RU2731531C1 - Vortex spin diode, as well as receiver and detector based thereon - Google Patents
Vortex spin diode, as well as receiver and detector based thereon Download PDFInfo
- Publication number
- RU2731531C1 RU2731531C1 RU2019114105A RU2019114105A RU2731531C1 RU 2731531 C1 RU2731531 C1 RU 2731531C1 RU 2019114105 A RU2019114105 A RU 2019114105A RU 2019114105 A RU2019114105 A RU 2019114105A RU 2731531 C1 RU2731531 C1 RU 2731531C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- vortex
- spin diode
- magnetization
- ferromagnetic layer
- layer
- Prior art date
Links
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 29
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims abstract description 25
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 54
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 4
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000002061 nanopillar Substances 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 13
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/82—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of the magnetic field applied to the device
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
Description
Настоящее изобретение относится к области беспроводной передачи энергии и информации, а также детектирования переменного сигнала и представляет собой приемник/детектор (выпрямляющий элемент) на основе вихревого спинового диода, работающего за счет эффекта переноса спина и туннельного/гигантского магнетосопротивления и представляющего из себя магнитную многослойную гетероструктуру, отличающийся вихревым распределением намагниченности в свободном слое. Данный приемник/детектор способен эффективно принимать передаваемую микроволновым передатчиком и собирать фоновую микроволновую энергию от беспроводных систем связи (Wi-Fi, GSM, LTE и прочее), которая может использоваться для питания устройств малой мощности, а также детектировать радиосигналы микроволнового частотного диапазона.The present invention relates to the field of wireless transmission of energy and information, as well as the detection of an alternating signal and is a receiver / detector (rectifying element) based on a vortex spin diode, operating due to the spin transfer effect and tunnel / giant magnetoresistance and representing a magnetic multilayer heterostructure characterized by a vortex distribution of magnetization in the free layer. This receiver / detector is able to efficiently receive the transmitted microwave transmitter and collect background microwave energy from wireless communication systems (Wi-Fi, GSM, LTE, etc.), which can be used to power low-power devices, as well as detect microwave frequency signals.
Предшествующий уровень техникиPrior art
Существующий уровень технологий позволяет использовать множество внешних источников для выработки энергии. К таким источникам относятся, например, вибрации, тепло или электромагнитные волны. В последнее время привлекательным источником стали фоновые радиочастотные сигналы от беспроводных систем связи или сигналы, передаваемые специальными передатчиками (энергетическими роутерами), которые могут использоваться для зарядки устройств малой мощности. Вместе с тем существующие электромагнитные устройства для сбора микроволновой энергии обладают большими габаритами, а полупроводниковые устройства не позволяют получить требуемого уровня конверсии во всем диапазоне мощностей. Возможным решением данной проблемы является использование приемников, включающих в себя спиновый диод, который работает за счет эффектов переноса спина и туннельного магнетосопротивления.The current level of technology allows the use of many external sources for energy generation. These sources include, for example, vibration, heat, or electromagnetic waves. Recently, RF background signals from wireless communication systems or signals transmitted by special transmitters (energy routers) that can be used to charge low-power devices have become an attractive source. At the same time, existing electromagnetic devices for collecting microwave energy have large dimensions, and semiconductor devices do not allow obtaining the required conversion level over the entire power range. A possible solution to this problem is the use of receivers that include a spin diode, which operates due to the effects of spin transfer and tunneling magnetoresistance.
Предлагаемый вихревой спиновый диод представляет из себя магнитный туннельный переход, в котором два ферромагнитных слоя разделены туннельной прослойкой. Первый ферромагнитный слой выполняет функцию поляризатора, а второй ферромагнитный слой является свободным и содержит магнитный вихрь. Подробнее туннельный переход описан, например, в патентном документе US 7598555B1.The proposed vortex spin diode is a magnetic tunnel junction, in which two ferromagnetic layers are separated by a tunnel layer. The first ferromagnetic layer acts as a polarizer, while the second ferromagnetic layer is free and contains a magnetic vortex. The tunnel passage is described in more detail, for example, in the patent document US 7598555B1.
Выпрямление переменного сигнала в данном документе осуществляется за счет спинового диодного эффекта. Данный эффект известен из уровня техники (см. Tulapurkar A. A. et al., Spin-torque diode effect in magnetic tunnel junctions // Nature 438, 7066, 339 (2005)) и заключается в возбуждении переменным током осцилляций намагниченности за счет эффекта переноса спина, что в свою очередь приводит к осцилляциям сопротивления за счет эффектов гигантского или туннельного магнетосопротивления, в результате чего в выходном напряжении спинового диода появляется постоянная компонента, т.е. происходит частичное выпрямление входного переменного сигнала.AC signal rectification in this document is accomplished by a spin diode effect. This effect is known from the prior art (see Tulapurkar AA et al., Spin-torque diode effect in magnetic tunnel junctions // Nature 438, 7066, 339 (2005)) and consists in the excitation by an alternating current of magnetization oscillations due to the spin transfer effect, which in turn leads to resistance oscillations due to the effects of giant or tunneling magnetoresistance, as a result of which a constant component appears in the output voltage of the spin diode, i.e. there is a partial rectification of the input AC signal.
Отличительной особенностью описанного в данном документе решения является наличие вихревого распределения намагниченности в свободном ферромагнитном слое спинового диода. Данное распределение намагниченности представляет из себя намагниченность, лежащую в плоскости и закрученную по или против часовой стрелки везде, кроме центра (ядра) магнитного вихря, в котором намагниченность выходит из плоскости вверх или вниз. При этом существуют геометрические размеры свободного слоя, при который вихревое распределение намагниченности является равновесным и образуется самопроизвольно (см. Metlov K. L., Guslienko K. Y., Stability of magnetic vortex in soft magnetic nano-sized circular cylinder // Journal of magnetism and magnetic materials 242, 1015-1017 (2002)).A distinctive feature of the solution described in this document is the presence of a vortex distribution of magnetization in the free ferromagnetic layer of the spin diode. This distribution of magnetization is a magnetization lying in a plane and twisted clockwise or counterclockwise everywhere, except for the center (core) of the magnetic vortex, in which the magnetization goes out of the plane up or down. In this case, there are geometric dimensions of the free layer, at which the vortex distribution of magnetization is in equilibrium and forms spontaneously (see Metlov KL, Guslienko KY, Stability of magnetic vortex in soft magnetic nano-sized circular cylinder // Journal of magnetism and magnetic materials 242, 1015 -1017 (2002)).
Еще одним примером использование спиновых диодов является патентный документ US 8860159 (В2) (опубликован 14.10.2014). Устройство по данному документу работает в нерезонансном (широкополосном) режиме, что приводит к меньшей чувствительности. В отличие от этого, описанное в данном документе решение работает в резонансном (узкополосном) режиме, за счет уникальных особенностей динамки магнитного вихря в свободном слое. Также широко известными являются однородные спиновые диоды, в которых свободный слой намагничен однородно или квазиоднородно. В отличие от таких решений описанное в данном документе решение позволяет работать на меньших частотах (от сотен МГц до единиц ГГц) за счет использования особенностей резонансного возбуждения магнитного вихря.Another example of the use of spin diodes is the patent document US 8860159 (B2) (published on 14.10.2014). The device described in this document operates in a non-resonant (broadband) mode, which results in lower sensitivity. In contrast, the solution described in this document operates in a resonant (narrow-band) mode, due to the unique features of the magnetic vortex dynamo in the free layer. Also widely known are homogeneous spin diodes in which the free layer is magnetized uniformly or quasi-uniformly. In contrast to such solutions, the solution described in this document allows operating at lower frequencies (from hundreds of MHz to units of GHz) by using the features of resonant excitation of a magnetic vortex.
При этом техническое решение по данному документу может работать как без тока смещения в режиме приема энергии, выпрямляя переменный микроволновой сигнал от специального передатчика или же фоновый микроволновой сигнал от беспроводных систем связи, так и с током смещения, который значительно повышает чувствительность, в режиме детектора сигнала на выделенной частоте.At the same time, the technical solution according to this document can work both without a bias current in the mode of receiving energy, rectifying an alternating microwave signal from a special transmitter or a background microwave signal from wireless communication systems, and with a bias current, which significantly increases the sensitivity, in the signal detector mode at the allocated frequency.
Сущность изобретенияThe essence of the invention
Технический результат настоящего изобретения заключается в создании приемника/детектора на основе вихревого спинового диода, имеющего резонанс эффективности выпрямления в области частот от сотен МГц до единиц ГГц и способного эффективно выпрямлять внешний сигнал в широком диапазоне мощностей (от нВт до Вт).The technical result of the present invention consists in creating a receiver / detector based on a vortex spin diode having a rectification efficiency resonance in the frequency range from hundreds of MHz to units of GHz and capable of effectively rectifying an external signal in a wide power range (from nW to W).
Технический результат достигается благодаря устройству вихревого спинового диода, работающего за счет эффекта переноса спина и туннельного/гигантского магнетосопротивления и представляющего собой магнитную туннельную гетероструктуру. Спиновый диод включает в себя 1) первый ферромагнитный слой, намагниченность которого фиксируется с помощью антиферромагнитного слоя или синтетического антиферромагнетика, 2) туннельную диэлектрическую или немагнитную металлическую прослойку и 3) второй ферромагнитный слой, намагниченность которого является свободной. При этом выпрямляющий элемент отличается тем, что второй ферромагнитный (свободный) слой содержит вихревое распределение намагниченности.The technical result is achieved thanks to the device of a vortex spin diode, which operates due to the spin transfer effect and tunnel / giant magnetoresistance and is a magnetic tunnel heterostructure. The spin diode includes 1) the first ferromagnetic layer, the magnetization of which is fixed using an antiferromagnetic layer or a synthetic antiferromagnet, 2) a tunnel dielectric or nonmagnetic metal layer, and 3) a second ferromagnetic layer, the magnetization of which is free. In this case, the rectifying element differs in that the second ferromagnetic (free) layer contains a vortex distribution of magnetization.
Отличительная черта данного приемника/детектора заключается в повышенной чувствительности на малых мощностях входного переменного сигнала (вплоть до нВт), а также в практически нулевом пороге возбуждения. В результате становится возможным сбор энергии из фонового радиочастотного спектра или от слабого передатчика для питания устройств с малым потреблением энергии (датчиков, микроконтроллеров, устройств памяти и т.д.), а также детектирование сверхслабых радиочастотных сигналов. Другой отличительной чертой является частотный диапазон эффективного выпрямления от сотен МГц до единиц ГГц, а также отсутствие необходимости во внешнем магнитном поле для работы предлагаемого вихревого спинового диода.A distinctive feature of this receiver / detector is its increased sensitivity at low powers of the input AC signal (up to nW), as well as an almost zero excitation threshold. As a result, it becomes possible to collect energy from the background radio frequency spectrum or from a weak transmitter to power devices with low power consumption (sensors, microcontrollers, memory devices, etc.), as well as the detection of ultra-weak radio frequency signals. Another distinctive feature is the frequency range of effective rectification from hundreds of MHz to units of GHz, as well as the absence of the need for an external magnetic field for the operation of the proposed vortex spin diode.
Осуществление изобретенияImplementation of the invention
Устройство по настоящему изобретению представляет собой вихревой спиновый диод, выполненный в виде многослойного наностолбика с характерными толщинами слоев в доли - единицы нанометров и с характерными диаметрами десятки - сотни нанометров. Вихревой спиновый диод включает в себя два ферромагнитных слоя, разделенных немагнитной прослойкой (туннельной диэлектрической или металлической). Кроме того, он может включать также дополнительные побочные слои (например, слои, необходимые для подведения тока и интеграции с другими элементами, или побочные технологические слои). Первый ферромагнитный слой имеет фиксированную намагниченность, что достигается за счет использования антиферромагнитного слоя или синтетического ферромагнетика. Первый ферромагнитный слой выполняет функцию поляризатора тока. При этом направление его намагниченности может быть задано как в плоскости, так и под углом, имея при этом и перпендикулярную плоскости пленки компоненту. Выбор конкретного направления зависит от использования вихревого спинового диода в качестве детектора или приемника. Случай намагниченности первого слоя в плоскости соответствует наибольшей эффективности выпрямления сигналов без тока смещения, т.е. выгоден для приема передаваемой или фоновой радиочастотной энергии. При этом наличие перпендикулярной компоненты позволяет увеличивать чувствительность в режиме работы с током смещения, что выгодно для детектирования, но не может быть использовано для приема энергии. Второй ферромагнитный слой (свободный) изготовлен из магнитомягкого материала (с нулевой или близкой к нулю анизотропией) и имеет вихревое распределение намагниченности, которое является равновесным и образуется самопроизвольно для характерных размеров. Между первым и вторым ферромагнитными слоями находится немагнитная прослойка, которая может быть туннельной диэлектрической или металлической и которая обеспечивает туннельное/гигантское магнетосопротивление. При этом вместо использования первого ферромагнитного слоя (поляризатора), направленного под углом, можно использовать первый ферромагнитный слой (поляризатор), направленный в плоскости, вместе с дополнительным третьим ферромагнитным слоем, намагниченным перпендикулярно, находящимся с другой стороны от свободного слоя и разделенным со вторым слоем немагнитной прослойкой (туннельной (типа MgO) или металлической (типа Cu)). В данном варианте структура диода будем выглядеть следующим образом: первый ферромагнитный слой - немагнитная прослойка - второй ферромагнитный слой -немагнитная прослойка - третий ферромагнитный слой.The device according to the present invention is a vortex spin diode made in the form of a multilayer nanopillar with characteristic layer thicknesses in fractions - a few nanometers and with characteristic diameters of tens - hundreds of nanometers. A vortex spin diode includes two ferromagnetic layers separated by a non-magnetic layer (tunnel dielectric or metal). In addition, it can also include additional secondary layers (for example, layers required for current supply and integration with other elements, or secondary technological layers). The first ferromagnetic layer has a fixed magnetization, which is achieved through the use of an antiferromagnetic layer or a synthetic ferromagnet. The first ferromagnetic layer acts as a current polarizer. In this case, the direction of its magnetization can be specified both in the plane and at an angle, with a component perpendicular to the plane of the film. The choice of a particular direction depends on the use of a vortex spin diode as a detector or receiver. The case of magnetization of the first layer in the plane corresponds to the highest efficiency of signal rectification without bias current, i.e. beneficial for receiving transmitted or background RF energy. In this case, the presence of a perpendicular component allows increasing the sensitivity in the mode of operation with a bias current, which is beneficial for detection, but cannot be used for receiving energy. The second ferromagnetic layer (free) is made of a magnetically soft material (with zero or close to zero anisotropy) and has a vortex distribution of magnetization, which is equilibrium and forms spontaneously for characteristic dimensions. Between the first and second ferromagnetic layers there is a non-magnetic interlayer, which can be tunnel dielectric or metallic, and which provides tunnel / giant magnetoresistance. In this case, instead of using the first ferromagnetic layer (polarizer) directed at an angle, you can use the first ferromagnetic layer (polarizer) directed in the plane, together with an additional third ferromagnetic layer, magnetized perpendicularly, located on the other side of the free layer and separated from the second layer non-magnetic interlayer (tunnel (MgO type) or metal (Cu type)). In this embodiment, the structure of the diode will look like this: the first ferromagnetic layer - a non-magnetic layer - the second ferromagnetic layer - a non-magnetic layer - the third ferromagnetic layer.
Устройство работает следующим образом. При попадании переменного тока на вихревой спиновый диод электроны проходят через первый ферромагнитный слой и поляризуются по спину, затем проходят через туннельную прослойку и переносят момент движения во второй ферромагнитный слой со свободной намагниченностью, создавая таким образом вращающий момент, действующий на намагниченность второго слоя. В этом слое возникают осцилляции намагниченности на частоте подаваемого сигнала, амплитуда которых резонансно возрастает при приближении частоты входного сигнала к собственной частоте колебаний магнитного вихря. Такие осцилляции намагниченности вызывают соответствующие осцилляции электрического сопротивления, создающие, таким образом, постоянную токовую компоненту, величина которой зависит от частоты внешнего сигнала (эффект выпрямления). Такая компонента может использоваться для питания маломощных устройств. При этом возможен режим, когда на вихревой спиновый диод также подается постоянный ток, понижающий диссипации в системе, в результате чего отклик намагниченности, а значит и выпрямление, значительно увеличивается. В данном режиме вихревой спиновый диод может работать, как высокочувствительный детектор.The device works as follows. When an alternating current hits the vortex spin diode, the electrons pass through the first ferromagnetic layer and polarize along the spin, then pass through the tunnel layer and transfer the moment of motion to the second ferromagnetic layer with free magnetization, thus creating a torque acting on the magnetization of the second layer. In this layer, magnetization oscillations appear at the frequency of the supplied signal, the amplitude of which increases resonantly as the frequency of the input signal approaches the natural frequency of the magnetic vortex. Such oscillations of magnetization give rise to corresponding oscillations of electrical resistance, thus creating a constant current component, the magnitude of which depends on the frequency of the external signal (rectification effect). This component can be used to power low-power devices. In this case, a mode is possible when a constant current is also supplied to the vortex spin diode, which lowers the dissipation in the system, as a result of which the magnetization response, and hence the rectification, increases significantly. In this mode, the vortex spin diode can operate as a highly sensitive detector.
Толщины слоев и диаметр вихревого спинового диода подбираются таким образом, чтобы обеспечить нужную рабочую частоту из возможного диапазона и максимальную чувствительность вихревого слоя к микроволновому сигналу.The layer thicknesses and the diameter of the vortex spin diode are selected in such a way as to provide the desired operating frequency from the possible range and the maximum sensitivity of the vortex layer to the microwave signal.
Claims (7)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019114105A RU2731531C1 (en) | 2019-05-08 | 2019-05-08 | Vortex spin diode, as well as receiver and detector based thereon |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019114105A RU2731531C1 (en) | 2019-05-08 | 2019-05-08 | Vortex spin diode, as well as receiver and detector based thereon |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2731531C1 true RU2731531C1 (en) | 2020-09-03 |
Family
ID=72421878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2019114105A RU2731531C1 (en) | 2019-05-08 | 2019-05-08 | Vortex spin diode, as well as receiver and detector based thereon |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2731531C1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2762381C1 (en) * | 2021-07-01 | 2021-12-20 | Общество с ограниченной ответственностью «Новые спинтронные технологии» (ООО «НСТ») | Ac rectifier based on inhomogeneous heterostructure |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090161267A1 (en) * | 2007-12-20 | 2009-06-25 | Fujitsu Limited | Ferromagnetic tunnel junction device, magnetic head, and magnetic storage device |
| RU2408940C2 (en) * | 2008-10-27 | 2011-01-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский физико-технический институт (государственный университет)" | Multilayer magnetoresistive composite nanostructure |
| US8860159B2 (en) * | 2011-10-20 | 2014-10-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Spintronic electronic device and circuits |
| US8865326B2 (en) * | 2005-02-16 | 2014-10-21 | Nec Corporation | Magnetoresistance device including layered ferromagnetic structure, and method of manufacturing the same |
| US20140362624A1 (en) * | 2012-01-17 | 2014-12-11 | Hitachi, Ltd. | Spin torque diode element, rectifier and power generation module |
| RU2573205C2 (en) * | 2010-10-26 | 2016-01-20 | Крокус Текнолоджи Са | Multilevel magnetic element |
-
2019
- 2019-05-08 RU RU2019114105A patent/RU2731531C1/en active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8865326B2 (en) * | 2005-02-16 | 2014-10-21 | Nec Corporation | Magnetoresistance device including layered ferromagnetic structure, and method of manufacturing the same |
| US20090161267A1 (en) * | 2007-12-20 | 2009-06-25 | Fujitsu Limited | Ferromagnetic tunnel junction device, magnetic head, and magnetic storage device |
| RU2408940C2 (en) * | 2008-10-27 | 2011-01-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский физико-технический институт (государственный университет)" | Multilayer magnetoresistive composite nanostructure |
| RU2573205C2 (en) * | 2010-10-26 | 2016-01-20 | Крокус Текнолоджи Са | Multilevel magnetic element |
| US8860159B2 (en) * | 2011-10-20 | 2014-10-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Spintronic electronic device and circuits |
| US20140362624A1 (en) * | 2012-01-17 | 2014-12-11 | Hitachi, Ltd. | Spin torque diode element, rectifier and power generation module |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2762381C1 (en) * | 2021-07-01 | 2021-12-20 | Общество с ограниченной ответственностью «Новые спинтронные технологии» (ООО «НСТ») | Ac rectifier based on inhomogeneous heterostructure |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Fang et al. | Experimental demonstration of spintronic broadband microwave detectors and their capability for powering nanodevices | |
| US7991377B2 (en) | Mixer and frequency converting apparatus | |
| US8131249B2 (en) | Frequency converter | |
| CN105308819A (en) | Wireless power transmitter with a plurality of magnetic oscillators | |
| Xiao et al. | Low-frequency dual-driven magnetoelectric antennas with enhanced transmission efficiency and broad bandwidth | |
| US20100289490A1 (en) | Electromagnetic detection apparatus and methods | |
| Tarequzzaman et al. | Broadband voltage rectifier induced by linear bias dependence in CoFeB/MgO magnetic tunnel junctions | |
| Zollitsch et al. | Tuning high-Q superconducting resonators by magnetic field reorientation | |
| US8207806B2 (en) | Magnetic oscillation element | |
| RU2731531C1 (en) | Vortex spin diode, as well as receiver and detector based thereon | |
| JP5251756B2 (en) | Mixer and frequency converter | |
| JP2007235119A (en) | Ferromagnetic wire | |
| CN111417858B (en) | Frequency sensor | |
| Konishi et al. | Radio-frequency amplification property of the MgO-based magnetic tunnel junction using field-induced ferromagnetic resonance | |
| Zeng et al. | Spin-torque diode-based radio-frequency detector by utilizing tilted fixed-layer magnetization and in-plane free-layer magnetization | |
| US9225287B2 (en) | Oscillator, rectifier, and transceiver device | |
| RU2762381C1 (en) | Ac rectifier based on inhomogeneous heterostructure | |
| Buzdakov et al. | Magnetostatically Induced Easy-Cone Magnetic State Tuning by Perpendicular Magnetic Anisotropy in an Unbiased Spin-Torque Diode | |
| Gupta et al. | Dual band radio frequency detector based on the simultaneous excitation of free and reference layer in a magnetic tunnel junction | |
| RU2793891C1 (en) | Spintron detector of microwave oscillations | |
| JP2020035832A (en) | Ac generation device | |
| Prokopenko et al. | Spin-torque microwave detectors: Fundamentals and applications | |
| WO2023277728A2 (en) | Ac rectifier with non-collinear magnetization | |
| Artemchuk et al. | Microwave signal frequency determination using multiple spin-torque microwave detectors | |
| Macià Bros et al. | Spin wave excitation patterns generated by spin torque oscillators |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| QB4A | Licence on use of patent |
Free format text: PLEDGE FORMERLY AGREED ON 20220421 Effective date: 20220421 |