RU2773276C2

RU2773276C2 - Determination of amount of radiation of preset type, irradiated sensor material

Info

Publication number: RU2773276C2
Application number: RU2020116409A
Authority: RU
Inventors: Мика ЛАСТУСААРИ; Исабелла НОРРБО
Original assignee: Пьюэ Люминисенс Текнолоджиз Ой
Priority date: 2017-11-07
Filing date: 2018-10-17
Publication date: 2022-06-01

Abstract

FIELD: radiation equipment.

SUBSTANCE: group of inventions relates to the determination of amount of radiation of a preset type, irradiated sensor material. A method for the determination of amount of radiation of a preset type, irradiated sensor material, includes: a) providing the presence of sensor material; b) irradiating sensor material with radiation of a preset type to save the effect of radiation of a preset type in sensor material during a preset time interval; c) exposure of thermal processing and/or optical excitation to sensor material that was irradiated with radiation of a preset type; d) determining the amount of visible light emitted by sensor material as the result of that it was subjected to thermal processing and/or optical excitation. Sensor material is represented by the following formula (I):

.

EFFECT: increase in the accuracy of determination of amount of radiation, by which the object was irradiated.

27 cl, 6 dwg

Description

Область техникиTechnical field

Настоящее изобретение относится к способу определения количества излучения заранее заданного типа, облучившего материал датчика. Кроме того, настоящее изобретение относится к системе для определения количества излучения заранее заданного типа, облучившего материал датчика. Кроме того, настоящее изобретение относится к различному применению указанных способа и системы.The present invention relates to a method for determining the amount of radiation of a predetermined type that has irradiated a sensor material. In addition, the present invention relates to a system for determining the amount of radiation of a predetermined type that has irradiated a sensor material. In addition, the present invention relates to various uses of said method and system.

Предпосылки создания изобретенияPrerequisites for the creation of the invention

Повышенные уровни ультрафиолетового (УФ) облучения, вызываемые солнечным светом или устройствами для искусственного загара, оказывают отрицательное воздействие на организм, увеличивая вероятность возникновения рака кожи, других болезней кожи, а также старения кожи. Таким образом, важно знать, когда следует искать укрытие от ультрафиолетового излучения или когда следует нанести или повторно нанести солнцезащитный лосьон. То же самое может относиться к другим типам излучения, таким как рентгеновское излучение, альфа-излучение, бета-излучение или гамма-излучение, используемые в различных приложениях, например в медицинских устройствах или при диагностике. Поэтому знание количества излучения, которым был облучен объект, важно для различных приложений. Изобретатели осознали потребность индицировать или определять количество излучения заранее заданного типа, которым был облучен объект.Elevated levels of ultraviolet (UV) exposure from sunlight or sunbathing devices have a negative effect on the body, increasing the likelihood of skin cancer, other skin diseases, and skin aging. As such, it is important to know when to seek UV shelter or when to apply or reapply sunscreen lotion. The same may apply to other types of radiation such as x-rays, alpha radiation, beta radiation or gamma radiation used in various applications such as medical devices or diagnostics. Therefore, knowing the amount of radiation that was exposed to the object is important for various applications. The inventors have recognized the need to indicate or determine the amount of radiation of a predetermined type that has been exposed to an object.

Цель изобретенияPurpose of the invention

Целью изобретения является создание нового способа для определения количества излучения заранее заданного типа, облучившего материал датчика. Кроме того, целью изобретения является создание нового детекторного устройства для определения количества излучения заранее заданного типа, облучившего материал датчика. Кроме того, целью изобретения является создание новой системы для определения количества излучения заранее заданного типа, облучившего материал датчика. Кроме того, целью изобретения являются различные применения.The aim of the invention is to provide a new method for determining the amount of radiation of a predetermined type that has irradiated the sensor material. In addition, the aim of the invention is to provide a new detector device for determining the amount of radiation of a predetermined type that has irradiated the sensor material. In addition, the aim of the invention is to provide a new system for determining the amount of radiation of a predetermined type that has irradiated the sensor material. In addition, the invention aims at various applications.

Сущность изобретенияThe essence of the invention

Способ согласно настоящему изобретению отличается признаками, сформулированными в п. 1 формулы изобретения.The method according to the present invention is characterized by the features set forth in paragraph 1 of the claims.

Детекторное устройство согласно настоящему изобретению отличается признаками, сформулированными в п. 18 формулы изобретения.The detector device according to the present invention is characterized by the features set forth in paragraph 18 of the claims.

Система согласно настоящему изобретению отличается признаками, сформулированными в п. 22 формулы изобретения.The system according to the present invention is characterized by the features set forth in paragraph 22 of the claims.

Применение согласно настоящему изобретению отличается признаками, сформулированными в п. 25, п. 26 и п. 27 формулы изобретения.The use according to the present invention is distinguished by the features set forth in paragraph 25, paragraph 26 and paragraph 27 of the claims.

Краткое описание чертежейBrief description of the drawings

Сопровождающие чертежи, которые включены для лучшего понимания детекторного устройства, системы и способа и составляют часть настоящего описания, поясняют варианты выполнения настоящего изобретения и вместе с описанием способствуют объяснению принципов изобретения. На чертежах:The accompanying drawings, which are included for a better understanding of the detector device, system and method and form part of the present description, explain embodiments of the present invention and together with the description contribute to explaining the principles of the invention. On the drawings:

на фиг. 1 схематично показан один из вариантов выполнения детекторного устройства согласно настоящему изобретению;in fig. 1 schematically shows one embodiment of a detector device according to the present invention;

на фиг. 2 схематично показан один из вариантов выполнения системы согласно настоящему изобретению;in fig. 2 schematically shows one embodiment of the system according to the present invention;

на фиг. 3 и фиг. 4 показаны результаты тестов примера 4;in fig. 3 and FIG. 4 shows the test results of Example 4;

на фиг. 5 показаны результаты тестов примера 5; иin fig. 5 shows the test results of example 5; and

на фиг. 6 показаны результаты тестов примера 6.in fig. 6 shows the test results of example 6.

Подробное описаниеDetailed description

Настоящее изобретение относиться к способу определения количества излучения заранее заданного типа, облучившего материал датчика, при этом способ включает:The present invention relates to a method for determining the amount of radiation of a predetermined type that has irradiated a sensor material, the method comprising:

a) обеспечение наличия материала датчика;a) ensuring the presence of sensor material;

b) облучение материала датчика излучением заранее заданного типа для сохранения воздействия излучения заранее заданного типа в материале датчика в течение заранее заданного промежутка времени;b) irradiating the sensor material with a predetermined type of radiation to maintain exposure to the predetermined type of radiation in the sensor material for a predetermined period of time;

c) подвергание материала датчика, который был облучен излучением заранее заданного типа, термической обработке и/или к оптическому возбуждению; иc) subjecting the sensor material, which has been irradiated with a predetermined type of radiation, to heat treatment and/or to optical excitation; and

d) определение количества видимого света, излучаемого материалом датчика в результате того, что он был подвергнут термической обработке и/или оптическому возбуждению;d) determining the amount of visible light emitted by the sensor material as a result of being subjected to heat treatment and/or optical excitation;

при этом материал датчика представлен следующей формулой (I)while the sensor material is represented by the following formula (I)

гдеwhere

М' представляет моноатомный катион щелочного металла, выбранного из первой группы периодической таблицы элементов Международного союза теоретической и прикладной химии (IUPAC), или любую комбинацию таких катионов;M' represents a monoatomic alkali metal cation selected from the first group of the periodic table of the elements of the International Union of Pure and Applied Chemistry (IUPAC), or any combination of such cations;

М'' представляет трехвалентный моноатомный катион элемента, выбранного из группы 13 периодической таблицы элементов IUPAC, или переходного элемента, выбранного из любой из групп 3-12 периодической таблицы элементов IUPAC, или любую комбинацию таких катионов;M'' represents a trivalent monoatomic cation of an element selected from Group 13 of the IUPAC Periodic Table of the Elements, or a transition element selected from any of Groups 3-12 of the IUPAC Periodic Table of the Elements, or any combination of such cations;

М''' представляет моноатомный катион элемента, выбранного из группы 14 периодической таблицы элементов IUPAC, или элемента, выбранного из любой из групп 13 и 15 периодической таблицы элементов IUPAC, или цинка, или любую комбинацию таких катионов;M''' represents a monoatomic cation of an element selected from Group 14 of the IUPAC Periodic Table of the Elements, or an element selected from any of Groups 13 and 15 of the IUPAC Periodic Table of the Elements, or zinc, or any combination of such cations;

X представляет анион элемента, выбранного из группы 17 периодической таблицы элементов IUPAC, или любую комбинацию таких анионов, или X отсутствует;X represents an anion of an element selected from Group 17 of the IUPAC Periodic Table of the Elements, or any combination of such anions, or X is absent;

X' представляет анион элемента, выбранного из группы 16 периодической таблицы элементов IUPAC, или любую комбинацию таких анионов, или X' отсутствует; иX' represents an anion of an element selected from Group 16 of the IUPAC Periodic Table of the Elements, or any combination of such anions, or X' is absent; and

М'''' представляет легирующий катион элемента, выбранного из переходных металлов периодической таблицы элементов IUPAC, или любую комбинацию таких катионов, или М"" отсутствует;M'''' represents a dopant cation of an element selected from the transition metals of the IUPAC Periodic Table of the Elements, or any combination of such cations, or M"" is absent;

при условии, что по меньшей мере один из X и X' присутствует.provided that at least one of X and X' is present.

Настоящее изобретение относится к детекторному устройству для определения количества излучения заранее заданного типа, облучившего материал датчика, при этом указанное детекторное устройство содержит:The present invention relates to a detector device for determining the amount of radiation of a predetermined type that has irradiated a sensor material, said detector device comprising:

- материал датчика, представленный формулой (I), как определено в данном документе;- the sensor material represented by formula (I) as defined herein;

- нагревательный элемент, сконфигурированный так, чтобы подвергнуть материал датчика, облученный излучением заранее заданного типа, термической обработке, и/или блок возбуждения, сконфигурированный так, чтобы подвергнуть материал датчика, облученный излучением заранее заданного типа, оптическому возбуждению; иa heating element configured to subject the sensor material irradiated with predetermined type of radiation to thermal treatment and/or an excitation unit configured to subject the sensor material irradiated to predetermined type of radiation to optical excitation; and

- измерительное устройство, сконфигурированное для измерения количества видимого света, излучаемого материалом датчика в результате того, что он был подвергнут термической обработке и/или оптическому возбуждению.- a measuring device configured to measure the amount of visible light emitted by the sensor material as a result of being subjected to heat treatment and/or optical excitation.

Кроме того, настоящее изобретение относится к системе для определения количества излучения заранее заданного типа, облучившего материал датчика, при этом указанная система содержит:In addition, the present invention relates to a system for determining the amount of radiation of a predetermined type that has irradiated a sensor material, said system comprising:

- блок облучения, сконфигурированный для облучения материала датчика излучением заранее заданного типа для сохранения воздействия этого излучения заранее заданного типа в материале датчика в течение заранее заданного промежутка времени; и- an irradiation unit configured to irradiate the sensor material with a predetermined type of radiation to maintain the impact of this radiation of a predetermined type in the sensor material for a predetermined period of time; and

- детекторное устройство, как определено в данном документе.- detector device as defined in this document.

Кроме того, настоящее изобретение относится к системе для определения количества излучения заранее заданного типа, облучившего материал датчика, при этом система содержит:In addition, the present invention relates to a system for determining the amount of radiation of a predetermined type that has irradiated a sensor material, the system comprising:

- блок облучения, сконфигурированный так, чтобы облучать материал датчика излучением заранее заданного типа для сохранения влияния этого излучения заранее заданного типа в материале датчика в течение заранее заданного промежутка времени;an irradiation unit configured to irradiate the sensor material with a predetermined type of radiation to maintain the effect of this predetermined type of radiation in the sensor material for a predetermined period of time;

Кроме того, настоящее изобретение относится к применению термической обработки и/или оптического возбуждения для определения количество излучения заранее заданного типа, облучившего материал датчика, представленный формулой (I), как определено в данном документе.In addition, the present invention relates to the use of heat treatment and/or optical excitation to determine the amount of radiation of a predetermined type irradiated with a sensor material represented by formula (I) as defined herein.

Кроме того, настоящее изобретение относится к применению материала датчика, представленного формулой (I), как определено в настоящем документе, для определения количества излучения заранее заданного типа, которым был облучен материал датчика, при этом материал датчика облучают излучением заранее заданного типа для сохранения влияния этого излучения заранее заданного типа в материале датчика в течение заранее заданного промежутка времени, а после этого подвергают термической обработке и/или оптическому возбуждению.In addition, the present invention relates to the use of a sensor material represented by formula (I) as defined herein to determine the amount of predetermined type of radiation to which the sensor material has been irradiated, wherein the sensor material is irradiated with predetermined type of radiation to maintain the effect of this radiation of a predetermined type in the sensor material for a predetermined period of time, and then subjected to heat treatment and/or optical excitation.

Кроме того, настоящее изобретение относится к применению материала датчика, представленного формулой (I), как определено в данном документе, в термолюминесцентном дозиметре или в дозиметре с оптически стимулированной люминесценцией.In addition, the present invention relates to the use of a sensor material represented by formula (I) as defined herein in a thermoluminescent dosimeter or an optically stimulated luminescence dosimeter.

В одном варианте выполнения настоящего изобретения количество излучения заранее заданного типа относится к дозе и/или интенсивности излучения заранее заданного типа. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения количество видимого света, излучаемого материалом датчика, относится к дозе и/или интенсивности видимого света, излучаемого материалом датчика.In one embodiment of the present invention, the amount of radiation of a predetermined type refers to the dose and/or intensity of radiation of a predetermined type. In yet another embodiment of the present invention, the amount of visible light emitted from the sensor material refers to the dose and/or intensity of visible light emitted from the sensor material.

Изобретателям удалось выяснить, что материал датчика, представленный формулой (I), способен сохранять влияние излучения, которым он был облучен. Кроме того, изобретателям удалось установить, что способность материала датчика, представленного формулой (I), действовать в качестве люминесцентного материала, вместе с его способностью запоминать влияние излучения, облучившего него, позволяет использовать его для индикации или определения количества излучения заранее заданного типа, которое упало на объект, например, в различных приложениях, где имеет место облучение. Возможность точно определить количество излучения, которым был облучен объект, нужна во многих приложениях, таких как светотерапия. Люминесцентный материал - это материал, который способен принимать и поглощать свет в первом диапазоне длин волн, испускаемый светоизлучающим элементом, и испускать поглощенную энергию в одном или большем количестве других диапазонов длин волн.The inventors have been able to ascertain that the sensor material represented by formula (I) is capable of retaining the effect of the radiation with which it has been irradiated. In addition, the inventors have found that the ability of the sensor material represented by formula (I) to act as a luminescent material, together with its ability to remember the effect of the radiation that irradiated it, allows it to be used to indicate or determine the amount of radiation of a predetermined type that has fallen on the object, for example, in various applications where irradiation takes place. The ability to accurately determine the amount of radiation an object has been exposed to is needed in many applications such as light therapy. A luminescent material is a material that is capable of receiving and absorbing light in a first wavelength range emitted by a light emitting element and emitting the absorbed energy in one or more other wavelength ranges.

В одном варианте выполнения настоящего изобретения излучение заранее заданного типа - это излучение в виде частиц заранее заданного типа. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения излучение в виде частиц представляет собой альфа-излучение, бета-излучение, нейтронное излучение или любую их комбинацию.In one embodiment of the present invention, the predetermined type of radiation is the predetermined type of particulate radiation. In yet another embodiment of the present invention, the particulate radiation is alpha radiation, beta radiation, neutron radiation, or any combination thereof.

В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения излучение заранее заданного типа представляет собой заранее заданный тип электромагнитного излучения. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения излучение заранее заданного типа - это электромагнитное излучение, имеющее длину волны больше 0 нм до 590 нм, или больше 0 нм до 560 нм, или больше 0 нм до 500 нм, или больше 0 нм до 400 нм, или больше 0 нм до 300 нм, или 0,000001-590 нм, или 0,000001-560 нм, или 0,000001-500 нм, или 10-590 нм, или 10-560 нм, или 10-500 нм, или 0,000001-400 нм, или 0,000001-300 нм, или 0,000001-10 нм, или 10-400 нм, или 10-300 нм, или 0,01-10 нм. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения блок облучения сконфигурирован для подвергания материала датчика электромагнитному излучению, имеющему длину волны больше 0 нм до 590 нм, или больше 0 нм до 560 нм, или больше 0 нм до 500 нм, или больше 0 нм до 400 нм, или больше 0 нм до 300 нм, или 0,000001-590 нм, или 0,000001-560 нм, или 0,000001-500 нм, или 10-590 нм, или 10-560 нм, или 10-500 нм, или 0,000001-400 нм, или 0,000001-300 нм, или 0,000001-10 нм, или 10-400 нм, или 10-300 нм, или 0,01-10 нм.In yet another embodiment of the present invention, the predetermined type of radiation is a predetermined type of electromagnetic radiation. In yet another embodiment of the present invention, the predetermined type of radiation is electromagnetic radiation having a wavelength greater than 0 nm to 590 nm, or greater than 0 nm to 560 nm, or greater than 0 nm to 500 nm, or greater than 0 nm to 400 nm, or greater than 0 nm to 300 nm, or 0.000001-590 nm, or 0.000001-560 nm, or 0.000001-500 nm, or 10-590 nm, or 10-560 nm, or 10-500 nm, or 0.000001-400 nm, or 0.000001-300 nm, or 0.000001-10 nm, or 10-400 nm, or 10-300 nm, or 0.01-10 nm. In yet another embodiment of the present invention, the irradiation unit is configured to expose the sensor material to electromagnetic radiation having a wavelength greater than 0 nm to 590 nm, or greater than 0 nm to 560 nm, or greater than 0 nm to 500 nm, or greater than 0 nm to 400 nm , or greater than 0 nm to 300 nm, or 0.000001-590 nm, or 0.000001-560 nm, or 0.000001-500 nm, or 10-590 nm, or 10-560 nm, or 10-500 nm , or 0.000001-400 nm, or 0.000001-300 nm, or 0.000001-10 nm, or 10-400 nm, or 10-300 nm, or 0.01-10 nm.

В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения излучение заранее заданного типа представляет собой ультрафиолетовое излучение, рентгеновское излучение, гамма-излучение или любую их комбинацию. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения излучение заранее заданного типа представляет собой ультрафиолетовое излучение. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения излучение заранее заданного типа представляет собой рентгеновское излучение. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения излучение заранее заданного типа представляет собой гамма-излучение.In yet another embodiment of the present invention, the predetermined type of radiation is ultraviolet radiation, x-ray radiation, gamma radiation, or any combination thereof. In yet another embodiment of the present invention, the predetermined type of radiation is ultraviolet radiation. In yet another embodiment of the present invention, the predetermined type of radiation is X-ray. In yet another embodiment of the present invention, the predetermined type of radiation is gamma radiation.

Ультрафиолетовый свет - это электромагнитное излучение с длиной волны от 10 нм (30 ПГц) до 400 нм (750 ТГц). Электромагнитный спектр ультрафиолетового излучения (UVR) может быть разделен на много диапазонов, рекомендуемых Стандартом Международной организацией по стандартизации (ISO) ISO-21348, включая ультрафиолетовое излучение A (UVA), ультрафиолетовое излучение В (UVB), ультрафиолетовое излучение С (UVC). Обычно считается, что длина волны UVA 315-400 нм, длина волны UVB 280-320 нм и длина волны UVC 100-290 нм.Ultraviolet light is electromagnetic radiation with a wavelength between 10 nm (30 Hz) and 400 nm (750 THz). The electromagnetic spectrum of ultraviolet radiation (UVR) can be divided into many ranges recommended by the International Organization for Standardization (ISO) ISO-21348, including ultraviolet A (UVA), ultraviolet B (UVB), ultraviolet C (UVC). It is generally considered that the UVA wavelength is 315-400 nm, the UVB wavelength is 280-320 nm, and the UVC wavelength is 100-290 nm.

В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения ультрафиолетовое излучение содержит ультрафиолетовое излучение А, ультрафиолетовое излучение В и/или ультрафиолетовое излучение С. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения ультрафиолетовое излучение состоит из ультрафиолетового излучения А, ультрафиолетового излучения В и/или ультрафиолетового излучения С. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения ультрафиолетовое излучение представляет собой ультрафиолетовое излучение А, ультрафиолетовое излучение В и/или ультрафиолетовое излучение С.In yet another embodiment of the present invention, ultraviolet radiation comprises ultraviolet radiation A, ultraviolet radiation B and/or ultraviolet radiation C. In another embodiment of the present invention, ultraviolet radiation consists of ultraviolet radiation A, ultraviolet radiation B and/or ultraviolet radiation C. B in another embodiment of the present invention, the ultraviolet radiation is ultraviolet A, ultraviolet B and/or ultraviolet C.

Рентгеновское излучение представляет собой электромагнитное излучение с длиной волны от 0,01 нм до 10 нм.X-rays are electromagnetic radiation with a wavelength of 0.01 nm to 10 nm.

Гамма-излучение представляет собой электромагнитное излучение с длиной волны от 0,000001 нм до 0,01 нм.Gamma radiation is electromagnetic radiation with a wavelength of 0.000001 nm to 0.01 nm.

В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения заранее заданный тип электромагнитного излучения представляет собой солнечный свет. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения электромагнитное излучение заранее заданного типа создается источником искусственного излучения или является солнечным светом. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения искусственное излучение представляет собой ультрафиолетовый свет, свет светодиода, галогеновой лампы, свет солнечного имитатора, люминесцентной лампы, рентгеновское излучение или любую их комбинацию.In yet another embodiment of the present invention, the predetermined type of electromagnetic radiation is sunlight. In yet another embodiment of the present invention, electromagnetic radiation of a predetermined type is produced by a source of artificial radiation or is sunlight. In yet another embodiment of the present invention, the artificial radiation is ultraviolet light, LED light, halogen lamp, solar simulator light, fluorescent lamp, X-ray, or any combination thereof.

В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения материал датчика облучают излучением заранее заданного типа в течение 0,5-60 с или 1-20 с. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения материал датчика облучают излучением заранее заданного типа в течение от 0,5 с до 6 недель. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения материал датчика облучают излучением заранее заданного типа в течение 0,5-6 недель, или 1-4 недель, или 2-3 недель. Время, в течение которого материал датчика может быть облучен излучением заранее заданного типа, может зависеть от приложения, в котором используется этот материал датчика и, таким образом, от типа излучения, которым этот материал датчика должен быть облучен.In yet another embodiment of the present invention, the sensor material is irradiated with a predetermined type of radiation for 0.5-60 seconds or 1-20 seconds. In yet another embodiment of the present invention, the sensor material is exposed to a predetermined type of radiation for 0.5 seconds to 6 weeks. In yet another embodiment of the present invention, the sensor material is irradiated with a predetermined type of radiation for 0.5-6 weeks, or 1-4 weeks, or 2-3 weeks. The time that the sensor material may be exposed to a predetermined type of radiation may depend on the application in which the sensor material is used and thus on the type of radiation that the sensor material is to be exposed to.

В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения воздействие падающего излучения заранее заданного типа сохраняется в материале датчика в течение заранее заданного промежутка времени, прежде чем материал датчика подвергают термической обработке и/или оптическому возбуждению. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения указанный заранее заданный промежуток времени составляет по меньшей мере 1 минуту, или по меньшей мере 2 минуты, или по меньшей мере 5 минут, или по меньшей мере 10 минут, или по меньшей мере 15 минут, или по меньшей мере 0,5 часа, или по меньшей мере 1 час, или по меньшей мере 2 часа, или по меньшей мере 5 часов, или по меньшей мере 6 часов, или по меньшей мере 8 часов, или по меньшей мере 12 часов, или по меньшей мере 18 часов, или по меньшей мере 24 часа, или по меньшей мере одну неделю, или по меньшей мере один месяц. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения указанный заранее заданный промежуток времени составляет самое большее 3 месяца, или самое большее один месяц, или самое большее одну неделю, или самое большее 24 часа. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения указанный заранее заданный промежуток времени составляет 1 минуту - 3 месяца, или 10 минут - один месяц, или 0,5 часа - одну неделю. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения указанный заранее заданный промежуток времени составляет 0,5 часа - 3 месяца.In yet another embodiment of the present invention, exposure to incident radiation of a predetermined type is stored in the sensor material for a predetermined amount of time before the sensor material is subjected to heat treatment and/or optical excitation. In yet another embodiment of the present invention, said predetermined period of time is at least 1 minute, or at least 2 minutes, or at least 5 minutes, or at least 10 minutes, or at least 15 minutes, or at least at least 0.5 hour, or at least 1 hour, or at least 2 hours, or at least 5 hours, or at least 6 hours, or at least 8 hours, or at least 12 hours, or at least 18 hours, or at least 24 hours, or at least one week, or at least one month. In yet another embodiment of the present invention, said predetermined period of time is at most 3 months, or at most one month, or at most one week, or at most 24 hours. In yet another embodiment of the present invention, said predetermined time interval is 1 minute - 3 months, or 10 minutes - one month, or 0.5 hour - one week. In yet another embodiment of the present invention, said predetermined period of time is 0.5 hour - 3 months.

Изобретателям удалось выяснить, что материал датчика, описанный в этом документе, способен сохранять воздействие излучения, то есть материал датчика способен «запоминать» излучение. Кроме того, изобретателям удалось выяснить, что запомненное излучение может быть «извлечено» из материала датчика путем термической обработки и/или оптического возбуждения. Изобретателям удалось выяснить, что можно сделать такой материал датчика, чтобы при повышении его температуры он излучал видимый свет. То есть, увеличение температуры материала датчика по сравнению с температурой, при которой материал датчика был использован, приводит к тому, что материал датчика излучает видимый свет. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения термическая обработка включает нагревание материала датчика. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения термическая обработка включает повышение температуры материала датчика. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения термическая обработка включает повышение температуры материала датчика по сравнению с температурой материала датчика на шаге b). В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения термическая обработка включает повышение температуры материала датчика по меньшей мере на 10°С, или по меньшей мере на 50°С, или по меньшей мере на 100°С, или по меньшей мере на 500°С. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения термическая обработка включает воздействие на материал датчика температурой -196°С - 600°С, или -196°С - 400°С, или 0 - 600°С, или 120 - 500°С, или 180 - 400°С. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения нагревательный элемент сконфигурирован для нагревания материала датчика. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения нагревательный элемент сконфигурирован для повышения температуры материала датчика. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения нагревательный элемент сконфигурирован для повышения температуры материала датчика по сравнению с температурой материала датчика, когда его подвергали излучению заранее заданного типа. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения нагревательный элемент сконфигурирован для повышения температуры материала датчика по меньшей мере на 10°С, или по меньшей мере на 50°С, или по меньшей мере на 100°С, или по меньшей мере на 500°С. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения нагревательный элемент сконфигурирован для воздействия на материал датчика температурой -196°С-600°С, или -196°С-400°С, или 0-600°С, или 120-500°С, или 180-400°С. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения материал датчика подвергают термической обработке в течение 0,5 секунд-10 минут, или 1-5 с, или 1 с-3 минут.The inventors have found that the sensor material described in this document is capable of storing the effect of radiation, that is, the sensor material is able to "remember" the radiation. In addition, the inventors were able to find out that the stored radiation can be "extracted" from the sensor material by thermal treatment and/or optical excitation. The inventors managed to find out that it is possible to make such a material of the sensor, so that when its temperature rises, it emits visible light. That is, an increase in the temperature of the sensor material compared to the temperature at which the sensor material was used causes the sensor material to emit visible light. In yet another embodiment of the present invention, heat treatment includes heating the sensor material. In yet another embodiment of the present invention, heat treatment includes raising the temperature of the sensor material. In yet another embodiment of the present invention, the heat treatment comprises raising the temperature of the sensor material as compared to the temperature of the sensor material in step b). In yet another embodiment of the present invention, heat treatment includes raising the temperature of the sensor material by at least 10°C, or at least 50°C, or at least 100°C, or at least 500°C. In another embodiment of the present invention, heat treatment includes exposing the sensor material to a temperature of -196°C - 600°C, or -196°C - 400°C, or 0 - 600°C, or 120 - 500°C, or 180 - 400°С. In yet another embodiment of the present invention, the heating element is configured to heat the sensor material. In yet another embodiment of the present invention, the heating element is configured to raise the temperature of the sensor material. In yet another embodiment of the present invention, the heating element is configured to raise the temperature of the sensor material relative to the temperature of the sensor material when subjected to a predetermined type of radiation. In yet another embodiment of the present invention, the heating element is configured to raise the temperature of the sensor material by at least 10°C, or at least 50°C, or at least 100°C, or at least 500°C. In yet another embodiment of the present invention, the heating element is configured to expose the sensor material to a temperature of -196°C-600°C, or -196°C-400°C, or 0-600°C, or 120-500°C, or 180-400°C. In yet another embodiment of the present invention, the sensor material is heat treated for 0.5 seconds to 10 minutes, or 1 to 5 seconds, or 1 second to 3 minutes.

В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения оптическое возбуждение материала датчика включает облучение материала датчика электромагнитным излучением, имеющим длину волны 310-1400 нм. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения оптическое возбуждение материала датчика включает подвергание материала датчика ультрафиолетовому излучению и/или ближнему инфракрасному излучению. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения блок возбуждения сконфигурирован, чтобы облучать материал датчика электромагнитным излучением, имеющим длину волны 310-1400 нм. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения оптическое возбуждение материала датчика выполняют с использованием лазера, светодиода (LED), органического светодиода (OLED), активно-матричного органического светодиода (AMOLED), лампы накаливания, галогенной лампы, любого другого источника света для оптического возбуждения люминесценции или любой их комбинации. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения блок возбуждения представляет собой лазер, светодиод (LED), органический светодиод (OLED), активно матричный органический светодиод (AMOLED), лампу накаливания, галогенную лампу, любой другой источник света для оптического возбуждения люминесценции или любую их комбинацию.In yet another embodiment of the present invention, optical excitation of the sensor material includes irradiating the sensor material with electromagnetic radiation having a wavelength of 310-1400 nm. In yet another embodiment of the present invention, optical excitation of the sensor material comprises exposing the sensor material to ultraviolet radiation and/or near infrared radiation. In yet another embodiment of the present invention, the drive unit is configured to irradiate the sensor material with electromagnetic radiation having a wavelength of 310-1400 nm. In yet another embodiment of the present invention, optical excitation of the sensor material is performed using a laser, light-emitting diode (LED), organic light emitting diode (OLED), active-matrix organic light-emitting diode (AMOLED), incandescent lamp, halogen lamp, any other light source for optical excitation of luminescence or any combination of them. In yet another embodiment of the present invention, the drive unit is a laser, a light emitting diode (LED), an organic light emitting diode (OLED), an active matrix organic light emitting diode (AMOLED), an incandescent lamp, a halogen lamp, any other light source for optical excitation of luminescence, or any combination thereof. .

В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения количество видимого света, излучаемого материалом датчика, определяется оптическим изображением, фотографией, термостимулированной люминесценцией и/или оптически стимулированной люминесценцией. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения количество видимого света, излучаемого материалом датчика, определяют визуально.In yet another embodiment of the present invention, the amount of visible light emitted by the sensor material is determined by the optical image, photograph, thermally stimulated luminescence and/or optically stimulated luminescence. In yet another embodiment of the present invention, the amount of visible light emitted from the sensor material is determined visually.

В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения способ включает е) сравнение определенного количества видимого света, излучаемого материалом датчика, со справочной информацией, указывающей зависимость количества излучаемого видимого света от количества излучения заранее заданного типа, которым был облучен материал датчика. В еще одном из вариантов выполнения настоящего изобретения детекторное устройство содержит справочную информацию для указания зависимости определенного количества видимого света, излучаемого материалом датчика, от количества излучения заранее заданного типа, которым был облучен материал датчика. В еще одном из вариантов выполнения настоящего изобретения система содержит справочную информацию для указания зависимости между определенным количеством видимого света, излучаемого материалом датчика, от количества излучения заранее заданного типа, которым был облучен материал датчика. Указанная справочная информация может быть, например, графиком, таблицей и т.п., которая указывает зависимость между количеством излучения заранее заданного типа и количеством видимого света, излучаемого материалом датчика.In yet another embodiment of the present invention, the method includes f) comparing a determined amount of visible light emitted by the sensor material with reference information indicating the relationship between the amount of visible light emitted and the amount of predetermined type of radiation that the sensor material was exposed to. In yet another embodiment of the present invention, the detector device contains reference information for indicating the dependence of a certain amount of visible light emitted by the sensor material on the amount of radiation of a predetermined type with which the sensor material was irradiated. In yet another embodiment of the present invention, the system contains reference information for indicating the relationship between a certain amount of visible light emitted from the sensor material and the amount of predetermined type of radiation that was irradiated with the sensor material. Said reference information may be, for example, a graph, table, or the like, which indicates the relationship between the amount of radiation of a predetermined type and the amount of visible light emitted by the sensor material.

Изобретателям удалось выяснить, что количество видимого света, излучаемого материалом датчика, описываемым формулой (I), зависит от дозы облучения. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения количество видимого света, излучаемого материалом датчика, связано с количеством излучения заранее заданного типа, которым был облучен материал датчика, или зависит от него. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения количество видимого света, излучаемого материалом датчика, пропорционально суммарному излучению заранее заданного типа, которым был облучен материал датчика.The inventors have found that the amount of visible light emitted by the sensor material described by formula (I) depends on the radiation dose. In yet another embodiment of the present invention, the amount of visible light emitted from the sensor material is related to or dependent on the amount of predetermined type of radiation that the sensor material was exposed to. In yet another embodiment of the present invention, the amount of visible light emitted from the sensor material is proportional to the total predetermined type of radiation that the sensor material was exposed to.

В еще одном из вариантов выполнения настоящего изобретения М' представляет собой моноатомный катион щелочного металла, выбранный из группы, содержащей Na, Li, K, и Rb, или любую комбинацию таких катионов. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения М' представляет собой моноатомный катион щелочного металла, выбранный из группы, содержащей Li, K, и Rb, или любую комбинацию таких катионов.In yet another embodiment of the present invention, M' is a monatomic alkali metal cation selected from the group consisting of Na, Li, K, and Rb, or any combination of such cations. In yet another embodiment of the present invention, M' is a monatomic alkali metal cation selected from the group consisting of Li, K, and Rb, or any combination of such cations.

В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения М' представляет собой моноатомный катион щелочного металла, выбранный из группы 1 периодической таблицы элементов IUPAC, или любую комбинацию таких катионов с оговоркой, что М' не представляет собой моноатомный катион одного только Na. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения М' не представляет моноатомный катион только одного только Na.In yet another embodiment of the present invention, M' is a monoatomic alkali metal cation selected from Group 1 of the IUPAC Periodic Table of the Elements, or any combination of such cations, with the proviso that M' is not a monoatomic cation of Na alone. In yet another embodiment of the present invention, M' is not a monoatomic cation of Na alone.

В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения материал датчика представляет собой синтетический материал. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения материал датчика изготовлен синтетически.In yet another embodiment of the present invention, the sensor material is a synthetic material. In yet another embodiment of the present invention, the sensor material is made synthetically.

Указание на то, что присутствует по меньшей мере один из элементов X и X', в этом документе следует понимать, если не формулировано иначе, что присутствуют или X, или X', или как X, так и X'.An indication that at least one of the elements X and X' is present is to be understood in this document, unless otherwise stated, that either X or X' or both X and X' are present.

В данном документе, если не сформулировано иначе, выражение «моноатомарный ион» следует понимать как ион, состоящий из единственного атома. Если ион содержит больше одного атома, даже если эти атомы представляют собой тот же самый элемент, то его следует считать многоатомным ионом. Таким образом, в данном документе, если не сформулировано иначе, выражение «моноатомный катион» следует понимать как катион, состоящий из единственного атома.In this document, unless otherwise stated, the expression "monoatomic ion" should be understood as an ion consisting of a single atom. If an ion contains more than one atom, even if these atoms are the same element, then it should be considered a polyatomic ion. Thus, in this document, unless otherwise stated, the expression "monoatomic cation" should be understood as a cation consisting of a single atom.

Гакманит, который является разновидностью содалита, является природным минералом, имеющим химическую формулу Na₈Al₆Si₆O₂₄ (Cl, S)₂. Синтетический материал на основе гакманита демонстрирует, что можно добиться длительного послесвечения. Материал датчика, представленный формулой (I), после того как его подвергли, например, ультрафиолетовому излучению или солнечному свету, демонстрирует эффект длительного послесвечения белого цвета. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения длина волны испускания материала датчика составляет 370-730 нм. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения пик испускания материала датчика составляет приблизительно 515 нм.Hakmanite, which is a kind of sodalite, is a natural mineral having the chemical formula Na ₈ Al ₆ Si ₆ O ₂₄ (Cl, S) ₂ . A synthetic material based on hackmanite demonstrates that a long afterglow can be achieved. The sensor material represented by the formula (I), after being subjected to, for example, ultraviolet radiation or sunlight, exhibits a long white afterglow effect. In yet another embodiment of the present invention, the emission wavelength of the sensor material is 370-730 nm. In yet another embodiment of the present invention, the emission peak of the sensor material is approximately 515 nm.

В данном документе, если не сформулировано иначе, выражения «послесвечение», «люминесценция», «длительная люминесценция», «фосфоресценция» или любое соответствующее выражение следует понимать как относящееся к явлению, с которым приходится сталкиваться в материалах, которое заставляет их светиться в темноте после термической обработки и/или оптического возбуждения.In this document, unless otherwise stated, the expressions "afterglow", "luminescence", "sustained luminescence", "phosphorescence" or any corresponding expression should be understood as referring to a phenomenon encountered in materials that causes them to glow in the dark. after heat treatment and/or optical excitation.

В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения М' представляет собой комбинацию по меньшей мере двух моноатомных катионов различных щелочных металлов, выбранных из Группы 1 периодической таблицы элементов IUPAC.In yet another embodiment of the present invention, M' is a combination of at least two different alkali metal monatomic cations selected from Group 1 of the IUPAC Periodic Table of the Elements.

В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения М' представляет собой комбинацию по меньшей мере двух моноатомных катионов различных щелочных металлов, выбранных из Группы 1 периодической таблицы элементов IUPAC, и при этом указанная комбинация содержит самое большее 66 молярных процентов (мол. %) моноатомного катиона Na. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения М' представляет собой комбинацию по меньшей мере двух моноатомных катионов различных щелочных металлов, выбранных из Группы 1 периодической таблицы элементов IUPAC, и при этом указанная комбинация содержит самое большее 50 мол.% моноатомного катиона Na. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения М' представляет собой комбинацию по меньшей мере двух моноатомных катионов различных щелочных металлов, выбранных из Группы 1 периодической таблицы элементов IUPAC, и при этом указанная комбинация содержит самое большее 40 мол. % моноатомного катиона Na, или самое большее 30 мол. % моноатомного катиона Na, или самое большее 20 мол. % моноатомного катиона Na.In yet another embodiment of the present invention, M' is a combination of at least two monatomic cations of different alkali metals selected from Group 1 of the IUPAC Periodic Table of the Elements, and said combination contains at most 66 mole percent (mole %) of the monatomic cation Na . In yet another embodiment of the present invention, M' is a combination of at least two monatomic cations of different alkali metals selected from Group 1 of the IUPAC Periodic Table of the Elements, and said combination contains at most 50 mole % of the monatomic Na cation. In yet another embodiment of the present invention, M' is a combination of at least two monatomic cations of different alkali metals selected from Group 1 of the IUPAC periodic table of elements, and this combination contains at most 40 mol. % monoatomic cation Na, or at most 30 mol. % monoatomic cation Na, or at most 20 mol. % monoatomic Na cation.

В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения М' представляет собой комбинацию по меньшей мере двух моноатомных катионов различных щелочных металлов, выбранных из Группы 1 периодической таблицы элементов IUPAC, и при этом указанная комбинация содержит 0-98 мол. % моноатомного катиона Na. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения М' представляет собой комбинацию по меньшей мере двух моноатомных катионов различных щелочных металлов, выбранных из Группы 1 периодической таблицы элементов IUPAC, и при этом указанная комбинация содержит 0-100 мол. % моноатомного катиона K. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения М' представляет собой комбинацию по меньшей мере двух моноатомных катионов различных щелочных металлов, выбранных из Группы 1 периодической таблицы элементов IUPAC, и при этом указанная комбинация содержит 0-100 мол. % моноатомного катиона Rb. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения М' представляет собой комбинацию по меньшей мере двух моноатомных катионов различных щелочных металлов, выбранных из Группы 1 периодической таблицы элементов IUPAC, и при этом указанная комбинация содержит 0-100 мол. % моноатомного катиона Li.In yet another embodiment of the present invention, M' is a combination of at least two monatomic cations of different alkali metals selected from Group 1 of the IUPAC periodic table of elements, and this combination contains 0-98 mol. % monoatomic Na cation. In yet another embodiment of the present invention, M' is a combination of at least two monatomic cations of different alkali metals selected from Group 1 of the IUPAC periodic table of elements, and this combination contains 0-100 mol. % monatomic cation K. In another embodiment of the present invention, M' is a combination of at least two monatomic cations of different alkali metals selected from Group 1 of the IUPAC periodic table of elements, and this combination contains 0-100 mol. % monoatomic cation Rb. In yet another embodiment of the present invention, M' is a combination of at least two monatomic cations of different alkali metals selected from Group 1 of the IUPAC periodic table of elements, and this combination contains 0-100 mol. % monoatomic Li cation.

В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения М' представляет собой комбинацию по меньшей мере двух моноатомных катионов различных щелочных металлов, выбранных из группы, содержащей Li, Na, K и Rb. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения М' представляет собой комбинацию двух моноатомных катионов различных щелочных металлов, выбранных из группы, содержащей Li, Na, K и Rb. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения М' представляет собой комбинацию трех моноатомных катионов различных щелочных металлов, выбранных из группы, содержащей Li, Na, K, и Rb. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения М' представляет собой комбинацию моноатомных катионов Li, Na, K и Rb.In yet another embodiment of the present invention, M' is a combination of at least two monatomic cations of different alkali metals selected from the group consisting of Li, Na, K and Rb. In yet another embodiment of the present invention, M' is a combination of two different alkali metal monatomic cations selected from the group consisting of Li, Na, K and Rb. In yet another embodiment of the present invention, M' is a combination of three different alkali metal monatomic cations selected from the group consisting of Li, Na, K, and Rb. In yet another embodiment of the present invention, M' is a combination of Li, Na, K, and Rb monatomic cations.

В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения М' представляет собой комбинацию моноатомного катиона Na с моноатомным катионом Li, моноатомным катионом K и/или моноатомным катионом Rb. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения М' представляет собой комбинацию моноатомного катиона Na с моноатомным катионом K или моноатомным катионом Rb. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения М' представляет собой комбинацию моноатомного катиона Na с моноатомным катионом K и моноатомным катионом Rb.In yet another embodiment of the present invention, M' is a combination of a monatomic Na cation with a monatomic Li cation, a monatomic K cation and/or a monatomic Rb cation. In yet another embodiment of the present invention, M' is a combination of a monoatomic Na cation with a monoatomic K cation or a monoatomic Rb cation. In yet another embodiment of the present invention, M' is a combination of a monatomic Na cation with a monatomic K cation and a monatomic Rb cation.

В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения М' представляет собой комбинацию моноатомного катиона Na и моноатомного катиона K; или комбинацию моноатомного катиона Na и моноатомного катиона Rb; или комбинацию моноатомного катиона K и моноатомного катиона Rb; или комбинацию моноатомного катиона Na, моноатомного катиона K и моноатомного катиона Rb; или комбинацию моноатомного катиона K и моноатомного катиона Rb.In yet another embodiment of the present invention, M' is a combination of a monoatomic Na cation and a monoatomic K cation; or a combination of a monoatomic Na cation and a monoatomic Rb cation; or a combination of a monoatomic cation K and a monoatomic cation Rb; or a combination of a monatomic Na cation, a monatomic K cation, and a monatomic Rb cation; or a combination of a monoatomic cation K and a monoatomic cation Rb.

В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения М' представляет собой комбинацию моноатомного катиона Li и моноатомного катиона Na; или комбинацию моноатомного катиона Li и моноатомного катиона K; или комбинацию моноатомного катиона Li и моноатомного катиона Rb; или комбинацию моноатомного катиона Li, моноатомного катиона K и моноатомного катиона Rb; или комбинацию моноатомного катиона Li, моноатомного катиона Na, моноатомного катиона L и моноатомного катиона Rb.In yet another embodiment of the present invention, M' is a combination of a monoatomic Li cation and a monoatomic Na cation; or a combination of a Li monoatomic cation and a K monoatomic cation; or a combination of a monoatomic Li cation and a monoatomic Rb cation; or a combination of a monatomic Li cation, a monatomic K cation, and a monatomic Rb cation; or a combination of a monoatomic Li cation, a monoatomic Na cation, a monoatomic L cation, and a monoatomic Rb cation.

В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения М' представляет собой моноатомный катион Li. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения М' представляет собой моноатомный катион K. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения М' представляет собой моноатомный катион Rb.In yet another embodiment of the present invention, M' is a monoatomic Li cation. In yet another embodiment of the present invention, M' is a monatomic cation K. In yet another embodiment of the present invention, M' is a monatomic cation Rb.

Управляя комбинацией по меньшей мере двух моноатомных катионов различных щелочных металлов, выбранных из группы 1 периодической таблицы элементов IUPAC, можно управлять способностью материала изменять цвет и/или демонстрировать послесвечение.By controlling a combination of at least two different alkali metal monatomic cations selected from Group 1 of the IUPAC Periodic Table of the Elements, the ability of a material to change color and/or exhibit afterglow can be controlled.

В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения М'' представляет собой трехвалентный моноатомный катион металла, выбранного из группы, содержащей Al и Ga, или комбинацию таких катионов.In yet another embodiment of the present invention, M'' is a trivalent monatomic metal cation selected from the group containing Al and Ga, or a combination of such cations.

В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения М'' представляет собой трехвалентный моноатомный катион В.In yet another embodiment of the present invention, M'' is a trivalent monoatomic cation B.

В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения М'' представляет собой трехвалентный моноатомный катион элемента, выбранного из группы, содержащей Cr, Mn, Fe, Со, Ni и Zn, или любую комбинацию таких катионов.In yet another embodiment of the present invention, M'' is a trivalent monatomic cation of an element selected from the group consisting of Cr, Mn, Fe, Co, Ni, and Zn, or any combination of such cations.

В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения М''' представляет собой моноатомный катион элемента, выбранного из группы, содержащей Si, Ge, Al, Ga, N, P и As, или любую комбинацию таких катионов.In yet another embodiment of the present invention, M''' is a monatomic cation of an element selected from the group consisting of Si, Ge, Al, Ga, N, P, and As, or any combination of such cations.

В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения М''' представляет собой моноатомный катион элемента, выбранного из группы, содержащей Si и Ge, или комбинацию таких катионов.In yet another embodiment of the present invention, M''' is a monatomic cation of an element selected from the group consisting of Si and Ge, or a combination of such cations.

В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения М''' представляет собой моноатомный катион элемента, выбранного из группы, содержащей Al, Ga, N, Р и As, или любую комбинацию таких катионов.In yet another embodiment of the present invention, M''' is a monatomic cation of an element selected from the group consisting of Al, Ga, N, P and As, or any combination of such cations.

В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения М''' представляет собой моноатомный катион элемента, выбранного из группы, содержащей Al и Ga, или комбинацию таких катионов.In yet another embodiment of the present invention, M''' is a monatomic cation of an element selected from the group containing Al and Ga, or a combination of such cations.

В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения М''' представляет собой моноатомный катион элемента, выбранного из группы, содержащей N, Р и As, или любую комбинацию таких катионов.In yet another embodiment of the present invention, M''' is a monatomic cation of an element selected from the group consisting of N, P and As, or any combination of such cations.

В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения М''' представляет собой моноатомный катион Zn.In yet another embodiment of the present invention, M''' is a monoatomic Zn cation.

В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения X представляет собой анион элемента, выбранного из группы, содержащей F, Cl, Br, I и At, или любую комбинацию таких анионов. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения X представляет собой анион элемента, выбранного из группы, содержащей F, О, Br и I, или любую комбинацию таких анионов. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения X отсутствует.In yet another embodiment of the present invention, X is an anion of an element selected from the group consisting of F, Cl, Br, I, and At, or any combination of such anions. In yet another embodiment of the present invention, X is an anion of an element selected from the group consisting of F, O, Br and I, or any combination of such anions. In yet another embodiment of the present invention, X is absent.

В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения X' представляет собой анион элемента, выбранного из группы, содержащей О, S, Se и Те, или любую комбинацию таких анионов. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения X' представляет собой анион S. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения X' отсутствует.In yet another embodiment of the present invention, X' is an anion of an element selected from the group consisting of O, S, Se and Te, or any combination of such anions. In yet another embodiment of the present invention, X' is an anion S. In yet another embodiment of the present invention, X' is absent.

В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения указанный материал легирован по меньшей мере одним ионом переходного металла. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения материал представлен формулой (I), при этом М'''' представляет собой катион элемента, выбранного из переходных металлов периодической таблицы элементов IUPAC, или любую комбинацию таких катионов. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения М'''' представляет собой катион элемента, выбранного из группы, содержащей Ti, V, Cr, Mn, Fe, Со, Ni, Cu и Zn, или любую комбинацию таких катионов. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения М'''' представляет собой катион Ti.In yet another embodiment of the present invention, said material is doped with at least one transition metal ion. In yet another embodiment of the present invention, the material is represented by formula (I), wherein M'''' is a cation of an element selected from the transition metals of the IUPAC Periodic Table of the Elements, or any combination of such cations. In yet another embodiment of the present invention, M'''' is a cation of an element selected from the group consisting of Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu and Zn, or any combination of such cations. In yet another embodiment of the present invention, M'''' is a Ti cation.

В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения указанный материал представлен формулой (I), при этом М'''' отсутствует. В этом варианте выполнения настоящего изобретения материал не легирован.In another embodiment of the present invention, the specified material is represented by formula (I), while M'''' is absent. In this embodiment of the present invention, the material is not alloyed.

В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения указанный материал, представленный формулой (I), содержит М'''' в количестве 0,001-10 мол. %, или 0,001-5 мол. %, или 0,1-5 мол. % от общего количества материала.In another embodiment of the present invention, said material represented by formula (I) contains M'''' in an amount of 0.001-10 mol. %, or 0.001-5 mol. %, or 0.1-5 mol. % of the total amount of material.

В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения указанный материал выбран из группы, содержащей:In yet another embodiment of the present invention, said material is selected from the group consisting of:

(Li_xNa_l-x-y-zK_yRb_z)₈(Al,Ga)₆Si₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti,(Li _x Na _lxyz K _y Rb _z ) ₈ (Al,Ga) ₆ Si ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti,

(Li_xNa_l-x-y-zK_yRb_z)₈(Al,Cr)₆Si₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti(Li _x Na _lxyz K _y Rb _z ) ₈ (Al,Cr) ₆ Si ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti

(Li_xNa_l-x-y-zK_yRb_z)₈(Al,Mn)₆Si₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti,(Li _x Na _lxyz K _y Rb _z ) ₈ (Al,Mn) ₆ Si ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti,

(Li_xNa_l-x-y-zK_yRb_z)₈(Al,Fe)₆Si₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti,(Li _x Na _lxyz K _y Rb _z ) ₈ (Al,Fe) ₆ Si ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti,

(Li_xNa_l-x-y-zK_yRb_z)₈(Al,Co)₆Si₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti,(Li _x Na _lxyz K _y Rb _z ) ₈ (Al,Co) ₆ Si ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti,

(Li_xNa_l-x-y-zK_yRb_z)₈(Al,Ni)₆Si₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti,(Li _x Na _lxyz K _y Rb _z ) ₈ (Al,Ni) ₆ Si ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti,

(Li_xNa_l-x-y-zK_yRb_z)₈(Al,Cu)₆Si₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti,(Li _x Na _lxyz K _y Rb _z ) ₈ (Al,Cu) ₆ Si ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti,

(Li_xNa_l-x-y-zK_yRb_z)₈(Al,B)₆Si₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti,(Li _x Na _lxyz K _y Rb _z ) ₈ (Al,B) ₆ Si ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti,

(Li_xNa_l-x-y-zK_yRb_z)₈Mn₆Si₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti,(Li _x Na _lxyz K _y Rb _z ) ₈ Mn ₆ Si ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti,

(Li_xNa_l-x-y-zK_yRb_z)₈Cr₆Si₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti,(Li _x Na _lxyz K _y Rb _z ) ₈ Cr ₆ Si ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti,

(Li_xNa_l-x-y-zK_yRb_z)₈Fe₆Si₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti,(Li _x Na _lxyz K _y Rb _z ) ₈ Fe ₆ Si ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti,

(Li_xNa_1-x-y-zK_yRb_z)₈Co₆Si₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti,(Li _x Na _1-xyz K _y Rb _z ) ₈ Co ₆ Si ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti,

(Li_xNa_l-x-y-zK_yRb_z)₈Ni₆Si₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti,(Li _x Na _lxyz K _y Rb _z ) ₈ Ni ₆ Si ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti,

(Li_xNa_l-x-y-zK_yRb_z)₈Cu₆Si₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti,(Li _x Na _lxyz K _y Rb _z ) ₈ Cu ₆ Si ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti,

(Li_xNa_l-x-y-zK_yRb_z)₈B₆Si₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti,(Li _x Na _lxyz K _y Rb _z ) ₈ B ₆ Si ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti,

(Li_xNa_l-x-y-zK_yRb_z)₈Ga₆Si₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti,(Li _x Na _lxyz K _y Rb _z ) ₈ Ga ₆ Si ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti,

(Li_xNa_l-x-y-zK_yRb_z)₈Al₆(Si,Zn)₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti,(Li _x Na _lxyz K _y Rb _z ) ₈ Al ₆ (Si,Zn) ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti,

(Li_xNa_l-x-y-zK_yRb_z)₈Al₆(Si,Ge)₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti,(Li _x Na _lxyz K _y Rb _z ) ₈ Al ₆ (Si,Ge) ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti,

(Li_xNa_l-x-y-zK_yRb_z)₈Al₆Zn₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti,(Li _x Na _lxyz K _y Rb _z ) ₈ Al ₆ Zn ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti,

(Li_xNa_1-x-y-zK_yRb_z)₈Al₆Ge₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti,(Li _x Na _1-xyz K _y Rb _z ) ₈ Al ₆ Ge ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti,

(Li_xNa_l-x-y-zK_yRb_z)₈Al₆(Ga,Si,N)₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti,(Li _x _Nalxyz K _y Rb _z ) ₈ Al ₆ (Ga,Si,N) ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti,

(Li_xNa_l-x-y-zK_yRb_z)₈Al₆(Ga,Si,As)₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti,(Li _x _Nalxyz K _y Rb _z ) ₈ Al ₆ (Ga,Si,As) ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti,

(Li_xNa_l-x-y-zK_yRb_z)₈Al₆(Ga,N)₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti,(Li _x Na _lxyz K _y Rb _z ) ₈ Al ₆ (Ga,N) ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti,

(Li_xNa_l-x-y-zK_yRb_z)₈Al₆(Ga,As)₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti,(Li _x Na _lxyz K _y Rb _z ) ₈ Al ₆ (Ga,As) ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti,

(Li_xNa_l-x-y-zK_yRb_z)₈(Al,Ga)₆Ge₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti,(Li _x Na _lxyz K _y Rb _z ) ₈ (Al,Ga) ₆ Ge ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti,

(Li_xNa_l-x-y-zK_yRb_z)₈(Al,Cr)₆Ge₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti,(Li _x Na _lxyz K _y Rb _z ) ₈ (Al,Cr) ₆ Ge ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti,

(Li_xNa_l-x-y-zK_yRb_z)₈(Al,Mn)₆Ge₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti,(Li _x Na _lxyz K _y Rb _z ) ₈ (Al,Mn) ₆ Ge ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti,

(Li_xNa_l-x-y-zK_yRb_z)₈(Al,Fe)₆Ge₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti,(Li _x Na _lxyz K _y Rb _z ) ₈ (Al,Fe) ₆ Ge ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti,

(Li_xNa_l-x-y-zK_yRb_z)₈(Al,Co)₆Ge₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti,(Li _x Na _lxyz K _y Rb _z ) ₈ (Al,Co) ₆ Ge ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti,

(Li_xNa_1-x-y-zK_yRb_z)₈(Al,Ni)₆Ge₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti,(Li _x Na _1-xyz K _y Rb _z ) ₈ (Al,Ni) ₆ Ge ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti,

(Li_xNa_l-x-y-zK_yRb_z)₈(Al,Cu)₆Ge₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti,(Li _x Na _lxyz K _y Rb _z ) ₈ (Al,Cu) ₆ Ge ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti,

(Li_xNa_l-x-y-zK_yRb_z)₈(Al,B)₆Ge₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti,(Li _x Na _lxyz K _y Rb _z ) ₈ (Al,B) ₆ Ge ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti,

(Li_xNa_l-x-y-zK_yRb_z)₈Mn₆Ge₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti,(Li _x Na _lxyz K _y Rb _z ) ₈ Mn ₆ Ge ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti,

(Li_xNa_l-x-y-zK_yRb_z)₈Cr₆Ge₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti,(Li _x Na _lxyz K _y Rb _z ) ₈ Cr ₆ Ge ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti,

(Li_xNa_l-x-y-zK_yRb_z)₈Fe₆Ge₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti,(Li _x Na _lxyz K _y Rb _z ) ₈ Fe ₆ Ge ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti,

(Li_xNa_l-x-y-zK_yRb_z)₈Co₆Ge₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti,(Li _x Na _lxyz K _y Rb _z ) ₈ Co ₆ Ge ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti,

(Li_xNa_1-x-y-zK_yRb_z)₈Ni₆Ge₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti,(Li _x Na _1-xyz K _y Rb _z ) ₈ Ni ₆ Ge ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti,

(Li_xNa_l-x-y-zK_yRb_z)₈Cu₆Ge₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti,(Li _x Na _lxyz K _y Rb _z ) ₈ Cu ₆ Ge ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti,

(Li_xNa_l-x-y-zK_yRb_z)₈B₆Ge₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti, and(Li _x Na _lxyz K _y Rb _z ) ₈ B ₆ Ge ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti, and

(Li_xNa_l-x-y-zK_yRb_z)₈Ga₆Ge₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti,(Li _x Na _lxyz K _y Rb _z ) ₈ Ga ₆ Ge ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti,

гдеwhere

x+y+z ≤ l, иx+y+z ≤ l, and

x≥0, y≥0, z≥0.x≥0, y≥0, z≥0.

В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения указанный материал выбран из группы, содержащейIn yet another embodiment of the present invention, said material is selected from the group consisting

(Li,Na)₈(AlSi)₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti,(Li,Na) ₈ (AlSi) ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti,

(Na,K)₈(AlSi)₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti и(Na,K) ₈ (AlSi) ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti and

(Na,Rb)₈(AlSi)₆O₂₄(Cl,S)₂:Ti.(Na,Rb) ₈ (AlSi) ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂ :Ti.

В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения указанный материал синтезируют посредством реакции, описанной в работе Норббо и др. (Norrbo, I.; Gluchowski, P.; Paturi, P.; Sinkkonen, J.; Lastusaari, M., Persistent Luminescence of Tenebrescent Na8A16Si6024(Cl,S)2: Multifunctional Optical Markers. Inorg. Chem. 2015, 54, 7717-7724), которая ссылается на работу Армстронга и Уеллера (Armstrong, J.A.; Weller, J.A. Structural Observation of Photochromism. Chem. Commun. 2006, 1094-1096), и в качестве сырья используется стехиометрическое количество цеолита А и Na₂SO₄, а также LiCl, NaCl, KCl и/или RbCl. Добавляют по меньшей мере одну легирующую примесь в виде оксида, например TiO₂. Указанный материал может быть приготовлен следующим образом: цеолит А сначала сушат при 500°С в течение 1 часа. Затем исходную смесь нагревают до 850°С на воздухе в течение 48 часов. Затем продукт естественным образом охлаждают до комнатной температуры и измельчают. Наконец, продукт нагревают до 850°С в течение 2 часов в проточной атмосфере 12% Н₂+88% N₂. Такие приготовленные материалы промывают водой для удаления любых излишков примеси LiCl/NaCl/KCl/RbCl. Чистоту можно проверить измерением дифракции рентгеновского излучения на порошке.In yet another embodiment of the present invention, said material is synthesized by the reaction described by Norrbo et al. (Norrbo, I.; Gluchowski, P.; Paturi, P.; Sinkkonen, J.; Lastusaari, M., Persistent Luminescence of Tenebrescent Na8A16Si6024(Cl,S)2: Multifunctional Optical Markers. Inorg. Chem. 2015, 54, 7717-7724), which refers to Armstrong, JA; Weller, JA Structural Observation of Photochromism. Chem. Commun. 2006 , 1094-1096), and the raw material used is a stoichiometric amount of zeolite A and Na ₂ SO ₄ , as well as LiCl, NaCl, KCl and/or RbCl. Add at least one dopant in the form of an oxide, such as TiO ₂ . Said material can be prepared as follows: Zeolite A is first dried at 500° C. for 1 hour. Then the initial mixture is heated to 850°C in air for 48 hours. The product is then naturally cooled to room temperature and ground. Finally, the product is heated to 850°C for 2 hours in a running atmosphere of 12% H ₂ +88% N ₂ . Such prepared materials are washed with water to remove any excess LiCl/NaCl/KCl/RbCl impurities. Purity can be checked by measuring the X-ray diffraction on the powder.

В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения указанный материал датчика может поглощать свет с первой длиной волны и испускать по меньшей мере часть принятой таким образом энергии в виде света со второй длиной волны, которая больше, чем первая длина волны. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения указанный материал датчика сконфигурирован так, чтобы поглощать по меньшей мере часть света, излучаемого осветительным устройством, и испускать по меньшей мере часть принятой таким образом энергии в виде света со второй длиной волны, которая больше, чем первая длина волны. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения излучаемый свет по меньшей мере частично поглощается материалом датчика, и энергия, поглощенная таким образом, по меньшей мере частично испускается материалом датчика, так что спектр света, излучаемого люминесцентным материалом датчика, отличается от спектра света, поглощенного им. Под тем, что вторая длина волны превышает первую длину волны, подразумевается, что длина волны пика в спектре света, излучаемого люминесцентным материалом, больше, чем длина волны пика в спектре света, поглощенного люминесцентным материалом.In yet another embodiment of the present invention, said sensor material may absorb light at a first wavelength and emit at least a portion of the energy thus received as light at a second wavelength greater than the first wavelength. In yet another embodiment of the present invention, said sensor material is configured to absorb at least a portion of the light emitted by the lighting device and emit at least a portion of the energy thus received as light at a second wavelength greater than the first wavelength. . In yet another embodiment of the present invention, the emitted light is at least partially absorbed by the sensor material, and the energy thus absorbed is at least partially emitted by the sensor material, so that the spectrum of light emitted by the luminescent sensor material is different from the spectrum of light absorbed by it. By the fact that the second wavelength is longer than the first wavelength, it is meant that the wavelength of the peak in the spectrum of light emitted by the luminescent material is greater than the wavelength of the peak in the spectrum of light absorbed by the luminescent material.

В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения материал датчика представляет собой материал, излучающий белый свет. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения материал датчика сконфигурирован так, чтобы быть стабильным в течение по меньшей мере 50 часов, или по меньшей мере 55 часов, или по меньшей мере 60 часов, или по меньшей мере 65 часов. Этот материал датчика имеет дополнительную способность демонстрировать длительное послесвечение белого цвета. Не ограничивая изобретение какой-либо конкретной теорией о том, почему материал датчика обладает вышеуказанными преимуществами, отмечаем, что наличие легирующего катиона влияет на материал так, что делает его стабильным в течение длительного времени.In yet another embodiment of the present invention, the sensor material is a white light emitting material. In yet another embodiment of the present invention, the sensor material is configured to be stable for at least 50 hours, or at least 55 hours, or at least 60 hours, or at least 65 hours. This sensor material has the additional ability to exhibit a long white afterglow. Without limiting the invention to any particular theory as to why the sensor material has the above advantages, it is noted that the presence of a dopant cation affects the material in a way that makes it stable for a long time.

В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения материал датчика представляет собой часть элемента датчика. Люминесцентный материал датчика, или элемент датчика, может быть нанесен, например, на этикетку. Этот материал может также быть подмешан в виде порошка в сырье, используемое для производства пластмассовой бутылки, стикера, стакана и аналогичного изделия. Кроме того, настоящее изобретение относится к применению материала согласно одному или большему количеству описанных здесь вариантов выполнения настоящего изобретения в трехмерной печати.In yet another embodiment of the present invention, the sensor material is part of the sensor element. The luminescent sensor material, or sensor element, may be applied to a label, for example. This material can also be mixed in powder form into raw materials used for the production of plastic bottles, stickers, cups and the like. In addition, the present invention relates to the use of material according to one or more embodiments of the present invention described herein in three-dimensional printing.

В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения способ, описанный в данном документе, используется при создании изображений, диагностике, разработке лекарственных средств, разработке продуктов, при тестировании или в технике обнаружения. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения детекторное устройство, описанное в данном документе, используется при создании изображений, диагностике, разработке лекарственных средств, разработке продуктов, при тестировании или в технике обнаружения. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения система, описанная в этом документе, используется при создании изображений, диагностике, разработке лекарственных средств, разработке продуктов, при тестировании или в технике обнаружения. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения указанное изображение представляет собой изображение in vivo (на живом организме). В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения указанное изображение представляет собой медицинское изображение. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения диагностика представляет собой диагностику in vivo. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения тестирование представляет собой тестирование в месте оказания медицинской помощи. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения способ, детекторное устройство и/или система, описанные в этом документе, могут использоваться для диагностирования пробы, взятой из тела человека или животного. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения пробу выбирают из группы, содержащей жидкости и ткани тела. В еще одном варианте выполнения настоящего изобретения выборка включает кровь, кожу, ткань и/или клетки.In yet another embodiment of the present invention, the method described herein is used in imaging, diagnostics, drug development, product development, testing, or detection techniques. In yet another embodiment of the present invention, the detector device described herein is used in imaging, diagnostics, drug development, product development, testing, or detection techniques. In yet another embodiment of the present invention, the system described in this document is used in imaging, diagnostics, drug development, product development, testing, or detection techniques. In yet another embodiment of the present invention, said image is an in vivo image (on a living organism). In yet another embodiment of the present invention, said image is a medical image. In yet another embodiment of the present invention, the diagnosis is an in vivo diagnosis. In yet another embodiment of the present invention, testing is point-of-care testing. In yet another embodiment of the present invention, the method, detector device and/or system described in this document can be used to diagnose a sample taken from a human or animal body. In yet another embodiment of the present invention, the sample is selected from the group containing body fluids and tissues. In yet another embodiment of the present invention, the sample includes blood, skin, tissue and/or cells.

Очевидно, что выгода и преимущества, описанные выше, могут относиться к одному варианту выполнения настоящего изобретения или могут относиться к нескольким вариантам выполнения настоящего изобретения. Варианты выполнения настоящего изобретения не ограничены только теми, которые решают любые из перечисленных проблем, или теми, которые обладают любым из перечисленных выгод и преимуществ.Obviously, the benefit and advantages described above may apply to one embodiment of the present invention or may apply to several embodiments of the present invention. Embodiments of the present invention are not limited to those that solve any of the listed problems, or those that have any of the listed benefits and advantages.

Варианты выполнения настоящего изобретения, описанные выше, могут использоваться друг с другом в любой комбинации. Несколько из вариантов выполнения настоящего изобретения могут быть скомбинированы вместе с формированием дополнительного варианта выполнения настоящего изобретения. Детекторное устройство, система, применение или способ, к которым относится настоящее изобретение, могут включать по меньшей мере один из вариантов выполнения настоящего изобретения, описанных выше.The embodiments of the present invention described above may be used with each other in any combination. Several of the embodiments of the present invention may be combined together to form an additional embodiment of the present invention. The detector device, system, application or method to which the present invention pertains may include at least one of the embodiments of the present invention described above.

Материал датчика обладает дополнительной полезностью, которая заключается в том, что его можно использовать в большом спектре приложений, где требуется определять количество излучения, которым был облучен материал датчика. Кроме того, дополнительными преимуществами материала датчика являются его дешевизна и возможность многократного использования. Кроме того, дополнительным преимуществом материала датчика является то, что он безвреден для окружающей среды, поскольку не содержит редкоземельных элементов или других тяжелых металлов.The sensor material has the additional utility that it can be used in a wide range of applications where it is required to determine the amount of radiation to which the sensor material has been exposed. In addition, additional advantages of the sensor material are its low cost and reusability. In addition, an additional benefit of the sensor material is that it is environmentally friendly as it does not contain rare earth elements or other heavy metals.

Способ, детекторное устройство и система согласно настоящему изобретению обладает дополнительным преимуществом, поскольку обеспечивает возможность эффективного определения количества или дозы излучения заранее заданного типа, такого как, например, ультрафиолетовое излучение, которое присутствует, например, в солнечном свете, и воздействию которого подвергался объект.The method, detector device and system of the present invention has the additional advantage of being able to efficiently determine the amount or dose of radiation of a predetermined type, such as, for example, ultraviolet radiation, which is present, for example, in sunlight and to which an object has been exposed.

ПРИМЕРЫEXAMPLES

Ниже подробно описаны варианты выполнения настоящего изобретения, примеры которых поясняются на сопровождающих чертежах.Embodiments of the present invention are described in detail below, examples of which are illustrated in the accompanying drawings.

Описание, приведенное ниже, раскрывает некоторые варианты выполнения настоящего изобретения в подробностях, так что специалист в данной области техники будет способен использовать детекторное устройство и способ, изложенный в описании. Не все шаги вариантов выполнения настоящего изобретения обсуждаются подробно, так как многие из таких шагов будут очевидны специалисту в данной области техники из этого описания.The description below discloses some embodiments of the present invention in detail, so that a person skilled in the art will be able to use the detector device and method set forth in the description. Not all steps of the embodiments of the present invention are discussed in detail, as many of such steps will be apparent to a person skilled in the art from this description.

Для простоты позиции элементов изделия будут сохранены в последующих примерах вариантов выполнения настоящего изобретения, если эти элементы повторяются.For simplicity, the position of the elements of the product will be stored in the following examples of embodiments of the present invention, if these elements are repeated.

На фиг. 1 схематично показан один из вариантов выполнения детекторного устройства 1, предназначенного для определения количества излучения заранее заданного типа, облучившего материал датчика. Детекторное устройство 1, показанное на фиг. 1, содержит материал 2 датчика, как описано в данном документе. Материал 2 датчика может сохранять воздействие облучившего его излучение. Детекторное устройство 1, как показано на фиг. 1, дополнительно содержит нагревательный элемент 4 и/или блок 5 возбуждения. Нагревательный элемент сконфигурирован так, чтобы подвергнуть термической обработке материал датчика, облученный излучением заранее заданного типа. Блок возбуждения сконфигурирован так, чтобы подвергнуть оптическому возбуждению материал датчика, облученный излучением заранее заданного типа. С помощью теплоты и/или оптического возбуждения можно заставить материал датчика излучать видимый свет. Количество видимого света, излучаемого материалом датчика, можно затем измерить измерительным устройством 6, которое сконфигурировано так, чтобы измерить количество видимого света, излучаемого материалом датчика. Количество видимого света, излучаемого материалом датчика в результате воздействия термической обработки и/или оптического возбуждения, соответствует суммарному излучению заранее заданного типа, которым был облучен материал датчика (или связано с этим суммарным излучением).In FIG. 1 schematically shows one embodiment of a detector device 1 for determining the amount of radiation of a predetermined type that has irradiated a sensor material. The detector device 1 shown in FIG. 1 contains sensor material 2 as described in this document. The sensor material 2 can retain the effect of the radiation that has irradiated it. The detector device 1, as shown in FIG. 1 further comprises a heating element 4 and/or an excitation unit 5. The heating element is configured to heat-treat the sensor material irradiated with a predetermined type of radiation. The excitation unit is configured to optically excite the sensor material irradiated with a predetermined type of radiation. Using heat and/or optical excitation, the sensor material can be made to emit visible light. The amount of visible light emitted by the sensor material can then be measured by the measuring device 6, which is configured to measure the amount of visible light emitted by the sensor material. The amount of visible light emitted by the sensor material as a result of heat treatment and/or optical excitation corresponds to (or is related to) the total radiation of a predetermined type with which the sensor material was irradiated.

На фиг. 2 схематично показан один из вариантов выполнения системы 7 для определения количества излучения заранее заданного типа, облучившего материал датчика. Система 7, показанная на фиг. 2, содержит блок 3 облучения, который сконфигурирован так, чтобы облучить материал 2 датчика, описанный в данном документе, излучением заранее заданного типа. Жирные стрелки на фиг. 2 указывают излучение, которое из блока 3 облучения попадает на материал 2 датчика. Материал 2 датчика способен "запомнить" поглощенное излучение, в результате чего материал датчика можно, если требуется, переносить с места облучения в другое место для анализа. Однако материал датчика можно с тем же успехом анализировать на месте облучения. Система на фиг. 2 дополнительно содержит нагревательный элемент 4 и/или блок 5 возбуждения. Нагревательный элемент сконфигурирован так, чтобы подвергнуть материал датчика, облученный излучением заранее заданного типа, термической обработке. Блок возбуждения сконфигурирован так, чтобы подвергнуть материал датчика, облученный излучением заранее заданного типа, оптическому возбуждению. С помощью теплоты и/или оптического возбуждения можно заставить материал датчика излучать видимый свет. Количество видимого света, излучаемого материалом датчика, можно затем измерить измерительным устройством 6, которое сконфигурировано, чтобы измерить количество видимого света, излучаемого материалом датчика. Количество видимого света, излучаемого материалом датчика в результате воздействия термической обработки и/или оптического возбуждения, соответствует суммарному излучению заранее заданного типа, которым был облучен материал датчика (или связано с этим суммарным излучением).In FIG. 2 schematically shows one embodiment of a system 7 for determining the amount of radiation of a predetermined type that has irradiated the sensor material. System 7 shown in FIG. 2 includes an irradiation unit 3 that is configured to irradiate the sensor material 2 described herein with a predetermined type of radiation. The bold arrows in Fig. 2 indicate the radiation that from the irradiation unit 3 falls on the material 2 of the sensor. The sensor material 2 is able to "remember" the absorbed radiation, whereby the sensor material can, if required, be transferred from the irradiation site to another location for analysis. However, the sensor material can just as well be analyzed at the irradiation site. The system in Fig. 2 further comprises a heating element 4 and/or an excitation unit 5. The heating element is configured to subject the sensor material irradiated with a predetermined type of radiation to heat treatment. The drive unit is configured to subject the sensor material irradiated with a predetermined type of radiation to optical excitation. Heat and/or optical excitation can cause the sensor material to emit visible light. The amount of visible light emitted by the sensor material can then be measured by the measuring device 6, which is configured to measure the amount of visible light emitted by the sensor material. The amount of visible light emitted by the sensor material as a result of heat treatment and/or optical excitation corresponds to (or is associated with) the total radiation of a predetermined type with which the sensor material was irradiated.

В приведенных ниже примерах показано, как можно приготовить материал, представленный формулой (I).The following examples show how the material represented by formula (I) can be prepared.

ПРИМЕР 1 - Приготовление (Li, Na)₈Al₆Si₆O₂₄ (Cl, S)₂:TiEXAMPLE 1 - Preparation of (Li, Na) ₈ Al ₆ Si ₆ O ₂₄ (Cl, S) ₂ :Ti

Материал, представленный формулой (Li, Na)₈Al₆Si₆O₂₄ (Cl, S)₂:Ti, был приготовлен следующим образом: 0,7000 г высушенного (500°С в течение 1 часа) цеолита А, 0,0600 г Na₂SO₄ и 0,1700 г порошка LiCl были смешаны вместе с 0,006 г порошка TiO₂. Смесь была нагрета до 850°С на воздухе в течение 48 часов. Продукт был естественным образом охлажден до комнатной температуры и измельчен. Наконец, продукт нагревали до 850°С в течение 2 часов в потоке состава 12%Н₂+88% N₂.The material represented by the formula (Li, Na) ₈ Al ₆ Si ₆ O ₂₄ (Cl, S) ₂ :Ti was prepared as follows: 0.7000 g dried (500°C for 1 hour) zeolite A, 0.0600 g of Na ₂ SO ₄ and 0.1700 g of LiCl powder were mixed together with 0.006 g of TiO ₂ powder. The mixture was heated to 850° C. in air for 48 hours. The product was naturally cooled to room temperature and ground. Finally, the product was heated to 850°C for 2 hours in a stream of composition 12%H ₂ +88% N ₂ .

ПРИМЕР 2 - Приготовление (Na, K)₈Al₆Si₆O₂₄ (Cl, S)₂:TiEXAMPLE 2 - Preparation of (Na, K) ₈ Al ₆ Si ₆ O ₂₄ (Cl, S) ₂ :Ti

Материал, представленный формулой (Na, K)₈Al₆Si₆O₂₄ (Cl, S)₂:Ti, был приготовлен следующим образом: 0,7000 г высушенного (500°С в течение 1 часа) цеолита А, 0,0600 г Na₂SO₄, 0,1800 г NaCl и 0,0675 г порошка KCl были смешаны вместе с 0,006 г порошка TiO₂. Смесь была нагрета до 850°С на воздухе в течение 48 часов. Продукт был естественным образом охлажден до комнатной температуры и измельчен. Наконец, продукт нагревали до 850°С в течение 2 часов в потоке состава 12%Н₂+88% N₂.The material represented by the formula (Na, K) ₈ Al ₆ Si ₆ O ₂₄ (Cl, S) ₂ :Ti was prepared as follows: 0.7000 g dried (500°C for 1 hour) zeolite A, 0.0600 g Na ₂ SO ₄ , 0.1800 g NaCl and 0.0675 g KCl powder were mixed together with 0.006 g TiO ₂ powder. The mixture was heated to 850° C. in air for 48 hours. The product was naturally cooled to room temperature and ground. Finally, the product was heated to 850°C for 2 hours in a stream of composition 12%H ₂ +88% N ₂ .

ПРИМЕР 3 - Приготовление (Na, Rb)₈Al₆Si₆O₂₄ (Cl, S)₂:TiEXAMPLE 3 - Preparation of (Na, Rb) ₈ Al ₆ Si ₆ O ₂₄ (Cl, S) ₂ :Ti

Материал, представленный формулой (Na, Rb)₈Al₆Si₆O₂₄ (Cl, S)₂:Ti, был приготовлен следующим образом: 0,7000 г высушенного (500°С в течение 1 часа) цеолита А, 0,0600 г Na₂SO₄ и 0,4957 г порошка RbCl были смешаны вместе с 0,006 г порошка TiO₂. Смесь была нагрета до 850°С на воздухе в течение 48 часов. Продукт был естественным образом охлажден до комнатной температуры и измельчен. Наконец, продукт нагревали до 850°С в течение 2 часов в потоке состава 12%Н₂+88% N₂.The material represented by the formula (Na, Rb) ₈ Al ₆ Si ₆ O ₂₄ (Cl, S) ₂ :Ti was prepared as follows: 0.7000 g dried (500°C for 1 hour) zeolite A, 0.0600 g of Na ₂ SO ₄ and 0.4957 g of RbCl powder were mixed together with 0.006 g of TiO ₂ powder. The mixture was heated to 850° C. in air for 48 hours. The product was naturally cooled to room temperature and ground. Finally, the product was heated to 850°C for 2 hours in a stream of composition 12%H ₂ +88% N ₂ .

ПРИМЕР 4 - Тестирование образца (Na, K)₈Al₆Si₆O₂₄ (Cl, S)₂ EXAMPLE 4 - Sample Testing (Na, K) ₈ Al ₆ Si ₆ O ₂₄ (Cl, S) ₂

Прежде всего, материал, представленный формулой (Na, K)₈Al₆Si₆O₂₄ (Cl, S)₂, был приготовлен следующим образом: 0,7000 г высушенного (500°С в течение 1 часа) цеолита А, 0,0600 г Na₂SO₄, 0,1800 г NaCl и 0,0675 г порошка KCl были смешаны вместе. Смесь была нагрета до 850°С на воздухе в течение 48 часов. Продукт был естественным образом охлажден до комнатной температуры и измельчен. Наконец, продукт нагревали до 850°С в течение 2 часов в потоке состава 12%Н₂+88% N₂.First of all, the material represented by the formula (Na, K) ₈ Al ₆ Si ₆ O ₂₄ (Cl, S) ₂ was prepared as follows: 0.7000 g of dried (500°C for 1 hour) zeolite A, 0. 0600 g of Na ₂ SO ₄ , 0.1800 g of NaCl and 0.0675 g of KCl powder were mixed together. The mixture was heated to 850° C. in air for 48 hours. The product was naturally cooled to room temperature and ground. Finally, the product was heated to 850°C for 2 hours in a stream of composition 12%H ₂ +88% N ₂ .

Затем было произведено тестирование готового материала датчика. Во-первых, образцы готового материала освещались в течение 10 секунд с использованием 4-ваттной переносной ультрафиолетовой лампы с длиной волны 254 нм (UVP UVGL-25). Каждый образец освещался с различной мощностью (0-2,0 мВт/см²). Спустя три дня после этого освещения образцы нагрели путем повышения температуры от 0 до 400°С со скоростью 10°С/с. Их способность к термолюминесценции была измерена с использованием считывателя RA'04 (MikroLab Thermoluminescent Materials Laboratory). Результаты показаны на фиг. 3, где показаны кривые термолюминесценции, а также полная интенсивность термолюминесценции для различного облучения.Then the finished sensor material was tested. First, samples of the finished material were illuminated for 10 seconds using a 4 watt portable 254 nm UV lamp (UVP UVGL-25). Each sample was illuminated with different power (0-2.0 mW/cm ² ). Three days after this illumination, the samples were heated by increasing the temperature from 0 to 400° C. at a rate of 10° C./s. Their thermoluminescence capability was measured using an RA'04 reader (MikroLab Thermoluminescent Materials Laboratory). The results are shown in FIG. 3, which shows the thermoluminescence curves as well as the total thermoluminescence intensity for various irradiations.

Таким образом, результаты, которые представлены в фиг. 3, указывают, что готовый материал в состоянии сохранять воздействие излучения, облучившего его, так что это количество излучения можно впоследствии определить на основе способности материала датчика излучать видимый свет при термической обработке.Thus, the results which are presented in FIG. 3 indicate that the finished material is able to retain the effect of the radiation that irradiated it, so that this amount of radiation can subsequently be determined based on the ability of the sensor material to emit visible light when thermally processed.

Кроме того, образец готового материала была подвергнут дозам рентгеновского излучения Wk (59.3 кэВ). После этого материал был быстро помещен в темный контейнер. Затем было проведено считывание оптически стимулированной люминесценции (OSL) с использованием возбуждения на длине волны 470 нм в течение 10 с. Результаты показаны на фиг. 4.In addition, a sample of the finished material was subjected to X-ray doses Wk (59.3 keV). After that, the material was quickly placed in a dark container. Optically stimulated luminescence (OSL) was then read using excitation at 470 nm for 10 s. The results are shown in FIG. four.

Пример 5 - Тестирование образца (Na, Rb)₈Al₆Si₆O₂₄ (Cl, S)₂ Example 5 - Sample Testing (Na, Rb) ₈ Al ₆ Si ₆ O ₂₄ (Cl, S) ₂

Материал, представленный формулой (Na, Rb)₈Al₆Si₆O₂₄ (Cl, S)₂, был приготовлен следующим образом: 0,7000 г высушенного (500°С в течение 1 часа) цеолита А, 0,0600 г Na₂SO₄ и 0,4957 г порошка RbCl были смешаны вместе. Смесь была нагрета до 850°С на воздухе в течение 48 часов. Продукт был естественным образом охлажден до комнатной температуры и измельчен. Наконец, продукт нагревали до 850°С в течение 2 часов в потоке состава 12%Н₂+88% N₂.The material represented by the formula (Na, Rb) ₈ Al ₆ Si ₆ O ₂₄ (Cl, S) ₂ was prepared as follows: 0.7000 g dried (500°C for 1 hour) zeolite A, 0.0600 g Na ₂ SO ₄ and 0.4957 g of RbCl powder were mixed together. The mixture was heated to 850° C. in air for 48 hours. The product was naturally cooled to room temperature and ground. Finally, the product was heated to 850°C for 2 hours in a stream of composition 12%H ₂ +88% N ₂ .

Затем было проведено тестирование образца из готового материала датчика. Образец готового материала была подвергнута дозам β-излучения ⁹⁰Sr/⁹⁰Y (1,48 ГБк). После этого материал хранился в темном контейнере. Затем было проведено считывание оптически стимулированной люминесценции (OSL) с использованием возбуждения на длине волны 470 нм в течение 10 с. Результаты показаны на фиг. 5.Then, a sample was tested from the finished sensor material. A sample of the finished material was subjected to ⁹⁰ Sr/ ⁹⁰ Y (1.48 GBq) β-radiation doses. After that, the material was stored in a dark container. Optically stimulated luminescence (OSL) was then read using excitation at 470 nm for 10 s. The results are shown in FIG. 5.

Пример 6 - Тестирование образца Na₈Al₆Si₆O₂₄(Cl,S)₂ Example 6 - Testing a sample of Na ₈ Al ₆ Si ₆ O ₂₄ (Cl,S) ₂

Материал, представленный формулой Na₈Al₆Si₆O₂₄(Cl, S)₂, был приготовлен следующим образом: Было смешано 0,7000 г высушенного (500°С в течение 1 часа) цеолита А и 0,0600 г Na₂SO₄. Смесь была нагрета до 850°С на воздухе в течение 48 часов. Продукт был естественным образом охлажден до комнатной температуры и измельчен. Наконец, продукт нагревали до 850°С в течение 2 часов в потоке состава 12%Н₂+88% N₂.The material represented by the formula Na ₈ Al ₆ Si ₆ O ₂₄ (Cl, S) ₂ was prepared as follows: 0.7000 g of dried (500°C for 1 hour) zeolite A and 0.0600 g of Na ₂ SO were mixed ₄ . The mixture was heated to 850° C. in air for 48 hours. The product was naturally cooled to room temperature and ground. Finally, the product was heated to 850°C for 2 hours in a stream of composition 12%H ₂ +88% N ₂ .

Затем было произведено тестирование образца из готового материала датчика. Образец готового материала был подвергнут дозам ультрафиолетового облучения (254 нм). После этого материал быстро переместили в темный контейнер. Затем было проведено считывание оптически стимулированной люминесценции (OSL) с использованием возбуждения на длине волны 470 нм в течение 10 с. Результаты показаны на фиг. 6.Then a sample was tested from the finished sensor material. A sample of the finished material was subjected to doses of ultraviolet irradiation (254 nm). The material was then quickly transferred to a dark container. Optically stimulated luminescence (OSL) was then read using excitation at 470 nm for 10 s. The results are shown in FIG. 6.

Следует отметить, что варианты выполнения настоящего изобретения не ограничены рассмотренными выше, и могут существовать дополнительные варианты выполнения настоящего изобретения в рамках пунктов формулы изобретения.It should be noted that the embodiments of the present invention are not limited to those discussed above, and there may be additional embodiments of the present invention within the scope of the claims.

Claims

1. A method for determining the amount of radiation of a predetermined type that has irradiated the sensor material, including:

a) ensuring the presence of sensor material;

b) irradiating the sensor material with a predetermined type of radiation to maintain exposure to the predetermined type of radiation in the sensor material for a predetermined period of time;

c) subjecting the sensor material, which has been irradiated with a predetermined type of radiation, to heat treatment and/or optical excitation; and

d) determining the amount of visible light emitted by the sensor material as a result of being subjected to heat treatment and/or optical excitation;

while the sensor material is represented by the following formula (I)

,

where

M' represents a monoatomic alkali metal cation selected from the first group of the Periodic Table of the Elements of the International Union of Pure and Applied Chemistry (IUPAC), or any combination of such cations;

M'' represents a trivalent monoatomic cation of an element selected from Group 13 of the IUPAC Periodic Table of Elements, or a transition element selected from any of Groups 3-12 of the IUPAC Periodic Table of Elements, or any combination of such cations;

M''' represents a monoatomic cation of an element selected from Group 14 of the IUPAC Periodic Table of Elements, or an element selected from any of Groups 13 and 15 of the IUPAC Periodic Table of Elements, or zinc, or any combination of such cations;

X represents an anion of an element selected from Group 17 of the IUPAC Periodic Table of Elements, or any combination of such anions, or X is absent;

X' represents an anion of an element selected from Group 16 of the IUPAC Periodic Table of Elements, or any combination of such anions, or X' is absent; and

M'''' represents a dopant cation of an element selected from the transition metals of the IUPAC Periodic Table of the Elements, or any combination of such cations, or M'''' is absent;

provided that at least one of X and X' is present.

2. The method according to claim 1, wherein the predetermined type of radiation is electromagnetic radiation having a wavelength greater than 0 nm to 590 nm, or greater than 0 nm to 560 nm, or greater than 0 nm to 500 nm, or greater than 0 nm to 400 nm or more 0 nm to 300 nm or 0.000001-590 nm or 0.000001-560 nm or 0.000001-500 nm or 10-590 nm or 10-560 nm or 10- 500 nm, or 0.000001-400 nm, or 0.000001-300 nm, or 0.000001-10 nm, or 10-400 nm, or 10-300 nm, or 0.01-10 nm.

3. The method of claim 1 or 2, wherein the heat treatment comprises raising the temperature of the sensor material.

4. The method according to any one of paragraphs. 1-3, wherein the optical excitation of the sensor material includes irradiating the sensor material with electromagnetic radiation having a wavelength of 310-1400 nm.

5. The method according to any one of paragraphs. 1-4, further comprising f) comparing the measured amount of visible light emitted by the sensor material with reference information indicating the amount of visible light emitted versus the amount of predetermined type of radiation to which the sensor material was irradiated.

6. The method according to any one of paragraphs. 1-5, wherein M' is a monoatomic alkali metal cation selected from Group 1 of the IUPAC Periodic Table of the Elements, or any combination of such cations, provided that M' is not a monoatomic cation of Na alone.

7. The method according to any one of paragraphs. 1-6, wherein M' is a combination of at least two monatomic cations of different alkali metals selected from Group 1 of the IUPAC Periodic Table of the Elements.

8. The method according to any one of paragraphs. 1-7, in which M' is a combination of at least two monatomic cations of different alkali metals selected from the group containing Li, Na, K and Rb.

9. The method according to any one of paragraphs. 1-8, wherein M' is a monoatomic alkali metal cation selected from the group consisting of Li, K and Rb, or any combination of such cations.

10. The method according to any one of paragraphs. 1-9, wherein M' is a combination of a monatomic Na cation with a monatomic Li cation, a monatomic K cation, and/or a monatomic Rb cation.

11. The method according to any one of paragraphs. 1-10, in which M'' is a trivalent monoatomic metal cation selected from the group containing Al and Ga, or a combination of such cations.

12. The method according to any one of paragraphs. 1-10, in which M'' is a trivalent monoatomic cation B.

13. The method according to any one of paragraphs. 1-12, in which M''' represents a monoatomic cation of an element selected from the group containing Si and Ge, or a combination of such cations.

14. The method according to any one of paragraphs. 1-12, wherein M''' is a monatomic cation of an element selected from the group consisting of Al, Ga, N, P, and As, or any combination of such cations.

15. The method according to any one of paragraphs. 1-14, in which X is an anion of an element selected from the group containing F, Cl, Br and I, or any combination of such anions.

16. The method according to any one of paragraphs. 1-15, in which X' is an anion of an element selected from the group containing O, S, Se and Te, or any combination of such anions.

17. The method according to any one of paragraphs. 1-16, wherein M'''' is a cation of an element selected from the group consisting of Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, and Zn, or any combination of such cations.

18. Detector device (1) for determining the amount of radiation of a predetermined type that has irradiated the sensor material, comprising:

- sensor material (2) represented by formula (I), as defined in any one of paragraphs. 1-17;

a heating element (4) configured to subject the sensor material irradiated with a predetermined type of radiation to thermal treatment and/or an excitation unit (5) configured to subject the sensor material irradiated to a predetermined type of radiation to optical excitation; and

- measuring device (6) configured to measure the amount of visible light emitted by the sensor material as a result of being subjected to heat treatment and/or optical excitation.

19. The detector device according to claim 18, wherein the heating element (4) is configured to increase the temperature of the sensor material.

20. The detector device according to claim 18 or 19, wherein the excitation unit (5) is configured to irradiate the sensor material with electromagnetic radiation with a wavelength of 310-1400 nm.

21. The detector device according to any one of paragraphs. 18-20, wherein the driving unit (5) is a laser, a light emitting diode (LED), an organic light emitting diode (OLED), an active matrix organic light emitting diode (AMOLED), an incandescent lamp, a halogen lamp, or any combination thereof.

22. System (7) for determining the amount of radiation of a predetermined type that has irradiated the sensor material, comprising:

- an irradiation unit (3) configured to irradiate the sensor material with a radiation of a predetermined type to keep the effect of this radiation of a predetermined type in the sensor material for a predetermined period of time; and

- a detector device according to any one of paragraphs. 18-21.

23. The system according to claim 22, in which the irradiation unit (3) is configured to irradiate the sensor material with electromagnetic radiation with a wavelength of more than 0 nm to 590 nm, or more than 0 nm to 560 nm, or more than 0 nm to 500 nm, or greater than 0 nm to 400 nm, or greater than 0 nm to 300 nm, or 0.000001-590 nm, or 0.000001-560 nm, or 0.000001-500 nm, or 10-590 nm, or 10-560 nm, or 10-500 nm, or 0.000001-400 nm, or 0.000001-300 nm, or 0.000001-10 nm, or 10-400 nm, or 10-300 nm, or 0.01-10 nm.

24. The system according to any one of paragraphs. 22-23 containing reference information for indicating the dependence of the measured amount of light emitted by the sensor material and the amount of radiation of a predetermined type with which the sensor material was irradiated.

25. The use of heat treatment and/or optical excitation to determine the amount of radiation of a predetermined type that irradiated the sensor material represented by formula (I), as defined in any of paragraphs. 1-17.

26. The use of a sensor material represented by formula (I), as defined in any of paragraphs. 1-17 to determine the amount of predetermined type radiation irradiated the sensor material, wherein the sensor material is irradiated with predetermined type radiation to keep the effect of this predetermined type radiation in the sensor material for a predetermined period of time, and then subjected to heat treatment and /or optical excitation.

27. The use of a sensor material represented by formula (I), as defined in any of paragraphs. 1-17, in a thermoluminescent dosimeter or in a luminescent dosimeter with optical excitation.