RU2709411C1 - Сенсорный элемент для дополнительного селективного усиления сигнала гигантского комбинационного рассеяния света - Google Patents

Сенсорный элемент для дополнительного селективного усиления сигнала гигантского комбинационного рассеяния света Download PDF

Info

Publication number
RU2709411C1
RU2709411C1 RU2019115228A RU2019115228A RU2709411C1 RU 2709411 C1 RU2709411 C1 RU 2709411C1 RU 2019115228 A RU2019115228 A RU 2019115228A RU 2019115228 A RU2019115228 A RU 2019115228A RU 2709411 C1 RU2709411 C1 RU 2709411C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
sensor element
oxide
dielectric
element according
metal
Prior art date
Application number
RU2019115228A
Other languages
English (en)
Inventor
Андрей Карлович Сарычев
Андрей Валериевич Иванов
Илья Николаевич Курочкин
Александр Николаевич Шалыгин
Original Assignee
Общество с ограниченной ответственностью "Биоплазмоника"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Общество с ограниченной ответственностью "Биоплазмоника" filed Critical Общество с ограниченной ответственностью "Биоплазмоника"
Priority to RU2019115228A priority Critical patent/RU2709411C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2709411C1 publication Critical patent/RU2709411C1/ru

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82BNANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B1/00Nanostructures formed by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/63Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
    • G01N21/65Raman scattering
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/63Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
    • G01N21/65Raman scattering
    • G01N21/658Raman scattering enhancement Raman, e.g. surface plasmons

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области оптических сенсоров и может быть использовано для сверхчувствительного анализа молекулярного строения вещества в разных областях. Сенсорный элемент для дополнительного селективного усиления сигнала гигантского комбинированного рассеяния света включает металлическую пленку, периодически расположенные на ней элементы размером от 10 нм до 10000 нм и расстоянием между ними от 1 нм до 10000 нм и металлические наночастицы размером от 1 нм до 200 нм. Сенсорный элемент содержит дополнительный островковый или непрерывный слой диэлектрических гранул, нанесенный на поверхность металлических наночастиц, при этом диэлектрические гранулы выполнены из материала с показателем преломления большим 1 и размером от 1 нм до 10000 нм. Изобретение обеспечивает повышения чувствительности сенсорного элемента. 7 з.п. ф-лы, 5 ил.

Description

Настоящее изобретение относится к области оптических сенсоров, используемых для анализа молекулярного состава вещества, для измерения химических и биологических процессов in vivo и in vitro в реальном масштабе времени и работающих на основе эффекта гигантского комбинационного рассеяния света. Изобретение может быть использовано для сверхчувствительного анализа молекулярного строения вещества в разных областях, в частности с целью повышения эффективности диагностики заболеваний, предотвращения угрозы терроризма, распространения опасных и токсичных химических веществ, наркотических веществ, контроля качества сырья в различных отраслях промышленности.
Комбинационное рассеяние (КР) света было открыто в начале XX века. Сигнал КР света содержит детальную информацию, позволяющую определять химический составе исследуемых молекул, их вторичную молекулярную структуру и даже прослеживать взаимодействие молекул. Однако сам сигнал КР очень слаб и его почти невозможно наблюдать на фоне люминесценции и других фоновых сигналов. Поворотным моментом стало открытие эффекта так называемого гигантского комбинационного рассеяния (ГКР) света. Эффект ГКР заключается в том что сигнал КР усиливается если измеряемые молекулы нанесены на металлическую подложку. Усиление сигнала КР от измеряемых молекул является физической основой для разработки высокоэффективных биологических и химических сенсоров, способных регистрировать малые концентрации молекул вплоть до единичных молекул.
Экспериментальные исследования разнообразных аналитических систем, использующих эффект ГКР, показали, что для получения высокой чувствительности необходимо создавать металлические, наноструктурированные оптические структуры, в которых реализуются гигантские усиления локального электромагнитного поля. Такие системы называют плазмонными структурами. Такого рода структуры обычно содержат наноразмерные кластеры металлов или металлические наночастицы, островковые и просто шероховатые пленки металлов (как правило, серебро или золото) (см, например, патенты US №20030218744, US №6977767, US №7123359, US №6985223, European Patent №1368624, M.I. Stockman, D.J. Bergman, Phys. Rev. Lett., 91(22), 227402, 2003; D.K. Gramotnev, S.I. Bozhevolnyi, Nat. Photonics, 4(2), 83-91, 2010, J. Lee, B. Hua, Nanoscale 6, 616-623, 2014). При взаимодействии со световой волной на поверхности металлов возникают плазмонные резонансы, что приводит к гигантским флуктуациям электромагнитного поля на поверхности на субволновом масштабе (патент US №6985223, А.K. Sarychev, V.M. Shalaev, Phys. Rep. 335 (275), 2000; G. Shvets, S. Trendafilov, et al., Phys. Rev. Lett. 99, 053903, 2007). Это свойство может быть использовано для увеличения чувствительности линейной и нелинейной спектроскопии. Например, сигнал комбинационного рассеяния пропорционален четвертой степени локального электрического поля в плазмонных наноструктурах, поэтому при локальном усилении поля в 100 и более раз, комбинационное рассеяние может быть усилено в 6-9 порядков величины (см., например, J.-A. Huang, Y.-Q. Zhao et al. Nano Lett. 13(11), 5039-5045, 2013). Вместе с тем, получаемые усиленные сигналы комбинационного рассеяния не выходят на уровень предельного усиления, позволяющего определять ультранизкие концентрации аналитов. Это связано со сложностью процедур локальной адсорбции молекул-аналитов, а также, зачастую, с наличием больших потерь в металлических наночастицах, которые вызывают выделение большого количества тепла и вследствие этого деградацию сенсоров (см., например, G. Naik, V. Shalaev et al., Adv. Mater. 25, 3264-3294, 2013). Кроме того, полностью металлические наноструктурированные поверхности обладают паразитной химической активностью, что приводит также к быстрой деградации ГКР сенсоров.
Островковые и шероховатые кластеры металлов, распределенные случайным образом, обладают малой селективностью, которая заключается в усилении сигнала комбинационного рассеяния от всех молекул-аналитов, чьи колебательные моды находятся в области плазмонных резонансов металлических кластеров.
Отсутствие порядка КР-активной поверхности приводит к невозможности оптимизировать частоту и ширину резонансной кривой, а значит не позволяет с высокой точностью усиливать конкретные спектральные линии молекул-аналитов. Для этих целей используют поверхности с регулярными наноструктурами, которые изготавливаются, например, методом электронно-лучевой литографии (см., например, М. Cottat, N. Lidgi-Guigui et al., Nanoscale Rep.Lett. 9, 623 (2014).
Известен тип двумерных и трехмерных периодических наноструктур, реализующих фокусировку гигантских электромагнитных полей на поверхности за счет возбуждения плазмонных резонансов на заданных частотах (см. например, D.A. Genov, А.K. Sarychev, V.M. Shalaev, and A. Wei, Resonant Field Enhancement from Metal Nanoparticle Arrays, Nano Letters 4, 153-158, (2004).W.-D. Li, F. Ding et al., Opt. Express 19 (5), 3925-2936 (2011); N. Mattiucci, G.
Figure 00000001
et al., Opt. Express 20(2), 1868-1877 (2012); J.-A. Huang, Y.-Q. Zhao et al. Nano Lett. 13(11), 5039-5045 (2013), патент US 7351588).
Известен чувствительный элемент сенсора для молекулярного анализа (патент РФ №2524453), выполненный в виде регулярной щелевой кремниевой структуры, параметры которой подобраны таким образом, чтобы усиливать основные спектральные линии комбинационного рассеяния тетрахлорида углерода.
Однако недостатком данного изобретения является его ограниченная селективность, потому что для усиления каждой из основных спектральных линий комбинационного рассеяния вещества, необходимо применять свой набор чувствительных элементов сенсора с разными геометрическими параметрами - периодом и глубиной.
Помимо недостаточной селективности, почти во всех вышеупомянутых наноструктурированных поверхностях не достигается достаточно высокий уровень сигнала комбинационного рассеяния.
На повышение селективности сенсорных элементов на основе эффекта ГКР и усиление сигнала гигантского комбинационного рассеяния от молекул-аналитов направлено техническое решение, раскрытое в RU 2017105831 (опуб. 22.08.2018). Изобретение основано на использовании периодических диэлектрических нано резонаторных структур для возбуждения коллективных интерференционных волн. Металлические включения играют роль наноантен, фокусирующих падающее излучение и возбуждают в системе плазмонный резонанс, а диэлектрические структуры возбуждают диэлектрический резонанс. Комбинация диэлектрических структур с металлическими включениями позволяет получить коллективный эффект.
При всех преимуществах описанного решения актуальной остается задача дополнительного усиления описанного эффекта.
Технический результат, достигаемый настоящим изобретением, заключается в повышении чувствительности сенсорного элемента.
Для достижения технического результата предлагается дополнительно наносить на поверхность металла диэлектрический слой, образованный диэлектрическими гранулами. Диэлектрические гранулы представляют собой частицы размером от 1 нм до 10000 нм, выполненные из материала с показателем преломления больше 1. Диэлектрический слой может быть непрерывным при высокой концентрации диэлектрических гранул, когда диэлектрические гранулы касаются друг друга на всей поверхности.
Суть заявленного изобретения поясняется иллюстрирующими материалами, где
на фиг. 1 показана принципиальная схема сенсорного элемента с диэлектрическими гранулами;
на фиг. 2 показана принципиальная схема сенсорного элемента с непрерывным диэлектрическим слоем;
на фиг. 3 приведен фрагмент (период, элементарная ячейка) сенсорного элемента с диэлектрическими гранулами;
на фиг. 4 приведен фрагмент (период, элементарная ячейка) сенсорного элемента с непрерывным диэлектрическим слоем;
на фиг. 5 кривая зависимости резонансной частоты и добротности резонатора в виде металлической сферической частицы, окруженной диэлектрическим слоем от толщины диэлектрического слоя.
Сенсорный элемент (фиг. 1, 2) представляет собой многослойное структурированное устройство с сенсорной поверхностью. Сенсорный элемент включает металлическую пленку 1, периодическим образом структурированные диэлектрические элементы 2, на которых размещены металлические наночастицы 3. Металл 3 может быть выполнен в виде наночастиц с концентрацией частиц меньшей или равной порогу перколяции. При концентрации частиц металла меньшей порога перколяции, металл представляет собой полунепрерывную, островковую металлическую пленку (фиг. 1, 3), при концентрации равной порогу перколяции металлическая пленка является непрерывной (фиг. 2, 4).
В отличие от ближайшего аналога в заявленном изобретении предлагается наносить на поверхность металлических наночастиц 3 с разным фактором заполнения, дополнительный диэлектрический слой, образованный диэлектрическими гранулами 4 (фиг. 1, 3). При высокой концентрации диэлектрических гранул 4, когда диэлектрические гранулы касаются друг друга на всей поверхности может образовываться непрерывный диэлектрический слой (фиг. 2, 4).
Дополнительный диэлектрический слой 4 (непрерывный или островковый) приводит к усилению сигнала и, следовательно, увеличивает чувствительность сенсорного элемента.
Металлическая пленка 1 характеризуется выполнением из металлов по выбору золото (Au), серебро (Ag), алюминий (Al), медь (Cu), платина (Pt), нитрид титана (TiN).
Структурированные диэлектрические элементы 2 выполнены из материала с показателем преломления большим 1 по выбору: кремния (Si), оксида кремния (SiO2), полиметилметакрилата (ПММА), оксида церия (CeO2), оксида цинка (ZnO2), оксида олова (SnO2), оксида титана (TiO2), оксида кадмия (CdO2), оксида ниобия (NbO2) и др. Элементы 2 могут быть выполнены в сферической, цилиндрической, эллипсоидальной, тороидальной, конусообразной формах или в виде многогранников с 4-мя и более гранями. Размеры элементов могут быть в интервале значений от 10 нм до 10000 нм, а расстояние между элементами от 1 нм до 10000 нм.
Металлические наночастицы 3 с размером от 1 нм до 200 нм выполнены в сферической, эллипсоидальной, цилиндрической форах, в форме многогранников с 4-мя и более гранями, в форме звездчатых многогранников из золота (Au), серебра (Ag), алюминия (Al), меди (Cu), платины (Pt) или нитрида титана (TiN). Геометрические параметры элементов 3 могут совпадать или быть отличными.
Диэлектрические гранулы 4 могут быть выполнен из любого материала с показателем преломления n>1, включая кремний (Si), оксид кремния (SiO2), полиметилметакрилат (ПММА), оксида цери (CeO2), оксида цинк (ZnO2), оксид олова (SnO2), оксид титана (TiO2), оксид кадмия (CdO2), оксид ниобия (NbO2) и др. Размер частиц/толщина поверхностного диэлектрического слоя 4 может варьироваться от 1 нм до 10000 нм.
Взаимное расположение элементов 2, металлических наночастиц 3 и диэлектрических гранул 4 выбирают таким образом, чтобы добиться плазмонного и диэлектрического резонансов на выбранной частоте.
Чувствительность сенсорного элемента определяется уровнем усиления сигнала комбинационного рассеяния света. Дополнительное увеличение добротности металлического резонатора, которым является металлическая частица в оптической области электромагнитного спектра, объясняется расчетным графиком на фиг. 5. Представим, что имеется металлическая наночастица из золота радиуса 50, 100 нм, окруженная равномерным слоем диэлектрика с показателем преломления n=4 (соответствует показателю преломления кремния). На фиг. 5 показана зависимость резонансной частоты в виде оранжевой и коричневой кривых и добротности резонатора - зеленая и красная кривые в зависимости от толщины диэлектрического слоя. Красная и коричневая кривые соответствуют наночастице с радиусом 50 нм, оранжевая и зеленая - наночастице с радиусом 100 нм. Из графика видно, что по мере увеличения толщины слоя диэлектрического слоя, возрастает и добротность такого металлодиэлектрического резонатора, и при толщине диэлектрического слоя, равному диаметру золотой наночастицы (для наночастицы диаметром 100 нм), добротность увеличивается почти в 10 раз. Так как коэффициент усиления сигнала комбинационного рассеяния (КР) света пропорционален четвертой степени добротности, это означает, сигнал КР вырос в 104 раз. Таким образом, нанесение дополнительного диэлектрического слоя 4 на поверхность металлических наночастиц 3 способно увеличить чувствительность сенсорного элемента в 104 и более раз.
1. R.L. Armstrong, V.M. Shalaev, H.V. Smith, A.K. Sarychev, Z.C. Ying, Optical Devices and Methods Employing Nanoparticles, Microcavities, And Semicontinuous Metal Films, European Patent 1368624, (2003).
2. A.K. Sarychev, V.A. Podolskiy, A.M. Dykhne, and V.M. Shalaev, Plasmonic nanophotonics methods, materials, and apparatuses, U.S. Patent No 6,977,767, 12/20/2005.
3. A.K. Sarychev, S. Rowson, and L.J. Reading, Antenna Element-Counterpoise Arrangement in an Antenna, U.S. Patent Appl. 20060220966 (2005).
4. V.P. Drachev, V.M. Shalaev, and A.K. Sarychev, Raman Imaging and Sensing Apparatus Employing Nanoantennas, U.S. Patent No 6,985,223, 01/10/2006.
5. R.L. Armstrong, V.M. Shalaev, H.V. Smith, A.K. Sarychev, Z.C. Ying, Optical Devices and Methods employing Nanoparticles, Microcavities, and Semicontinuous Metal Films, US Patent No 7,123,359, 17/10/2006.

Claims (8)

1. Сенсорный элемент для дополнительного селективного усиления сигнала гигантского комбинационного рассеяния света, представляющий собой многослойную структуру с сенсорной поверхностью, включающую металлическую пленку, периодически расположенные на ней диэлектрические элементы размером от 10 нм до 10000 нм и расстоянием между ними от 1 нм до 10000 нм и металлические наночастицы размером от 1 нм до 200 нм, отличающийся тем, что содержит дополнительный островковый или непрерывный слой диэлектрических гранул, нанесенный на поверхность металлических наночастиц, при этом диэлектрические гранулы выполнены из материала с показателем преломления, большим 1, и размером от 1 до 10000 нм.
2. Сенсорный элемент по п. 1, отличающийся тем, что металлическая пленка (1) выполнена по выбору из золота (Au), серебра (Ag), алюминия (Al), меди (Cu), платины (Pt), нитрида титана (TiN).
3. Сенсорный элемент по п. 1, отличающийся тем, что периодически расположенные на металлической пленке (1) диэлектрические элементы (2) выполнены из материала с показателем преломления, большим 1, по выбору из кремния (Si), оксида кремния (SiO2), полиметилметакрилата (ПММА), оксида церия (CeO2), оксида цинка (ZnO2), оксида олова (SnO2), оксида титана (TiO2), оксида кадмия (CdO2), оксида ниобия (NbO2).
4. Сенсорный элемент по п. 1, отличающийся тем, что диэлектрические элементы (2) выполнены в сферической, цилиндрической, эллипсоидальной, тороидальной, конусообразной формах или в виде многогранников.
5. Сенсорный элемент по п. 1, отличающийся тем, что металлические наночастицы (3) выполнены в сферической, эллипсоидальной, цилиндрической формах, в форме многогранников, в форме звездчатых многогранников, при этом геометрические параметры наночастиц (3) могут совпадать или быть отличными.
6. Сенсорный элемент по п. 1, отличающийся тем, что металлические наночастицы (3) выполнены из золота (Au), серебра (Ag), алюминия (Al), меди (Cu), платины (Pt) или нитрида титана (TiN).
7. Сенсорный элемент по п. 1, отличающийся тем, что диэлектрические гранулы (4) выполнены из материала по выбору кремния (Si), оксида кремния (SiO2), полиметилметакрилата (ПММА), оксида церия (CeO2), оксида цинка (ZnO2), оксида олова (SnO2), оксида титана (TiO2), оксида кадмия (CdO2), оксида ниобия (NbO2).
8. Сенсорный элемент по п. 1, отличающийся тем, что взаимное расположение элементов (2), металлических наночастиц (3) и диэлектрических гранул (4) выбирают таким образом, чтобы добиться плазмонного и диэлектрического резонансов на выбранной частоте.
RU2019115228A 2019-05-16 2019-05-16 Сенсорный элемент для дополнительного селективного усиления сигнала гигантского комбинационного рассеяния света RU2709411C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2019115228A RU2709411C1 (ru) 2019-05-16 2019-05-16 Сенсорный элемент для дополнительного селективного усиления сигнала гигантского комбинационного рассеяния света

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2019115228A RU2709411C1 (ru) 2019-05-16 2019-05-16 Сенсорный элемент для дополнительного селективного усиления сигнала гигантского комбинационного рассеяния света

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2709411C1 true RU2709411C1 (ru) 2019-12-17

Family

ID=69006945

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2019115228A RU2709411C1 (ru) 2019-05-16 2019-05-16 Сенсорный элемент для дополнительного селективного усиления сигнала гигантского комбинационного рассеяния света

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2709411C1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2821972C1 (ru) * 2023-08-07 2024-06-28 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Казанский (Приволжский) федеральный университет" (ФГАОУ ВО КФУ) Способ формирования пленки оксинитрида титана TiON термическим окислением плазмонного материала

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7351588B2 (en) * 2004-05-19 2008-04-01 Vladimir Poponin Optical sensor with layered plasmon structure for enhanced detection of chemical groups by SERS
US20080129980A1 (en) * 2006-11-30 2008-06-05 North Carolina State University In-line fiber optic sensor devices and methods of fabricating same
RU2572801C1 (ru) * 2015-01-14 2016-01-20 Открытое акционерное общество "Нефтяная компания "Роснефть" Химически модифицированный планарный оптический сенсор, способ его изготовления и способ анализа полиароматических гетероциклических серосодержащих соединений с его помощью
RU2017105831A (ru) * 2017-02-22 2018-08-22 Общество с ограниченной ответственностью "Биоплазмоника" (ООО "Биоплазмоника") Сенсорный элемент для селективного усиления сигнала гигантского комбинационного рассеяния света

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7351588B2 (en) * 2004-05-19 2008-04-01 Vladimir Poponin Optical sensor with layered plasmon structure for enhanced detection of chemical groups by SERS
US20080129980A1 (en) * 2006-11-30 2008-06-05 North Carolina State University In-line fiber optic sensor devices and methods of fabricating same
RU2572801C1 (ru) * 2015-01-14 2016-01-20 Открытое акционерное общество "Нефтяная компания "Роснефть" Химически модифицированный планарный оптический сенсор, способ его изготовления и способ анализа полиароматических гетероциклических серосодержащих соединений с его помощью
RU2017105831A (ru) * 2017-02-22 2018-08-22 Общество с ограниченной ответственностью "Биоплазмоника" (ООО "Биоплазмоника") Сенсорный элемент для селективного усиления сигнала гигантского комбинационного рассеяния света

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2821972C1 (ru) * 2023-08-07 2024-06-28 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Казанский (Приволжский) федеральный университет" (ФГАОУ ВО КФУ) Способ формирования пленки оксинитрида титана TiON термическим окислением плазмонного материала

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Hwang et al. Surface plasmon polariton enhanced fluorescence from quantum dots on nanostructured metal surfaces
Zeng et al. Rapid and highly sensitive detection using Fano resonances in ultrathin plasmonic nanogratings
Liu et al. Silver nanorod array substrates fabricated by oblique angle deposition: morphological, optical, and SERS characterizations
Gillibert et al. Directional surface enhanced Raman scattering on gold nano-gratings
Sreekanth et al. Hyperbolic metamaterials-based plasmonic biosensor for fluid biopsy with single molecule sensitivity
Zheng et al. An ultranarrow SPR linewidth in the UV region for plasmonic sensing
Bahramipanah et al. Ultracompact plasmonic loop–stub notch filter and sensor
US20130286467A1 (en) Multiscale light amplification structures for surface enhanced raman spectroscopy
Sun et al. Self-referenced refractive index sensor based on hybrid mode resonances in 2D metal-dielectric grating
Evans et al. Plasmonic core/shell nanorod arrays: subattoliter controlled geometry and tunable optical properties
Chen et al. Theoretical study of surface plasmonic refractive index sensing based on gold nano-cross array and gold nanofilm
Minamimoto et al. Electrochemical fine tuning of the plasmonic properties of Au lattice structures
Krasnykov et al. Sensor with increased sensitivity based on enhanced optical transmission in the infrared
CN104034658B (zh) 分析装置及方法、光学元件及其设计方法以及电子设备
Gillibert et al. Plasmonic properties of aluminum nanocylinders in the visible range
Yang et al. Nanostructured surface plasmon resonance sensors: Toward narrow linewidths
Wagner et al. Towards multi-molecular surface-enhanced infrared absorption using metal plasmonics
Urbancova et al. 2D polymer/metal structures for surface plasmon resonance
Biris et al. Excitation of dark plasmonic cavity modes via nonlinearly induced dipoles: applications to near-infrared plasmonic sensing
Live et al. Localized and propagating surface plasmons in gold particles of near-micron size
Aly et al. MATLAB simulation based study on poliovirus sensing through one-dimensional photonic crystal with defect
Dab et al. Design of a plasmonic platform to improve the SERS sensitivity for molecular detection
Mahros et al. Exploring the impact of nano-particles shape on the performance of plasmonic based fiber optics sensors
RU2694157C2 (ru) Сенсорный элемент для селективного усиления сигнала гигантского комбинационного рассеяния света
RU2709411C1 (ru) Сенсорный элемент для дополнительного селективного усиления сигнала гигантского комбинационного рассеяния света