RU2731363C1 - Вакуумный эмиссионный триод - Google Patents

Вакуумный эмиссионный триод Download PDF

Info

Publication number
RU2731363C1
RU2731363C1 RU2019143990A RU2019143990A RU2731363C1 RU 2731363 C1 RU2731363 C1 RU 2731363C1 RU 2019143990 A RU2019143990 A RU 2019143990A RU 2019143990 A RU2019143990 A RU 2019143990A RU 2731363 C1 RU2731363 C1 RU 2731363C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
emission
cathode
electrons
vacuum
triode
Prior art date
Application number
RU2019143990A
Other languages
English (en)
Inventor
Эдуард Анатольевич Ильичев
Владимир Петрович Карамышев
Сергей Станиславович Кондратьев
Александр Евгеньевич Кулешов
Георгий Николаевич Петрухин
Геннадий Сергеевич Рычков
Екатерина Григорьевна Теверовская
Михаил Григорьевич Теверовский
Владимир Викторович Фандеев
Вячеслав Викторович Светухин
Original Assignee
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" filed Critical Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"
Priority to RU2019143990A priority Critical patent/RU2731363C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2731363C1 publication Critical patent/RU2731363C1/ru

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21HOBTAINING ENERGY FROM RADIOACTIVE SOURCES; APPLICATIONS OF RADIATION FROM RADIOACTIVE SOURCES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; UTILISING COSMIC RADIATION
    • G21H1/00Arrangements for obtaining electrical energy from radioactive sources, e.g. from radioactive isotopes, nuclear or atomic batteries
    • G21H1/04Cells using secondary emission induced by alpha radiation, beta radiation, or gamma radiation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Electron Tubes For Measurement (AREA)

Abstract

Изобретение относится к конструкции вакуумного эмиссионного триода с сильноточным "холодным" катодом. Предусмотрено использование микроканальной пластины, активированной к процессам вторичной эмиссии электронов, в каналы которой асимметрично внедрено вещество маломощного изотопа. Управляющим электродом триода является металлизированная поверхность другой стороны микроканальной пластины, а между ней и анодом может быть расположен ряд других микроканальных пластин с функцией умножения потока электронов. Техническим результатом является повышение тока катода с обеспечением экологической безопасности. 1 ил.

Description

Данное изобретение относится к приборам вакуумной эмиссионной электроники и может быть использовано в устройствах коммутации тока, в усилителях, в смесителях и в ряде других приборов и устройств силового сектора СВЧ-электроники. Области применений эмиссионной СВЧ электроники чрезвычайно широки. Это цифровое телевидение, спутниковая связь, узкополосная и сверхширокополосная радиолокация и многое другое. Их реализация требует освоения частотного диапазона в несколько сотен гигагерц, для чего необходимо иметь сильноточные катоды. Базовыми детектирующими и усилительными элементами силовых СВЧ устройств и систем являются вакуумные эмиссионные диоды и триоды. В настоящее время источниками электронов в приборах эмиссионной силовой электроники являются термокатоды. Они позволяют получить большие токи, однако термоэмиссия электронов положенная в основу работу термокатодов имеет недостаточно высокую мобильность (времена выхода приборов в рабочий режим составляют 1…3 минуты), что является крупным недостатком в ряде применений, например в радиолокации (приходится постоянно держать сеть станций в работающем состоянии). Создать активные элементы необходимой мобильности и быстродействия, возможно только при использовании «холодных» катодов, при плотностях токов превосходящих 1…5 A/cm2 и полных токах ~ 0,1…1,0 А. При этом, к электронно-компонентной базе силовой СВЧ электроники, предъявляются требования длительной стабильной работы в условиях повышенных температур (-100 + +300°С) и радиационных воздействий.
Аналогами заявляемого нами устройства могут быть вакуумные эмиссионные триоды, в которых управление потоком электронов между электродами катода и анода осуществляется с помощью электрического поля, созданного третьим (управляющим) электродом [1]. Преимущества вакуумной эмиссионной ЭКБ по сравнению с MESFET приборами твердотельной СВЧ электроники начинают значимо проявляться при рабочих частотах превышающих 50…60 ГГц (здесь резко уменьшается добротность твердотельных полупроводниковых приборов за счет утечек по паразитным цепям исток-затвор-сток), а также при их использовании в высоковольтных системах и в условиях повышенных температурных и радиационных воздействий. Однако, источниками электронов в таких вакуумных эмиссионных силовых приборах, как правило, являются термоэмиссионные катоды, что, как упомянуто выше, для ряда применений (например, в радиолокации) приводит к значительным ограничениям и является финансово затратным.
Высокой мобильностью обладают «холодные» катоды. В частности, к холодным мобильным источникам электронов относят автокатоды [2…4]. Автоэлектронной эмиссии электронов присуще уникальное быстродействие (характерные времена ~1…10 пс), слабая зависимость от температуры, и монохроматичность энергии электронного пучка. Однако многолетние попытки заменить в вакуумных сильноточных диодах и триодах термокатоды на автоэмиссионные микроострийные катоды, остро затребованные в силовом секторе СВЧ-электроники, сталкиваются с серьезными техническими проблемами [5]. Рабочий ресурс автокатодов недопустимо мал, а полные токи как правило не превышают 10 мА. Причина указанных проблем связана со значительной дисперсией аспектных отношений микроострий и с недостаточно высоким пределом текучести традиционных полупроводников и металлов.
Альтернативными источниками электронов, пригодными на роль "холодных" катодов для мобильных и стабильных приборов эмиссионной электроники могут стать изотопные источники бета- электронов. Степень монохроматичности бета- электронов чрезвычайно высока, а их поток стабилен на протяжении нескольких десятков лет. С учетом необходимости сберечь экологию окружающей среды и выполнить требования безопасности при эксплуатации приборов, изотопами для холодных катодов могут стать тритий либо никель - 63. Недостатки холодных катодов на основе указанных изотопов связаны с их низкой активностью, следствием чего являются невысокие значения предельных полных токов (~100 нА/см2) и мощностей (не более 1 мкВт).
Наиболее близкой конструкцией (прототипом) к заявленному изобретению является конструкция эмиссионного триода в составе вакуумно-плотного корпуса, катода, управляющего электрода, анода и электрических контактов [6].
Задачей изобретения является значительное повышение величины плотного тока в вакуумных эмиссионных триодах и реализация высокой мобильности катода.
Достигается это посредством использования мобильного и стабильного изотопного катода, так что конструкция вакуумного эмиссионного триода содержит последовательно расположенные в вакуумно-плотном корпусе катод, управляющий электрод и анод, и отличается тем, что катод выполнен в форме микроканальной пластины, в массивы каналов которой со стороны одной из ее металлизированных поверхностей внедрено вещество изотопа, до глубины, выбранной с учетом необходимой величины коэффициента умножения потока электронов, управляющим электродом является вторая металлизированная поверхность микроканальной пластины, а между ней и анодом последовательно располагается ряд микроканальных пластин активированных к процессам вторичной эмиссии электронов.
На чертеже представлено условное изображение заявляемого вакуумного эмиссионного триода, в составе последовательно расположенных активных элементов: катода выполненного в виде микроканальной пластины (поз. 1), в каналы которой на оптимальную глубину внедрено вещество изотопа - источника бета - электронов (поз. 2), металлизированных контактов к ней (поз. 3 и поз. 4) один из которых (поз. 3) является контактом к веществу изотопа, а другой (поз.4) реализует функцию управляющего (ускоряющего вторичные электроны) электрода, дополнительных микроканальных пластин (в нашем примере поз.5 и поз.6) умножающих ток катода, и анод (поз.7). Работу предлагаемого устройства можно описать следующим образом. Вещество изотопа внедренное в каналы МКП испускает бета- электроны со средней энергией Ее (для 3Н она равна 5,7 кэВ, для 63Ni ~ 17 кэВ). Упомянутые бета-электроны, бомбардируя поверхность стенок каналов МКП, генерируют вторичные электроны, значительно увеличивая плотность электронного потока. Таким образом, реализуется холодный изотопный катод с внутренним усилением. В рамках одного цикла таких преобразований за счет вторичной эмиссии электронов реализуется умножение потока электронов в Ее/е раз. Так как энергия образования вторичных электронов (е) находится в диапазоне 5…15 эВ (например, ~ 5 эВ для активированного специализированного стекла, и 10…15 эВ для алмаза), а к электродам МКП приложена разность потенциалов от 500 до 1000 В, то в ней будут протекать и вторичные процессы преобразований, с учетом которых результирующий коэффициент умножения достигает ~ нескольких тысяч раз. Рожденные вторичные электроны дрейфуют к выходу из массивов каналов МКП в поле разности потенциалов, приложенной к металлизированным поверхностям первой из числа упомянутых микроканальных пластин, а по выходу из нее -направляются к ближайшему электроду последующего из ряда МКП. С учетом увеличения площади поверхности взаимодействия бета- электронов с активированной к вторичной эмиссии поверхностью каналов МКП примерно в 30 раз, при энергии бета-электронов в 5,7 кэВ, коэффициент умножения составит ~ 103 раз. Поэтому, при мощности изотопного источника в ~ 1 мкВт, на выходе первой МКП получим ток ~ 100 мкА. Мобильность и быстродействие обсуждаемого триода с изотопным катодом будут определяться временами "пролета" пространства между пластинами умножающих поток электронов МКП, а также характерным временем процессов вторичной эмиссии, и временем зарядки результирующим током емкостей последовательно расположенных умножающих МКП и анода. Так, для прибора в составе обсуждаемого изотопного катода с внутренним умножением, и двух дополнительных умножающих МКП, при площади катода ~ 1 см, длине пролета (дрейфовой длине) на свободном от вещества изотопа участке МКП (~ 100…200 мкм) и ~ в 1 мм суммарной длины дрейфа в пространствах между двумя последующими МКП, пролетные (дрейфовые) времена составят ~ 0,1 не, а полный ток достигнет величины ~ 1 А. Характерное время зарядки суммарной емкости МКП и анода составит величину ~ 0,3 не, что соответствует рабочим частотам в ~300 ГГц.
Таким образом, реализация эмиссионного триода для СВЧ-систем большой мощности (-0,1… 1,0 киловатт) может быть выполнена посредством использования стабильного мобильного хотя и недостаточно мощного изотопного катода с высокой степенью однородности эмиссии бета- электронов, если реализовать посредством внедрения вещества изотопа в каналы МКП внутреннее усиление потока за счет эффекта вторичной эмиссии электронов, и дополнительного использования последовательно расположенных МКП умножающих поток электронов.
Предлагаемая конструкция имеет ряд важных преимуществ перед прототипом.
Она экономична (в отличии от триода с термокатодом нет необходимости в питании накальной цепи); ей свойственны высокое быстродействие и мобильность (холодный катод выходит в рабочий режим за времена ~0,1 не); конструкция компактна (толщина активной части конструкции не более ~ 3…4 мм, а диаметр определяется мощностью триода, - в рассмотренном примере он составляет величину ~ 1 см).
Источники информации
[1] Кудинцева Г.А и др. Термоэлектронные катоды, М.Л., 1966
[2] Егоров Н.В., Шешин Е.П. Автоэлектронная эмиссия. Принципы и приборы. Долгопрудный:Интелект,2011-703 с.
[3] Spindt, С.А. Physical properties of thin-film feld emission cathodes with molybdenum cones // J. Appl. Phys. 1976. Vol. 47, №. 12. Pp. 5248-5263
[4] Тумарева T.A., Соминский Г.Г. Работа полевых эмиттеров с активированными фуллереновыми покрытиями в техническом вакууме// ЖТФ, 2013, том 83, выпуск 7
[5] В.А. Беспалов, Э.А. Ильичев, С.В. Куклев, А.Е. Кулешов, P.M. Набиев, Н.Н. Патюков, Г.Н. Петрухин, Г.С. Рычков, Д.С. Соколов, Е.Г. Теверовская, Е.Ю. Шелюхин. Разработка и исследование автоэмиссионной среды для автокатодов мобильных силовых СВЧ приборов. Журнал технической физики, 2018, том 88, вып. 3, с. 455-463
[6] Булычев А.Л. и др. Справочник по электровакуумным приборам. Минск, 1982.

Claims (1)

  1. Вакуумный эмиссионный триод, содержащий последовательно расположенные в корпусе катод, управляющий электрод и анод, отличающийся тем, что катод выполнен в форме микроканальной пластины, в массивы каналов которой со стороны одной из ее металлизированных поверхностей внедрено вещество изотопа, до глубины, выбранной с учетом необходимой величины коэффициента умножения потока электронов, управляющим электродом является вторая металлизированная поверхность микроканальной пластины, а между ней и анодом последовательно располагается ряд микроканальных пластин активированных к процессам вторичной эмиссии электронов.
RU2019143990A 2019-12-26 2019-12-26 Вакуумный эмиссионный триод RU2731363C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2019143990A RU2731363C1 (ru) 2019-12-26 2019-12-26 Вакуумный эмиссионный триод

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2019143990A RU2731363C1 (ru) 2019-12-26 2019-12-26 Вакуумный эмиссионный триод

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2731363C1 true RU2731363C1 (ru) 2020-09-02

Family

ID=72421748

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2019143990A RU2731363C1 (ru) 2019-12-26 2019-12-26 Вакуумный эмиссионный триод

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2731363C1 (ru)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1535304A1 (en) * 2002-08-16 2005-06-01 Litton Systems, Inc. Microchannel plate having input/output face funneling
US7042160B2 (en) * 2004-02-02 2006-05-09 Itt Manufacturing Enterprises, Inc. Parallel plate electron multiplier with ion feedback suppression
US20090315443A1 (en) * 2008-06-20 2009-12-24 Arradiance, Inc. Microchannel plate devices with tunable resistive films
US7741758B2 (en) * 2003-06-17 2010-06-22 Hamamatsu Photonics K.K. Electron multiplier including dynode unit, insulating plates, and columns
FR2964785B1 (fr) * 2010-09-13 2013-08-16 Photonis France Dispositif multiplicateur d'électrons a couche de nanodiamant.
RU2511614C2 (ru) * 2012-07-17 2014-04-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет" Электронная схема и/или микроэлектромеханическая система с радиационным источником подвижных носителей заряда
US8786168B2 (en) * 2012-02-29 2014-07-22 Photek Limited Microchannel plate for electron multiplier
US9105459B1 (en) * 2013-03-15 2015-08-11 Exelis Inc. Microchannel plate assembly
RU2687965C2 (ru) * 2014-12-18 2019-05-17 Дженерал Электрик Компани Настраиваемая ламповая усилительная система радиочастотного генератора мощности

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1535304A1 (en) * 2002-08-16 2005-06-01 Litton Systems, Inc. Microchannel plate having input/output face funneling
US7741758B2 (en) * 2003-06-17 2010-06-22 Hamamatsu Photonics K.K. Electron multiplier including dynode unit, insulating plates, and columns
US7042160B2 (en) * 2004-02-02 2006-05-09 Itt Manufacturing Enterprises, Inc. Parallel plate electron multiplier with ion feedback suppression
US20090315443A1 (en) * 2008-06-20 2009-12-24 Arradiance, Inc. Microchannel plate devices with tunable resistive films
FR2964785B1 (fr) * 2010-09-13 2013-08-16 Photonis France Dispositif multiplicateur d'électrons a couche de nanodiamant.
US8786168B2 (en) * 2012-02-29 2014-07-22 Photek Limited Microchannel plate for electron multiplier
RU2511614C2 (ru) * 2012-07-17 2014-04-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет" Электронная схема и/или микроэлектромеханическая система с радиационным источником подвижных носителей заряда
US9105459B1 (en) * 2013-03-15 2015-08-11 Exelis Inc. Microchannel plate assembly
RU2687965C2 (ru) * 2014-12-18 2019-05-17 Дженерал Электрик Компани Настраиваемая ламповая усилительная система радиочастотного генератора мощности

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Whaley et al. 100 W operation of a cold cathode TWT
Gilmour Jr et al. Klystrons, traveling wave tubes, magnetrons, crossed-field amplifiers, and gyrotrons
Jensen Field emitter arrays for plasma and microwave source applications
US3021472A (en) Low temperature thermionic energy converter
US3239745A (en) Low temperature thermionic energy converter
US10403466B1 (en) Low sputtering, cross-field, gas switch and method of operation
Zhang et al. Development of an electron gun based on CNT-cathode for traveling wave tube application
RU2731363C1 (ru) Вакуумный эмиссионный триод
Currie et al. New mechanism of noise reduction in electron beams
US3854066A (en) Electron device incorporating a microchannel secondary emitter
Alhuwaidi 3D modeling, analysis, and design of a traveling-wave tube using a modified ring-bar structure with rectangular transmission lines geometry
Kodis et al. Operation and optimization of gated field emission arrays in inductive output amplifiers
Browning et al. A low-frequency crossed-field amplifier for experimental investigations of electron-radio frequency wave interactions
Ma et al. Design of a hollow-beam electron optics system with control focus electrodes
Chen et al. Theory and performance of depressed trochoidal collectors for improving traveling-wave tube efficiency
Lin et al. A relativistic self-consistent model for studying enhancement of space charge limited field emission due to counter-streaming ions
US9105434B2 (en) High current, high energy beam focusing element
Imura et al. Electron gun design for traveling wave tubes (TWTs) using a field emitter array (FEA) cathode
US20050062387A1 (en) Electron source
Paranin et al. Thermal conditions in a hot evaporating cathode in a stationary vacuum arc with diffuse cathode emission
RU2716825C1 (ru) Устройство и способ формирования пучков многозарядных ионов
Sisodia Microwave Active Devices: Vacuum and Solid State
Sreenivasan et al. Characteristics of a Low Energy Ion Source
Sinclair The SLAC lasertron project
Taylor et al. Performance of electron beam-semiconductor amplifiers