RU2749575C1 - Металл-Диэлектрик-Металл-Диэлектрик-Металл фотодетектор - Google Patents
Металл-Диэлектрик-Металл-Диэлектрик-Металл фотодетектор Download PDFInfo
- Publication number
- RU2749575C1 RU2749575C1 RU2020129457A RU2020129457A RU2749575C1 RU 2749575 C1 RU2749575 C1 RU 2749575C1 RU 2020129457 A RU2020129457 A RU 2020129457A RU 2020129457 A RU2020129457 A RU 2020129457A RU 2749575 C1 RU2749575 C1 RU 2749575C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- metal
- dielectric
- absorber
- conductor
- radiation
- Prior art date
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000006100 radiation absorber Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 14
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 31
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 230000005457 Black-body radiation Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002772 conduction electron Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000008542 thermal sensitivity Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
Изобретение относится к детекторам излучения, полевым транзисторам, туннельным усилителям с потоком горячих электронов, МДМДМ туннельным структурам для приема излучения миллиметровых и субмиллиметровых волн. Металл-Диэлектрик-Металл-Диэлектрик-Металл детектор, содержащий металлический проводник поглотителя излучения, контакты к этому проводнику, выполненные размещением контактного материала через прослойку изолятора, отличающийся тем, что металлический проводник поглотителя выполнен в виде пленки металла толщиной 10-30 нм и шириной 0.1-0.5 мкм и отделен от металлического контактного материала внешних тонкопленочных электродов туннельным барьером. Изобретение обеспечивает повышение чувствительности, снижение шумов, расширение динамического диапазона, расширение диапазона рабочих температур, повышение воспроизводимости и технологичности изготовления такого устройства. 4 з.п. ф-лы, 4 ил.
Description
Изобретение относится к детекторам излучения, полевым транзисторам, туннельным усилителям с потоком горячих электронов, МДМДМ туннельным структурам для приема излучения миллиметровых и субмиллиметровых волн. Эти структуры в литературе имеют аббревиатуры МИМИМ, МДМДМ, НИНИН, где под М или Н понимают нормальный металлический проводник, Д или И обозначают туннельный диэлектрический слой изолятора.
Известно устройство-аналог: Основанные на электромагнитной тепловой чувствительности многопиксельные матрицы изображения [патент US 2011/0062333 А1], в которых чувствительным элементом является трехслойная структура металл-изолятор-металл (МИМ), принимающая излучение на частотах до 38 ТГц. К недостаткам аналога относится невысокая чувствительность, связанная со слабой нелинейностью МИМ перехода. Одним из вариантов конструкции предлагается использовать планарную МИМИМ туннельную структуру, которая также использует слабую нелинейности МИМ перехода.
Известно устройство-аналог: МИМ диод на основе графена и связанные методы [патент US 9,202,945 В2], в котором используется слой графена в качестве нижнего металлического проводника. Нелинейность устройства связана со сравнительно малым значением работы выхода графена по сравнению с вторым металлическим слоем, например сплава ZrCuAlNi, или чистых металлов Cr, Au, Al, Ni, Сu, Pt, W. В качестве изолятора толщиной несколько нанометров могут быть использованы Al2O3, НfO2, BN. На устройство подается постоянное напряжение смещения ниже туннельного барьера и туннелирование происходит только тогда, когда энергия поглощенного фотона позволяет преодолеть энергетическую щель. К недостаткам такого устройства можно отнести невысокую нелинейность, низкую квантовую эффективность, низкую воспроизводимость и плохую технологичности графеновых пленок.
Известно устройство-аналог: Многослойный фотодиод и метод его изготовления [патент US 8,497,535 В2], в котором реализована вертикальная многослойная структура с чередующимися слоями металла, разделенными туннельным барьером. В такой конструкции необходимо сформировать первый металлический слой, поглощающий излучение, приходящее через прозрачную подложку. Принцип действия устройства основан на фотоэмиссии, когда поглощение фотона вызывает рождение электрона и дырки, вызывая затем лавинообразный рост тока за счет приложенного электрического поля. Принцип действия похож на работу PIN диода, в котором структура имеет горизонтальную геометрию, которая не позволяет реализовать большой градиент напряжения. К недостаткам устройства можно отнести пороговую чувствительность фотоэффекта, ограничивающую снизу энергию кванта излучения на уровне ИК диапазона.
Известно устройство-аналог: Устройство с поверхностными плазмонами [патент US 7,418, 179 В2], в котором реализован распределенный туннельный МИМ переход, в котором излучение возбуждает поверхностные плазмоны, распространяющиеся как в волноводе в виде бегущей волны и вызывающие взаимодействие с электронами и стимулированную эмиссию электрического тока. К недостаткам такого устройства можно отнести невысокую эффективность, связанную с потерями при распространении плазмонов в таком волноводе. Вторым ограничением является высокая граничная частота возбуждения плазмонов.
Известно устройство-прототип: горизонтальная МДМДМ структура для приема излучения на частотах до 200 ГГц [И.Б. Вендик, А.Н. Ермоленко, В.В. Есипов, В.М. Пчелкин, М.Ф. Ситникова, Вольтамперные характеристики МДМДМ структуры, содержащей квазиодномерный проводник иодида тетратиатетрацена, ЖТФ, 58, в. 12, 2323-2329 (1988)]. Устройство представляет собой кристаллы квазиодномерного органического проводника металлического типа длиной несколько миллиметров с поперечным сечением 30×50 мкм. Контакты к кристаллам выполняются нанесением контактного материала на боковую поверхность кристалла. В качестве контактного материала использовался графит на органической связке (аквадаг) и серебряная паста. Таким образом, формируются туннельные диэлектрические контакты (Д) к металлическим электродам (М) из мелкодисперсного графита. Структура проявляет детекторный отклик на частотах до 200 ГГц. К недостаткам устройства можно отнести невысокую чувствительность на уровне -25 дБм или 2 мкВт, ограниченную шумом в контактах. Чувствительность и верхняя частота ограничены слишком большими размерами структуры порядка 30 мкм.
Целью предлагаемого изобретения является: повышение чувствительности, снижение шумов, расширение динамического диапазона, расширение диапазона рабочих температур, повышение воспроизводимости и технологичности изготовления такого устройства.
Поставленные цели достигаются тем, что:
в детекторе МДМДМ, содержащем металлический проводник поглотителя излучения и контакты к этому проводнику с размещением контактного материала через прослойку изолятора, причем проводник поглотителя выполнен в виде тонкой узкой пленки металла, отделенной от металлического контактного материала внешних электродов туннельным барьером. Поставленные цели достигаются также тем, что характерные параметры устройства выбирают в диапазоне: толщина металлопленочного проводника поглотителя 10-30 нм, его ширина 0.1-0.5 мкм, поглотитель может быть выполнен из меди, палладия, гафния, туннельный барьер из Al2O3, AlN, НfO формируется толщиной 1-2 нм с удельным сопротивлением 0.5-1 кОм/мкм2. Материал поглотителя может быть расположен как снизу, так и поверх контактного материала. Проводник поглотителя излучения может быть выполнен по известной технологии подвешенным над подложкой и не касающимся ее.
Перечень фигур графических изображений
Фигура 1а. Схематическое изображение конструкции МДМДМ структуры, где П - подложка, M1, М3 - контактный материал, расположенный на подложке под металлическим проводником поглотителя М2, Д - диэлектрики, К - подводящие проводники.
Фигура 1б. то же, что (а), но контактный материал M1, М3 расположен поверх металлического проводника поглотителя.
Фигура 1в. то же, что (а), но металлический проводник поглотителя М2 расположен поверх контактного материала M1, М3 висящим над подложкой и не касающемся ее.
Фигура 2. Энергетическая диаграмма при поглощении фотона в поглотителе М2, где 1 - дырки, 2 - электроны проводимости.
Фигура 3а. Оптическая фотография матрицы из 100 последовательно соединенных кольцевых антенн (а); на вставке (б) - изображение в электронном микроскопе собственно МДМДМ структуры: 3 - туннельный МДМ-переход, 4 - поглотитель; (в) - вариации структуры с одним и тремя поглотителями.
Фигура 4. Отклик по напряжению МДМДМ детектора при температуре 0.163 К на излучение при двух напряжениях на источнике излучения черного тела 5 В и 6 В.
Предлагаемое устройство функционирует следующим образом.
На МДМДМ структуру подается напряжение постоянного смещения. Для умеренного напряжения смещения V отклик по току SI классического болометра на мощность излучения Р теоретически может достигать SI=dI/dP=1/V при снижении смещения вплоть до V=kT/e, что соответствует предельному болометрическому отклику SI=dI/dP=e/kT. Умножив на сопротивление структуры R, получим отклик по напряжению SV=dV/dP=eR/kT. Увеличением нормального сопротивления туннельных переходов в идеале можно достичь высокого отклика по напряжению МДМДМ в режиме квантового отклика с мультипликацией числа возбужденных электронов [I.A. Devyatov, Р.А. Krutitskii, M.Yu. Kupriyanov, Investigation of various operation modes of a miniature superconducting detector of microwave radiation, JETP Letters, 2006, vol. 84, no. 2, pp. 57-61, doi: 10.1134/S0021364006140037]. Для квантового механизма поглощения излучения без достаточной термализации отклик может оказаться меньше и соответствовать случаю фотонного счетчика, когда токовый отклик снижается до одного электрона на квант SI=e/hf=900, тогда как при термализации SI=e/kT=4*104 (для 300 ГГц и 0.3 К).
Приведем два численных примера отклика для стандартных температур 280 мК и 4.2 К. Оптимальные напряжения смещения составляют V0.28=kT/e=2.3*10-5=23 мкВ и V4.2=kT/e=3.4*10-4=340 мкВ, отклики по току S0.28=1/V0.28=4.3*104 А/Вт и S4.2=1/V4.2=2.9*103 А/Вт.Можно также оценить эквивалентную шуму мощность МЭШ как отношение тока теплового шума In=(4kT/R)0.5 к отклику по току S=e/kT, т.е. MЭШ=(kT/e)*(4kT/R)0,5=(2/e)(k3T3/R)0,5. Для МДМДМ сопротивлением 100 кОм получим МЭШ0.28=2.8*10-19 Вт/Гц1/2 и МЭШ.2=1.6*10-17 Вт/Гц1/2. Спектральная плотность теплового токового шума составляет I0.28 noise=12 фА/Гц1/2 и I4.2 noise=47 фА/Гц1/2. Эти значения шума сравним с токовыми шумами серийного операционного усилителя на полевых транзисторах типа AD743 и MOSFET типа ОРА111, составляющими 7 фА/Гц1/2 и 0.5 фА/Гц1/2, так что оба подходят для системы считывания. Качественное описание квантового поглощения фотонов в МДМДМ структуре с рождением электрон-дырочной пары и появление фототока (детекторный отклик) можно проиллюстрировать с помощью энергетической диаграммы, см. Фиг. 2. Возбужденный высокоэнергетичный электрон туннелирует влево, а высокоэнергетичная дырка вправо, от минуса к плюсу. В итоге через структуру проходит дополнительный фототок. Обычный ток при малых смещениях достаточно мал, поскольку плотности состояний при малом смещении отличаются мало. В случае оптимального выбора геометрии поглотителя и сопротивления туннельных переходов возможна мультипликация (размножение, лавина) возбужденных электронов, что значительно увеличивает токовый отклик.
Оптимальный выбор геометрии заключается в уменьшении объема и линейных размеров поглотителя излучения до толщины 10-30 нм, ширины до 0.1-0.5 нммкм, длины до нескольких микрон, что соответствует уменьшению объема до величин порядка v=10-20 м3. Это приводит к пропорциональному объему v уменьшению электрон-фононного взаимодействия и мощности тепловых потерь как P=5vΣT4 где Σ параметр материала и Т температура образца.
Для получения формулы зависимости отклика МДМДМ от смещения можно рассмотреть три возможных механизма, отклик по току в классическом болометре SI=dI/dP=1/V, которая работает при снижении смещения вплоть до V=kT/e, формулу для квантового отклика при большом смещении SI=dI/dP=e/hf, и формулу для отклика в случае термализации в абсорбере SI=dI/dP=e/kT, которую можно получить домножив предыдущую формулу на коэффициент мультипликации n=hf/kT. Формула квантового отклика при малом смещении содержит два члена, один для прямого тока, совпадающего с полярностью смещения, другой для обратного. В нуле оба тока равны и отклик равен нулю. При напряжении смещения V<hf/e (1.3 мВ для 350 ГГц) и минимальном отклике как для однофотонного счетчика, то формула токового отклика можно записать как:
Считаем, что термализация тем больше, чем меньше смещение, т.е. n=hf/(eV+kT), можем записать полуэмпирическое выражение для токового отклика как
Наши экспериментальные результаты измерения отклика по напряжению для МДМДМ устройств на уровне 1 мкВ при сопротивлениях 1 МОм и 50 МОм соответствуют токовому отклику 1 пА и 20 фА. Токовый отклик составляет dI/dP=e/kT. Фундаментальный предел эквивалентной шуму мощности рассчитывается из собственных шумов детектора. Основным источником шума при низких температурах в туннельных переходах будет дробовой шум тока смещения. Если взять оптимальное напряжение смещения для МДМДМ равное Vb=kT/e, то ток смещения составит Ib=kT/eR, спектральная плотность дробового шума SIn=(2kT/R)1/2. Это соответствует токовому шуму 100 фА/Гц1/2 для 1 kОм и 300 мK или 15 фА/Гц1/2 для 0.1 K и 10 kОм сопротивления. В результате можем записать выражение для эквивалентной шуму мощности МЭШ:
Это соответствует 2.5*10-18 Вт/Гц1/2 в первом случае и 1.2*10-19 Вт/Гц1/2 во втором. Нет необходимости создавать очень большие матрицы таких болометров для расширения динамического диапазона, поскольку МДМДМ с их линейной ВАХ не сильно перегружаются входным сигналом. Для оптимизации параметров нужно уменьшать площадь туннельных переходов и увеличивать их сопротивление, что позволит избежать токового перегрева таких детекторов и уменьшить МЭШ.
Уменьшение отклика может происходить с увеличением тока смещения, что объясняется джоулевым разогревом абсорбера. В нашем случае объем абсорбера составляет примерно 10-20 м3. При криогенных температурах электронная температура абсорбера оценивается как P=IV=ΣvT5 или T=(V2/RΣv)0.2. Для сопротивления 1 кОм и напряжения смещения 1 мВ рост температуры составит на 2.5 K, что соответствует снижению отклика как 1/Т, или на порядок по сравнению с базовой температурой 250 мК.
Примеры реализации представлены на Фиг. 3.
Для исследования МДМДМ детекторов мы изготовили образцы, содержащие последовательные цепочки из 100 кольцевых антенн, содержащих по четыре МДМДМ структуры, аналогичных по конструкции исследованным нами ранее в [М. Tarasov, A. Sobolev, A. Gunbina, G. Yakopov, A. Chekushkin, R. Yusupov, S. Lemzyakov, V. Vdovin, V. Edelman, Annular antenna array metamaterial with SINIS bolometers, J. Appl. Phys. 125, 174501 (2019); doi: 10/1063/1.5054160]. В качестве материала поглотителя использована медь, контакты выполнены из алюминия. Толщина поглотителя составляет 20 нм, ширина 100 нм. Сопротивление туннельных контактов составляет 1 кОм/мкм2. Оптическая фотография такой матрицы представлена на Фиг. 3а, изображение в электронном микроскопе собственно одной из МДМДМ структур - Фиг. 3б. Для согласования с антенной, сопротивление поглотителя (М2) может регулироваться как размерами пленки, так и путем изготовления нескольких параллельных поглотителей (Фиг. 3в).
Измерение вольтамперных характеристик и отклика на тепловое излучение МДМДМ структур проведено в криостате растворения [V.S. Edelman, A dilution microcryostat-insert, Instr. Exp.Techn., 2009, Vol. 52, No 2, pp. 301-307] при температуре 0.15 К - 1.5 К. Криостат представляет собой вставку в широкогорлый транспортный гелиевый дьюар и обеспечивает предельно малошумящие измерения, поскольку не требует использования шумящих и вибрирующих компрессоров и насосов. Отклик по напряжению на тепловой сигнал в диапазоне 300 ГГц был исследован в этом криостате растворения при использовании электрически нагреваемого источника излучения черного тела и полоснопропускающего фильтра, зависимости отклика по напряжению от смещения на МДМДМ структуре приведены на Фиг. 4.
Технический результат предлагаемого изобретения заключается в достижении эквивалентной шуму мощности не хуже 10-18 Вт/Гц1/2 и ампер-ваттной чувствительности не хуже 105 А/Вт при сопротивлении МДМДМ структуры 100 кОм и температуре 0.1 К.
Claims (5)
1. Металл-Диэлектрик-Металл-Диэлектрик-Металл детектор, содержащий металлический проводник поглотителя излучения, контакты к этому проводнику, выполненные размещением контактного материала через прослойку изолятора, отличающийся тем, что металлический проводник поглотителя выполнен в виде пленки металла толщиной 10-30 нм и шириной 0.1-0.5 мкм и отделен от металлического контактного материала внешних тонкопленочных электродов туннельным барьером.
2. Металл-Диэлектрик-Металл-Диэлектрик-Металл детектор по п. 1, отличающийся тем, что проводника поглотителя выполнен из Сu, или Pd, или Hf.
3. Металл-Диэлектрик-Металл-Диэлектрик-Металл детектор по п. 1, отличающийся тем, что туннельный барьер толщиной 1-2 нм выполнен из Al2O3, или AlN, или НfO с удельным сопротивлением 0.5-1 кОм/мкм2.
4. Металл-Диэлектрик-Металл-Диэлектрик-Металл детектор по п. 1, отличающийся тем, что металлопленочный материал поглотителя расположен поверх контактного материала.
5. Металл-Диэлектрик-Металл-Диэлектрик-Металл детектор по п. 1, отличающийся тем, что металлопленочный материал поглотителя изучения выполняется подвешенным над подложкой.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2020129457A RU2749575C1 (ru) | 2020-09-07 | 2020-09-07 | Металл-Диэлектрик-Металл-Диэлектрик-Металл фотодетектор |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2020129457A RU2749575C1 (ru) | 2020-09-07 | 2020-09-07 | Металл-Диэлектрик-Металл-Диэлектрик-Металл фотодетектор |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2749575C1 true RU2749575C1 (ru) | 2021-06-15 |
Family
ID=76377496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2020129457A RU2749575C1 (ru) | 2020-09-07 | 2020-09-07 | Металл-Диэлектрик-Металл-Диэлектрик-Металл фотодетектор |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2749575C1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2796347C1 (ru) * | 2022-08-05 | 2023-05-22 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук | Перестраиваемый генератор шумового сигнала |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110062333A1 (en) * | 2009-09-14 | 2011-03-17 | David Ben-Bassat | Electromagnetic based thermal sensing and imaging incorporating multi-pixel imaging arrays |
| CN101728427B (zh) * | 2008-10-26 | 2012-05-23 | 吴国成 | 半导体晶体管 |
-
2020
- 2020-09-07 RU RU2020129457A patent/RU2749575C1/ru active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101728427B (zh) * | 2008-10-26 | 2012-05-23 | 吴国成 | 半导体晶体管 |
| US20110062333A1 (en) * | 2009-09-14 | 2011-03-17 | David Ben-Bassat | Electromagnetic based thermal sensing and imaging incorporating multi-pixel imaging arrays |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| I.B. VENDIK et al. Current-voltage characteristics of an MDMDM structure containing a quasi-one-dimensional conductor of tetrathiatetracene iodide, ZhTF, 58, v. 12, 2323-2329 (1988) * |
| И.Б. ВЕНДИК и др. Вольтамперные характеристики МДМДМ структуры, содержащей квазиодномерный проводник иодида тетратиатетрацена, ЖТФ, 58, в. 12, 2323-2329 (1988. * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2796347C1 (ru) * | 2022-08-05 | 2023-05-22 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук | Перестраиваемый генератор шумового сигнала |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Du et al. | Graphene-based bolometers | |
| Walsh et al. | Graphene-based Josephson-junction single-photon detector | |
| Sizov et al. | THz detectors | |
| Pracht et al. | Electrodynamics of the superconducting state in ultra-thin films at THz frequencies | |
| Kraus | Superconductive bolometers and calorimeters | |
| Semenov et al. | Hot-electron effect in superconductors and its applications for radiation sensors | |
| Schoelkopf et al. | A concept for a submillimeter-wave single-photon counter | |
| Tarasov et al. | Carbon nanotube bolometers | |
| Karasik et al. | Record-low NEP in hot-electron titanium nanobolometers | |
| Peters | An infrared detector utilizing internal photoemission | |
| US4464065A (en) | Fast granular superconducting bolometer | |
| Karasik et al. | THz hot-electron photon counter | |
| Paolucci et al. | A highly sensitive broadband superconducting thermoelectric single-photon detector | |
| RU2749575C1 (ru) | Металл-Диэлектрик-Металл-Диэлектрик-Металл фотодетектор | |
| Scheuring et al. | Thin Pr–Ba–Cu–O film antenna-coupled THz bolometers for room temperature operation | |
| Paolucci | Nonlocal Superconducting Single-Photon Detector | |
| Miao et al. | Demonstration of a high-sensitivity and wide-dynamic-range terahertz graphene hot-electron bolometer with Johnson noise thermometry | |
| Clarke et al. | Superconducting tunnel junction bolometers | |
| Yusupov et al. | Quantum response of a bolometer based on the SINIS structure with a suspended absorber | |
| Minami et al. | Power enhancement of the high-Tc superconducting terahertz emitter with a modified device structure | |
| van den Berg et al. | High-resolution hard X-ray and gamma-ray spectrometers based on superconducting absorbers coupled to superconducting transition edge sensors | |
| Oka et al. | Far-infrared germanium detectors | |
| Tarasov et al. | SINIS bolometer with a suspended absorber | |
| Gunbina et al. | Response of a SINIS detector with electron cooling to submillimeter-wave radiation | |
| Dietlein et al. | Performance comparison of Nb and NbN antenna-coupled microbolometers |