RU2738759C1 - Ultra-wideband planar emitter - Google Patents

Ultra-wideband planar emitter Download PDF

Info

Publication number
RU2738759C1
RU2738759C1 RU2020118386A RU2020118386A RU2738759C1 RU 2738759 C1 RU2738759 C1 RU 2738759C1 RU 2020118386 A RU2020118386 A RU 2020118386A RU 2020118386 A RU2020118386 A RU 2020118386A RU 2738759 C1 RU2738759 C1 RU 2738759C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
circuit board
coaxial line
ultra
printed
Prior art date
Application number
RU2020118386A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Юрий Иннокентьевич Буянов
Максим Олегович Коноваленко
Степан Сергеевич Твердохлебов
Original Assignee
Акционерное общество "Научно-производственная фирма "Микран"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Акционерное общество "Научно-производственная фирма "Микран" filed Critical Акционерное общество "Научно-производственная фирма "Микран"
Priority to RU2020118386A priority Critical patent/RU2738759C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2738759C1 publication Critical patent/RU2738759C1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q21/00—Antenna arrays or systems

Landscapes

  • Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)

Abstract

FIELD: antenna equipment.
SUBSTANCE: invention relates to antenna engineering, particularly to ultra-wideband planar antennas. Inner conductor of coaxial line is connected by means of micro strip line with metallisation, made in form of closed frame located on upper layer of printed circuit board, and the outer shield of the coaxial line is connected to the metal coating located on the lower layer of the printed circuit board and repeating the shape of the inner contour of the upper metal coating layer, wherein between the upper and lower layers of metallization of the printed-circuit board a gap is formed, which is controlled by the thickness of the printed-circuit board and the distance between the inner ends of the upper metallisation layer and the lower metallisation layer, and the reflector located at a distance close to a quarter of the wavelength of the middle of the range from the printed-circuit board forms a space filled with a dielectric material or an air layer.
EFFECT: technical result is increased width of transmission of planar emitter to double overlapping of working frequencies.
4 cl, 7 dwg

Description

Область техники, к которой относится изобретениеThe technical field to which the invention relates

Изобретение относится к области антенной техники, а именно к планарным, сверхширокополосным антеннам и предназначено для использования в качестве элемента активных фазированных антенных решёток (АФАР) с углом сканирования до 50° или в качестве облучателя зеркальных антенн.The invention relates to the field of antenna technology, namely to planar, ultra-wideband antennas and is intended for use as an element of active phased antenna arrays (AFAR) with a scanning angle of up to 50 ° or as a reflector antenna feed.

Уровень техникиState of the art

Известна широкополосная микрополосковая антенна с трапецеидальным поперечным сечением (патент RU 2479080, МПК H01Q1/38, опубл. 10.04.2011). Излучающий элемент антенны содержит прямоугольный излучатель, размещённый над экранирующей поверхностью с Н-образной щелью и возбуждаемый микрополосковой линией со шлейфом, который изогнут в направлении излучения микрополосковой антенны таким образом, что в поперечном сечении имеет трапецеидальную форму, симметричную относительно плоскости симметрии микрополосковой антенны, проходящей через оси симметрии прямоугольного металлического экрана с Н-образной щелью. Known broadband microstrip antenna with trapezoidal cross-section (patent RU 2479080, IPC H01Q1 / 38, publ. 10.04.2011). The radiating element of the antenna contains a rectangular radiator located above the shielding surface with an H-shaped slit and excited by a microstrip line with a loop, which is bent in the direction of radiation of the microstrip antenna in such a way that it has a trapezoidal cross-section, symmetric with respect to the plane of symmetry of the microstrip antenna passing through symmetry axes of a rectangular metal shield with an H-shaped slot.

Недостатком технического решения является увеличенный продольный размер из-за наличия изогнутого в направлении излучения шлейфа.The disadvantage of the technical solution is the increased longitudinal size due to the presence of a plume bent in the direction of radiation.

Известна широкополосная микрополосковая антенна (патент RU 2576592, МПК H01Q1/38, опубл. 10.03.2016), которая состоит из диэлектрической подложки прямоугольной формы; излучающей панели располагающейся на верхней поверхности диэлектрической подложки; соединительной панели на верхней поверхности диэлектрической подложки, отходящую от края диэлектрической подложки и заканчивающуюся на заданном расстоянии от излучающей панели; металлическую опору на нижней поверхности диэлектрической подложки, идущей от края нижней поверхности диэлектрической пластины вниз к заземлению; слой воздуха заданной толщины, образуемый между нижней поверхностью диэлектрической подложки и заземления.Known broadband microstrip antenna (patent RU 2576592, IPC H01Q1 / 38, publ. 03/10/2016), which consists of a rectangular dielectric substrate; a radiating panel located on the top surface of the dielectric substrate; a connecting panel on an upper surface of the dielectric substrate extending from an edge of the dielectric substrate and terminating at a predetermined distance from the radiating panel; a metal support on the bottom surface of the dielectric substrate extending from the edge of the bottom surface of the dielectric plate down to ground; a layer of air of a given thickness formed between the bottom surface of the dielectric substrate and the ground.

Техническое решение обеспечивает ширину полосы согласования по уровню отраженной мощности – 10 дБ не более 30%, что является недостаточным для решения ряда современных задач в области радиовидения/зондирования и астрофизических исследований.The technical solution provides the matching bandwidth in terms of the reflected power level - 10 dB not more than 30%, which is insufficient for solving a number of modern problems in the field of radio imaging / sounding and astrophysical research.

Известна также антенна верхнего питания, близкая по принципу работы (патент RU 2061985, МПК H01Q1/36, опубл. 10.06.1996). Антенна верхнего питания содержит вертикальный проводник, трубчатое основание, изолятор между ними, согласующий блок, состоящий из нижнечастотного и верхнечастотного согласующих устройств, входную линию передачи и установленную на горизонтальном экране дополнительно, между этим экраном и трубчатым основанием введены изолятор и выключатель, нижнечастотное согласующие устройство согласующего блока вынесено из внутренней полости трубчатого основания, установлено на горизонтальном экране и связано с выходной линией передачи антенны отрезком линии связи, при этом входная линия передачи образованна внутренней поверхностью трубчатого основания и дополнительным центральным проводником.Also known is the top power antenna, which is similar in principle of operation (patent RU 2061985, IPC H01Q1 / 36, publ. 10.06.1996). The top power antenna contains a vertical conductor, a tubular base, an insulator between them, a matching unit consisting of a low-frequency and high-frequency matching devices, an input transmission line and additionally installed on a horizontal screen, an insulator and a switch are introduced between this screen and the tubular base, a low-frequency matching device of the matching device The unit is removed from the inner cavity of the tubular base, installed on a horizontal screen and connected to the output transmission line of the antenna with a segment of the communication line, while the input transmission line is formed by the inner surface of the tubular base and an additional central conductor.

Основными недостатками антенны являются большие габариты, задаваемые длиной вертикального проводника, а также сложность или отсутствие возможности реализации в сантиметровом и миллиметровом диапазонах соответственно из-за наличия сосредоточенных согласующих элементов, резонансные частоты которых ограничивают их применение.The main disadvantages of the antenna are the large dimensions set by the length of the vertical conductor, as well as the complexity or lack of the possibility of implementation in the centimeter and millimeter ranges, respectively, due to the presence of lumped matching elements, the resonant frequencies of which limit their use.

Известен сверхширокополосный облучатель с высоким коэффициентом эллиптичности (патент RU 163383, МПК H01Q 21/00 опубл. 25.01.2016), который содержит печатную дипольную антенну турникетного типа, выполненную на кварцевой подложке, содержащий скрещенные несимметричные диполя в форме лепестка, расположенный горизонтально над поверхностью рефлектора. Каждый несимметричный диполь снабжен реактивным шлейфом. Реактивный шлейф и несимметричный диполь соединены металлическим переходом, а на пересечении осей несимметричных диполей расположена металлическая втулка, к которой прикреплена полиимидная шайба.Known ultra-wideband feed with a high coefficient of ellipticity (patent RU 163383, IPC H01Q 21/00 publ. 01/25/2016), which contains a printed dipole antenna of the turnstile type, made on a quartz substrate, containing crossed asymmetric dipoles in the form of a petal, located horizontally above the surface of the reflector ... Each unbalanced dipole is equipped with a reactive loop. The jet train and the asymmetrical dipole are connected by a metal transition, and at the intersection of the axes of the asymmetric dipoles there is a metal sleeve to which a polyimide washer is attached.

Данная полезная модель является наиболее близким аналогом по конструктивным признакам и техническим характеристикам. Недостатками являются отсутствие возможности использования облучателя в качестве элемента сканирующей антенной решётки из-за относительно большого габарита, что не позволяет обеспечить необходимый шаг решётки, и наличие не одной, а двух точек включения, запитанных в противофазе для функционирования облучателя в режиме линейной поляризации.This utility model is the closest analogue in terms of design features and technical characteristics. The disadvantages are the impossibility of using the feed as an element of a scanning antenna array due to its relatively large size, which does not allow providing the required array pitch, and the presence of not one, but two switching points powered in antiphase for the feed to function in the linear polarization mode.

Сущность изобретенияThe essence of the invention

Техническая задача направлена на создание компактной сверхширокополосной антенны, пригодной для использования в качестве элементарной ячейки АФАР и облучателя зеркальных антенн.The technical problem is aimed at creating a compact ultra-wideband antenna suitable for use as an APAR elementary cell and reflector antenna feed.

Техническим результатом предложенного решения является увеличение ширины пропускания планарного излучателя до двукратного перекрытия рабочих частот.The technical result of the proposed solution is to increase the transmission width of the planar emitter up to a double overlap of the operating frequencies.

Существуют различные способы расширения полосы пропускания антенн, в частности, полосы согласования путём уменьшения волнового сопротивления или снижения значения реактивной составляющей комплексного входного сопротивления, при этом с целью улучшения частотной стабильности направленных характеристик требуется постоянство резонансной частоты, обратно пропорциональной квадратному корню из произведения ёмкости и индуктивности СВЧ структуры.There are various ways to expand the antenna bandwidth, in particular, the matching band by reducing the wave impedance or reducing the value of the reactive component of the complex input impedance, while in order to improve the frequency stability of the directional characteristics, a constant resonance frequency is required, which is inversely proportional to the square root of the product of the capacitance and the microwave inductance. structures.

Суть предлагаемого технического решения заключается в том, что сверхширокополосный планарный излучатель включает коаксиальную линию, экран коаксиальной линии, рефлектор, при этом согласно изобретению коаксиальная линия подключена к топологии двухслойной печатной платы заданной толщины, расположенной над рефлектором на расстоянии близком к четверти длины волны центральной частоты рабочего диапазона, причём внутренняя жила коаксиальной линии соединена посредством микрополосковой линии с верхним слоем металлизации, выполненной в виде замкнутой рамки, а внешний экран увеличенного радиуса коаксиальной линии соединен с нижним слоем металлизации печатной платы, повторяющим форму внутреннего контура верхнего слоя, верхний слой и нижний слой металлизации образуют зазор, регулирующийся толщиной печатной платы и расстоянием межу внутренними торцами верхнего и нижнего слоя металлизаций соответственно.The essence of the proposed technical solution lies in the fact that an ultra-wideband planar emitter includes a coaxial line, a coaxial line screen, a reflector, while according to the invention, the coaxial line is connected to the topology of a two-layer printed circuit board of a given thickness located above the reflector at a distance close to a quarter of the wavelength of the central frequency of the operating range, and the inner core of the coaxial line is connected by means of a microstrip line with the upper metallization layer, made in the form of a closed frame, and the outer shield of the increased radius of the coaxial line is connected to the lower metallization layer of the printed circuit board, repeating the shape of the inner contour of the upper layer, the upper layer and the lower metallization layer form a gap that is regulated by the thickness of the printed circuit board and the distance between the inner ends of the upper and lower metallization layers, respectively.

Замкнутая рамка верхнего слоя металлизации может быть выполнена округлой формы определенного радиуса и ширины или квадратной формы определенной длины и ширины.The closed frame of the upper metallization layer can be made of a rounded shape of a certain radius and width, or a square shape of a certain length and width.

Пространство между печатной платой и рефлектором может быть заполнено диэлектрическим материалом или слоем воздуха.The space between the PCB and the reflector can be filled with a dielectric material or a layer of air.

Использование коаксиальной линии с внешним экраном увеличенного радиуса позволяет расширить полосу согласования вследствие уменьшения волнового сопротивления излучателя.The use of a coaxial line with an external shield of an increased radius makes it possible to expand the matching band due to a decrease in the wave impedance of the radiator.

Расположение двухслойной печатной платы над рефлектором обеспечивает формирование основного лепестка диаграммы направленности (ДН) в одном полупространстве, при этом величина их разноса определяет как частотную зависимость направленных характеристик, так и импедансных свойств по причине влияния проводящей поверхности на значение реактивной мощности вблизи излучателя.The location of the two-layer printed circuit board above the reflector ensures the formation of the main lobe of the radiation pattern (DP) in one half-space, while the size of their spacing determines both the frequency dependence of the directional characteristics and the impedance properties due to the effect of the conducting surface on the reactive power value near the radiator.

Соединение внутренней жилы коаксиальной линии посредством микрополосковой линии с верхним слоем металлизации, выполненной в виде замкнутой рамки, и соединение внешнего экрана с нижним слоем металлизации, повторяющей внутренний контур верхнего слоя металлизации, выполненной в виде замкнутой рамки, образуют планарный излучатель со стабильными электрическими характеристиками в сверхширокой полосе частот по типу антенны верхнего питания. Осуществление возбуждения в одной точке верхнего слоя металлизации, выполненной в виде замкнутой рамки, через микрополосковую линию применяется с целью формирования поля излучения линейной поляризации, в двух точках – с целью формирования поля излучения круговой поляризации.The connection of the inner core of the coaxial line by means of a microstrip line with the upper metallization layer, made in the form of a closed frame, and the connection of the outer screen with the lower metallization layer, repeating the inner contour of the upper metallization layer, made in the form of a closed frame, form a planar emitter with stable electrical characteristics in an ultra-wide frequency band as a top power antenna. Excitation at one point of the upper metallization layer, made in the form of a closed frame, through a microstrip line is used to form a radiation field of linear polarization, at two points - in order to form a radiation field of circular polarization.

Выбор размеров металлизации, выполненной в виде замкнутой рамки, задаёт частотную область формирующейся ДН.The choice of the size of the metallization, made in the form of a closed frame, sets the frequency domain of the forming pattern.

Наличие зазора между верхним слоем металлизации, выполненной в виде замкнутой рамки, и нижним слоем металлизации, обеспечивает ёмкостной характер части реактивной мощности, запасённой вблизи излучателя, при этом пересечение зазора микрополосковой линией обеспечивает индуктивный характер части реактивной мощности, что в совокупности с коаксиальной линией образует СВЧ структуру, которую можно рассматривать как комбинацию электрического и магнитного диполей, суммарная энергия которых минимизирует значение реактивной мощности в ближней зоне, тем самым расширяя полосу согласования. Значение зазора грубо регулируется толщиной печатной платы и плавно – расстоянием межу внутренними торцами верхнего слоя металлизации, выполненной в виде замкнутой рамки, и нижнего слоя металлизаций, The presence of a gap between the upper metallization layer, made in the form of a closed frame, and the lower metallization layer, provides the capacitive nature of the part of the reactive power stored near the emitter, while crossing the gap by the microstrip line provides the inductive nature of the part of the reactive power, which together with the coaxial line forms a microwave structure, which can be considered as a combination of electric and magnetic dipoles, the total energy of which minimizes the value of reactive power in the near field, thereby expanding the matching band. The value of the gap is roughly regulated by the thickness of the printed circuit board and smoothly by the distance between the inner ends of the upper metallization layer, made in the form of a closed frame, and the lower metallization layer,

Планарное исполнение излучателя улучшает частотную стабильность положения фазового центра в отличие от протяжённых СВЧ структур типа излучателей вивальди или конических спиралей, что крайне важно для облучателей зеркальных антенн.The planar design of the emitter improves the frequency stability of the position of the phase center, in contrast to extended microwave structures such as Vivaldi emitters or conical spirals, which is extremely important for reflector antenna feeds.

Краткое описание чертежейBrief Description of Drawings

На фиг. 1 изображено поперечное сечение излучателя, фиг. 2 отображает конструкцию излучателя линейной поляризации, где пространство до рефлектора заполнено диэлектриком, фиг. 3 отображает конструкцию излучателя круговой поляризации, где пространство до рефлектора воздушное, фиг. 4 содержит частотную зависимость амплитуды коэффициента отражения, фиг. 5 содержит ДН в Е-плоскости излучателя линейной поляризации, фиг. 6 содержит ДН в Н-плоскости излучателя линейной поляризации, фиг. 7 содержит ДН излучателя круговой поляризации.FIG. 1 shows a cross-section of the radiator, FIG. 2 depicts the design of a linear polarization emitter, where the space up to the reflector is filled with a dielectric, FIG. 3 shows the design of a circular polarization emitter, where the space to the reflector is air, FIG. 4 contains the frequency dependence of the amplitude of the reflection coefficient, FIG. 5 contains a pattern in the E-plane of a linearly polarized emitter, FIG. 6 contains a pattern in the H-plane of a linearly polarized emitter, FIG. 7 contains the antenna pattern of the circularly polarized emitter.

Осуществление изобретенияImplementation of the invention

Сверхширокополосный планарный излучатель содержит коаксиальную линию, внутренняя жила 1 которой соединена при помощи микрополосковой линии 2 с металлизацией, выполненной в виде замкнутой рамки 3, расположенной на верхнем слое печатной платы 4. Внешний экран коаксиальной линии 5 соединён с металлизацией 6, расположенной на нижнем слое печатной платы 4 и повторяющей форму внутреннего контура верхнего слоя металлизации, выполненной в виде замкнутой рамки 3. Внешний экран 5 коаксиальной линии выполнен увеличенного радиуса, который задается в зависимости от требуемой полосы согласования. Щель 7 образована зазором между верхним слоем металлизации, выполненной в виде замкнутой рамки 3, и нижним слоем металлизации 6 печатной платы 4. Зазор регулируется толщиной печатной платы 4 и расстоянием межу внутренними торцами верхнего слоя металлизации, выполненной в виде замкнутой рамки 3, и нижнего слоя металлизации 6. Рефлектор 8, расположенный на расстоянии близком к четверти длины волны середины диапазона от печатной платы 4, образует пространство 9, заполненное диэлектрическим материалом или слоем воздуха.The ultra-wideband planar emitter contains a coaxial line, the inner core 1 of which is connected by a microstrip line 2 with metallization, made in the form of a closed frame 3, located on the upper layer of the printed circuit board 4. The outer screen of the coaxial line 5 is connected to the metallization 6 located on the lower layer of the printed circuit board. board 4 and repeating the shape of the inner contour of the upper metallization layer, made in the form of a closed frame 3. The outer shield 5 of the coaxial line is made with an increased radius, which is set depending on the required matching band. The slot 7 is formed by the gap between the upper metallization layer, made in the form of a closed frame 3, and the lower metallization layer 6 of the printed circuit board 4. The gap is regulated by the thickness of the printed circuit board 4 and the distance between the inner ends of the upper metallization layer, made in the form of a closed frame 3, and the lower layer metallization 6. The reflector 8, located at a distance close to a quarter of the wavelength of the middle of the range from the printed circuit board 4, forms a space 9 filled with a dielectric material or a layer of air.

Работа устройства Device operation

На вход коаксиальной линии подается СВЧ сигнал, который через микрополосковую линию 2 поступает на верхний слой металлизации, выполненной в виде замкнутой рамки 3, при этом происходит возбуждение щели 7. В точке включения микрополосковой линии 2, сигнал делится в соотношении 1:1, при этом на начальном отрезке пути две волны тока имеют противоположные направления, поэтому две соответствующие кромки металлизации, выполненной в виде замкнутой рамки 3, не излучают. При дальнейшем распространении две волны тока разделённого сигнала становятся сонаправленными, таким образом, определяя ориентацию линейной поляризации поля излучения.A microwave signal is fed to the input of the coaxial line, which is fed through the microstrip line 2 to the upper metallization layer made in the form of a closed frame 3, while the excitation of the slot 7 occurs. At the point of switching on the microstrip line 2, the signal is divided in a ratio of 1: 1, while on the initial section of the path, the two current waves have opposite directions, therefore, the two corresponding edges of the metallization, made in the form of a closed frame 3, do not emit. With further propagation, two waves of the separated signal current become codirectional, thus determining the orientation of the linear polarization of the radiation field.

В случае использования верхнего слоя металлизации, выполненной в виде замкнутой рамки 3 округлой формы, поляризационная развязка поля излучения в секторе углов ширины ДН ухудшается по сравнению со случаем использования квадратной формы ввиду наличия непараллельных отрезков путей распространения волн тока, формирующих кросс компоненты поля излучения.In the case of using the upper metallization layer made in the form of a closed round frame 3, the polarization decoupling of the radiation field in the sector of the angles of the AP width deteriorates in comparison with the case of using the square shape due to the presence of non-parallel segments of the propagation paths of current waves that form the cross components of the radiation field.

При возбуждении верхнего слоя металлизации, выполненной в виде замкнутой рамки 3, в двух точках, расположенных по центру перпендикулярных сторон, сигналами, находящимися в квадратуре и равной амплитуды, формируется поле излучения круговой поляризации. Ширина полосы пропускания по критерию некоторого минимального значения коэффициента эллиптичности определяется способом и устройством, задающими соответствующие амплитудно-фазовые соотношения.When the top layer of metallization is excited, made in the form of a closed frame 3, at two points located in the center of the perpendicular sides, a radiation field of circular polarization is formed by signals in quadrature and of equal amplitude. The bandwidth is determined by the method and device, which set the corresponding amplitude-phase relations, according to the criterion of some minimum value of the ellipticity coefficient.

Claims (4)

1. Сверхширокополосный планарный излучатель, включающий коаксиальную линию, экран коаксиальной линии, рефлектор, отличающийся тем, что коаксиальная линия подключена к топологии двухслойной печатной платы заданной толщины, расположенной над рефлектором на расстоянии, близком к четверти длины волны центральной частоты рабочего диапазона, при этом внутренняя жила коаксиальной линии соединена посредством микрополосковой линии с верхним слоем металлизации, выполненной в виде замкнутой рамки, а внешний экран коаксиальной линии соединен с нижним слоем металлизации печатной платы, повторяющим форму внутреннего контура верхнего слоя, верхний слой и нижний слой металлизации образуют зазор, регулирующийся толщиной печатной платы и расстоянием межу внутренними торцами верхнего и нижнего слоя металлизаций соответственно.1. Ultra-wideband planar emitter, including a coaxial line, a screen of a coaxial line, a reflector, characterized in that the coaxial line is connected to the topology of a two-layer printed circuit board of a given thickness, located above the reflector at a distance close to a quarter of the wavelength of the central frequency of the operating range, while the internal the vein of the coaxial line is connected by means of a microstrip line with the upper metallization layer, made in the form of a closed frame, and the outer screen of the coaxial line is connected to the lower metallization layer of the printed circuit board, repeating the shape of the inner contour of the upper layer, the upper layer and the lower metallization layer form a gap, which is regulated by the thickness of the printed board and the distance between the inner ends of the upper and lower metallization layers, respectively. 2. Сверхширокополосный планарный излучатель по п.1, отличающийся тем, что замкнутая рамка верхнего слоя металлизации выполнена округлой формы определенного радиуса и ширины.2. Ultra-wideband planar emitter according to claim 1, characterized in that the closed frame of the upper metallization layer is made of a rounded shape of a certain radius and width. 3. Сверхширокополосный планарный излучатель по п.1, отличающийся тем, что замкнутая рамка верхнего слоя металлизации выполнена квадратной формы определенной длины и ширины.3. Ultra-wideband planar emitter according to claim 1, characterized in that the closed frame of the upper metallization layer is made of a square shape of a certain length and width. 4. Сверхширокополосный планарный излучатель по п.1, отличающийся тем, что пространство между печатной платой и рефлектором заполнено диэлектрическим материалом или слоем воздуха.4. Ultra-wideband planar emitter according to claim 1, characterized in that the space between the printed circuit board and the reflector is filled with a dielectric material or an air layer.
RU2020118386A 2020-06-04 2020-06-04 Ultra-wideband planar emitter RU2738759C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2020118386A RU2738759C1 (en) 2020-06-04 2020-06-04 Ultra-wideband planar emitter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2020118386A RU2738759C1 (en) 2020-06-04 2020-06-04 Ultra-wideband planar emitter

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2738759C1 true RU2738759C1 (en) 2020-12-16

Family

ID=73835188

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2020118386A RU2738759C1 (en) 2020-06-04 2020-06-04 Ultra-wideband planar emitter

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2738759C1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU211959U1 (en) * 2021-11-29 2022-06-29 Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Ярославское высшее военное училище противовоздушной обороны" Министерства обороны Российской Федерации REDUCED P-BAND ANTENNA

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2061985C1 (en) * 1992-03-05 1996-06-10 Конструкторское Бюро "Связьморпроект" Top-feed antenna
US6204814B1 (en) * 1996-03-16 2001-03-20 Lutz Rothe Planar emitter
RU2576592C2 (en) * 2013-08-15 2016-03-10 Нуктех Кампани Лимитед Broadband microstrip antennae and antenna arrays
RU163383U1 (en) * 2016-01-25 2016-07-20 Акционерное общество "Научно-производственная фирма "Микран" ULTRA-BAND IRRADIATOR WITH HIGH ELLIPTICITY

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2061985C1 (en) * 1992-03-05 1996-06-10 Конструкторское Бюро "Связьморпроект" Top-feed antenna
US6204814B1 (en) * 1996-03-16 2001-03-20 Lutz Rothe Planar emitter
RU2576592C2 (en) * 2013-08-15 2016-03-10 Нуктех Кампани Лимитед Broadband microstrip antennae and antenna arrays
RU163383U1 (en) * 2016-01-25 2016-07-20 Акционерное общество "Научно-производственная фирма "Микран" ULTRA-BAND IRRADIATOR WITH HIGH ELLIPTICITY

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU211959U1 (en) * 2021-11-29 2022-06-29 Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Ярославское высшее военное училище противовоздушной обороны" Министерства обороны Российской Федерации REDUCED P-BAND ANTENNA

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7079082B2 (en) Coplanar waveguide continuous transverse stub (CPW-CTS) antenna for wireless communications
CN109687125A (en) A kind of ultralow section double frequency broad beam microstrip antenna based on multimodality fusion
EP3154126A1 (en) Ground phase manipulation in a beam forming antenna
KR101927708B1 (en) Microstrip Balun-fed four-arm Sinuous Antenna
JP7090329B2 (en) Antenna device
Zhao et al. A wideband scanning circularly polarized array antenna based on the shorted transmission line model
Jagtap et al. Gain and bandwidth enhancement of circularly polarized MSA using PRS and AMC layers
RU2738759C1 (en) Ultra-wideband planar emitter
RU2407118C1 (en) Wideband antenna array
Mahajan et al. Wine glass shaped microstrip antenna with woodpile structure for wireless applications
CN213905602U (en) Satellite-borne millimeter wave cross-shaped array antenna
RU2335834C1 (en) Super wide band transceiver antenna
Li et al. Compact, low-profile, HIS-based pattern-reconfigurable antenna for wide-angle scanning
Ahmad et al. Dual microstrip antenna patches with orthogonal i-shaped defected ground structure for beam steering realization
Rochkari et al. Low Profile High Gain Wideband Stacked MSA Array for 5G, WLAN and C-Band Applications.
RU2802167C1 (en) Bipolar collinear antenna
Luo et al. A broadband pattern reconfigurable patch antenna for 60GHz wireless communication
Wei et al. A Broadband Dielectric Resonator ESPAR with H-shaped Slot Aperture and Perforated Structure
Zoubiri et al. A novel radiation pattern and frequency reconfigurable single-armed spiral microstrip antenna design
RU150630U1 (en) Fragment of a Broadband Phased Antenna Array in Three Frequency Bands
RU2775172C1 (en) Ultra-wideband antenna array
CN220042277U (en) Wide-beam microstrip antenna and millimeter wave radar
RU219082U1 (en) MICROSTRIP ANTENNA FOR INTELLIGENT TRANSPORTATION SYSTEMS
RU2450395C2 (en) Broadband antenna
Chaipanya et al. A design of a single element switched beam antenna on Mushroom-like EBG structures.