RU2755262C1 - Microwave signal diode switch - Google Patents
Microwave signal diode switch Download PDFInfo
- Publication number
- RU2755262C1 RU2755262C1 RU2020141597A RU2020141597A RU2755262C1 RU 2755262 C1 RU2755262 C1 RU 2755262C1 RU 2020141597 A RU2020141597 A RU 2020141597A RU 2020141597 A RU2020141597 A RU 2020141597A RU 2755262 C1 RU2755262 C1 RU 2755262C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- arm
- diodes
- diode
- switch
- microwave signal
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
- H01P1/15—Auxiliary devices for switching or interrupting by semiconductor devices
Abstract
Description
Изобретение относится к радиотехнике, в частности к переключателям и ограничителям мощности СВЧ-сигнала и может быть использовано для защиты СВЧ приемника с резервированием каналов от перегрузки и выхода из строя под действием сигнала собственного передатчика и (или) мощных сторонних сигналов.The invention relates to radio engineering, in particular to switches and limiters of the microwave signal power and can be used to protect a microwave receiver with channel redundancy from overload and failure under the influence of a signal from its own transmitter and (or) powerful third-party signals.
Известен двухпозиционный коммутатор (переключатель) на основе Т-соединения, с параллельным включением диодов на расстоянии λ/4 от места разветвления. [А.В. Вайсблат. Коммутационные устройства СВЧ на полупроводниковых диодах. - М.: Радио и связь, 1987. Стр. 79] Коммутатор применяется при низком и высоком уровнях мощности.Known two-position switch (switch) based on T-connection, with parallel connection of diodes at a distance λ / 4 from the branch. [A.V. Weisblat. Microwave switching devices based on semiconductor diodes. - M .: Radio and communication, 1987. Pp. 79] The switch is used at low and high power levels.
Недостатками такого устройства являются:The disadvantages of such a device are:
- малые потери запирания;- small loss of blocking;
- отсутствует ограничение повышенной СВЧ мощности в открытом канале.- there is no limitation of the increased microwave power in the open channel.
Наиболее близким к изобретению (прототипом) является коммутатор (переключатель), с двумя каскадно включенными диодами в плече. [А.В. Вайсблат. Коммутационные устройства СВЧ на полупроводниковых диодах. - М.: Радио и связь, 1987. Стр. 84.] Переключатель позволяет значительно увеличить потери запирания.The closest to the invention (prototype) is a switch (switch), with two cascaded diodes in the arm. [A.V. Weisblat. Microwave switching devices based on semiconductor diodes. - M .: Radio and communication, 1987. Pp. 84.] The switch allows you to significantly increase the locking losses.
Недостатком такого устройства по-прежнему является отсутствие ограничения СВЧ мощности в открытом канале.The disadvantage of such a device is still the lack of limitation of the microwave power in the open channel.
Задачей изобретения является осуществление ограничения входного сигнала в открытом канале при сохранении значительных потерь запирания.The object of the invention is to implement the limiting of the input signal in the open channel while maintaining significant blocking losses.
Технический результат заключается в ограничении СВЧ мощности в открытом канале, при этом возникает возможность использовать переключатель одновременно и как защитное устройство.The technical result consists in limiting the microwave power in the open channel, while it becomes possible to use the switch simultaneously and as a protective device.
Указанный технический результат достигается тем, что диодный переключатель СВЧ сигнала выполнен на основе Т-соединения с двумя диодами в каждом плече. Диоды соединены через четвертьволновый отрезок линии, при этом первые диоды установлены на расстоянии λ/4 от точки разветвления. Каждое плечо дополнительно шунтировано детекторным диодом, установленным встречно-параллельно на расстоянии λ/4 от второго диода, при этом в линии передачи каждого плеча между точкой разветвления и первым диодом установлен проходной конденсатор.The specified technical result is achieved in that the diode switch of the microwave signal is made on the basis of a T-connection with two diodes in each arm. The diodes are connected through a quarter-wave line segment, with the first diodes installed at a distance of λ / 4 from the branch point. Each arm is additionally shunted by a detector diode installed in anti-parallel at a distance of λ / 4 from the second diode, while a pass-through capacitor is installed in the transmission line of each arm between the branch point and the first diode.
Причинно-следственные связи признаков изобретения с техническим результатом выражаются в следующем: при превышении определенного порога входной мощности детекторный диод в открытом плече детектирует входной сигнал и открывает остальные диоды в этом плече, которые вносят дополнительные потери и ограничивают СВЧ мощность.The causal relationships of the features of the invention with the technical result are expressed in the following: when a certain threshold of the input power is exceeded, the detector diode in the open arm detects the input signal and opens the remaining diodes in this arm, which introduce additional losses and limit the microwave power.
Изобретение поясняется чертежом (фиг. 1), на котором представлена схема заявленного переключателя, гдеThe invention is illustrated by a drawing (Fig. 1), which shows a diagram of the claimed switch, where
плечо 1 и плечо 2 соединены в точке разветвления, к которой присоединен вход СВЧ;
- диоды VD2, VD3, шунтирующие плечо 1;- diodes VD2, VD3,
- диоды VD4, VD5, шунтирующие плечо 2;- diodes VD4, VD5,
- детекторный диод VD1 шунтирующий плечо 1;- detector diode
- детекторный диод VD6 шунтирующий плечо 2- detector diode
- проходные конденсаторы С1 и С2, включенные в разрыв плеч 1 и 2 соответственно.- pass capacitors C1 and C2 included in the gap of
Предлагаемый переключатель работает следующим образом. В режиме малого сигнала в линию передачи плеча 1 подается положительный постоянный ток, при этом диод VD1 закрыт, диоды VD2 и VD3 полностью открыты, в линию плеча 1 вносятся потери, при этом все диоды, шунтирующие линию плеча 2, закрыты. Сигнал проходит от входа СВЧ до выхода 2 линии плеча 2 с минимальными потерями. При повышении входной мощности открывается диод VD6, продетектированный ток начинает протекать через диоды VD4 и VD5, которые вносят в линию плеча 2 дополнительные потери и ограничивают входной сигнал. Для переключения канала, необходимо снять положительный ток с линии плеча 1 и подать в линию плеча 2.The proposed switch works as follows. In the small signal mode, a positive direct current is supplied to the transmission line of
Конденсаторы С1 и С2 служат для развязки плеч 1 и 2 переключателя по постоянному току.Capacitors C1 and C2 are used to isolate
Ограничение мощности может осуществляться и в активном режиме, для этого необходимо подать положительный постоянный ток в обе линии плеч 1 и 2, при этом диоды VD2, VD3, VD4, VD5 будут открыты, и в оба плеча 1 и 2 будут вноситься значительные потери.Power limitation can also be carried out in active mode, for this it is necessary to supply a positive direct current to both lines of
Осуществление изобретения обеспечивает выполнение диодного переключателя СВЧ с защитой от повышенной мощности Х-диапазона с вносимыми начальными потерями <0.8дБ, потерями запирания не менее 30 дБ, допустимой входной мощностью до 2 Вт и ограничением выходной мощности в любом плече не более 50 мВт. Переключатель выполнен на диодах «Параграф-Д» производства АО НЛП «Исток» им. Шокина» и детекторных диодах 3А138А-2.The implementation of the invention provides for the implementation of a microwave diode switch with protection against increased X-band power with an insertion loss of <0.8 dB, a blocking loss of at least 30 dB, an allowable input power of up to 2 W and a limitation of the output power in any arm of no more than 50 mW. The switch is made on diodes "Paragraph-D" produced by JSC NLP "Istok" them. Shokin "and detector diodes 3A138A-2.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2020141597A RU2755262C1 (en) | 2020-12-16 | 2020-12-16 | Microwave signal diode switch |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2020141597A RU2755262C1 (en) | 2020-12-16 | 2020-12-16 | Microwave signal diode switch |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2755262C1 true RU2755262C1 (en) | 2021-09-14 |
Family
ID=77745631
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2020141597A RU2755262C1 (en) | 2020-12-16 | 2020-12-16 | Microwave signal diode switch |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2755262C1 (en) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4527136A (en) * | 1983-02-15 | 1985-07-02 | 501 DX Antenna Company, Limited | Signal coupling apparatus |
US5519364A (en) * | 1994-06-30 | 1996-05-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency switch |
JP2003179402A (en) * | 2001-10-05 | 2003-06-27 | Mitsubishi Electric Corp | Wideband high-frequency switch |
US6650199B2 (en) * | 2001-10-15 | 2003-11-18 | Zenith Electronics Corporation | RF A/B switch with substantial isolation |
RU2410802C1 (en) * | 2010-01-11 | 2011-01-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток") | Microwave switch |
-
2020
- 2020-12-16 RU RU2020141597A patent/RU2755262C1/en active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4527136A (en) * | 1983-02-15 | 1985-07-02 | 501 DX Antenna Company, Limited | Signal coupling apparatus |
US5519364A (en) * | 1994-06-30 | 1996-05-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency switch |
JP2003179402A (en) * | 2001-10-05 | 2003-06-27 | Mitsubishi Electric Corp | Wideband high-frequency switch |
US6650199B2 (en) * | 2001-10-15 | 2003-11-18 | Zenith Electronics Corporation | RF A/B switch with substantial isolation |
RU2410802C1 (en) * | 2010-01-11 | 2011-01-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток") | Microwave switch |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
S.V. NIKOLAEV HIGH POWER FAST DIODE MULTICHANNEL MICROWAVE SWITCHES // Microwave equipment and telecommunication technologies. 2020. N 1-1. S. 31-32. * |
НИКОЛАЕВ С.В. БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ДИОДНЫЕ МНОГОКАНАЛЬНЫЕ СВЧ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ ПОВЫШЕННОЙ МОЩНОСТИ // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии. 2020. N 1-1. С. 31-32. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CA2376750A1 (en) | Method and apparatus for turning off a cascode circuit with voltage-controlled semiconductor switches | |
RU2755262C1 (en) | Microwave signal diode switch | |
CN105227144B (en) | A kind of over-excitation protection circuit and its implementation of solid-state power amplifier | |
KR20060064399A (en) | Apparatus for power amplification using switching structure for gain and linearity improvement | |
CN105048487A (en) | Method and device for quickly switching ground return wire and metal return wire in single-twelve-pulsation DC power transmission system | |
SE9901810D0 (en) | Electric power transmission system | |
CN110797848A (en) | Line longitudinal differential protection method suitable for three-terminal conventional direct-current power transmission system | |
US7457593B2 (en) | Attenuator system | |
RU2410802C1 (en) | Microwave switch | |
CN106169743B (en) | A kind of micro-capacitance sensor protective relaying device and guard method | |
CN209344766U (en) | A kind of transformer neutral point power frequency coupling grounding device | |
CN102497184B (en) | Multifunctional solid-state switch adopting thyristor self-triggering technology | |
RU102844U1 (en) | Microwave power diode switch | |
SU1444913A1 (en) | Arrangement for protective disconnection in a.c. network | |
SU1101953A1 (en) | Device for providing earth fault protection in isolated neutral system | |
CN216531334U (en) | Quantum key distribution system capable of protecting Trojan light and sending end thereof | |
RU2531574C2 (en) | Diode-based microwave signal power limiter | |
SU1319139A1 (en) | Method of directional filter protection with wire communication channel | |
CN203859233U (en) | Active circuit for active antenna and anti-interference active reception antenna | |
RU117736U1 (en) | SECURE DISABLE KIT | |
CN107800120A (en) | A kind of capacitor type dc circuit breaker and its DC Line Fault processing strategy | |
RU2695109C1 (en) | Reduced and increased mains voltage cutoff with attenuator | |
SU758354A1 (en) | Device for protecting from current leak to earth in contact system of electric locomotive haulage | |
RU1802398C (en) | Attenuator | |
SU1582253A1 (en) | Device for protection of circuit with insulated neutral wire from single-phase ground fault |