RU2774958C1 - Spin current to charge current converter based on a heterostructure of transition metal perovskites - Google Patents
Spin current to charge current converter based on a heterostructure of transition metal perovskites Download PDFInfo
- Publication number
- RU2774958C1 RU2774958C1 RU2021125688A RU2021125688A RU2774958C1 RU 2774958 C1 RU2774958 C1 RU 2774958C1 RU 2021125688 A RU2021125688 A RU 2021125688A RU 2021125688 A RU2021125688 A RU 2021125688A RU 2774958 C1 RU2774958 C1 RU 2774958C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- heterostructure
- layer
- spin
- sriro
- manganite
- Prior art date
Links
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 5
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 title claims abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N Neodymium Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 230000005294 ferromagnetic Effects 0.000 claims abstract 2
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-M gallate Chemical compound OC1=CC(C([O-])=O)=CC(O)=C1O LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract 2
- 229910002182 La0.7Sr0.3MnO3 Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- OGMPADNUHIPKDS-UHFFFAOYSA-N [Sr++].[O-][Mn]([O-])=O Chemical compound [Sr++].[O-][Mn]([O-])=O OGMPADNUHIPKDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VASIZKWUTCETSD-UHFFFAOYSA-N manganese(II) oxide Inorganic materials [Mn]=O VASIZKWUTCETSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 4
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910003200 NdGaO3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000005291 magnetic Effects 0.000 description 28
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 230000005350 ferromagnetic resonance Effects 0.000 description 6
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 4
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910019236 CoFeB Inorganic materials 0.000 description 2
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N Strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101700063564 UNIV Proteins 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 2
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 2
- 229910016551 CuPt Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 description 1
- 230000001808 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting Effects 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory Effects 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000000051 modifying Effects 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005298 paramagnetic Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005478 sputtering type Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- 230000001131 transforming Effects 0.000 description 1
Images
Abstract
Description
Изобретение относится к приборам спинтроники и может быть использовано в информационных системах, а также в радиотехнических устройствах СВЧ диапазона.The invention relates to spintronics devices and can be used in information systems, as well as in radio devices in the microwave range.
Известен ряд устройств, предназначенных для генерации спинового тока и преобразования в зарядовый ток и выполненных на основе многослойных гетероструктур.A number of devices are known for generating spin current and converting it into charge current and made on the basis of multilayer heterostructures.
Так, описано устройство, основанное на спиновом эффекте Холла и переносе спинового момента в магнитном туннельном переходе (US 9691458 (В2), UNIV CORNELL, 22.09.2016). Оно включает магнитный слой, где генерируется спиновый момент, и электрически проводящую пленку, в которой происходит преобразование спинового тока в зарядовый за счет обратного спинового эффекта Холла. Устройство содержит магнитный туннельный переход, включающий в себя «свободный магнитный слой» с направлением намагниченности, которое может быть изменено посредством передачи прецессии магнитного момента, и электропроводящего магнитного слоя, проявляющая спиновой эффект Холла. Приложенный в плоскости устройства зарядовый ток, генерирует спин-поляризованный ток с магнитным моментом, лежащим в плоскости устройства. Направление намагничивания «свободного магнитного слоя» может переключаться спин-поляризованным током посредством передачи магнитного момента. Это устройство может быть реализовано в трех-терминальной конфигурации.Thus, a device based on the spin Hall effect and the transfer of spin momentum in a magnetic tunnel junction is described (US 9691458 (B2), UNIV CORNELL, 09/22/2016). It includes a magnetic layer, where the spin moment is generated, and an electrically conductive film, in which the spin current is converted into charge current due to the inverse spin Hall effect. The device contains a magnetic tunnel junction, including a "free magnetic layer" with the direction of magnetization, which can be changed by transferring the precession of the magnetic moment, and an electrically conductive magnetic layer exhibiting the spin Hall effect. The charge current applied in the plane of the device generates a spin-polarized current with a magnetic moment lying in the plane of the device. The direction of magnetization of the "free magnetic layer" can be switched by a spin-polarized current through the transfer of a magnetic moment. This device can be implemented in a three-terminal configuration.
Недостатком устройства является сложность технологии. Судя по описанию, технология должна обеспечивать получение магнитных туннельных переходов с размерами 100×350 нм2 из, например, CoFeB/MgO/CoFeB с толщинами слоев 3,8/1,6/1,6 нм на проводящем слое Та с толщиной 6,2 нм.The disadvantage of the device is the complexity of the technology. Judging by the description, the technology should ensure the production of magnetic tunnel junctions with dimensions of 100 × 350 nm 2 from, for example, CoFeB/MgO/CoFeB with layer thicknesses of 3.8/1.6/1.6 nm on a conductive layer Ta with a thickness of 6, 2 nm.
Известно также устройство преобразования спинового тока в зарядовый на основе ферромагнетика переходного 5d металла (US 9400316 В2, Fujiwara Kohei et al., 26.07.2016). Устройство накопления спинов включает в себя немагнитное тело, в котором аккумулируются инжектированные спины, и элемент-инжектор, который содержит устройство преобразования электрического тока в спиновой ток, предусмотренное на указанном немагнитном теле. Источник электроэнергии подает электрический ток на упомянутое устройство преобразования электрического тока в спиновой ток, генерируемый спиновым эффектом Холла. Недостаток - неконтролируемость параметров контактов между нанопроволоками, из которых сконструирован предложенный преобразователь электрического тока в спиновой ток.A device is also known for converting spin current into charge current based on a 5d transition metal ferromagnet (US 9400316 B2, Fujiwara Kohei et al., 07/26/2016). The spin accumulating device includes a non-magnetic body in which injected spins are accumulated, and an injector element, which contains a device for converting electric current into spin current, provided on said non-magnetic body. An electric power source supplies an electric current to said device for converting an electric current into a spin current generated by the spin Hall effect. The disadvantage is the uncontrollability of the parameters of the contacts between the nanowires, from which the proposed converter of electric current into spin current is constructed.
В устройстве по патенту US 10923651(В2), NAT UNIV SINGAPORE, 16.02.2021, предлагается заменить обычно используемый немагнитный материал, например, платину, на материалы, совместимые с полупроводниковой технологией типа CuPt, либо топологический изолятор, который может повысить эффективность преобразования за счет обратного спинового эффекта Холла либо эффекта Рашбы. Однако известна плохая совместимость ферромагнетика и топологического изолятора при эпитаксиальном росте.The device according to US 10923651(B2), NAT UNIV SINGAPORE, Feb. 16, 2021, proposes to replace the commonly used non-magnetic material, such as platinum, with materials compatible with semiconductor technology such as CuPt, or a topological insulator, which can improve the conversion efficiency due to inverse spin Hall effect or Rashba effect. However, the poor compatibility of a ferromagnet and a topological insulator during epitaxial growth is known.
Наиболее близким к патентуемому устройству является устройство, основанное на спиновом эффекте Холла и эффекте передачи спинового момента (US 10566521 (В2), WISCONSIN ALUMNI RES FOUND, 18.02.2020 - прототип). Предлагается использование гетероструктуры Py/SrIrO3/SrTiO3 с эпитаксиально выращенным слоем SrIrO3 на подложке из титаната стронция с генерирующим спиновый ток слоем пермаллоя.The device closest to the patented device is a device based on the spin Hall effect and the effect of spin momentum transfer (US 10566521 (B2), WISCONSIN ALUMNI RES FOUND, 02/18/2020 - prototype). It is proposed to use a Py/SrIrO 3 /SrTiO 3 heterostructure with an epitaxially grown SrIrO 3 layer on a strontium titanate substrate with a permalloy layer generating spin current.
Однако титанат стронция SrТiO3 известен высокими потерями на сверхвысоких частотах и характеризуется высокой и температурно-зависимой величиной диэлектрической проницаемости. Кроме того, спиновый ток, инжектируемый из ферромагнитного материала, диффундирует к обеим сторонам тонкой проволоки, замыкающей цепи, даже в той части, где нет электрического тока. Данное обстоятельство является основным недостатком устройства. Приведенные данные свидетельствуют о низкой чувствительности выходного сигнала, преобразованного за счет обратного спинового эффекта Холла, что может, в частности определяться качеством границы, образованной между магнетиком и немагнитным материалом (слой пермаллоя выращен не эпитаксиально). Кроме того, конструкция данного устройства сложна для мультиплицирования на чипе.However, strontium titanate SrTiO 3 is known for high losses at microwave frequencies and has a high and temperature dependent dielectric constant. In addition, the spin current injected from the ferromagnetic material diffuses to both sides of the thin wire that completes the circuits, even in the part where there is no electric current. This circumstance is the main disadvantage of the device. The data presented indicate a low sensitivity of the output signal converted due to the inverse spin Hall effect, which can, in particular, be determined by the quality of the boundary formed between the magnet and the nonmagnetic material (the permalloy layer was not grown epitaxially). In addition, the design of this device is difficult to replicate on a chip.
Анализ показывает, что общим недостатком рассмотренных устройств является использование простых металлов, в которых проявляется сильное спин-орбитальное взаимодействие. Напыление металла происходит после изготовления эпитаксиальных слоев и разрывов вакуума, что приводит к неконтролируемости границы раздела, которая играет важную роль в формировании спинного тока и его конвертации в зарядовый. В частности, в устройстве-прототипе поверх эпитаксиально выращенной структуры SrIrO3/SrTiO3 напылена пленка платины.The analysis shows that a common drawback of the considered devices is the use of simple metals, in which a strong spin-orbit interaction is manifested. Metal deposition occurs after the fabrication of epitaxial layers and vacuum breaks, which leads to the uncontrollability of the interface, which plays an important role in the formation of the spin current and its conversion into charge current. In particular, in the prototype device, a platinum film is deposited over the epitaxially grown SrIrO 3 /SrTiO 3 structure.
Настоящее изобретение направлено на устранение недостатков прототипа - повышение чувствительности выходного сигнала при обеспечении технологичности процесса формирования структуры, что является техническим результатом изобретения.The present invention is aimed at eliminating the disadvantages of the prototype - increasing the sensitivity of the output signal while ensuring the manufacturability of the structure formation process, which is the technical result of the invention.
Технический результат достигается за счет использования гетероструктры из оксидного ферромагнетика и оксидного материала с высоким спин-орбитальным взаимодействием для обеспечения требуемой эффективности конвертации спинового тока в зарядовый. Указанное позволяет обеспечить:The technical result is achieved through the use of a heterostructure of an oxide ferromagnet and an oxide material with a high spin-orbit interaction to ensure the required efficiency of spin-to-charge current conversion. This allows you to provide:
- воспроизводимость характеристик гетероструктур при заданных параметрах технологических операций в процессе их изготовления в лабораторных условиях;- reproducibility of the characteristics of heterostructures for given parameters of technological operations in the process of their manufacture in laboratory conditions;
- управление параметрами преобразования спинового тока в зарядовый за счет изменения температуры, от которой зависит величина намагниченности ферромагнетика и, соответственно, требуемая частота СВЧ накачки;- control of the parameters of the conversion of the spin current into the charge current by changing the temperature, which determines the magnitude of the magnetization of the ferromagnet and, accordingly, the required frequency of microwave pumping;
- интегрируемость гетероструктур на одном чипе за счет применения известных методик формирования их геометрии и электромагнитной связи.- integrability of heterostructures on a single chip through the use of well-known techniques for forming their geometry and electromagnetic coupling.
Поставленная цель достигается тем, что в качестве подложки используется NdGaO3 с ориентацией (110) для обеспечения эпитаксиального роста пленки манганита Lа0.7Sr0.3МnО3, (LSMO) и SrIrO3 (SIO). Направление вектора намагниченности пленки Lа0.7Sr0.3МnО3 лежит в плоскости подложки. Толщины пленок определяются требованиям возбуждения ферромагнитного резонанса (ФМР) в La0.7Sr0.3MnO3 и длиной диффузии спинного тока в SrIrO3. Толщины пленок могут контролироваться длительностью процесса осаждения тонких пленок. Планарный размер структуры длина 1 и ширина w составляют величины от долей до десятков микрометров и определяют амплитуду преобразованного зарядового тока Iq. При приложении внешнего магнитного поля обеспечивается условие поглощения мощности СВЧ накачки за счет ферромагнитного резонанса. Тонкие пленки выращиваются либо с помощью лазерной абляции, либо методом магнетронного распыления при высокой температуре.This goal is achieved by using NdGaO 3 with (110) orientation as a substrate to provide epitaxial growth of the La 0.7 Sr 0.3 MnO 3 (LSMO) and SrIrO 3 (SIO) manganite film. The direction of the magnetization vector of the La 0.7 Sr 0.3 MnO 3 film lies in the plane of the substrate. The film thicknesses are determined by the requirements of ferromagnetic resonance (FMR) excitation in La 0.7 Sr 0.3 MnO 3 and the spin current diffusion length in SrIrO 3 . The film thicknesses can be controlled by the duration of the thin film deposition process. The planar size of the structure, length 1 and width w, range from fractions to tens of micrometers and determine the amplitude of the converted charge current Iq. When an external magnetic field is applied, the condition for the absorption of the microwave pump power due to ferromagnetic resonance is provided. Thin films are grown either by laser ablation or magnetron sputtering at high temperature.
Существо изобретения поясняется на чертежах.The essence of the invention is illustrated in the drawings.
Фиг. 1 - структура гетероструктуры конвертора спинового тока в зарядовый.Fig. 1 - structure of the heterostructure of the spin-to-charge current converter.
Фиг. 2 - рентгеновский скан 2θ-ω пленки La0.7Sr0.3МnО3, нанесенной на подложку (110) NdGaO3.Fig. 2 - x-ray scan 2θ-ω of the film La 0.7 Sr 0.3 MnO 3 deposited on the substrate (110) NdGaO 3 .
Фиг. 3 - рентгеновский скан 2θ-ω пленки SrIrO3, нанесенной на подложку (110) NdGaO3.Fig. 3 is a 2θ-ω X-ray scan of a SrIrO 3 film deposited on a (110) NdGaO 3 substrate.
Фиг. 4 - рентгеновский скан 2θ-ω гетероструктры SrIrO3/La0.7Sr0.3МnО3 нанесенной на подложку (110) NdGaO3.Fig. 4 - X-ray scan of the 2θ-ω heterostructure SrIrO 3 /La 0.7 Sr 0.3 МnО 3 deposited on the substrate (110) NdGaO 3 .
Фиг. 5 - рентгеновский скан ϕ-сканирования при ψ=42,2° гетероструктуры SrIrO3/La0.7Sr0.3МnО3 на плоскости (112) NdGaO3. На вставке показан увеличенный участок скана в районе ϕ=39°.Fig. 5 - X-ray scan of the ϕ-scan at ψ=42.2° of the SrIrO 3 /La 0.7 Sr 0.3 MnO 3 heterostructure on the (112) NdGaO 3 plane. The inset shows an enlarged section of the scan in the region of ϕ=39°.
Фиг. 6 - рентгеновский скан 2θ-ω скан для наклонной конфигурации ψ=42,2° и ϕ=128,9°.Fig. 6 - X-ray scan 2θ-ω scan for oblique configuration ψ=42.2° and ϕ=128.9°.
Фиг. 7 - схематическое изображение кристаллических решеток SrIrO3 и La0.7Sr0.3МnО3 и гетероструктуры SrIrO3/La0.7Sr0.3МnО3.Fig. 7 is a schematic representation of the crystal lattices of SrIrO 3 and La 0.7 Sr 0.3 MnO 3 and the SrIrO 3 /La 0.7 Sr 0.3 MnO 3 heterostructure.
Фиг. 8 - угловая зависимость магнитного поля ферромагнитного резонанса для гетероструктуры SrIrO3/La0.7Sr0.3МnО3 для следующих температур: 40 К (поз. 6), 150 К (поз. 7) и 300 К (поз. 8).Fig. 8 - angular dependence of the ferromagnetic resonance magnetic field for the SrIrO 3 /La 0.7 Sr 0.3 MnO 3 heterostructure for the following temperatures: 40 K (pos. 6), 150 K (pos. 7) and 300 K (pos. 8).
Фиг. 9 - схема протекания токов: спинового тока (10) и зарядового тока (11) в гетероструктуре SrIrO3/La0.7Sr0.3МnО3 и направления магнитных полей: постоянного (9) и СВЧ (12). Прецессия намагниченности (13) осуществляется под действием СВЧ поля.Fig. 9 - current flow diagram: spin current (10) and charge current (11) in the SrIrO 3 /La 0.7 Sr 0.3 MnO 3 heterostructure and the directions of magnetic fields: constant (9) and microwave (12). Magnetization precession (13) is carried out under the action of a microwave field.
Фиг. 10 - типичный сигнал напряжения, детектируемый на потенциальных выводах на пленке SrIrO3. (14) - подгоночная кривая и экспериментальные точки, (15) - антисимметричная и (16) - симметричная части линии, вызванной анизотропным магнитным сопротивлением, (17) -вклад в напряжение за счет спиновой накачки.Fig. 10 is a typical voltage signal detected at potential leads on a SrIrO 3 film. (14) - fitting curve and experimental points, (15) - antisymmetric and (16) - symmetric part of the line caused by anisotropic magnetic resistance, (17) - contribution to the voltage due to spin pumping.
На Фиг. 1 представлена структура конвертора спинового тока в зарядовый на основе манганита допированного стронцием La0.7Sr0.3MnO3, который используется в режиме ферромагнитного резонанса как генерирующий спиновый ток элемент и материал с сильным спин-орбитальным взаимодействием; SrIrO3 - использующийся в качестве детектора преобразованного спинового тока в зарядовый за счет обратного спин-Холл эффекта.On FIG. Figure 1 shows the structure of a spin-to-charge converter based on strontium-doped La 0.7 Sr 0.3 MnO 3 manganite, which is used in the ferromagnetic resonance mode as a spin current-generating element and a material with strong spin-orbit interaction; SrIrO 3 - used as a detector of the converted spin current into charge current due to the inverse spin-Hall effect.
Конвертор формируется на подложке (110) NdGaO3 (1). Для генерации спинового тока в режиме ферромагнитного резонанса используется пленка La0.7Sr0.3МnО3 (2). Пленка SrIrO3 (3) характеризуется высокой энергией спин-орбитального взаимодействия и используется в качестве детектора спинового тока, преобразованного в зарядовый ток. Выходное напряжение на структуре снимается с серебряных контактов (4) и регистрируется вольтметром (5).The converter is formed on the substrate (110) NdGaO 3 (1). To generate the spin current in the ferromagnetic resonance regime, a La 0.7 Sr 0.3 MnO 3 film (2) is used. The film SrIrO 3 (3) is characterized by a high energy of spin-orbit interaction and is used as a detector of spin current converted into charge current. The output voltage on the structure is taken from the silver contacts (4) and recorded by a voltmeter (5).
Конвертор спинового тока в зарядовый формируется из тонких пленок на подложке (110) NdGaO3 в виде гетероструктуры из перовскитов SrIrO3/La0.7Sr0.3МnО3. Направление вектора намагниченности пленки манганита, как правило, лежит в плоскости подложки. Стронциевый иридат, имеющий формулу SrIrO3, являясь парамагнитным полуметаллом, обладает сильным спин-орбитальным взаимодействием, что открывает возможности для осуществления спин-зарядовых трансформаций электронного транспорта, применимых для практического использования. При этом кристаллографические параметры SrIrO3 близки к параметрам манганита La0.7Sr0.3МnО3, что позволяет выращивать эпитаксиальные гетероструктуры SrIrO3/La0.7Sr0.3МnО3 высокого качества. Тонкие пленки оксидов иридата SrIrO3 и манганита La0.7Sr0.3МnО3 осаждались на монокристаллические полированные подложки NdGaO3 с размерами 5×5 мм2 и толщиной 0,5 мм. Эпитаксиальный рост пленок манганитов происходил при температуре подложки 800°С в смеси газов Аr и O2 (3:2) с давлением 0,3 мбара при мощности ВЧ генератора и магнетронной пушки 50 Вт.The spin-to-charge current converter is formed from thin films on a (110) NdGaO 3 substrate in the form of a SrIrO 3 /La 0.7 Sr 0.3 МnО 3 perovskite heterostructure. The direction of the magnetization vector of the manganite film, as a rule, lies in the plane of the substrate. Strontium iridate, having the formula SrIrO 3 , being a paramagnetic semimetal, has a strong spin-orbit interaction, which opens up possibilities for implementing spin-charge transformations of electron transport applicable for practical use. The crystallographic parameters of SrIrO 3 are close to those of La 0.7 Sr 0.3 MnO 3 manganite, which makes it possible to grow high quality SrIrO 3 /La 0.7 Sr 0.3 MnO 3 epitaxial heterostructures. Thin films of oxides of iridate SrIrO 3 and manganite La 0.7 Sr 0.3 MnO 3 were deposited on single-crystal polished NdGaO 3 substrates with dimensions of 5 × 5 mm2 and a thickness of 0.5 mm. The epitaxial growth of manganite films occurred at a substrate temperature of 800°C in a mixture of Ar and O2 gases (3:2) with a pressure of 0.3 mbar at a power of the RF generator and magnetron gun of 50 W.
Кристаллическая структура гетероструктур анализировалась с помощью рентгеновского дифрактометра. На Фиг. 2 показано рентгеновское 2θ-ω сканирование тонкой пленки SrIrO3/NdGaO3. Наблюдаемые пики соответствуют кратным отражениям от плоскости подложки (110) NdGaO3 и плоскости пленки (001) SrIrO3 (псевдокубическое обозначение). Из этого можно сделать вывод, что пленка растет с ориентацией плоскостей (001)SrIrО3||(110)NdGaO3 Аналогичную картину можно увидеть для пленки La0.7Sr0.3МnО3/NdGaO3 (Фиг. 3). Ориентация пленки (001) La0.7Sr0.3МnО3||(110)NdGaO3. 2θ-ω скан для гетероструктуры SrIrO3/La0.7Sr0.3МnО3/NdСаО3 является суперпозицией сканов однослойных пленок (Фиг. 4). Следовательно, для гетероструктуры плоскости растут таким образом, что (001)SrIrO3||(001) Lа0.7Sr0.3МnО3||(110)NdGаО3.The crystal structure of the heterostructures was analyzed using an X-ray diffractometer. On FIG. 2 shows a 2θ-ω x-ray scan of a SrIrO 3 /NdGaO 3 thin film. The observed peaks correspond to multiple reflections from the (110) NdGaO 3 substrate plane and the (001) SrIrO 3 film plane (pseudocubic designation). From this it can be concluded that the film grows with the (001) SrIrО 3 ||(110) NdGaO 3 planes oriented . Film orientation (001) La 0.7 Sr 0.3 МnО 3 ||(110)NdGaO 3 . The 2θ-ω scan for the SrIrO 3 /La 0.7 Sr 0.3 MnO 3 /NdCaO 3 heterostructure is a superposition of single layer film scans (FIG. 4). Consequently, for the heterostructure, the planes grow in such a way that (001)SrIrO 3 ||(001) La 0.7 Sr 0.3 МnО 3 ||(110)NdGаО 3 .
На Фиг. 4. показано рентгеновское ϕ-сканирование при угле наклона ψ=42,2° и 2θ=38,5° для гетероструктуры SrIrO3/La0.7Sr0.3МnО3 для плоскости (112) NdGaO3. Кроме четырех сильных пиков от подложки, разнесенных почти на 90 градусов (слабая орторомбичность NdGaO3), наблюдаются отражения от плоскостей (110) SrIrО3 и (110) La0.7Sr0.3МnО3, пики совпадают и смещаются относительно подложки примерно на 0,3° (см. вставку на Фиг. 4).On FIG. 4. X-ray ϕ-scanning at the tilt angle ψ=42.2° and 2θ=38.5° for the SrIrO 3 /La 0.7 Sr 0.3 MnO 3 heterostructure for the NdGaO 3 (112) plane is shown. In addition to four strong peaks from the substrate, separated by almost 90 degrees (weak orthorhombicity of NdGaO 3 ), reflections from the (110) SrIrO 3 and (110) La 0.7 Sr 0.3 MnO 3 planes are observed, the peaks coincide and are shifted relative to the substrate by about 0.3 ° (see inset in Fig. 4).
На фиг. 5 показано ϕ-сканирование дифракции рентгеновских лучей (XRD) при угле наклона ψ=42,2° и 2θ=38,5° для гетероструктуры SIO / LSMO для плоскости (112) NGO.In FIG. 5 shows X-ray diffraction (XRD) ϕ-scan at tilt angle ψ=42.2° and 2θ=38.5° for a SIO/LSMO heterostructure for the (112) NGO plane.
Соответствующее 2θ-ω сканирование при ψ=42,2° и ϕ=128,9°, подтверждающее совпадение пиков, представлено на Фиг. 6. Из этих данных, можно сделать вывод, что рост гетероструктуры происходит по механизму «куб на куб» с малым поворотом решетки. Эпитаксиальные соотношения: (001) SrIrO3 || (001) La0.7Sr0.3MnO3||(110) NdGaO3 и [100] SrIrO3 || [100] La0.7Sr0.3MnO3|| [001] NdGaO3. Узкая кривая качания (FHMW=0,1-0,12°) для (002) SrIrO3 свидетельствует о высоком качестве пленок.The corresponding 2θ-ω scan at ψ=42.2° and ϕ=128.9° confirming peak matching is shown in FIG. 6. Based on these data, we can conclude that the growth of the heterostructure occurs according to the “cube-to-cube” mechanism with a small lattice rotation. Epitaxial ratios: (001) SrIrO 3 || (001) La 0.7 Sr 0.3 MnO 3 ||(110) NdGaO 3 and [100] SrIrO 3 || [100] La 0.7 Sr 0.3 MnO 3 || [001] NdGaO 3 . The narrow rocking curve (FHMW=0.1-0.12°) for (002) SrIrO 3 indicates the high quality of the films.
Схематическое изображение кристаллической решетки SrIrO3 и схема эпитаксиального роста гетероструктуры SrIrO3/La0.7Sr0.3MnO3 показаны на Фиг. 7.The schematic representation of the SrIrO 3 crystal lattice and the scheme of epitaxial growth of the SrIrO 3 /La 0.7 Sr 0.3 MnO 3 heterostructure are shown in FIG. 7.
На Фиг. 8 показана угловая зависимость резонансного значения магнитного поля Н0 для гетероструктуры NdGaO3/La0.7Sr0.3MnO3 при комнатной температуре и внешнем магнитном поле, повернутом вокруг нормали к плоскости пленки на угол. Угол измерялся от одной из граней подложки. Внешнее магнитное поле и магнитная составляющая СВЧ поля находились в плоскости пленки. Изменение резонансного поля при изменении угла связано с плоскостной магнитной анизотропией гетероструктуры SrIrO3/La0.7Sr0.3MnO3. Угловая зависимость описывалась резонансным соотношением (1) с учетом магнитной одноосной и кубической анизотропии.On FIG. Figure 8 shows the angular dependence of the resonant value of the magnetic field H 0 for the NdGaO 3 /La 0.7 Sr 0.3 MnO 3 heterostructure at room temperature and an external magnetic field rotated around the normal to the film plane by an angle. The angle was measured from one of the faces of the substrate. The external magnetic field and the magnetic component of the microwave field were in the film plane. The change in the resonant field with a change in angle is related to the in-plane magnetic anisotropy of the SrIrO 3 /La 0.7 Sr 0.3 MnO 3 heterostructure. The angular dependence was described by the resonance relation (1) taking into account the magnetic uniaxial and cubic anisotropy.
Здесь М0 - равновесная намагниченность, Ku и Kс - константы одноосной и двухосной кубической анизотропии, соответственно. ϕu и ϕс -углы между легкими осями одноосной и кубической анизотропии и внешним магнитным полем, соответственно. Ku, Kс, М0, а также углы ϕu и ϕс были получены путем аппроксимации угловой зависимости формулой (1).Here M 0 is the equilibrium magnetization, K u and K c are the constants of uniaxial and biaxial cubic anisotropy, respectively. ϕ u and ϕ c are the angles between the easy axes of uniaxial and cubic anisotropy and the external magnetic field, respectively. K u , K c , M 0 , as well as the angles ϕ u and ϕ c were obtained by approximating the angular dependence by formula (1).
На Фиг. 9. показана схема протекания токов: спинового тока (10) и зарядового тока (11) в гетероструктуре SrIrO3/La0.7Sr0.3MnO3 и направления магнитных полей: постоянного (9) и СВЧ (12). Прецессия намагниченности (13) осуществляется под действием СВЧ поля. Результаты возникновения спинового тока в гетероструктуре SrIrO3/La0.7Sr0.3MnO3 при температуре 295 К показаны на Фиг. 10. СВЧ накачка производилась генератором Ганна на частоте 9 ГГц при мощности генератора 75 мВт. Амплитуда СВЧ накачки дополнительно модулировалась с частотой fM=100 кГц. Напряжение, возникающее в слое SrIrO3 за счет обратного спинового эффекта Холла и анизотропного магнетосопротивления в слое манганита, регистрировалось с помощью синхронного детектирования. Результирующее напряжение на выходе конвертора представляет собой комбинацию симметричной лоренцевой функции от спинового тока и двух компонент - антисимметричной и симметричной лоренцевой функции - от анизотропного магнетосопротивления.On FIG. 9. shows the flow of currents: spin current (10) and charge current (11) in the heterostructure SrIrO 3 /La 0.7 Sr 0.3 MnO 3 and the direction of magnetic fields: constant (9) and microwave (12). Magnetization precession (13) is carried out under the action of a microwave field. The results of the spin current initiation in the SrIrO 3 /La 0.7 Sr 0.3 MnO 3 heterostructure at a temperature of 295 K are shown in Fig. 10. Microwave pumping was performed by a Gunn generator at a frequency of 9 GHz with a generator power of 75 mW. The microwave pump amplitude was additionally modulated with a frequency f M =100 kHz. The voltage arising in the SrIrO 3 layer due to the inverse spin Hall effect and the anisotropic magnetoresistance in the manganite layer was recorded using synchronous detection. The resulting voltage at the output of the converter is a combination of a symmetric Lorentz function of the spin current and two components - an antisymmetric and a symmetric Lorentz function - of the anisotropic magnetoresistance.
где ΔН - полуширина линии на половине высоты, Н0 - резонансное поле. Форма резонансной кривой содержит три вклада. Для разделения симметричного и антисимметричного вклада экспериментальные графики были аппроксимированы симметричной L(H) и антисимметричной функцией Лоренца L'(H) (выражение (2)) [A. Azevedo, L. Н. Vilela-Le~ao, R. L. Rodr'iguez-Su'arez, A. F. Lacerda Santos, and S. M. Rezende Spin pumping and anisotropic magnetoresistance voltages in magnetic bilayers: Theory and experiment Physical Review В 83, 144402 (2011)]where ΔH is the half-width of the line at half height, H 0 is the resonant field. The shape of the resonance curve contains three contributions. To separate the symmetric and antisymmetric contributions, the experimental graphs were approximated by the symmetric L(H) and antisymmetric Lorentz function L'(H) (expression (2)) [A. Azevedo, L. H. Vilela-Le ~ ao, R.L. Rodr'iguez-Su'arez, A.F. Lacerda Santos, and S.M. Rezende Spin pumping and anisotropic magnetoresistance voltages in magnetic bilayers: Theory and experiment Physical Review B 83, 144402 (2011) ]
где ϕ1 - разность фаз между СВЧ током и намагниченностью. Для отделения сигнала, возникающего за счет спинового тока Vsp, от возникающего за счет анизотропного магнетосопротивления, проводились измерения зависимости симметричной части V(H) от угла между постоянным током и магнитным полем: (выражение (3))where ϕ 1 is the phase difference between the microwave current and the magnetization. To separate the signal arising due to the spin current V sp from the signal arising due to the anisotropic magnetoresistance, we measured the dependence of the symmetric part V(H) on the angle between the direct current and the magnetic field: (expression (3))
В результате получались значения амплитуд Vsp и VAMR⋅cos(ϕ1). Изменение угла производилось за счет вращения магнита вокруг резонатора, внутри которого располагался изучаемый образец.As a result, the values of the amplitudes V sp and V AMR ⋅cos(ϕ 1 ) were obtained. The angle was changed by rotating the magnet around the resonator, inside which the sample under study was located.
Пример реализации.Implementation example.
Конвертор спинового тока в зарядовый может быть сформирован на основе эпитаксиально выращенных пленок оксидных материалов. Для этого предлагается использовать известные методы лазерной абляции, магнетронного распыления и катодного распыления при высоком давлении кислорода. Для получения базовых пленок применимы подложки NdGaO3 (NGO) с ориентациями (110).A spin-to-charge current converter can be formed on the basis of epitaxially grown films of oxide materials. To do this, it is proposed to use the known methods of laser ablation, magnetron sputtering and cathode sputtering at high oxygen pressure. Base films can be obtained using NdGaO 3 (NGO) substrates with (110) orientations.
Из-за рассогласования параметров кристаллической решетки может наблюдаться либо сжатие, либо растяжение выращенной пленки. Такой подход позволяет управлять свойствами эпитаксиально сформированных многослойных структур и получение базовых пленок с различными величинами плоскостной магнитной анизотропии. Для получения магнитных пленок можно использовать тонкие пленки оптимально допированного манганита Lа0.7Sr0.3МnО3 (LSMO), которые при комнатной температуре обладают свойствами ферромагнетиков. Топология гетероструктуры конвертора спинового тока в зарядовый может быть сформирована известными методами фотолитографии, плазмо-химического и ионного-лучевого травлений.Due to the mismatch of the crystal lattice parameters, either compression or stretching of the grown film can be observed. This approach makes it possible to control the properties of epitaxially formed multilayer structures and obtain base films with different values of in-plane magnetic anisotropy. To obtain magnetic films, one can use thin films of optimally doped La 0.7 Sr 0.3 MnO 3 (LSMO) manganite, which have the properties of ferromagnets at room temperature. The topology of the heterostructure of the spin-to-charge converter can be formed by known methods of photolithography, plasma-chemical and ion-beam etching.
Тонкие пленки в многослойных структурах с контролируемой толщиной от единиц до десятков нанометров могут быть эпитаксиально выращены без разрыва вакуума при высокой температуре нагрева подложки. Для нагрева и поддержания подложки при высокой температуре может быть использован нагреватель на основе элемента "ThermoCoax", состоящий из центральной жилы NiCr, коаксиальной оболочки из нержавеющей стали и изолирующей прослойки из порошкообразного MgO. Под крышку нагревателя с помощью серебряной пасты, обеспечивающей хороший термический контакт, вклеивается изолированная термопара Cu/NiCr. Для достижения хорошего термического контакта подложка также приклеивается к крышке нагревателя серебряной пастой.Thin films in multilayer structures with a controlled thickness from a few to tens of nanometers can be grown epitaxially without breaking the vacuum at a high substrate heating temperature. To heat and maintain the substrate at a high temperature, a heater based on the "ThermoCoax" element can be used, consisting of a central NiCr core, a coaxial stainless steel sheath and an insulating layer of powdered MgO. An insulated Cu/NiCr thermocouple is glued under the heater cover using silver paste, which ensures good thermal contact. To achieve good thermal contact, the substrate is also glued to the heater cover with silver paste.
Перед осаждением, после процедуры нанесения тонких пленок поверхность обрабатывается методами радиочастотного травления или ионно-лучевого травления в атмосфере Аr в зависимости от типа использовавшихся напылительных установок. Осаждение пленок проводится методами радиочастотного магнетронного распыления мишеней. Толщина пленки SrIrO3 составляла - 10 нм.Before deposition, after the thin film deposition procedure, the surface is treated by radio frequency etching or ion beam etching in an Ar atmosphere, depending on the type of sputtering equipment used. Film deposition is carried out by methods of radio-frequency magnetron sputtering of targets. The thickness of the film SrIrO 3 was - 10 nm.
Для формирования топологии гетероструктуры применяется фоторезист Shipley-1813 толщиной порядка 1 мкм, который после процессов засветки и проявления оставался в области перехода, образуя маску, через которую затем производилось травление поверхности многослойки. Для травления применяется плазмо-химическое травление в смеси CF4 и О2. Удаление пленок манганитной прослойки за пределами функциональной части гетероструктуры производится ионно-лучевым травлением с низкой энергией ионов Аr+250 эВ и плотностью ионного тока 0,2 мА/см2, что уменьшает влияние ионной бомбардировки на поверхностный слой манганитной пленки.To form the topology of the heterostructure, a Shipley-1813 photoresist with a thickness of about 1 μm is used, which, after the processes of illumination and development, remained in the transition region, forming a mask, through which the surface of the multilayer was then etched. For etching, plasma-chemical etching in a mixture of CF 4 and O 2 is used. The removal of films of the manganite layer outside the functional part of the heterostructure is carried out by ion-beam etching with a low energy of Ar+250 eV ions and an ion current density of 0.2 mA/cm2, which reduces the effect of ion bombardment on the surface layer of the manganite film.
Таким образом, приведенные экспериментальные данные свидетельствуют о достижении технического результата - повышении чувствительности выходного сигнала при обеспечении технологичности процесса формирования структуры конвертора на основе гетероструктуры перовскитов переходных металлов. За счет использования гетероструктры из оксидного ферромагнетика и оксидного проводящего материала с высоким спин-орбитальным взаимодействием обеспечивается высокая эффективность конвертации спинового тока в зарядовый. Обеспечивается воспроизводимость характеристик при заданных параметрах технологических операций, изготовление прибора основывается на известных и доступных методах осаждения тонких пленок с контролируемой толщиной каждого слоя. Формирование прибора в планарной топологии позволяет его интеграцию в планарную широкополосную тонкопленочную структуру на одном чипе. Кроме того, имеется возможность управления параметрами преобразования спинового тока в зарядовый за счет изменения температуры, и, соответственно, выбор частоты СВЧ накачки. Thus, the above experimental data indicate the achievement of a technical result - an increase in the sensitivity of the output signal while ensuring the manufacturability of the process of forming the structure of the converter based on the heterostructure of transition metal perovskites. Due to the use of a heterostructure made of an oxide ferromagnet and an oxide conducting material with a high spin-orbit interaction, a high efficiency of spin-to-charge current conversion is ensured. The reproducibility of characteristics is ensured for the given parameters of technological operations, the manufacture of the device is based on known and available methods for the deposition of thin films with a controlled thickness of each layer. Formation of the device in a planar topology allows its integration into a planar broadband thin-film structure on a single chip. In addition, it is possible to control the parameters of the conversion of the spin current into the charge current by changing the temperature, and, accordingly, the choice of the microwave pump frequency.
Claims (3)
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2774958C1 true RU2774958C1 (en) | 2022-06-24 |
Family
ID=
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2677564C1 (en) * | 2017-11-01 | 2019-01-17 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный университет" (СПбГУ) | Device for recording of information for magnetoresistive ram |
| CN110800057A (en) * | 2017-06-28 | 2020-02-14 | 威斯康星州男校友研究基金会 | Magnetic memory devices based on 4d and 5d transition metal perovskites |
| US10923561B2 (en) * | 2017-09-20 | 2021-02-16 | Denso Corporation | Semiconductor device |
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110800057A (en) * | 2017-06-28 | 2020-02-14 | 威斯康星州男校友研究基金会 | Magnetic memory devices based on 4d and 5d transition metal perovskites |
| US10566521B2 (en) * | 2017-06-28 | 2020-02-18 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Magnetic memory devices based on 4D and 5D transition metal perovskites |
| US10923561B2 (en) * | 2017-09-20 | 2021-02-16 | Denso Corporation | Semiconductor device |
| RU2677564C1 (en) * | 2017-11-01 | 2019-01-17 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный университет" (СПбГУ) | Device for recording of information for magnetoresistive ram |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Ji et al. | Determination of the spin polarization of half-metallic CrO 2 by point contact Andreev reflection | |
| Ding et al. | Nanometer-thick yttrium iron garnet films with perpendicular anisotropy and low damping | |
| Mendes et al. | Dirac-surface-state-dominated spin to charge current conversion in the topological insulator (Bi 0.22 Sb 0.78) 2 Te 3 films at room temperature | |
| KR910002311B1 (en) | A superconductor device | |
| Sun et al. | Observation of large low‐field magnetoresistance in trilayer perpendicular transport devices made using doped manganate perovskites | |
| US8254163B2 (en) | Spintronic device and information transmitting method | |
| Khaydukov et al. | Evidence for spin-triplet superconducting correlations in metal-oxide heterostructures with noncollinear magnetization | |
| Pavlov et al. | Fabrication of high-temperature quasi-two-dimensional superconductors at the interface of a ferroelectric Ba 0.8 Sr 0.2 TiO 3 film and an insulating parent compound of La 2 CuO 4 | |
| Kashiwagi et al. | Geometrical full-wavelength resonance mode generating terahertz waves from a single-crystalline Bi2Sr2CaCu2O8+ δ rectangular mesa | |
| Guo et al. | Thermal generation of spin current in epitaxial CoFe2O4 thin films | |
| Zhou et al. | Negligible oxygen vacancies, low critical current density, electric-field modulation, in-plane anisotropic and high-field transport of a superconducting Nd0. 8Sr0. 2NiO2/SrTiO3 heterostructure | |
| EP3782209B1 (en) | Single magnetic-layer microwave oscillator and method for generating voltage and/or current oscillations | |
| Nadgorny et al. | Measurements of spin polarization of epitaxial SrRuO3 thin films | |
| Wang et al. | Novel electrically tunable microwave solenoid inductor and compact phase shifter utilizing permaloy and PZT thin films | |
| Lin et al. | Current-assisted magnetization reversal in Fe 3 GeTe 2 van der Waals homojunctions | |
| Clowes et al. | Spin polarization of the transport current at the free surface of bulk NiMnSb | |
| Zhang et al. | Polarization‐Mediated Thermal Stability of Metal/Oxide Heterointerface | |
| RU2774958C1 (en) | Spin current to charge current converter based on a heterostructure of transition metal perovskites | |
| Cao et al. | Reciprocal-space-resolved piezoelectric control of non-volatile magnetism in epitaxial LiFe5O8 film on Pb (Mg1/3Nb2/3) 0.7 Ti0. 3O3 substrate | |
| Vijayakumar et al. | Electric field control of magnetism in Si3N4 gated Pt/Co/Pt heterostructures | |
| Lian et al. | Influence of the magnetic state on the voltage-controlled magnetoelectric effect in a multiferroic artificial heterostructure YIG/PMN-PZT | |
| Guo et al. | Direct and Inverse Spin Splitting Effects in Altermagnetic RuO2 | |
| Cui et al. | Electrically tunable inverse spin Hall effect in SrIrO3/Pb (Mg1/3Nb2/3) 0.7 Ti0. 3O3 heterostructures through interface strain coupling | |
| Martin-Rio et al. | Spin-to-Charge Conversion in All-Oxide La2/3Sr1/3MnO3/SrIrO3 Heterostructures | |
| Gasparov et al. | Magnetic field, frequency and temperature dependence of complex conductance of ultrathin La 1. 6 5 Sr 0. 4 5 CuO 4∕ La 2 CuO 4 films and the organic superconductors κ-(BEDT-TTF) 2 Cu [N (CN) 2] Br |