple magnetic phases and complex nanostructures in Co implanted amorphous carbon films | |
| Lyadov et al. | Structure features of the nanocrystalline Ni films formed by ion sputtering technique | |
| RU2710570C1 (ru) | Способ создания двумерного ферромагнитного материала дисилицида гадолиния со структурой интеркалированных слоев силицена | |
| Liu et al. | The magnetic properties of cobalt films produced by glancing angle deposition | |
| Zhou et al. | Tunneling magnetoresistance (TMR) materials and devices for magnetic sensors | |
| Qayoom et al. | Modification of structural, topographical and magnetic properties induced by Ag ion irradiations in pure and divalent metal (Zn2+ and Co2+)-doped iron oxide thin films | |
| Naganuma et al. | Dependence of ferroelectric and magnetic properties on measuring temperatures for polycrystalline BiFeO 3 films | |
| Fischer et al. | Atomic structure governed diversity of exchange-driven spin helices in Fe nanoislands: Experiment and theory | |
| Wang et al. | Strain-controllable high Curie temperature and magnetic anisotropy energy in two-dimensional Fe2Si and Fe2Ge | |
| Han et al. | Magnetic and structural properties of AlN-Co-Fe thin films prepared by two-facing-target type DC sputtering (TFTS) system | |
| Kochura et al. | Synthesis and Investigation of Nanoscale Structured Magnetic Films |