RU2725650C1 - Constant magnetic field sensor based on a magnetoplasmon crystal - Google Patents
Constant magnetic field sensor based on a magnetoplasmon crystal Download PDFInfo
- Publication number
- RU2725650C1 RU2725650C1 RU2020106094A RU2020106094A RU2725650C1 RU 2725650 C1 RU2725650 C1 RU 2725650C1 RU 2020106094 A RU2020106094 A RU 2020106094A RU 2020106094 A RU2020106094 A RU 2020106094A RU 2725650 C1 RU2725650 C1 RU 2725650C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- magnetic field
- field sensor
- constant magnetic
- layer
- sensor according
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/032—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using magneto-optic devices, e.g. Faraday or Cotton-Mouton effect
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к технике измерений постоянных магнитных полей и может быть использовано для создания на его основе магнитооптических приборов. Также способ может быть применен в дефектоскопии проводников и магнитопроводов.The invention relates to techniques for measuring constant magnetic fields and can be used to create magneto-optical devices based on it. Also, the method can be applied in flaw detection of conductors and magnetic circuits.
Известно техническое решение по патенту РФ RU2478218 (МПК G 01R33/02, опубл. 27.03.2011 г.) твердотельного датчика магнитного поля. Твердотельный датчик магнитного поля содержит пьезоэлектрик, на котором расположены электроды для связи с устройством регистрации напряжения, и магниточувствительный элемент, связанный с источником переменного тока, также датчик содержит алмазную мембрану, а пьезоэлектрик и магниточувствительный элемент выполнены в виде тонких пленок, при этом пленка пьезоэлектрика расположена поверх алмазной мембраны, а магниточувствительный элемент из магнитострикционного материала расположен на поверхности пьезоэлектрика. Магниточувствительный элемент представляет собой проводник с током из токопроводящего магнитострикционного материала (никель), который с помощью контактов подсоединен к источнику переменного тока. Измерение величины магнитного поля определяется по величине механических деформаций в тонкопленочном пьезоэлектрике в результате воздействия двух сил (динамических - за счет изменение линейных размеров пленки никеля и силы Ампера).A technical solution is known according to the patent of the Russian Federation RU2478218 (IPC G 01R33 / 02, publ. 03/27/2011) of a solid-state magnetic field sensor. A solid-state magnetic field sensor contains a piezoelectric on which electrodes are located for communication with a voltage recording device, and a magnetically sensitive element connected to an alternating current source, the sensor also contains a diamond membrane, and the piezoelectric and magneto-sensitive element are made in the form of thin films, while the piezoelectric film is located on top of the diamond membrane, and a magnetically sensitive element of magnetostrictive material is located on the surface of the piezoelectric. The magnetically sensitive element is a conductor with current from a conductive magnetostrictive material (nickel), which is connected to an alternating current source via contacts. The measurement of the magnitude of the magnetic field is determined by the magnitude of the mechanical deformations in a thin-film piezoelectric as a result of the action of two forces (dynamic - due to a change in the linear dimensions of the nickel film and the Ampere force).
Известно техническое решение по заявке на изобретение SU1818602 (МПК G 01R33/032, опубл. 30.05.1993 г.) устройство для определения пространственного распределения магнитного поля. Устройство содержит пленочный датчик магнитного поля, обладающий экваториальным, меридиональным и полярным эффектами Керра, и регистрирующий прибор. Пространственное разрешение устройства определяется из соотношений b=4-5 d, b= 2Is d/Hc, где d - толщина пленки; b - пространственное разрешение пленки; Is - намагниченность насыщения пленки; Hc - коэрцитивная силаA technical solution is known for the application for invention SU1818602 (IPC G 01R33 / 032, publ. 05/30/1993) a device for determining the spatial distribution of the magnetic field. The device contains a film magnetic field sensor with equatorial, meridional and polar Kerr effects, and a recording device. The spatial resolution of the device is determined from the ratios b = 4-5 d, b = 2I s d / H c , where d is the film thickness; b is the spatial resolution of the film; I s is the saturation magnetization of the film; H c - coercive force
Технический результат, на получение которого направлено изобретение заключается в расширении арсенала датчиков для измерения постоянного магнитного поля на локальных участках. The technical result, to which the invention is directed, is to expand the arsenal of sensors for measuring a constant magnetic field in local areas.
Технический результат достигается в устройстве (магнитоплазмонном кристалле - МПлК), состоящем из одномерной дифракционной решетки с субволновым периодом и нанесённых на нее тонкого слоя благородного металла с отрицательной действительной частью диэлектрической проницаемости, тонкого слоя ферромагнитного металла, и диэлектрического пассивирующего слоя. Данный вид МПлК характеризуется возможностью возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов дифракционным методом, позволяющим усилить магнитооптические эффекты в узком спектральном диапазоне возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов. The technical result is achieved in a device (magnetoplasmon crystal - Mplc), consisting of a one-dimensional diffraction grating with a subwavelength period and a thin layer of a noble metal with a negative real part of the dielectric constant, a thin layer of a ferromagnetic metal, and a dielectric passivating layer deposited on it. This type of MPLC is characterized by the possibility of excitation of surface plasmon polaritons by the diffraction method, which makes it possible to enhance magneto-optical effects in a narrow spectral range of excitation of surface plasmon polaritons.
Предпочтительно в качестве металла с отрицательной действительной частью диэлектрической проницаемости использовать или золото, или серебро, или платина.It is preferable to use either gold, or silver, or platinum as the metal with the negative real part of the dielectric constant.
Предпочтительно в качестве ферромагнитного металла использовать или железо, или никель, или пермаллой.Preferably, iron or nickel or permalloy is used as the ferromagnetic metal.
Предпочтительно выполнение слоя ферромагнитного металла с пассивирующим слоем нитрида кремния.It is preferable to perform a layer of a ferromagnetic metal with a passivating layer of silicon nitride.
Предпочтительно выполнение одномерной дифракционной решетки с синусоидальной или трапециевидной формой профиля с периодом в диапазоне от 100 нм до 1000 нм и высотой профиля в диапазоне от 5 нм до 150 нм.It is preferable to perform a one-dimensional diffraction grating with a sinusoidal or trapezoidal profile shape with a period in the range from 100 nm to 1000 nm and a profile height in the range from 5 nm to 150 nm.
Предпочтительно выполнение слоя металла с отрицательной действительной частью диэлектрической проницаемости толщиной в диапазоне от 5 до 300 нм.It is preferable to perform a metal layer with a negative real part of the dielectric constant with a thickness in the range from 5 to 300 nm.
Предпочтительно выполнение слоя ферромагнитного металла толщиной в диапазоне от 3 нм до 300 нм.It is preferable to perform a layer of ferromagnetic metal with a thickness in the range from 3 nm to 300 nm.
Изобретение иллюстрируется рисунками.The invention is illustrated by drawings.
На фиг.1 показан пример реализации устройства: Figure 1 shows an example implementation of the device:
а) приведен общий вид устройства при измерении магнитного поля в плоскости сенсора вблизи магнитной сферы, где 1 - источник электромагнитных волн, 2 - возбужденный поверхностный плазмон-поляритон, 3 - детектор электромагнитного излучения, 4 - слой нитрида кремния, 5 - слой ферромагнитного металла, 6 - слой благородного металла, 7 - одномерная дифракционная решетка с субволновым периодом и синусоидальным профилем, 8 - источник внешнего постоянного поля неизвестной напряженности, выполненный в форме сферы, 9 - компонента постоянного магнитного поля рассеяния от магнитной сферы 8 (НDC) сонаправленная внешнему контролируемому переменному полю (НАC) 10. Полукруглый вырез в реальном устройстве отсутствует и сделан на рисунке для иллюстрации полей рассеяния от магнитной сферы 1 в плоскости устройства, a) a general view of the device is shown when measuring the magnetic field in the plane of the sensor near the magnetic sphere, where 1 is the source of electromagnetic waves, 2 is the excited surface plasmon polariton, 3 is the electromagnetic radiation detector, 4 is a silicon nitride layer, 5 is a ferromagnetic metal layer, 6 - a noble metal layer, 7 - a one-dimensional diffraction grating with a subwave period and a sinusoidal profile, 8 - a source of an external constant field of unknown intensity, made in the form of a sphere, 9 - component of a constant magnetic field scattered from a magnetic sphere 8 (N DC ) co-directed to an external controlled alternating field (H AC ) 10. A semicircular cutout in the real device is absent and is made in the figure to illustrate the scattering fields from the
б) - изображение поверхности устройства, полученное с помощью атомно-силового микроскопа, где вставка в виде графика отражает пространственную модуляцию профиля, извлеченную из снимка АСМ, b) - the image of the surface of the device obtained using an atomic force microscope, where the insert in the form of a graph reflects the spatial modulation of the profile extracted from the AFM image,
в) - поперечное изображение МПлК, полученное с помощью сканирующего электронного микроскопа, где 11 - одномерная дифракционная решетка с субволновым периодом и синусоидальным профилем, 12 - слой благородного металла, 13 - слой ферромагнитного металла, 14 - слой нитрида кремния.c) is a transverse image of Mplc obtained using a scanning electron microscope, where 11 is a one-dimensional diffraction grating with a subwave period and a sinusoidal profile, 12 is a noble metal layer, 13 is a ferromagnetic metal layer, 14 is a silicon nitride layer.
г) спектральные зависимости коэффициента отражения (R) с дифракционным провалом на кривой 15 и величины экваториального эффекта Керра, , с резонансным усилением на кривой 16.d) spectral dependences of the reflection coefficient (R) with a diffraction dip on
На фиг.2 показана полевая зависимость магнитооптического отклика от напряженности внешнего переменного поля, измеренная на резонансной длине волны и пересчитанная как отношение сигнала к шуму для МПлК состоящего из одномерной дифракционной решетки из полимера с синусоидальным профилем с периодом 320 нм и высотой 20 нм, покрытой слоем серебра толщиной 100 нм, 100 нм слоем железа и слоем нитрида кремния толщиной 20 нм.Figure 2 shows the field dependence of the magneto-optical response on the external ac field strength, measured at the resonant wavelength and recalculated as the signal-to-noise ratio for Mplc consisting of a one-dimensional diffraction grating made of a polymer with a sinusoidal profile with a period of 320 nm and a height of 20 nm, coated with a layer silver with a thickness of 100 nm, a 100 nm layer of iron and a layer of silicon nitride with a thickness of 20 nm.
На фиг.3 показаны: Figure 3 shows:
а) пример цикла размагничивания МПлК состоящего из одномерной дифракционной решетки из полимера с синусоидальным профилем с периодом 320 нм и высотой 20 нм, покрытой слоем серебра толщиной 100 нм, 100 нм слоем железа и слоем нитрида кремния толщиной 20 нм. Величина посчитанная для частной петли гистерезиса, полученной в ходе размагничивания 1, участок максимального спада сигнала, , – 2. a) an example of the demagnetization cycle of Mplc consisting of a one-dimensional diffraction grating of a polymer with a sinusoidal profile with a period of 320 nm and a height of 20 nm, coated with a
б) полевые зависимости магнитооптического отклика аналогичных МПлК, отличающихся толщиной железного слоя. 3 – для толщины железа 100 нм, 4 - 50 нм, 5 - 20 нм и 6 - 5 нм.b) field dependences of the magneto-optical response of similar MPLC differing in the thickness of the iron layer. 3 - for iron thicknesses of 100 nm, 4 - 50 nm, 5 - 20 nm and 6 - 5 nm.
На фиг.4 приведены полевые зависимости – 1, – 2 и – 3, измеренные для МПлК, состоящего из одномерной дифракционной решетки из полимера с синусоидальным профилем с периодом 320 нм и высотой 20 нм, покрытой слоем серебра толщиной 100 нм, 100 нм слоем железа и слоем нитрида кремния толщиной 20 нм.Figure 4 shows the field dependencies - 1, - 2 and - 3, measured for MPLC consisting of a one-dimensional diffraction grating made of a polymer with a sinusoidal profile with a period of 320 nm and a height of 20 nm, coated with a
Изобретение может быть осуществлено в следующем устройстве. На подложке 7, выполненной из полимера в виде одномерной дифракционной решетки с синусоидальным профилем с периодом 320 нм, расположен слой 6 из серебра (Ag) – металла с отрицательной действительной частью диэлектрической проницаемости, на который нанесен слой 5 из Fe, являющегося ферромагнитным, защищенный слоем 4 выполненным из нитрида кремния.The invention can be implemented in the following device. On a substrate 7 made of a polymer in the form of a one-dimensional diffraction grating with a sinusoidal profile with a period of 320 nm, there is a
Устройство работает следующим образом. На поверхность слоя 5 через прозрачный слой 4 в плоскости перпендикулярной полосам дифракционной решетки 7 (направленным вдоль оси у), под выбранным углом направляют n-поляризованное электромагнитное излучение необходимой длины волны от источника 1 для выполнения условий фазового синхронизма и возбуждения поверхностного плазмон-поляритона 2. Интенсивность отраженного света измеряется с помощью регистрирующего устройства 3. The device operates as follows. On the surface of
Поверхностные плазмон-поляритоны (ППП) представляют собой связанные колебания электромагнитного поля и электронного газа металла, распространяющиеся вдоль границы раздела между металлом и диэлектриком. При этом электромагнитное поле волны локализовано вблизи границы между двумя средами c различными знаками диэлектрической проницаемости. Возбуждение ППП позволяет усилить взаимодействие электромагнитного поля падающего оптического излучения и ферромагнитого металла, что приводит к усилению экваториального магнитооптического эффекта Керра, заключающегося в изменении интенсивности отраженного света при воздействии магнитного поля. Возбуждение ППП и усиление экваториального магнитооптического эффекта Керра при использовании МПлК достигается в узком спектральном диапазоне при выполнении условий фазового синхронизма и сильно зависит от диэлектрической проницаемости сред на границе раздела и угла падения света.Surface plasmon polaritons (SPPs) are coupled oscillations of the electromagnetic field and the electron gas of a metal, propagating along the interface between the metal and the dielectric. In this case, the electromagnetic field of the wave is localized near the boundary between two media with different signs of permittivity. The excitation of the SPP allows one to enhance the interaction of the electromagnetic field of the incident optical radiation and the ferromagnetic metal, which leads to an increase in the equatorial magneto-optical Kerr effect, which consists in a change in the intensity of reflected light when exposed to a magnetic field. The excitation of SPPs and the enhancement of the equatorial magneto-optical Kerr effect when using MPLC is achieved in a narrow spectral range under phase-matching conditions and strongly depends on the dielectric constant of the media at the interface and the angle of incidence of light.
Для определения рабочего диапазона измеряемых датчиком постоянных магнитных полей, МПлК размагничивают путем измерения петель гистерезиса в убывающем максимальном внешнем магнитном поле , которое прикладывается в направлении расположения полос одномерной дифракционной решетки, где N – номер шага измерения. Т.к. величина , то для сравнения магнитных и магнитооптических свойств, из измеренных зависимостей, получают зависимости . Результаты измерений приведены на фиг.3. Величина рассчитана как полная ширина на полувысоте первой производной и позволяет оценить ширину склона зависимости . На резонансной длине волны полевая зависимость магнитооптического отклика совпадает по форме и положению с полевой зависимостью . После измерения , рассчитывают первую производную , напряженность устанавливается так, чтобы соответствовать значению поля в максимуме . Таким образом, переменное поле выставляют приблизительно на середину склона . После этого вносят датчик в измеряемое постоянное поле , и, в виду того, что магнитные поля аддитивны, измеряют изменившееся значение . Вклад в изменившееся значение магнитооптического отклика вносит только компонента внешнего постоянного магнитного поля сонаправленная приложенному переменному магнитному полю. Результаты измерений полевых зависимостей , , а так же измеренные при использовании МПлК на основе дифракционной решетки с периодом/высотой 320/20 нм покрытой слоями серебра (100 нм), железа (100 нм) и нитрида кремния (20 нм), показаны на фиг.4.To determine the working range of the constant magnetic fields measured by the sensor, MPLC is demagnetized by measuring the hysteresis loops in a decreasing maximum external magnetic field , which is applied in the direction of the arrangement of the bands of the one-dimensional diffraction grating, where N is the number of the measurement step. Because value , then to compare the magnetic and magneto-optical properties, from the measured dependences, we obtain the dependencies . The measurement results are shown in figure 3. Value calculated as full width at half maximum of the first derivative and allows you to estimate the width of the slope of the dependence . At the resonant wavelength, the field dependence of the magneto-optical response coincides in shape and position with field dependence . After measurement calculate the first derivative tension set to match the maximum field value . Thus, the variable field is set approximately in the middle of the slope. . After that, the sensor is introduced into the measured constant field , and since the magnetic fields are additive, they measure the changed value . The contribution to the changed value of the magneto-optical response is made only by the component of the external constant magnetic field aligned with the applied alternating magnetic field. Field Dependence Measurement Results , , and measured using MPLC based on a diffraction grating with a period / height of 320/20 nm coated with layers of silver (100 nm), iron (100 nm) and silicon nitride (20 nm) are shown in FIG. 4.
При использовании магнитооптических эффектов можно достичь высоких значений локальности измерений путем фокусировки луча осветителя, получить возможность сканировать определенную область для построения карты распределения компоненты магнитного поля в определенном объеме перемещением оптического пучка по поверхности МПлК. После поворота на 90 градусов устройства в его плоскости (штрихи дифракционной решетки направлены вдоль оси х, а источник магнитного поля при этом остается неподвижным) определяют распределение второй горизонтальной компоненты постоянного поля. При расположении устройства перпендикулярно плоскости первоначального измерения (штрихи дифракционной решетки направлены вдоль оси z, а источник магнитного поля при этом остается неподвижным) определяют третью компоненту магнитного поля.When using magneto-optical effects, it is possible to achieve high values of the locality of measurements by focusing the illuminator beam, to be able to scan a specific area to build a map of the distribution of the magnetic field component in a certain volume by moving the optical beam over the MPcL surface. After 90 degrees of rotation of the device in its plane (the lines of the diffraction grating are directed along the x axis, and the magnetic field source remains stationary), the distribution of the second horizontal component of the constant field is determined. When the device is located perpendicular to the plane of the initial measurement (strokes of the diffraction grating are directed along the z axis, while the source of the magnetic field remains stationary), the third component of the magnetic field is determined.
В заявленном устройстве достигается технический результат в виде расширения арсенала датчиков для измерения постоянных магнитных полей, поскольку техническое решение является новым и неожиданным для специалистов в области физики измерения магнитных полей.In the claimed device, a technical result is achieved in the form of an expansion of the arsenal of sensors for measuring constant magnetic fields, because the technical solution is new and unexpected for specialists in the field of physics of measuring magnetic fields.
Claims (8)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2020106094A RU2725650C1 (en) | 2020-02-10 | 2020-02-10 | Constant magnetic field sensor based on a magnetoplasmon crystal |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2020106094A RU2725650C1 (en) | 2020-02-10 | 2020-02-10 | Constant magnetic field sensor based on a magnetoplasmon crystal |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2725650C1 true RU2725650C1 (en) | 2020-07-03 |
Family
ID=71510463
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2020106094A RU2725650C1 (en) | 2020-02-10 | 2020-02-10 | Constant magnetic field sensor based on a magnetoplasmon crystal |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2725650C1 (en) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2478218C1 (en) * | 2011-10-28 | 2013-03-27 | Учреждение Российской академии наук Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН | Solid-state magnetic field sensor |
RU173144U1 (en) * | 2016-12-05 | 2017-08-14 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Крымский федеральный университет имени В.И. Вернадского" | Magnetoplasmon Sensor |
CN104991206B (en) * | 2015-05-05 | 2018-03-30 | 东北大学 | A kind of Measurement Method for Magnetic Field based on Applications of surface plasmon resonance |
CN109541502A (en) * | 2018-12-26 | 2019-03-29 | 暨南大学 | A kind of magnetic field vector sensor and its preparation and detection method based on side throwing optical fiber surface plasmon resonance body |
-
2020
- 2020-02-10 RU RU2020106094A patent/RU2725650C1/en active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2478218C1 (en) * | 2011-10-28 | 2013-03-27 | Учреждение Российской академии наук Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН | Solid-state magnetic field sensor |
CN104991206B (en) * | 2015-05-05 | 2018-03-30 | 东北大学 | A kind of Measurement Method for Magnetic Field based on Applications of surface plasmon resonance |
RU173144U1 (en) * | 2016-12-05 | 2017-08-14 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Крымский федеральный университет имени В.И. Вернадского" | Magnetoplasmon Sensor |
CN109541502A (en) * | 2018-12-26 | 2019-03-29 | 暨南大学 | A kind of magnetic field vector sensor and its preparation and detection method based on side throwing optical fiber surface plasmon resonance body |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Koopmans et al. | Observation of large Kerr angles in the nonlinear optical response from magnetic multilayers | |
Belyaev et al. | Magnetic field sensor based on magnetoplasmonic crystal | |
US6934068B2 (en) | Magnetic field and electrical current visualization system | |
US7619724B2 (en) | Device and method for detecting changes in the refractive index of a dielectric medium | |
Grunin et al. | Refractive index sensor based on magnetoplasmonic crystals | |
Dyakov et al. | Wide-band enhancement of the transverse magneto-optical Kerr effect in magnetite-based plasmonic crystals | |
US7265845B2 (en) | Surface corrugation enhanced magneto-optical indicator film | |
Chien et al. | Coupled waveguide–surface plasmon resonance biosensor with subwavelength grating | |
JP2021063704A (en) | Terahertz magneto-optic sensor, high-performance non-destructive inspection device and method using the same, and magneto-optical pickup sensor used in the same | |
Li et al. | Tunable magneto-optical responses in magneto-plasmonic crystals for refractive index sensing | |
Radtke et al. | Application of magneto-optical method for real-time visualization of eddy currents with high spatial resolution for nondestructive testing | |
Yang et al. | Side-polished fiber Bragg grating refractive index sensor with TbFeCo magnetoptic thin film | |
Ferreiro-Vila et al. | Surface plasmon resonance effects in the magneto-optical activity of Ag–Co–Ag trilayers | |
Merzlikin et al. | Magneto-optical device based on polarization sensitivity for perspective biosensing applications | |
RU2725650C1 (en) | Constant magnetic field sensor based on a magnetoplasmon crystal | |
Conrad et al. | Phase effects in magnetic second-harmonic generation on ultrathin Co and Ni films on Cu (001) | |
Murzin et al. | Magnetic field sensing elements made of quasi-trapezoidal magnetoplasmonic crystals based on thin permalloy films | |
Huang et al. | Magneto-optical Kerr effect enhanced by surface plasmon resonance and its application on biological detection | |
Yan et al. | Magnetic field sensing using evanescent waves in the Kretschmann configuration | |
Klank et al. | Characterization and optimization of magnetic garnet films for magneto-optical visualization of magnetic field distributions | |
RU2444727C1 (en) | Method of determining spatial distribution of nanolayer magnetisation | |
Safarov et al. | Near-field magneto-optical microscopy | |
Tessier et al. | Non linear optics and magneto-optics in ultrathin metallic films | |
Sanders et al. | Lattice resonances of nanohole arrays for quantum enhanced sensing | |
Jumel et al. | Thermal and elastic characterizations by photothermal microscopy |