RU2782368C2 - Retrographic sensors - Google Patents
Retrographic sensors Download PDFInfo
- Publication number
- RU2782368C2 RU2782368C2 RU2021109187A RU2021109187A RU2782368C2 RU 2782368 C2 RU2782368 C2 RU 2782368C2 RU 2021109187 A RU2021109187 A RU 2021109187A RU 2021109187 A RU2021109187 A RU 2021109187A RU 2782368 C2 RU2782368 C2 RU 2782368C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- deformable layer
- particles
- retrographic sensor
- retrographic
- sensor
- Prior art date
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 142
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 77
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 146
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 41
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 claims description 41
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 30
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 21
- 239000004005 microsphere Substances 0.000 claims description 20
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 14
- 230000001070 adhesive Effects 0.000 claims description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 12
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 10
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 10
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N Iron(III) oxide Chemical compound O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 claims description 6
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 claims description 5
- 230000001788 irregular Effects 0.000 claims description 4
- 229920001194 natural rubber Polymers 0.000 claims description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 4
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 4
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 3
- 229920002725 Thermoplastic elastomer Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 240000008528 Hevea brasiliensis Species 0.000 claims description 2
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N Melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 claims description 2
- 229920001944 Plastisol Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminum Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 2
- 239000010974 bronze Substances 0.000 claims description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 claims description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 claims description 2
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 claims description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 2
- 230000001264 neutralization Effects 0.000 claims description 2
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004999 plastisol Substances 0.000 claims description 2
- 229920001490 poly(butyl methacrylate) polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000747 poly(lactic acid) polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004626 polylactic acid Substances 0.000 claims description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 claims description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 claims description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 2
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 claims description 2
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 1
- 150000003440 styrenes Chemical class 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000003313 weakening Effects 0.000 abstract 1
- 235000019589 hardness Nutrition 0.000 description 23
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 11
- 230000003287 optical Effects 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 230000000670 limiting Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 description 3
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 229940008099 dimethicone Drugs 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000006011 modification reaction Methods 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective Effects 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- LCJRHAPPMIUHLH-UHFFFAOYSA-N 1-$l^{1}-azanylhexan-1-one Chemical compound [CH]CCCCC([N])=O LCJRHAPPMIUHLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-2-propenoic acid methyl ester Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002126 Acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- JHLNERQLKQQLRZ-UHFFFAOYSA-N Calcium silicate Chemical compound [Ca+2].[Ca+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] JHLNERQLKQQLRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STVZJERGLQHEKB-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol dimethacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCOC(=O)C(C)=C STVZJERGLQHEKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940116336 Glycol Dimethacrylate Drugs 0.000 description 1
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N Hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N Hexamethylene diisocyanate Chemical compound O=C=NCCCCCCN=C=O RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005057 Hexamethylene diisocyanate Substances 0.000 description 1
- JHWNWJKBPDFINM-UHFFFAOYSA-N Laurolactam Chemical compound O=C1CCCCCCCCCCCN1 JHWNWJKBPDFINM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000299 Nylon 12 Polymers 0.000 description 1
- 229920002292 Nylon 6 Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene (PE) Substances 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000002902 bimodal Effects 0.000 description 1
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000005465 channeling Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement Effects 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000004059 degradation Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- GMSCBRSQMRDRCD-UHFFFAOYSA-N dodecyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCOC(=O)C(C)=C GMSCBRSQMRDRCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- QHZOMAXECYYXGP-UHFFFAOYSA-N ethene;prop-2-enoic acid Chemical compound C=C.OC(=O)C=C QHZOMAXECYYXGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000789 fastener Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive Effects 0.000 description 1
- 239000001034 iron oxide pigment Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229920005615 natural polymer Polymers 0.000 description 1
- DNPFOADIPJWGQH-UHFFFAOYSA-N octan-3-yl prop-2-enoate Chemical compound CCCCCC(CC)OC(=O)C=C DNPFOADIPJWGQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 229920001485 poly(butyl acrylate) polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000004441 surface measurement Methods 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
Images
Abstract
Description
ПЕРЕКРЕСТНАЯ ССЫЛКА НА РОДСТВЕННЫЕ ЗАЯВКИCROSS-REFERENCE TO RELATED APPLICATIONS
[01] По этой заявке испрашивается приоритет предварительной заявки № 62/727816 на патент США, поданной 6 сентября 2018 года, все содержание которой включено в эту заявку путем ссылки.[01] This application claims priority to U.S. Provisional Application No. 62/727816, filed September 6, 2018, the entire contents of which are incorporated herein by reference.
ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИFIELD OF TECHNOLOGY
[02] В общем, настоящее раскрытие относится к ретрографическим датчикам, а более конкретно, к контактным датчикам со специализированными поверхностями, которые облегчают использование в случаях различных поверхностей объектов.[02] In General, the present disclosure relates to retrographic sensors, and more specifically, to contact sensors with specialized surfaces that facilitate use in cases of different surfaces of objects.
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИBACKGROUND OF THE INVENTION
[03] Ретрографический датчик включает в себя подложку из прозрачного эластомера, покрытую деформируемым слоем, содержащим отражающие частицы, наряду с оптической системой для захвата изображений слоя, когда он искажается при прижатии к объекту. Чтобы датчик точно соответствовал топографически сложной поверхности объекта, деформируемый слой должен растягиваться, скользить и искажаться, чтобы согласоваться с поверхностью объекта. Если поверхность датчика имеет высокий коэффициент трения (КТ), что справедливо для большей части эластомеров, поверхность датчика не будет легко направляться на элементах поверхности объекта и скользить по ним, и не будет легко согласовываться с поверхностью объекта. Кроме того, из большей части эластомеров исключается выход захваченного воздуха. Например, когда эластомерный датчик вжимают в ямку, он образует уплотнение по ободку ямки, вследствие чего захваченный воздух остается в ямке. Захваченный воздух предотвращает достижение датчиком дна ямки и поэтому точное измерение исключается. Поэтому остается необходимость в усовершенствованных датчиках, в которых при формировании изображения исключаются дефекты, связанные с этими свойствами.[03] The retrographic sensor includes a transparent elastomer substrate coated with a deformable layer containing reflective particles, along with an optical system for capturing images of the layer as it is distorted when pressed against an object. In order for the sensor to accurately match the topographically complex surface of an object, the deformable layer must stretch, slide, and distort to conform to the surface of the object. If the sensor surface has a high coefficient of friction (CT), which is true of most elastomers, the sensor surface will not easily guide and slide over the surface features of the object and will not readily conform to the surface of the object. In addition, most elastomers are prevented from escaping entrapped air. For example, when an elastomeric sensor is pressed into a pit, it forms a seal around the rim of the pit, whereby entrapped air remains in the pit. Entrained air prevents the probe from reaching the bottom of the pit and therefore an accurate measurement is precluded. Therefore, there remains a need for improved sensors that eliminate the defects associated with these properties during imaging.
СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯSUMMARY OF THE INVENTION
[04] Ретрографический датчик включает в себя прозрачную эластомерную подложку, деформируемый отражающий слой и контактную поверхность с матрицей жестких неплоских элементов, образованных из материала, или со структурой частиц, для уменьшения сцепления с поверхностью объекта и в то же время для предоставления возможности захваченному воздуху выходить из представляющей интерес области. Это сочетание элементов позволяет иметь контактную поверхность датчика, более точно согласующуюся с поверхностью объекта, и в то же время позволяет физически передавать топографию поверхности объекта деформируемому слою для формирования изображения через подложку.[04] The retrographic sensor includes a transparent elastomer substrate, a deformable reflective layer, and a contact surface with a matrix of rigid non-planar elements formed from a material or particle structure to reduce adhesion to the surface of an object while at the same time allowing entrapped air to escape. from the region of interest. This combination of elements allows the sensor contact surface to be more closely aligned with the surface of the object, while at the same time allowing the topography of the object's surface to be physically transferred to the deformable layer for imaging through the substrate.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
[05] Упомянутые выше и другие объекты, признаки и преимущества устройств, систем и способов, описанных в этой заявке, станут очевидными из нижеследующего описания конкретных вариантов осуществления его, показанных на сопровождающих чертежах. Чертежи необязательно выполнены в масштабе и приданы для иллюстрации принципов устройств, систем и способов, описанных в этой заявке. На чертежах:[05] The above and other objects, features and advantages of the devices, systems and methods described in this application will become apparent from the following description of specific embodiments of it, shown in the accompanying drawings. The drawings are not necessarily drawn to scale and are provided to illustrate the principles of the devices, systems and methods described in this application. On the drawings:
[06] фиг. 1 - иллюстрация системы формирования изображения и ретрографического датчика;[06] FIG. 1 is an illustration of an imaging system and a retrographic sensor;
[07] фиг. 2 - иллюстрация ретрографического датчика, расположенного для использования;[07] FIG. 2 is an illustration of a retrographic sensor positioned for use;
[08] фиг. 3 - иллюстрация ретрографического датчика, наложенного на поверхность объекта;[08] FIG. 3 is an illustration of a retrographic sensor superimposed on the surface of an object;
[09] фиг. 4 - иллюстрация контактной поверхности ретрографического датчика;[09] FIG. 4 is an illustration of the contact surface of a retrographic sensor;
[10] фиг. 5 - вид сбоку ретрографического датчика;[10] Fig. 5 is a side view of the retrographic sensor;
[11] фиг. 6 - вид сбоку ретрографического датчика;[11] Fig. 6 is a side view of the retrographic sensor;
[12] фиг. 7 - вид сбоку ретрографического датчика;[12] Fig. 7 is a side view of the retrographic sensor;
[13] фиг. 8 - блок-схема последовательности действий способа изготовления ретрографического датчика;[13] Fig. 8 is a flow chart of a method for manufacturing a retrographic sensor;
[14] фиг. 9 - блок-схема последовательности действий способа метрологии поверхности с использованием ретрографического датчика;[14] Fig. 9 is a flow chart of a surface metrology method using a retrographic sensor;
[15] фиг. 10 - иллюстрация полученного оптическим микроскопом изображения матрицы 6-микрометровых микросфер первого типа;[15] Fig. 10 is an illustration of an optical microscope image of an array of 6 micrometer microspheres of the first type;
[16] фиг. 11 - иллюстрация полученного оптическим микроскопом изображения матрицы 6-микрометровых микросфер второго типа; и[16] Fig. 11 is an illustration of an optical microscope image of an array of 6 micrometer microspheres of the second type; and
[17] фиг. 12 - средний радиальный спектр мощности для матриц микросфер из фиг. 10 и 11.[17] Fig. 12 shows the average radial power spectrum for the microsphere arrays of FIG. 10 and 11.
ОПИСАНИЕ ПРЕДПОЧТИТЕЛЬНЫХ ВАРИАНТОВ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯDESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS
[18] Теперь варианты осуществления будут описаны с обращением к сопровождающим чертежам. Однако изложенное выше может быть осуществлено многими различными способами и не должно толковаться как ограниченное показанными вариантами осуществления, изложенными в этом разделе.[18] Embodiments will now be described with reference to the accompanying drawings. However, the foregoing may be practiced in many different ways and should not be construed as being limited to the illustrated embodiments set forth in this section.
[19] Все документы, упомянутые в этой заявке, являются тем самым полностью включенными в нее путем ссылки. Ссылки на элементы в единственном числе следует понимать включающими элементы во множественном числе и наоборот, если иное явно не оговорено или ясно не следует из текста. Грамматические объединения предполагаются выражающими любые и все дизъюнктивные и конъюнктивные комбинации объединенных предложений, суждений, слов и т.п., если иное не оговорено или ясно не следует из контекста. Таким образом, термин «или» следует обычно понимать означающим «и/или» и т.д.[19] All documents referred to in this application are hereby incorporated by reference in their entirety. References to elements in the singular should be understood to include elements in the plural and vice versa, unless otherwise expressly stated or clear from the text. Grammatical associations are intended to express any and all disjunctive and conjunctive combinations of combined sentences, judgments, words, etc., unless otherwise specified or clearly follows from the context. Thus, the term "or" should generally be understood to mean "and/or", etc.
[20] В этой заявке изложение пределов значений не предполагается ограничивающим, а предполагается относящимся индивидуально к любому и всем значениям, попадающим в пределы, если в этой заявке не указано иное, а каждое отдельное значение в таких пределах включается в описание изобретения, как если бы оно было индивидуально приведено в этой заявке. Слова «около», «приблизительно» или подобные при численном значении специалисту в данной области техники следует понимать как показывающие отклонение, при котором обеспечивается удовлетворительная работа в предполагаемой области применения. Аналогично этому, слова, относящиеся к приближенному значению, такие как «приблизительно» или «по существу», при использовании относительно физических характеристик специалисту в данной области техники следует понимать как выражающие пределы отклонения, при которых обеспечивается удовлетворительная работа в случае соответствующего использования, функционирования, целевого назначения или чего-либо подобного. Пределы значений и/или числовых значений приводятся в этой заявке только для примера и не накладывают ограничений на объем описанных вариантов осуществления. Когда пределы значений приводятся, они предполагаются включающими каждое значение в пределах, как если бы оно было представлено индивидуально, однако если иное особо не оговорено. Использование любого или всех примеров, или вводного слова перед примером («например», «такой как» или подобного), приводимого в этой заявке, предназначено только для лучшего освещения вариантов осуществления и не является ограничением объема вариантов осуществления. Никакую формулировку в описании не следует толковать как показывающую какой-либо незаявленный элемент существенным при практическом применении вариантов осуществления.[20] In this application, the statement of the limits of values is not intended to be limiting, but is intended to apply individually to any and all values falling within the limits, unless otherwise indicated in this application, and each individual value within such limits is included in the description of the invention, as if it has been individually cited in this application. The words "about", "approximately" or the like, when numerical, should be understood by one of ordinary skill in the art to indicate the variation that provides satisfactory performance in the intended application. Likewise, words referring to an approximation, such as "approximately" or "substantially", when used in relation to physical characteristics, a person skilled in the art should be understood as expressing the limits of variation under which satisfactory operation is provided in the case of appropriate use, operation, intended purpose or the like. Limits of values and/or numerical values are given in this application for example only and do not impose restrictions on the scope of the described embodiments. When ranges of values are given, they are intended to include each value within the range as if it were presented individually, unless otherwise noted. The use of any or all of the examples, or an introductory word before an example ("for example", "such as" or the like), provided in this application is only intended to better illuminate the embodiments and is not a limitation on the scope of the embodiments. No wording in the description should be construed as showing any unclaimed element to be essential in the practice of the embodiments.
[21] Следует понимать, что в нижеследующем описании термины, такие как «первый», «второй», «верх», «низ», «вверх», «вниз» и т.п., являются обычными словами и не должны толковаться как ограничивающие термины.[21] It should be understood that in the following description, terms such as "first", "second", "top", "bottom", "up", "down", etc., are ordinary words and should not be construed as limiting terms.
[22] На фиг. 1 показаны система формирования изображения и ретрографический датчик. В общем случае ретрографический датчик 100 можно использовать вместе с системой 150 формирования изображения, чтобы образовать контактную систему формирования изображения для количественных или качественных топографических измерений при метрологии поверхности или при других практических применениях системы формирования трехмерного изображения.[22] FIG. 1 shows an imaging system and a retrographic sensor. In general,
[23] Ретрографический датчик 100 может включать в себя подложку 102 с первой поверхностью 104, обращенной к поверхности (непоказанной) объекта, и второй поверхностью 106, обращенной к системе 150 формирования изображения. Вторая поверхность 106 может примыкать, например, к защитному покрытию 108 подложки 102, при этом защитное покрытие 108 образовано из жесткого, оптически прозрачного материала, такого как стекло, поликарбонат или акриловое соединение. Обычно защитное покрытие 108 пропускает свет к подложке 102 и принимает свет из нее для формирования изображения и в то же время обеспечивает приложение силы для сцепления ретрографического датчика 100 с поверхностью объекта способом, при котором обеспечивается формирование изображения топографии поверхности объекта с помощью ретрографического датчика 100.[23] The
[24] Подложка 102 может быть образована из любого оптически прозрачного деформируемого материала, удовлетворяющего требованиям прохождения света через него, для содействия формированию изображения и в то же время для согласования с поверхностью объекта, когда при использовании ретрографический датчик 100 помещают против поверхности объекта. Например, подложка 102 может быть образована из эластомера, способного пропускать изображение и имеющего твердость, подходящую для согласования с контактной поверхностью. Твердость эластомера по Шору А может быть меньше чем 40 или любой другой твердостью, подходящей для согласования с представляющими интерес материалами объекта. Например, эластомер подложки 102 может быть оптически прозрачным эластомером, таким как силиконовый каучук, полиуретан, пластизоль, натуральный каучук, полиизопрен и поливинилхлорид или любой другой термопластичный эластомер, или что-либо подобное. Согласно одному аспекту эластомер включает в себя стирольный блоксополимер, например около 20 мас.% стирольного блоксополимера и до 80 мас.% пластификатора или стирольный блоксополимер и пластификатор в соотношении 1:4. В более общем случае в такой ситуации целесообразно использовать полимер и пластификатор в соотношении от около 1:2 до около 1:9. Пластификатор может включать в себя масло и реагент, придающий клейкость, или любые другие подходящие добавки, или другие компоненты.[24]
[25] Хотя первая поверхность 104 показана как по существу плоская, должно быть понятно, что другие формы могут быть также или взамен использованы. Например, первая поверхность 104 может быть выпуклой (от системы 150 формирования изображения), например для обеспечения большей степени свободы ориентации ручного датчика или чего-либо подобного.[25] Although the
[26] Кроме того, ретрографический датчик 100 может включать в себя деформируемый слой 110, который может быть расположен на первой поверхности 104 подложки 102. В общем случае деформируемый слой 110 может включать в себя материал или может быть образован из материала, который отражает свет, проходящий через подложку 102 и падающий на первую поверхность 104, показанный первой стрелкой 112, чтобы облегчить захват изображений из света, отраженного от первой поверхности 104, показанного второй стрелкой 114, для использования при обработке изображения, такой как построение двумерного или трехмерного изображения.[26] In addition, the
[27] Деформируемый слой 110 может быть образован из любого из ряда деформируемых материалов, таких как любой из эластомеров, описанных в этой заявке. Однако в отличие от подложки 102 деформируемый слой 110 необязательно должен быть оптически прозрачным и предпочтительно, чтобы отражение осуществлялось на его поверхности, обращенной к первой поверхности 104 подложки 102, чтобы облегчалось формирование изображения деформированного слоя ретрографического датчика 100 в течение использования. Например, деформируемый слой 110 может включать в себя отражающие частицы, такие как металлические частицы, расположенные во втором эластомере. Деформируемый слой 110 может также или взамен включать в себя неметаллические частицы, которые придают надлежащие поверхностные свойства деформируемому слою 110, когда он соприкасается с первой поверхностью 104 подложки 102. Например, деформируемый слой 110 может отражать свет ненаправленно или по существу равномерно, по всем направлениям для исключения смещений, которые могут в ином случае возникать при оценивании нормалей к поверхности или градиентов на основании интенсивности отраженного света.[27]
[28] Согласно одному аспекту деформируемый слой 110 может включать в себя диоксид титана. Деформируемый слой 110 может также включать в себя углеродную сажу, например, в количестве, достаточном для придания нейтрального серого цвета диоксиду титана в деформируемом слое 110. Согласно другому аспекту деформируемый слой 110 может включать в себя красный оксид железа. Согласно еще одному аспекту материал деформируемого слоя 110 может включать в себя хлопья, которые проявляют по меньшей мере одно свойство из шероховатости поверхности, нерегулярной формы и случайного выравнивания относительно друг друга, что является причиной умеренно направленного отражения света материалом, или материал деформируемого слоя 110 может включать в себя хлопья, которые являются по существу плоскими, имеют поверхность, подобную зеркальной поверхности, и по существу хорошо выровнены относительно друг друга, что является причиной высоконаправленного отражения света материалом. В этом последнем варианте осуществления хлопья целесообразно, чтобы хлопья включали в себя алюминиевые хлопья, бронзовые хлопья или любые другие подходящие металлические или иные хлопья.[28] According to one aspect, the
[29] Кроме того, ретрографический датчик 100 может включать в себя контактную поверхность 120 для помещения в соприкосновение с изображаемым объектом. В общем случае контактная поверхность 120 может включать в себя частицы 122, расположенные в виде структуры на деформируемом слое 110 и отделенные от подложки 102 деформируемым слоем 110. Предпочтительно, чтобы частицы 122 имели твердость, которая больше, чем твердость первого эластомера в подложке 102, с тем, чтобы частицы 122 сохраняли форму, когда ретрографический датчик 100 прикладывают к поверхности объекта с силой, достаточной для деформирования подложки 102. Таким образом, матрица частиц 122 может создавать воздушные каналы для перераспределения и выхода воздуха или других захваченных газов, когда ретрографический датчик 100 прикладывают к поверхности объекта. Для поддержания строения воздушных каналов и в то же время минимизации влияния на разрешающую способность получаемого изображения полезно, чтобы структура была образована одним слоем частиц на деформируемом слое 110, например, как это показано на фиг. 1.[29] In addition, the
[30] Частицы могут иметь твердость по Шору А больше чем 40 или в более общем случае большую, чем соответствующая твердость эластомера подложки 102. Например, эластомер подложки 102 может иметь твердость по Шору А по меньшей мере 10, меньшую, чем твердость по Шору А частиц. Аналогично этому, твердость по Шору А деформируемого слоя 110 может быть меньше, чем твердость по Шору А частиц 122, и может быть больше или равна твердости по Шору А подложки 102. Следует понимать, что модуль упругости или подобные показатели описывают объемные свойства материалов и в некоторых случаях могут быть полезными для обнаружения отличия относительно гибких материалов, используемых для подложки 102 или деформируемого слоя 110, от относительно жестких материалов частиц 122, расположенных на деформируемом слое 110. Однако твердость, измеряемая, например, с использованием шкалы твердости по Шору А, описанной в этой заявке, может изменяться в соответствии с местом в пределах изделия. В этом случае твердость по Шору А подложки 102 может быть полезно измерять на поверхности подложки 102 без деформируемого слоя 110, наносимого на нее, и можно измерять в центре первой поверхности 104 подложки 102 или на любом другом подходящем месте. В более общем случае твердость по Шору А различных материалов или компонентов ретрографического датчика 100 можно измерять любым способом, который обеспечивает получение полезного сигнала, гарантирующего, что относительные твердости подложки 102, деформируемого слоя 110 и частиц 122, действующие совместно, позволят получать деформацию ретрографического датчика 100 по отношению к поверхности объекта при поддержании предпочтительных свойств контактной поверхности 120, описанных в этой заявке.[30] The particles may have a Shore A hardness greater than 40, or more generally greater than the corresponding hardness of the
[31] Система 150 формирования изображения может быть связана с второй поверхностью 106 подложки 102, например, через защитное покрытие 108 и с помощью любого отдельного крепежного средства, предназначенного для закрепления системы 150 формирования изображения в положении захвата изображений, отраженных от деформируемого слоя 110, через подложку 102. В общем случае система 150 формирования изображения может включать в себя одну или несколько камер 152 с использованием, например, оптических датчиков, таких как приборы с зарядовой связью, датчики изображения на основе комплементарного металло-оксидного полупроводника, датчики изображения на основе металло-оксидного полупроводника N-типа или подобные, наряду с любыми подходящими линзами и другими оптическими элементами для фокусировки света, падающего на эти датчики, для содействия захвату изображения. В общем случае одна или несколько камер 152 могут быть выполнены с возможностью захвата множества изображений деформируемого слоя 110 через первый эластомер подложки 102 для получения изображений из падающего света. В камере 152 могут использоваться поэлементные цветные фильтры или другие регулируемые фильтры, или подобные для избирательного отображения падающего света конкретной длины волны или диапазона длин волн.[31] The
[32] Кроме того, может иметься осветительная система 160, включающая один или несколько источников 162 света, таких как светоизлучающие диоды. Осветительная система 160 может быть, например, выполнена с возможностью освещения деформируемого слоя 110 через эластомер подложки 102, например, скользящим освещением или любым другим направленным освещением, которое способствует обнаружению изменений по нормали к поверхности деформируемого слоя 110. Согласно одному аспекту осветительная система может обеспечивать освещение двумя или большим количеством источников 162 света, при этом каждый из источников 162 света создает освещение в диапазоне длин волн, отличающемся от диапазона длин волн с другого направления. При использовании в сочетании с одной или несколькими камерами 152, которые захватывают изображения в соответствующих диапазонах длин волн, освещение этого вида можно использовать для освещения деформируемого слоя 110 с разных направлений при различных длинах волн и можно одновременно захватывать отдельные изображения, каждое из которых освещается с иного направления. Например, три источника 162 света, излучающих в диапазонах длин волн красного, зеленого и голубого света, можно использовать вместе с камерой для цветной съемки, имеющей аналогичным образом фильтруемые каналы формирования изображений, для одновременного отображения поверхности при освещении с трех разных направлений.[32] In addition, there may be a
[33] Контроллер 170, такой как микропроцессор, микроконтроллер, или другие программируемые или специализированные схемы (или комбинация их) могут быть использованы для координации работы системы 150 формирования изображения и осветительной системы 160 при захвате изображений освещенного деформируемого слоя 110 и обработке получающихся изображений для реконструкции топографии нижележащей поверхности объекта, например, путем оценивания нормалей к поверхности на основании интенсивности освещения, воспринимаемого на камерах 154, и использования нормалей к поверхности для реконструкции топографии поверхности.[33] A controller 170 such as a microprocessor, microcontroller, or other programmable or dedicated circuitry (or a combination thereof) may be used to coordinate the operation of the
[34] На фиг. 2 показан ретрографический датчик, расположенный для использования. Ретрографический датчик 200, который может быть любым из ретрографических датчиков, описанных в этой заявке, может быть расположен для использования выше поверхности 202 объекта, топографическое изображение или другое количественное или качественное изображение которого является желательным.[34] FIG. 2 shows a retrographic sensor positioned for use. The
[35] На фиг. 3 показан ретрографический датчик, наложенный на поверхность объекта. Когда ретрографический датчик 300, который может быть любым из ретрографических датчиков, описанных в этой заявке, располагают для получения изображения, опуская на поверхность 302 объекта, как это схематично показано стрелкой 304, контактная поверхность 320 ретрографического датчика 300, такая как любая из контактных поверхностей, описанных в этой заявке, может деформироваться и прилегать к поверхности 302 объекта. Для получения значительного преимущества контактную поверхность 320 можно выполнять имеющей низкий коэффициент трения, например путем выбора материала или введения частиц, описанных в этой заявке, чтобы контактная поверхность 320 могла скользить по поверхности 302 объекта и легче прилегать к поверхности 302 объекта без артефактов, привносимых сцеплением и упругой деформацией, когда контактная поверхность 320 встречается с поверхностью 302 объекта. Для получения еще одного значительного преимущества контактную поверхность 320 можно выполнять, как описано в этой заявке, с возможностью образования воздушных каналов для выпуска воздуха или других газов, или текучих сред, когда контактная поверхность 320 окружает поверхность 302 объекта и перемещается по топографически изменяющимся участкам, таким как выемка 322, на которых в противном случае газ может захватываться, создавая помехи точным измерениям поверхности при использовании ретрографического датчика 300.[35] FIG. 3 shows a retrographic sensor superimposed on the surface of an object. When the
[36] Когда контактная поверхность 320 ретрографического датчика 300 геометрически изменяется в ответ на соприкосновение с поверхностью 302 объекта, изменения геометрии вызывают локализованные изменения по нормали к поверхности и связанные с ними локализованные изменения в количестве света, отраженного от деформируемого слоя (непоказанного) к устройствам формирования изображения, таким как камеры 152, описанные выше с обращением к фиг. 1. Эти данные изображения могут быть проанализированы для реконструкции трехмерной формы поверхности 302 объекта, соприкасающейся с деформируемым слоем 110, или в ином случае данные изображения могут быть обработаны для извлечения и/или представления двумерных или трехмерных данных. Ряд соответствующих конфигураций и способов формирования изображения возможен при использовании ретрографических датчиков и связанных с ними технических средств, описанных в этой заявке. Например, что касается фиг. 1, то контроллер 170 может реализовывать функции фотометрического стереоскопического анализатора, выполненного с возможностью оценивания по меньшей мере одной из нормали к поверхности и высоты поверхности деформируемого слоя 110 на множестве мест при использовании первого изображения деформируемого слоя 110, захваченного камерой (камерами) 152 в первом цвете, и второго изображения деформируемого слоя 110, захваченного камерой (камерами) 152 во втором цвете, или в более общем случае с возможностью извлечения трехмерных данных при использовании двух или большего количества изображений деформируемого слоя, захваченных в двух или большем количестве различных диапазонах длин волн. Контроллер 170 может реализовывать функции контроллера освещения, например, при использовании компьютерного кода, исполняемого контроллером 170, для последовательного освещения первой поверхности 104 через подложку 102 двумя или большим количеством различных источников 162 света, каждый из которых находится на отдельном месте.[36] When the
[37] На фиг. 4 показана контактная поверхность ретрографического датчика. В общем случае ретрографический датчик 400, который может быть любым из ретрографических датчиков, описанных в этой заявке, может включать в себя некоторое количество частиц 402, расположенных в виде структуры, для образования части или всей контактной поверхности 420 ретрографического датчика 400. Такая структура показана на фиг. 4 как нормальная проекция в плоскости x-y, параллельной контактной поверхности 420. Следует понимать, что, хотя частицы 402 показаны как окружности, эти окружности необязательно имеют такой размер, и размер и форму частиц можно изменять в соответствии с предполагаемым использованием. Например, диаметр частиц 402 может быть от одного до двадцати пяти микрометров или в более общем случае размеры находятся на уровне или ниже заданной разрешающей способности формируемого изображения для ретрографического датчика 400.[37] FIG. 4 shows the contact surface of the retrographic sensor. In general, the
[38] В общем случае структура может образовывать матрицу с малым шагом, которая может быть регулярной матрицей, такой как квадратная или гексагональная матрица, или нерегулярной матрицей. Согласно одному аспекту матрица может быть по существу гексагональной матрицей, например, в основном гексагональной с различными промежуточными нерегулярностями, которые не исключают соприкосновения большей части частиц 402 с шестью другими соседними частицами 402. Структура также может или взамен включать в себя множество локально гексагональных матриц, связанных с другими матрицами частиц 402, которые заполняют области между другими гексагональными областями. Предложен ряд объективных показателей регулярности, таких как расстояния между ближайшими соседями. Согласно одному аспекту регулярность гексагональной матрицы частиц 402 по существу одинакового размера можно оценивать на основании среднего количества контактов с соседними частицами 402 (например, около шести контактных точек означают более регулярную матрицу).[38] In general, the structure may form a fine-pitch matrix, which may be a regular matrix, such as a square or hexagonal matrix, or an irregular matrix. In one aspect, the matrix may be a substantially hexagonal matrix, for example, mostly hexagonal with various intervening irregularities that do not preclude most of the
[39] Хотя предполагается, что регулярность должна быть хорошей для согласованного покрытия контактной поверхности 420 способом, способствующим формированию изображения, любую другую структуру из близкорасположенных частиц 402, например нерегулярную структуру, можно также или взамен использовать при условии, что частицы 402 находятся достаточно близко друг к другу со строгим поддержанием физических каналов между ними для выпуска газа, когда контактную поверхность 420 прижимают к поверхности объекта. То есть, предпочтительно, чтобы в структуре из частиц 402 могли успешно формироваться промежуточные каналы, которые позволяют протекать воздуху между частицами 402 на стороне, противолежащей деформируемому слою ретрографического датчика 400, например на контактной поверхности 420, для исключения захваченных пузырьков воздуха или другого газа, которые в ином случае могут препятствовать точному формированию изображения поверхности объекта. Кроме того, в общем случае частицы 402 могут соприкасаться друг с другом в структуре, например, могут находиться в непосредственном контакте, или частицы 402 могут быть отделены, либо вследствие низкой плотности расположения, либо вследствие физического отделения частиц 402 слоем адгезива или промежуточного эластомера, например, от деформируемого слоя.[39] While regularity is expected to be good for consistent coverage of the
[40] Частицы 402 могут иметь различные размеры и распределения. Согласно одному аспекту частицы 402 являются монодисперсными или по существу монодисперсными. Более конкретно, частицы 402 могут быть монодисперсными сферами, так что частицы 402 будут склонны располагаться в плоскости с образованием по существу гексагональной матрицы. Согласно одному аспекту частицы 402 могут иметь средний диаметр около пяти микрометров. Согласно другому аспекту частицы 402 могут иметь средний диаметр в пределах от трех до десяти микрометров или от одного до двадцати пяти микрометров. Как отмечалось выше, предпочтительно, чтобы диаметр частиц 402 был не больше, чем заданная разрешающая способность изображения, формируемого устройством с использованием ретрографического датчика 400. Согласно еще одному аспекту частицы 402 могут включать в себя несферические частицы с наибольшим диаметром, находящемся в пределах, упомянутых выше. В общем случае любая такая форма может быть использована при условии, что не создается плотное размещение, при котором промежуточные каналы для выхода воздуха закупориваются.[40]
[41] Полидисперсные частицы могут быть также или взамен использованы. Например, частицы 402 могут быть полидисперсными с первым стандартным отклонением в отношении среднего размера частиц, определяющим диапазон, попадающий в пределы от одного до десяти микрометров. Степень полидисперсности можно характеризировать другими способами. Например, можно использовать безразмерные показатели, такие как вариация (cv) или относительное стандартное отклонение:[41] Polydisperse particles can also be used or alternatively used. For example,
где σ является стандартным отклонением распределения частиц по размерам и µ является средним значением. Эти значения обычно предоставляются промышленными поставщиками объемных микросфер и других представляющих интерес частиц.where σ is the standard deviation of the particle size distribution and µ is the mean. These values are typically provided by commercial suppliers of bulk microspheres and other particles of interest.
[42] В общем случае частицы, имеющие более единообразную форму, должны образовывать более регулярные матрицы, чем при других распределениях (за исключением некоторых случаев бимодальных распределений и других специфических распределений, которые потенциально могут приводить к получению регулярно скомпонованных матриц), и должны обеспечивать подавление соответствующих дефектов при формировании изображения. Поэтому низкий коэффициент вариации (например, 0% для случая совершенно монодисперсных частиц) служит показателем качества, который связывает распределения частиц по размерам с характеристиками ретрографических датчиков. Эмпирически установлено, что для микросфер размером порядка от одного до десяти микрометров является предпочтительным коэффициент вариации, который составляет около 0%. Однако коэффициенты вариации от 15 до 25% также приводят к получению приемлемых результатов, при этом характеристики формируемого изображения могут различаться в пределах 15-25%. Конечно, также могут использоваться более дисперсные частицы 402, и такие распределения частиц могут все еще приводить к получению определенных преимуществ, таких как наличие промежуточных каналов для выпуска воздуха и низкий коэффициент трения. Однако следствием использования этих более дисперсных частиц 402 может быть также ухудшение разрешающей способности формируемого изображения, непропорциональное среднему размеру частиц, а также другие артефакты формируемого изображения, которые снижают точность изображений и реконструкций при использовании получающегося ретрографического датчика.[42] In general, particles having a more uniform shape should form more regular matrices than other distributions (with the exception of some cases of bimodal distributions and other specific distributions that can potentially lead to regularly arranged matrices), and should provide suppression corresponding defects in the formation of the image. Therefore, a low coefficient of variation (eg, 0% for perfectly monodisperse particles) serves as a quality indicator that relates particle size distributions to retrographic sensor performance. It has been empirically found that for microspheres in the order of one to ten micrometers, a coefficient of variation of about 0% is preferred. However, coefficients of variation from 15 to 25% also lead to acceptable results, while the characteristics of the image being formed can vary within 15-25%. Of course,
[43] Частицы 402 могут быть образованы из ряда материалов, включая полимеры, природные полимеры и минералы. Например, частицы 402 могут быть успешно образованы из полиметилсилсесквиоксана или могут включать его. Полиметилсилсесквиоксан (PMSQ) обеспечивает определенные преимущества, когда используется для частиц 402 в контактной поверхности 420. Полиметилсилсесквиоксан имеет относительно низкий коэффициент трения, он является жестким (по сравнению с эластомером подложки), а микросферы из полиметилсилсесквиоксана с узкими распределениями частиц по размерам легко доступны для приобретения. Однако несферические частицы могут быть также или взамен использованы, а частицы 402 могут быть успешно образованы из материалов других видов. Например, частицы 402 могут быть образованы из диоксида кремния, стекла, меламина, полистирола, полиметилметакрилата, полибутилметакрилата, сополимера стирола и акрилата, целлюлозы и полимолочной кислоты. Частицы 402 могут быть также или взамен образованы из нейлона или политетрафторэтилена. В более общем случае любой жесткий материал, который является подходящим по размерам и формам, может быть использован в качестве частиц 402 в контактной поверхности 420, рассмотренной в этой заявке. Другие подходящие и доступные для приобретения микрочастицы включают в себя, но без ограничения ими, микросферы, образованные из метилметакрилатного сшитого полимера, полибутилакрилата и диоксида кремния, сшитого лаурилметакрилатного и гликольдиметакрилатного полимера, сополимера акрилатов, этилгексилакрилата и диметиконметакрилата, сшитого гексаметилендиизоцинатного и триметилолгексиллактонового полимера вместе с диоксидом кремния, сополимера этилена и акриловой кислоты, полиэтилена, нейлона-6, нейлона-12, силиката кальция, винилдиметиконового и метиконсилсесквиоксанового сшитого полимера и сочетания упомянутых выше.[43]
[44] На фиг. 5 показан вид сбоку ретрографического датчика. Ретрографический датчик 500 может быть любым из ретрографических датчиков, описанных в этой заявке, за исключением тех случаев, когда указано иное. Хотя частицы 522 ретрографического датчика 500 могут быть по меньшей мере частично внедрены в деформируемый слой 510, например, как описано выше, частицы 522 могут быть также или взамен прикреплены к деформируемому слою 510 адгезивом 580, таким как полиуретан, или же косвенно связаны с деформируемым слоем 510 с помощью одного или нескольких промежуточных слоев. В общем случае частицы 522 могут быть вытянуты от адгезива 580 для получения связанного с этим преимущества низкого коэффициента трения, а также возникающих в связи с этим промежуточных каналов, хотя количество частиц 522, вытянутых от адгезива 580, может зависеть от ряда факторов, таких прочность адгезива 580 и форма частиц 522. Согласно одному аспекту частицы 522 могут быть сферическими частицами и могут быть вытянуты на по меньшей мере половину диаметра над слоем адгезива 580, соединяющего частицы 522 с деформируемым слоем 510.[44] FIG. 5 shows a side view of the retrographic sensor.
[45] На фиг. 6 показан вид сбоку ретрографического датчика. Ретрографический датчик 600 может быть любым из ретрографических датчиков, описанных в этой заявке, за исключением тех случаев, когда указано иное. Хотя частицы, описанные в этой заявке, могут создавать одну возможную контактную поверхность, в более общем случае ретрографический датчик 600 может включать в себя контактную поверхность 620, расположенную на деформируемом слое 610, имеющем неплоские элементы 622, образующие промежуточные каналы 622, которые позволяют воздуху протекать между неплоскими элементами 622. Полезно, чтобы эти неплоские элементы 622 могли иметь более высокую твердость, чем твердость подложки 602, для согласованной передачи топографии поверхности объекта в деформируемый слой 610 и подложку 602 при соприкосновении, а также меньший коэффициент трения, чем коэффициент трения деформируемого слоя 610, для содействия перемещению контактной поверхности 620 по поверхности объекта, когда при использовании ретрографический датчик 600 располагают на поверхности объекта.[45] FIG. 6 shows a side view of a retrographic sensor.
[46] Неплоские элементы 622 могут включать в себя частицы, расположенные на деформируемом слое 610, описанном в этой заявке. Неплоские элементы 622 могут также или взамен включать в себя стойки, вытянутые от деформируемого слоя 610. Твердость неплоских элементов 622 может быть более высокой, чем твердость деформируемого слоя 610. В общем случае неплоские элементы 622 могут продолжаться под прямым углом к поверхности подложки 602, например, как вертикальные стенки, или неплоские элементы 622 могут быть криволинейными, наклонными или же различными по форме вдоль оси, параллельной нормали к подложке. Хотя ряд таких элементов может быть образован путем внедрения частиц или других дискретных объектов в деформируемый слой 610 (или адгезив 680, связанный с деформируемым слоем 610), неплоские элементы 622 могут быть также или взамен образованы на деформируемом слое 610. Например, матрица выступов может быть образована формовкой непосредственно на деформируемом слое 610, например, путем выполнения в форме матрицы небольших углублений и заполнения углублений материалом, который отверждают для получения относительно твердой поверхности с относительно низким коэффициентом трения. Затем эти заполненные углубления могут быть перемещены и прикреплены к поверхности датчика, и на этом месте они образуют матрицу неплоских элементов 622, обеспечивающую такие же преимущества, какие обеспечивают частицы, описанные в этой заявке.[46]
[47] На фиг. 7 показан вид сбоку ретрографического датчика. Ретрографический датчик 700 может быть любым из ретрографических датчиков, описанных в этой заявке, за исключением тех случаев, когда указано иное. Ретрографический датчик 700 может включать в себя некоторое количество неплоских элементов 722 для формирования изображения повышенного качества, описанного в этой заявке. Согласно одному аспекту неплоские элементы 722 могут включать в себя конические структуры, вытянутые от деформируемого слоя. Конические структуры могут включать в себя, например, пирамиды, конусы, усеченные конусы или другие конические структуры, или подобные. Структуры с большим отношением размеров могут вызывать артефакты, обусловленные сдвиговыми силами, действующими на контактную поверхность 720 ретрографического датчика 700, и их предпочтительно исключать, если только не предполагается обнаружение таких сил или они не считается полезными при конкретном применении для формирования изображения.[47] FIG. 7 shows a side view of the retrographic sensor.
[48] На фиг. 8 показана блок-схема последовательности действий способа изготовления ретрографического датчика.[48] FIG. 8 shows a flow chart of a method for manufacturing a retrographic sensor.
[49] Как показано, на этапе 802 способ может начинаться с подготовки подложки, образованной из эластомера, способного, как описано в этой заявке, пропускать изображение. Она может представлять собой подложку, образованную из блока прозрачного полистиролового сополимерного эластомера толщиной около 3 мм, или подложку с любыми другими размерами и из материала, пригодного для формирования изображения, рассмотренного в этой заявке.[49] As shown, at
[50] Как показано, на этапе 804 способ 800 может включать в себя формирование деформируемого слоя на подложке, такого как 2,33-микрометровый слой деформируемого материала, включающего красный железоокисный пигмент, или любого материала из других деформируемых материалов, описанных в этой заявке, таких как деформируемый материал, который ненаправленно отражает свет, проходящий через подложку и падающий на поверхность подложки, прилегающей к деформируемому слою. Деформируемый слой может быть образован, например, нанесением центрифугированием деформируемого материала на подложку, или же размещением слоя деформируемого материала на подложке, или формовкой подложки на предварительно образованном слое деформируемого материала. Деформируемый слой может быть также или взамен покрыт 1-микрометровым слоем защитного термопластичного эластомера (на стороне, противоположной подложке), который эффективно создает липкую поверхность для прилипания микросфер или других частиц.[50] As shown, at step 804,
[51] Как показано, на этапе 806 способ может включать в себя формирование контактной поверхности, такой как любая из контактных поверхностей, описанных в этой заявке, на деформируемом слое. Например, контактная поверхность может быть выполнена с возможностью соприкосновения с поверхностью объекта для формирования изображения с помощью ретрографического датчика. Например, контактная поверхность может включать в себя частицы, более твердые, чем подложка, и расположенные в виде структуры на деформируемом слое, и отделенные от подложки деформируемым слоем.[51] As shown, at step 806, the method may include forming a contact surface, such as any of the contact surfaces described in this application, on the deformable layer. For example, the contact surface may be configured to contact the surface of an object to form an image with a retrographic sensor. For example, the contact surface may include particles harder than the substrate and structured on the deformable layer and separated from the substrate by the deformable layer.
[52] Согласно одному аспекту этот этап может включать в себя нанесение порошка из 6-микрометровых монодисперсных микросфер из полиметилсилсесквиоксана на деформируемый слой способом, при использовании которого порошок распределяется с образованием плотно уложенного монослоя. Формирование контактной поверхности может также или взамен включать в себя нанесение водной суспензии полиуретана или другого адгезива на поверхность и обеспечение возможности растекания адгезива и смачивания деформируемого слоя и микросфер. Например, нанесение покрытия центрифугированием может быть использовано для нанесения водного полиуретана на деформируемой слой, при условии соответствующей координации скорости вращения установки для нанесения покрытия центрифугированием и вязкости суспензии (или концентрации микросфер при сгущении или любого другого показателя вязкости или потока).[52] In one aspect, this step may include applying a powder of 6 micrometer polymethylsilsesquioxane monodisperse microspheres to the deformable layer in a manner that spreads the powder to form a closely packed monolayer. Forming the contact surface may also or instead include applying an aqueous slurry of polyurethane or other adhesive to the surface and allowing the adhesive to flow and wet the deformable layer and microspheres. For example, spin coating can be used to apply aqueous polyurethane to a deformable layer, provided there is appropriate coordination between spin coater rotation speed and slurry viscosity (or concentration of microspheres during thickening or any other indicator of viscosity or flow).
[53] Согласно другому аспекту формирование контактной поверхности может включать в себя нанесение частиц в водном растворе полиуретана на деформируемый слой. Согласно еще одному аспекту это может включать в себя нанесение центрифугированием покрытия из смеси адгезива и частиц, таких как монодисперсные частицы полиметилсилсесквиоксана, на деформируемый слой. В любом случае формирование контактной поверхности может также включать в себя сушку адгезива для получения матрицы частиц с открытыми верхними поверхностями и нижними участками, сцепленными с термопластичным эластомерным материалом деформируемого слоя.[53] According to another aspect, the formation of the contact surface may include applying particles in an aqueous solution of polyurethane to the deformable layer. According to another aspect, this may include spin-coating a mixture of adhesive and particles, such as polymethylsilsesquioxane monodisperse particles, onto the deformable layer. In any case, the formation of the contact surface may also include drying the adhesive to form a matrix of particles with exposed top surfaces and bottom areas bonded to the thermoplastic elastomeric material of the deformable layer.
[54] Как отмечалось выше, деформируемый слой или эластомер подложки может включать в себя придающий липкость реагент, который способствует сцеплению частиц. В этом случае, как описывалось выше, формирование контактной поверхности может включать в себя нанесение слоя частиц на деформируемый слой и затем заливку водного полиуретана или другого подходящего адгезива на частицы. В качестве неограничивающего примера частицы могут иметь размеры в пределах от около одного до около двадцати пяти микрометров. Согласно одному аспекту частицы включают в себя монодисперсные частицы полиметилсилсесквиоксана. Согласно другому аспекту частицы включают в себя полидисперсный полиметилсилсесквиоксан. В более общем случае частицы могут включать в себя любые частицы, описанные в этой заявке, включая частицы, имеющие различные формы, размерности, материалы, размеры и распределения по размерам.[54] As noted above, the deformable layer or substrate elastomer may include a tackifier that promotes particle adhesion. In this case, as described above, forming the contact surface may include applying a layer of particles to the deformable layer and then pouring aqueous polyurethane or other suitable adhesive onto the particles. As a non-limiting example, the particles may have sizes ranging from about one to about twenty-five micrometers. In one aspect, the particles include monodisperse particles of polymethylsilsesquioxane. According to another aspect, the particles include polydisperse polymethylsilsesquioxane. More generally, the particles may include any of the particles described in this application, including particles having various shapes, dimensions, materials, sizes, and size distributions.
[55] На фиг. 9 показана блок-схема последовательности действий способа метрологии поверхности с использованием ретрографического датчика.[55] FIG. 9 shows a flow chart of a surface metrology method using a retrographic probe.
[56] Как показано, на этапе 902 способ 900 может включать в себя подготовку ретрографического датчика, такого как любой из ретрографических датчиков, описанных в этой заявке. В качестве неограничивающего примера ретрографический датчик может включать в себя подложку, деформируемый слой и контактную поверхность. Подложка может быть образована из первого эластомера, способного пропускать изображения и имеющего первую твердость. Деформируемый слой может быть расположен на первой поверхности подложки и может включать в себя материал, отражающий свет, падающий на первую поверхность подложки. Контактная поверхность может представлять собой поверхность, предназначенную для помещения в соприкосновение с изображаемым объектом, и может быть образована матрицей частиц, расположенных на деформируемом слое и отделенных от подложки деформируемым слоем. Частицы контактной поверхности могут иметь вторую твердость, более высокую, чем первая твердость первого эластомера подложки.[56] As shown, at 902,
[57] Как показано, на этапе 904 способ 900 может включать в себя освещение материала деформируемого слоя источником света, таким как светоизлучающий диод или матрица светоизлучающих диодов, со стороны, обращенной к подложке.[57] As shown, at 904,
[58] Как показано, на этапе 906 способ 900 может включать в себя соприкосновение контактной поверхности ретрографического датчика с поверхностью объекта для изменения геометрии деформируемого слоя.[58] As shown, at 906,
[59] Как показано, на этапе 908 способ 900 может включать в себя захват изображения деформируемого слоя со стороны, обращенной к подложке, при освещении материала и соприкосновении контактной поверхности с поверхностью объекта. Это может также или взамен включать в себя захват некоторого количества изображений при боковом освещении под различными углами, что может повышать точность, обеспечивать дополнительную информацию относительно загороженной поверхности или же повышать количественную точность получающихся реконструированных трехмерных изображений.[59] As shown, at step 908,
[60] Как показано, на этапе 910 способ 900 может включать в себя обработку изображений для извлечения информации о поверхности объекта, такой как топография поверхности, или другой двумерной или трехмерной информации. Согласно одному аспекту это включает в себя анализ изображения (или множества изображений) для определения трехмерной геометрии поверхности объекта, например, получение нормалей к поверхности на основании интенсивности отраженного света и объединение нормалей к поверхности для определения высоты поверхности объекта на местах в пределах изображения. Это может также или взамен включать в себя анализ множества изображений, получаемых, например, при различных углах или направлениях скользящего освещения. Поэтому, например, способ 900 может включать в себя освещение деформируемого слоя с двух или большего количества направлений, захват изображения деформируемого слоя при освещении с каждого из двух или большего количества различных направлений и анализ получающегося множества изображений для определения трехмерной геометрии поверхности объекта.[60] As shown, at 910,
[61] Согласно другому аспекту система формирования изображения может быть канализирована при использовании цвета, например, для поддержания одновременного формирования изображений при освещении с различных направлений. Поэтому способ 900 может включать в себя, например, освещение деформируемого слоя одновременно первым источником света первого цвета и вторым источником света второго цвета, отличающегося от первого цвета. Согласно этому аспекту способ 900 может также включать в себя захват многоцветного изображения деформируемого слоя, проведение различия между картиной освещения от первого источника света и второго источника света и анализ многоцветного изображения для определения трехмерной геометрии поверхности объекта на основании картины освещения от первого источника света и второго источника света. В более общем случае можно использовать несколько различных цветов и в частности, три различных цвета, таких как красный, зеленый и голубой, могут без труда различаться имеющимися в продаже оптическими системами, такими как камера для цветной съемки или датчики цветного изображения, и могут использоваться для канализации системы формирования изображения, чтобы поддерживать одновременное формирование изображения при освещении с трех различных направлений в одно и то же время, например, в виде одного цветного изображения.[61] According to another aspect, the imaging system can be channeled using color, for example, to support simultaneous imaging under illumination from different directions. Therefore,
[62] На фиг. 10 показано изображение, полученное с помощью оптического микроскопа, матрицы 6-микрометровых микросфер первого типа и на фиг. 11 показано изображение, полученное с помощью оптического микроскопа, матрицы 6-микрометровых микросфер второго типа. В общем случае микросферы из фиг. 11 (типа А) известны как более монодисперсные, например, с более единообразным диаметром, чем микросферы из фиг. 10 (типа В), и поэтому можно ожидать более регулярной структуры при компоновке в двумерную матрицу, например, при нанесении в качестве монослоя на контактную поверхность ретрографического датчика.[62] FIG. 10 shows an optical microscope image of an array of 6 micrometer first type microspheres, and FIG. 11 shows an optical microscope image of an array of 6 micrometer microspheres of the second type. In general, the microspheres of FIG. 11 (type A) are known to be more monodisperse, eg more uniform in diameter, than the microspheres of FIG. 10 (type B), and therefore a more regular structure can be expected when arranged in a two-dimensional matrix, for example, when applied as a monolayer to the contact surface of a retrographic sensor.
[63] На фиг. 12 показан средний радиальный спектр мощности для микросферных матриц из фиг. 10 и 11. Хотя некоторое количество способов можно использовать для измерения регулярности геометрических структур, спектр мощности изображаемых поверхностей представляет собой полезный показатель для оценивания пригодности структуры частиц для формирования высокоразрешающего свободного от ошибок изображения. Чтобы получать этот количественный показатель, изображения контактной поверхности, получаемые с помощью оптического микроскопа, можно ограничивать по полосе и уровню для повышения контраста, чтобы создавать изображения, показанные на фиг. 10-11. Ограниченные по полосе и уровню изображения (такие как изображения на фиг. 10-11) затем можно умножать на окно Гаусса для минимизации краевых артефактов (от черных краев изображений), что приведет к свертыванию представления в частотной области изображений с окном Гаусса. После этого величины представления в частотной области могут быть возведены в квадрат для получения двумерного спектра мощности. В общем случае следует ожидать, что спектр мощности менее регулярной структуры частиц будет иметь более низкую частоту и более широкую полосу интенсивных частот, чем более регулярная структура. Эти характеристики могут быть выражены количественно путем оценивания формы полосы частотной области, представляющей доминирующую частоту матрицы.[63] FIG. 12 shows the average radial power spectrum for the microsphere arrays of FIG. 10 and 11. While a number of methods can be used to measure the regularity of geometric structures, the power spectrum of imaged surfaces is a useful metric for evaluating the suitability of particle structure for high resolution error-free imaging. To achieve this score, optical microscope images of the contact surface can be band and level limited to increase contrast to produce the images shown in FIG. 10-11. Band and level limited images (such as the images in FIGS. 10-11) can then be windowed to a Gaussian to minimize edge artifacts (from the black edges of the images), which will convolve the frequency domain representation of the Gaussian windowed images. The frequency domain representation values can then be squared to obtain a two-dimensional power spectrum. In general, one would expect the power spectrum of a less regular structure of particles to have a lower frequency and a wider band of intense frequencies than a more regular structure. These characteristics can be quantified by evaluating the shape of the frequency domain band representing the dominant frequency of the matrix.
[64] В общем случае двумерный спектр мощности должен иметь радиальную симметрию, чтобы сигнал можно было усреднять по радиусу, а постоянный ток и другие очень низкочастотные составляющие можно было исключать. Получающиеся спектры мощности для структур из фиг. 10 (типа А) и фиг. 11 (типа В) показаны на фиг. 12. В случае этих спектров мощности пиковая мощность νp может располагаться на пиковой частоте fp. В таком случае частоты fa и fb, соответствующие половинной мощности, определяются как частоты выше и ниже пиковой частоты fp, где мощность составляет 50% пиковой мощности νp. Эти значения обозначены на фиг. 12 для частиц типа В. При этих значениях, определенных для спектра мощности конкретной структуры частиц, Q-показатель (показатель качества) для полосы доминирующих частот может быть определен как:[64] In general, the 2D power spectrum should have radial symmetry so that the signal can be averaged over the radius, and direct current and other very low frequency components can be eliminated. The resulting power spectra for the structures of FIG. 10 (type A) and FIG. 11 (type B) are shown in FIG. 12. In the case of these power spectra, the peak power ν p may be located at the peak frequency f p . In such a case, the half power frequencies f a and f b are defined as the frequencies above and below the peak frequency f p , where the power is 50% of the peak power v p . These values are indicated in Fig. 12 for type B particles. With these values, defined for the power spectrum of a particular particle structure, the Q-factor (quality factor) for the dominant frequency band can be defined as:
[65] Этот Q-показатель выполняет функцию показателя регулярности, при этом более высокий показатель означает более регулярную матрицу частиц на контактной поверхности. В случае применения этой формулы для структур из фиг. 10-11 частицы типа В имеют Q-показатель около 4,7 и являются очень хорошими для формирования изображения. Частицы типа А имеют Q-показатель около 3,9 и также являются пригодными для формирования изображения.[65] This Q-score functions as a regularity score, with a higher score indicating a more regular matrix of particles on the contact surface. In the case of applying this formula to the structures of FIG. 10-11 Type B particles have a Q-value of about 4.7 and are very good for imaging. Type A particles have a Q-value of about 3.9 and are also suitable for imaging.
[66] Опытным путем установлено, что Q-показатель выше 2 для микросфер размером 1-20 мкм означает структуру, которая является достаточно регулярной при использовании в ретрографическом датчике, не вносящей существенных артефактов в изображение, которые ограничивают точность или разрешающую способность. Поэтому согласно одному аспекту полезно, чтобы контактная поверхность ретрографического датчика имела структуру из микросфер с усредненным по радиусу двумерным спектром мощности, имеющим Q-показатель по меньшей мере 2, где Q-показатель равен пиковой частоте, деленной на разность частот, соответствующих половинной мощности (из усредненного по радиусу двумерного спектра мощности). При Q-показателе выше 3 обычно получается значительно улучшенная характеристика, а при Q-показателе выше 4,5 появляется возможность получения наиболее точного изображения через монослой частиц. Кроме того, при Q-показателе, равном 4,5, предполагается более регулярная упаковка, согласующаяся с микросферами, имеющими сравнительно одинаковый размер и форму (например, с монодисперсными). Однако следует понимать, что очень монодисперсные частицы также могут иметь плохой Q-показатель при определенных условиях, таких как, когда частицы распределены неравномерно или когда частицы только частично покрывают поверхность и остаются относительно большие открытые участки. В таких случаях контактная поверхность может быть причиной низкого Q-показателя (возможно, необычно низкого Q-показателя) несмотря на высокую геометрическую регулярность отдельных частиц.[66] It has been empirically found that a Q-value greater than 2 for 1-20 µm microspheres indicates a structure that is fairly regular when used in a retrographic sensor without introducing significant image artifacts that limit accuracy or resolution. Therefore, according to one aspect, it is useful that the contact surface of the retrographic sensor has a structure of microspheres with a radius-averaged two-dimensional power spectrum having a Q-value of at least 2, where the Q-value is equal to the peak frequency divided by the frequency difference corresponding to half the power (from radius-averaged two-dimensional power spectrum). A Q-value greater than 3 typically results in significantly improved performance, while a Q-value greater than 4.5 enables the most accurate imaging through a monolayer of particles. In addition, a Q-value of 4.5 suggests more regular packing, consistent with microspheres that are relatively uniform in size and shape (eg, monodisperse). However, it should be understood that very monodisperse particles can also have a poor Q-value under certain conditions, such as when the particles are unevenly distributed or when the particles only partially cover the surface and relatively large open areas remain. In such cases, the contact surface may be responsible for a low Q-value (perhaps an unusually low Q-value) despite the high geometric regularity of the individual particles.
[67] Описанные выше системы, устройства, способы, процессы и т.п. могут быть реализованы в виде технических средств, программных средств или любого сочетания их, пригодного для конкретного применения. Технические средства могут включать в себя компьютер общего назначения и/или специализированное вычислительное устройство. Они включают в себя один или несколько микропроцессоров, микроконтроллеров, встроенных микроконтроллеров, программируемых цифровых процессоров сигналов, или других программируемых устройств, или схем обработки наряду с внутренним и/или внешним запоминающим устройством. Они могут также или взамен включать в себя интегральные схемы прикладной ориентации, программируемые вентильные матрицы, программируемые матричные логические компоненты или другое устройство или устройства, которые могут быть сконфигурированы для обработки электронных сигналов. Кроме того, следует понимать, что реализация процессов или устройств, описанных выше, может включать в себя исполняемый компьютером код, созданный при использовании структурированного языка программирования, такого как С, объектно-ориентированного языка программирования, такого как С++, или любого другого языка программирования высокого уровня или низкого уровня (включая языки ассемблера, языки описания технических средств и языки программирования, ориентированные на работу с базами данных), которые могут сохраняться, согласовываться или интерпретироваться, чтобы выполняться при использовании одного из упомянутых выше устройств, а также неоднородных комбинаций процессоров, процессорных архитектур или комбинаций различных технических и программных средств. Согласно другому аспекту способы могут быть осуществлены посредством систем, которые выполняют этапы способа, и могут быть распределены по устройствам различным образом. В то же время обработка может быть распределена по устройствам, таким как различные системы, описанные выше, или все выполняемые функции могут быть сведены в специализированное автономное устройство или другое техническое средство. Согласно еще одному аспекту средства для выполнения этапов, связанных с процессами, описанными выше, могут включать в себя любое из технических средств и/или программных средств. Все такие перестановки и комбинации предполагаются попадающими в объем настоящего раскрытия.[67] The systems, devices, methods, processes, and the like described above may be implemented as hardware, software, or any combination thereof suitable for a particular application. The hardware may include a general purpose computer and/or a dedicated computing device. They include one or more microprocessors, microcontrollers, embedded microcontrollers, programmable digital signal processors, or other programmable devices or processing circuits along with internal and/or external storage. They may also or instead include application-oriented integrated circuits, field-programmable gate arrays, programmable logic array components, or other device or devices that can be configured to process electronic signals. In addition, it should be understood that an implementation of the processes or devices described above may include computer executable code created using a structured programming language such as C, an object-oriented programming language such as C++, or any other language. high-level or low-level programming (including assembly languages, hardware description languages, and database-oriented programming languages) that can be stored, matched, or interpreted to run using one of the devices mentioned above, as well as heterogeneous combinations of processors , processor architectures or combinations of various hardware and software. According to another aspect, the methods may be implemented by systems that perform the steps of the method and may be distributed across devices in various ways. At the same time, processing may be distributed across devices, such as the various systems described above, or all functions performed may be consolidated into a dedicated stand-alone device or other technical means. According to another aspect, the means for performing the steps associated with the processes described above may include any of the hardware and/or software. All such permutations and combinations are intended to be within the scope of the present disclosure.
[68] Варианты осуществления, описанные в этой заявке, могут включать в себя компьютерные программные продукты, содержащие исполняемый компьютером код или используемый компьютером код, при исполнении которого на одном или нескольких вычислительных устройствах выполняется любой и/или все этапы. Код может сохраняться энергонезависимым способом в запоминающем устройстве компьютера, которое может быть запоминающим устройством, благодаря которому программа выполняется (таким как оперативное запоминающее устройство, связанное с процессором), или устройством хранения данных, таким как дисковый накопитель, флэш-память, или любое другое оптическое, электромагнитное, магнитное, инфракрасное или другое устройство или комбинация устройств. Согласно другому аспекту любая из систем и способов, описанных выше, может быть осуществлена в любой подходящей среде передачи или распространения сигнала, переносящей исполняемый компьютером код и/или любые входные данные или выходные данные.[68] The embodiments described in this application may include computer program products containing computer executable code or computer usable code that performs any and/or all of the steps when executed on one or more computing devices. The code may be stored in a non-volatile manner in a computer storage device, which may be the storage device by which the program is executed (such as random access memory associated with the processor) or a data storage device such as a disk drive, flash memory, or any other optical , electromagnetic, magnetic, infrared or other device or combination of devices. According to another aspect, any of the systems and methods described above may be implemented in any suitable transmission or signal propagation medium carrying computer executable code and/or any input or output.
[69] Реализации этапов способов, описанных в этой заявке, предполагаются охватывающими любой подходящий порядок выполнения таких этапов способов, согласующийся с патентоспособностью нижеследующей формулы изобретения, за исключением случаев, когда другой смысл прямо следует или же ясен из контекста. Таким образом, например, выполнение этапа X включает в себя любой подходящий порядок, обусловленный другим участником, таким как удаленный пользователь, удаленный ресурс обработки (например, сервер или компьютер в облаке или машины для выполнения этапа X. Аналогично этому, выполнение этапов X, Y и Z может включать любой порядок управления или регулирования любой комбинации таких других индивидуализированных объектов или ресурсов для выполнения этапов X, Y и Z, чтобы получать эффект от этих этапов. Таким образом, реализации этапов способов, описанных в этой заявке, предполагаются охватывающими любой подходящий порядок выполнения этапов, согласующийся с одним или несколькими другими участниками или субъектами, согласующийся с патентоспособностью нижеследующей формулы изобретения, за исключением случаев, когда другой смысл прямо следует или же ясен из контекста. Такие участники или субъекты не обязательно должны направляться или управляться любым другим участником или субъектом и не обязательно должны находиться в конкретной правовой сфере.[69] The implementations of the method steps described in this application are intended to cover any suitable order in which such method steps are consistent with the patentability of the following claims, unless otherwise expressly follows or is clear from the context. Thus, for example, the execution of step X includes any suitable order stipulated by another participant, such as a remote user, a remote processing resource (e.g., a server or computer in the cloud, or machines to perform step X. Similarly, the execution of steps X, Y and Z may include any order of controlling or regulating any combination of such other individualized objects or resources to perform steps X, Y, and Z to obtain the effect of those steps.Thus, implementations of the steps of the methods described in this application are intended to cover any suitable order. steps consistent with one or more other contributors or entities consistent with the patentability of the following claims, except where otherwise expressly follows or is clear from the context Such contributors or entities need not be directed or controlled by any other contributor or entity and no obligation should definitely be in a specific legal area.
[70] Следует понимать, что устройства, системы и способы, описанные выше, изложены для примера, а не для ограничения. При отсутствии ясного указания на противоположное раскрытые этапы могут быть модифицированы, дополнены, опущены и/или переупорядочены без отступления от сущности этого раскрытия. Многочисленные изменения, дополнения, исключения и другие модификации должны быть очевидными для специалиста в данной области техники. Кроме того, представление или порядок выполнения этапов способов в описании и на чертежах, изложенный выше, не предполагается требующим выполнения изложенных этапов в этом порядке за исключением случаев, когда конкретный порядок определенно требуется или же ясен из контекста. Таким образом, хотя показаны и описаны конкретные варианты осуществления, специалистам в данной области техники должно быть очевидно, что различные изменения и модификации по форме и в деталях могут быть сделаны без отступления от сущности объема этого раскрытия и предполагаются образующими часть изобретения, определенного в нижеследующей формуле изобретения.[70] It should be understood that the devices, systems, and methods described above are by way of example and not limitation. In the absence of a clear indication to the contrary, the disclosed steps may be modified, added, omitted and/or rearranged without departing from the spirit of this disclosure. Numerous changes, additions, deletions and other modifications should be obvious to a person skilled in the art. Furthermore, the presentation or order of performing the method steps in the description and drawings set forth above is not intended to require the set forth steps to be performed in that order, unless a particular order is specifically required or is clear from the context. Thus, while specific embodiments are shown and described, it should be apparent to those skilled in the art that various changes and modifications in form and detail may be made without departing from the spirit of the scope of this disclosure and are intended to form part of the invention as defined in the following claims. inventions.
Claims (69)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US62/727,816 | 2018-09-06 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2021109187A RU2021109187A (en) | 2022-10-06 |
RU2782368C2 true RU2782368C2 (en) | 2022-10-26 |
Family
ID=
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5798181A (en) * | 1994-10-04 | 1998-08-25 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Fluoropolymer coated elastomeric rollers and structures |
US20130033595A1 (en) * | 2011-07-28 | 2013-02-07 | Massachusetts Institute Of Technology | High-resolution surface measurement systems and methods |
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5798181A (en) * | 1994-10-04 | 1998-08-25 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Fluoropolymer coated elastomeric rollers and structures |
US20130033595A1 (en) * | 2011-07-28 | 2013-02-07 | Massachusetts Institute Of Technology | High-resolution surface measurement systems and methods |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11846499B2 (en) | Retrographic sensors | |
US9538056B2 (en) | High-resolution surface measurement systems and methods | |
JP4100615B2 (en) | Optical tactile sensor | |
CN103025886A (en) | Holographic fluctuation microscopy apparatus and method for determining mobility of particle and/or cell dispersions | |
US9719855B2 (en) | Evaluation of focusing performance in an assay analysis system | |
AU2011279976B2 (en) | Apparatus, system, and method for increasing measurement accuracy in a particle imaging device using light distribution | |
US20180268191A1 (en) | Apparatus, system, and method for image normalization using a gaussian residual of fit selection criteria | |
JP7467205B2 (en) | Method for optically detecting biomarkers - Patents.com | |
KR20170141029A (en) | Morphology parameters based red blood cell inspection method and digital holographic microscopy used in the same | |
JP2015096869A (en) | Apparatus, system, and method for increasing measurement accuracy in particle imaging device | |
RU2782368C2 (en) | Retrographic sensors | |
JP2007327947A (en) | Element, apparatus, and method for detecting target substance | |
Nishi et al. | Friction behavior of silicone rubber hemisphere under non-uniform wetting states: With water droplets in air or air bubbles in water | |
CN110945344A (en) | Sensor with gradient nanostructures and methods of use thereof | |
US9292938B2 (en) | Methods and systems for image data processing | |
Siatou et al. | Reflectance Transformation Imaging (RTI) Data Analysis for Change Detection: Application to Monitoring Protective Coating Failure on Low Carbon Steel | |
RU2021109187A (en) | RETROGRAPHIC SENSORS | |
JP2023005057A (en) | Charge amount controller and method for controlling charge amount | |
WO2023180742A1 (en) | Three-dimensional object shape acquisition characterisation and classification | |
CN115963085A (en) | Method for detecting demineralization of tooth substance | |
SHIBUYA et al. | 1501 Optical near field computational ghost imaging for tomographic mapping of nanoparticles |