RU2786771C1 - Способ обработки пленочного магнитного материала гексаферрита бария - Google Patents
Способ обработки пленочного магнитного материала гексаферрита бария Download PDFInfo
- Publication number
- RU2786771C1 RU2786771C1 RU2022119334A RU2022119334A RU2786771C1 RU 2786771 C1 RU2786771 C1 RU 2786771C1 RU 2022119334 A RU2022119334 A RU 2022119334A RU 2022119334 A RU2022119334 A RU 2022119334A RU 2786771 C1 RU2786771 C1 RU 2786771C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- film
- plasma
- barium hexaferrite
- barium
- range
- Prior art date
Links
- HPYIMVBXZPJVBV-UHFFFAOYSA-N barium(2+);iron(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Ba+2] HPYIMVBXZPJVBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 50
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 claims abstract description 23
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 8
- 235000010599 Verbascum thapsus Nutrition 0.000 claims abstract description 6
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 abstract description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- AJCDFVKYMIUXCR-UHFFFAOYSA-N oxobarium;oxo(oxoferriooxy)iron Chemical compound [Ba]=O.O=[Fe]O[Fe]=O.O=[Fe]O[Fe]=O.O=[Fe]O[Fe]=O.O=[Fe]O[Fe]=O.O=[Fe]O[Fe]=O.O=[Fe]O[Fe]=O AJCDFVKYMIUXCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 2
- 229910002771 BaFe12O19 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 12
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium(0) Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910000529 magnetic ferrite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000004452 microanalysis Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N Maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 201000004073 acute interstitial pneumonia Diseases 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002925 chemical effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 1
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N isobutene Chemical group CC(C)=C VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000001264 neutralization Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Abstract
Изобретение относится к технологии получения пленок гексагонального феррита бария, которые могут быть использованы во невзаимных микроволновых устройствах: фазовращателях, изоляторах, циркуляторах. Способ обработки пленочного магнитного материала гексаферрита бария включает нанесение пленки гексаферрита бария состава BaFe12O19 на сапфировую подложку epi-ready ориентации (0001), после чего пленку в открытой атмосфере дополнительно подвергают воздействию плазмы со среднемассовой температурой в диапазоне 3727÷9727°С в течение 50-60 с, при этом в качестве источника плазмы используют плазмотрон постоянного тока с вихревой стабилизацией и расширяющимся каналом выходного электрода, генерирующий на выходе слабо расходящуюся плазменную струю азота диаметром D равным 8÷10 мм. Технический результат: формирование выраженной текстуры пленки гексаферрита бария вдоль оси <0001>, перпендикулярной поверхности сапфировой подложки, и понижение величины коэрцитивного поля в ней до значений (14330÷39000) А⋅м-1 (180÷490 Э) при обработке пленки плазмой со среднемассовой температурой в диапазоне 3727÷9727°С в течение 50-60 с; достижение намагниченности насыщения пленки гексаферрита бария 40÷42 А⋅м2кг-1 при среднемассовой температуре плазмы в диапазоне 3727÷4727°С; достижение намагниченности насыщения пленки гексаферрита бария 60÷62 А⋅м2кг-1 при среднемассовой температуре плазмы в диапазоне 7727÷9727°С. 6 ил., 1 табл., 3 пр.
Description
Изобретение относится к кристаллографии, магнетизму и технологии магнитных материалов, а более конкретно к технологии магнитных материалов - получению пленок гексагонального феррита бария с требуемыми магнитными характеристиками (коэрцитивностью и намагниченностью насыщения).
Гексагональные ферриты бария в виде объемных макрообразцов успешно используются во невзаимных микроволновых устройствах, таких как фазовращатели, изоляторы и циркуляторы, из-за высокой проницаемости, невзаимных электромагнитных свойств и умеренного до низкого поглощения энергии в СВЧ-диапазоне, в качестве постоянных магнитов [1]. Гексаферрит бария - это соединение состава BaFe12O19, кристаллизующееся в гексагональной сингонии (пространственная группа Р63/mmc); его отличают сравнительно высокие значения коэрцитивной силы и средние значения намагниченности - насыщения и остаточной. По сравнению со своими объемными аналогами ферритовые пленки указанного состава обладают рядом преимуществ, наиболее важным из которых являются возможность магнитной записи информации на них [2] и интеграция с монолитными интегральными схемами СВЧ-диапазона [3], дешевизна и технологичность, стойкость к коррозии.
Известен способ изготовления пленочного магнитного материала на основе гексаферрита бария для устройств магнитной записи информации на них [2], который можно считать аналогом предлагаемого изобретения. Его сущность заключается в том, что объемные макрообразцы на основе гексаферрита бария сначала изготавливают из смеси исходных оксидов по стандартной керамической технологии, а затем получают пленочный магнитный материал методом напыления, используя полученные объемные макрообразцы на основе гексаферрита бария как мишени. При этом для уменьшения величины коэрцитивной силы получаемых объемных макрообразцов на основе гексаферрита бария используют замещение магнитных ионов Fe3+ на немагнитные Zn2+. Недостатками данного способа следует считать необходимость многократного перемешивания/помола компонентов, формирования объемных макрообразцов и их многочасового отжига при температуре ~1200°С.
Также известен способ изготовления магнитного материала на основе гексаферрита бария с низкими значениями коэрцитивной силы Нс [4], который можно считать аналогом предлагаемого изобретения. Его сущность заключается в том, что порошкообразный гексаферрит бария отжигают в присутствии углерода или в атмосфере азота или водорода при температуре ~800°С в течение 1÷2 часов. Недостатками данного способа следует считать то, что он разработан только для порошка (не для пленки), а дополнительный отжиг порошка приводит к значительному возрастанию величины коэрцитивной силы [4].
Известен способ обработки пленочного магнитного материала гексаферрита бария, включающий нанесение пленки гексаферрита бария состава BaFe12O19 на обработанную полировкой то есть сапфировую подложку epi-ready ориентации (0001) [5].
Недостатком способа является то, что его реализация предполагает использование закрытой вакуумной камеры магнетрона, тогда как предлагаемый способ изготовления пленочного магнитного материала предполагает плазменную обработку в открытой атмосфере.
Технической задачей изобретения является разработка простого способа обработки пленочного магнитного материала гексаферрита бария, который может быть реализован без применения вакуумного оборудования.
Техническим результатом является возможность производства магнитных пленок с заданной величиной коэрцитивности и намагниченности насыщения.
Поставленная техническая задача достигается в результате того, что в способе обработки пленочного магнитного материала гексаферрита бария, включающем нанесение пленки гексаферрита бария состава BaFe12O19 на сапфировую подложку epi-ready ориентации (0001), пленку в открытой атмосфере дополнительно подвергают воздействию плазмы со среднемассовой температурой в диапазоне 3727-9727°С в течение 50-60 с, при этом в качестве источника плазмы 4 используют плазмотрон постоянного тока с вихревой стабилизацией и расширяющимся каналом выходного электрода, генерирующий на выходе слабо расходящуюся плазменную струю азота диаметром D=8÷10 мм.
В способе применяется плазменная обработка ранее нанесенного покрытия, которая является процессом высокотемпературного воздействия большой мощности, сопровождающаяся термохимическими реакциями. В зависимости от технологических параметров обработки и плазмообразующего газа можно варьировать свойства синтезируемых материалов в широком диапазоне. Кроме того, интенсивность воздействия позволяет получать необходимый результат за короткий промежуток времени. Весь технологический процесс вкратце можно описать следующим образом: на подложку из термически стойкого монокристалла сапфира наносится недоокисленная поликристаллическая пленка гексаферрита бария, а затем она кратковременно обрабатывается в плазме, генерируемой плазмотроном. Для повышения безопасности, в качестве плазмообразующего газа используется инертный газ (азот, аргон), а сам процесс проводится в открытой атмосфере - на воздухе. За счет высокой активности разогреваемый плазмой кислород окружающей атмосферы будет осуществлять основное химическое воздействие на образец.
Существо изобретения поясняется на фигурах.
Фиг. 1 - принципиальная схема устройства для предварительного нанесения пленки гексаферрита бария на сапфировую подложку;
Фиг. 2 - принципиальная схема устройства для реализации способа по изобретению;
Фиг. 3 Свойства пленки гексаферрита бария, полученных магнетронным напылением на (0001) сапфировых подложках, до плазменной обработки: (а) - рентгеновская дифракто-грамма (* - отражение от подложки С-сапфира согласно JCPDS: 84-0757; 
- отражения Fe3O4 согласно JCPDS №84-0757); (б) - петли магнитного гистерезиса после отжига на воздухе при 750°С; (в) -петли магнитного гистерезиса после отжига на воздухе при 850°С
Фиг. 4 Рентгеновская дифрактограмма пленки гексаферрита бария на (0001) сапфировых подложках после плазменной обработки (* - отражение от подложки С-сапфира согласно JCPDS: 84-0757)
Фиг. 5 РЭМ-изображения поверхности пленок гексаферрита бария на (0001) сапфировых подложках, подвергнутых плазменной обработке в режимах L(a) и Н(б)
Фиг. 6 Кривые магнитного гистерезиса пленок гексаферрита бария на (0001) сапфировых подложках, подвергнутых плазменной обработке в режимах L(a) и Н(б): 1 - ориентация измерений «Out-of-plane», 2 - ориентация измерений «Ιn-plane».
Предварительное нанесение пленки гексаферрита бария на сапфировую подложку осуществлялось на установке, содержащей сапфировую подложку 1, керамическую мишень состава BaFe12O19 2 и - магнетрон 3. Сапфировые пластины базисной (0001) ориентации полировались химико-механическим способом. Далее на подложки сапфира при температуре 350°С наносилась пленка гексаферрита бария методом магнетронного напыления из керамической мишени состава BaFe12O19 в атмосфере аргона (pAr~5.6⋅10-3 мм рт. ст.) для формирования анион-дефицитной поликристаллической пленки.
После нанесения пленки гексаферрита бария ее обработку в соответствии с предлагаемым способом производят на установке, содержащей - плазмотрон 1 с расширяющимся каналом выходного электрода, образец 2, - скоростную видеокамеру 3, интерференционный фильтр 4, нейтральный фильтр 5, - спектрометр 6, - спектрометр 7 AvaSpec 3648, - микропирометр 8.
Способ осуществляют следующим образом. Полученную пленку гексаферрита бария в открытой атмосфере дополнительно подвергают воздействию плазмы со среднемассовой температурой в диапазоне 3727÷9727°С в течение 50÷60 сек. В результате обеспечивается формирование выраженной текстуры пленки гексаферрита бария. При этом достигается намагниченность пленки 40÷62 А⋅м2 кг-1 и происходит снижение величины коэрцитивного поля в ней до значений (14330÷39000) А⋅м-1 (180÷490 Э) вдоль оси <0001> перпендикулярной поверхности сапфировой подложки.
В качестве источника плазмы используется плазмотрон постоянного тока с вихревой стабилизацией и расширяющимся каналом выходного электрода, генерирующий на выходе слабо расходящуюся плазменную струю азота диаметром D=8÷10 мм.
В процесс проведения исследований в качестве скоростной видеокамеры применяли камеру- «Motion Pro», в качестве спектрометра 6- «AvaSpec 2458», в качестве спектрометра 7 - «AvaSpec 3648» и микропирометра 8 - « FMP 1001».
Для микроскопических исследований применялся настольный растровый электронный микроскоп JCM-6000, оснащенный приставкой для проведения энергодисперсионного микроанализа. Рентгеновские исследования проводились на дифрактометре X’PERTPRO (PANalytical, Нидерланды) в геометрии "на отражение" по Брэггу-Брентано на излучении CuKα (λ=1.54 
) с β-фильтром Ni. Измерение кривых магнитного гистерезиса проводилось на приборе "Вибрационный магнитометр NTJVO Мк2" (производство Fairgrieve Moulding Ltd, Великобритания) в диапазоне величин намагничивающего поля от -5000 до 5000 Э в геометрии «out-of-plane» и «in-plane».
Ниже приводятся примеры реализации способа.
ПРИМЕР №1
Первоначально в процессе магнетронного осаждения в атмосфере аргона по данным рентгеновской дифракции формировалась пленка гексаферрита бария с структурой типа магнетоплюмбита. Анион-дефицитность пленки подтверждается данными рентгеновской дифракции: межплоскостное расстояние d вдоль [0001]-оси текстуры исходной пленки составляет 0.2846 нм. Тот же параметр d для стехиометричного образца составляет 0.29 нм. Структура пленки близка к поликристаллической (рис. 3а), наблюдалось слабое текстурирование вдоль оси с [0001] и присутствовали включения Fe3O4. Фазовую однородность пленки и высокие значения намагниченности Нс типичные для гексаферрита бария, удалость обеспечить отжигом при 850°С на воздухе (рис. 3в). Отжиг при температурах 750°С и ниже дает пленки гексаферрита бария с низкими значениями магнитных параметров (рис. 3б).
ПРИМЕР №2
Проводили плазменную обработку полученных пленок гексаферрита бария при температуре в диапазоне 3727÷9727°С. Установили, что при этом формировалась ориентированная пленка гексаферрита бария с ярко выраженной текстурой вдоль оси с (фиг. 4). Сравнение элементного состава в пленках гексаферрита бария на подложках сапфира затруднено, поскольку кислород содержится как в пленке, так и в подложке. По этой причине сравнивалось содержание атомов бария и железа. По данным энергодисперсинного микроанализа соотношение Ba/Fe в пленках гексаферрита бария было одинаковым ~0.1, содержание азота было менее 1 ат. %. Несмотря на полуколичественный характер анализа можно отметить, что обработка в азотной плазме анион-дефицитных пленок гексаферрита бария не приводит к значительному азотному легированию.
ПРИМЕР №3
Более детально исследовали образцы пленок гексаферрита бария на (0001) сапфировых подложках, полученные их плазменной обработкой на краях температурного диапазона 3727÷9727°С: L-образцы получены при воздействии плазмы со среднемассовой температурой 3727÷4727°С, а Н-образцы получены при воздействии плазмы со среднемассовой температурой 7727÷9727°С. Топография поверхности образцов, по данным электронной микроскопии значительно отличалась (фиг. 5): обработка при высокой температуре приводила к укрупнению кристаллитов Н-образцов пленок гексаферрита бария.
На фиг. 6 показаны петли магнитного гистерезиса пленок гексаферрита бария на (0001) сапфировых подложках, подвергнутых плазменной обработке, численные значения магнитных параметров пленок представлены в таблице.
Можно увидеть, что в случае пленок гексаферрита бария на (0001) сапфировых подложках, подвергнутых плазменной обработке в режимах L при сравнительно низкой температуре, наблюдается явно-выраженная магнитная анизотропия, а намагниченность насыщения составляет 42 А⋅м2кг-1. В пленках гексаферрита бария на (0001) сапфировых подложках, подвергнутых плазменной обработке в режимах Η при сравнительно высокой температуре, магнитная анизотропия выражена очень слабо, при этом намагниченность насыщения выше и достигает значения 62 А⋅м2кг-1. Теоретическое значение намагниченности насыщения для объемных образцов гексаферрита бария составляет 72 А⋅м2кг-1. Коэрцитивные поля для всех образцов менее 39809 Α⋅м-1 (500 Э), что более чем в 10 раз меньше теоретического значения для объемных образцов гексаферрита бария 533440 Α⋅м-1 (6700 Э) Несмотря на наблюдаемую магнитную анизотропию в случае образцов типа L, прямоугольность магнитной кривой сравнительно низкая 0.28.
Таким образом, как показывают ПРИМЕРЫ №2 и №3, плазменная обработка пленок гексаферрита бария на (0001) сапфировых подложках существенно повышает их кристалличность, формирует требуемую текстуру и позволяет получать пленочный материал с нужными магнитными характеристиками.
Технические результаты изобретения:
- формирование выраженной текстуры пленки гексаферрита бария вдоль оси <0001>, перпендикулярной поверхности сапфировой подложки, и понижение величины коэрцитивного поля в ней до значений (14330÷39000) Α⋅м-1 (180÷490 Э) при обработке пленки плазмой со среднемассовой температурой в диапазоне 3727÷9727°С в течение 50÷60 сек;
- достижение намагниченности насыщения пленки гексаферрита бария 40÷42 А⋅м2кг-1 при среднемассовой температуре плазмы в диапазоне 3727÷4727°С;
- достижение намагниченности насыщения пленки гексаферрита бария 60÷62 А⋅м2кг-1 при среднемассовой температуре плазмы в диапазоне 7727÷9727°С.
Рассмотрение приведенных примеров показывает промышленную применимость предлагаемого способа.
Источники информации
1. Wu, С, Yu, Ζ., Sokolov, A. S., Yu, et al. Tailoring magnetic properties of self-biased hexaferrites using an alternative copolymer of isobutylene and maleic anhydride // AIP Advances. 2018. V.8. Is.5. P.056221.
2. Taguchi H., Suwa K., Takeishi T. Magnet powder, sintered magnet, bonded magnet, and magnetic recording medium // Patent US 5,846,449. Publ. 08.12.1998.
3. Harris, V. G., Sokolov, A. S. The Self-Biased Circulator: Ferrite Materials Design and Process Considerations // J. Supercond. Novel Magnetism. 2019. V.32. Is.1.P.97-108.
4. Ataie Α., Harris I., Ponton C. Hexaferrite material // Patent W096/17343. Publ. 06.06.96
5. Муслимов А.Э. и др., Особенности применения электронов в исследовании пленок гексаферрита бария на с-сапфире, «Письма в Журнал технической физики», 2021, т. 47, №1, стр. 31-34.
Claims (1)
- Способ обработки пленочного магнитного материала гексаферрита бария, включающий нанесение пленки гексаферрита бария состава BaFe12O19 на сапфировую подложку epi-ready ориентации (0001), отличающийся тем, что пленку в открытой атмосфере дополнительно подвергают воздействию плазмы со среднемассовой температурой в диапазоне 3727÷9727°С в течение 50-60 с, при этом в качестве источника плазмы используют плазмотрон постоянного тока с вихревой стабилизацией и расширяющимся каналом выходного электрода, генерирующий на выходе слабо расходящуюся плазменную струю азота диаметром D=8÷10 мм.
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2786771C1 true RU2786771C1 (ru) | 2022-12-26 |
Family
ID=
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5492775A (en) * | 1993-05-28 | 1996-02-20 | International Business Machines Corporation | Barium ferrite thin film for longitudinal recording |
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5492775A (en) * | 1993-05-28 | 1996-02-20 | International Business Machines Corporation | Barium ferrite thin film for longitudinal recording |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| MIZOGUCHI Y. et al., Synthesis of ultrafine particles and thin films of BaFe12O19 by the spray-ICP technique, "Nanostructured materials", 1994, Vol. 4, N 5, pp. 591-596. ACHARYA B. R. et al., Textured growth of strontium ferrite thin films by sputtering, "Le Journal de Physique IV", 1997, Vol. 7, N C1, pp. C1-471 - C1-474. LIU H. et al., Epitaxial relationship of MBE grown barium hexaferrite (0001) films on sapphire (0001), "Journal of crystal growth", 2010, Vol. 312, N 5, pp. 671-675. * |
| МУСЛИМОВ А. Э. и др. Особенности применения электронов в исследовании пленок гексаферрита бария на c-сапфире, "Письма в Журнал технической физики", 2021, Т. 47, N 1, стр. 31-34. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Hu et al. | Structural Transition and Multiferroic Properties of Eu‐Doped BiFeO3 Thin Films | |
| Manikandan et al. | Effect of high energy milling on the synthesis temperature, magnetic and electrical properties of barium hexagonal ferrite | |
| Wu et al. | Barium hexaferrites with narrow ferrimagnetic resonance linewidth tailored by site‐controlled Cu doping | |
| Balasubramanian et al. | Magnetism of new metastable cobalt-nitride compounds | |
| Samikannu et al. | Synthesis and magnetic properties of conventional and microwave calcined strontium hexaferrite powder | |
| Shao et al. | Ferromagnetism in Ti-doped ZnO thin films | |
| Zaitseva et al. | The poly-substituted M-type hexaferrite crystals growth | |
| Gorbachev et al. | Hard ferrite magnetic insulators revealing giant coercivity and sub-terahertz natural ferromagnetic resonance at 5–300 K | |
| Gorbachev et al. | High-coercivity hexaferrite ceramics featuring sub-terahertz ferromagnetic resonance | |
| Leistner et al. | Phase formation, microstructure, and hard magnetic properties of electrodeposited FePt films | |
| Welch et al. | Polycrystalline MnZn ferrite films prepared by pulsed laser deposition | |
| Kim et al. | Magnetic properties of Cr/sup 3+/substituted BaFe/sub 12/O/sub 19/powders grown by a sol-gel method | |
| RU2786771C1 (ru) | Способ обработки пленочного магнитного материала гексаферрита бария | |
| Anjum et al. | Microstructural, structural, magnetic and optical properties of antimony doped cobalt spinel ferrites | |
| Bharathi et al. | Room temperature ferromagnetism in HfO2 films | |
| Xu et al. | Effects of the oxygen partial pressure during deposition on the material characteristics and magnetic properties of BaM thin films | |
| Semaida et al. | Correlation between composition and magnetic properties of SrFe12O19/Co nanocomposite synthesized by the high energy ball-milling process | |
| Lysenko et al. | Structural and magnetic properties of lithium-substituted ferrite ceramics sintered by continuous electron beam heating | |
| Peng et al. | Magnetic, electrical and dielectric properties of microwave sintered Sr 1− x La x Fe 12− x Ni x O 19 (x= 0− 0.35) hexaferrites used for nonreciprocal LTCF devices | |
| Zaitseva et al. | Preparation of Poly-Substituted Crystals with M-Type Hexa-Ferrite Structure Using Melts of the BaO-PbO-SrO-CaO-ZnO-Fe2O3-Mn2O3-Al2O3 System | |
| Nipan et al. | Materials science perspectives for oxide ferromagnetic semiconductors | |
| Stognij et al. | Properties of Mg (Fe 0.8 Ga 0.2) 2 O 4+ δ ceramics and films | |
| Leccabue et al. | Magnetic and morphological characterization of SrMe/sub 2/-W and SrZn-X hexaferrites prepared by chemical coprecipitation method | |
| Yu et al. | Fabrication and physical properties of [Fe/Fe4N] N multilayers with high saturation magnetization | |
| Saeedi et al. | Magnetism from Co and Eu implanted into ZnO |