RU2703909C2 - Method of forming layer of porous silicon on crystalline substrate - Google Patents
Method of forming layer of porous silicon on crystalline substrate Download PDFInfo
- Publication number
- RU2703909C2 RU2703909C2 RU2017130894A RU2017130894A RU2703909C2 RU 2703909 C2 RU2703909 C2 RU 2703909C2 RU 2017130894 A RU2017130894 A RU 2017130894A RU 2017130894 A RU2017130894 A RU 2017130894A RU 2703909 C2 RU2703909 C2 RU 2703909C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- porous silicon
- layers
- ozone
- silicon
- electrolytic
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 11
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 16
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 239000013543 active substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 abstract 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 231100001261 hazardous Toxicity 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- -1 iodide ions Chemical class 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N potassium dichromate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 6-methoxy-8-nitroquinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC(OC)=CC([N+]([O-])=O)=C21 MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001871 ion mobility spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 231100000572 poisoning Toxicity 0.000 description 1
- 230000000607 poisoning effect Effects 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000010206 sensitivity analysis Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к полупроводниковой технологии, а именно к процессам электрохимического формирования пористого кремния. Как известно, пористый кремний, является одним из наиболее широко исследуемых современных структурированных материалов, перспективы применения которого рассматриваются в области микро-, нано- и оптоэлектроники, а также для приложений в сенсорике, биосенсорике и солнечных батареях [Современные наукоемкие технологии N11, 2013 г. Степанов А.Л., Трифонов А.А., Осин Ю.Н., Валеев В.Ф., Пуждин В.И.].The invention relates to semiconductor technology, namely to the processes of electrochemical formation of porous silicon. As is known, porous silicon is one of the most widely studied modern structured materials, the application prospects of which are considered in the field of micro-, nano- and optoelectronics, as well as for applications in sensors, biosensorics and solar batteries [Modern high-tech technologies N11, 2013 Stepanov A.L., Trifonov A.A., Osin Yu.N., Valeev V.F., Pudzhin V.I.].
Известен способ электрохимического формирования слоев пористого кремния в электрохимической ячейке в форме бака с отверстиями в центре. Сетчатый катод помещают в этот бак. Анод в форме пластины располагают противоположно катоду. Подачу электролита осуществляют через через сетчатый электрод в направлении по нормали к обрабатываемой поверхности. При этом обрабатываемая пластина как бы плавает на поверхности электролита, исключая попадание последнего на не обрабатываемую сторону пластины, к которой подводят пружинящий контакт (пат. Японии N 60-86826, МПК H01L 21/288 C25D 7/12, опубл. 16.05.85).A known method of electrochemical formation of layers of porous silicon in an electrochemical cell in the form of a tank with holes in the center. The mesh cathode is placed in this tank. A plate-shaped anode is positioned opposite the cathode. The electrolyte is supplied through a mesh electrode in the direction normal to the surface being treated. In this case, the plate being processed floats on the surface of the electrolyte, excluding the last on the untreated side of the plate, to which the spring contact is connected (US Pat. N 60-86826, IPC H01L 21/288 C25D 7/12, publ. 16.05.85) .
Несмотря на простое аппаратурное решение, основной недостаток данного технического решения это ухудшение технологических параметров процесса и неоднородности структуры и свойств пористого кремния из-за экранирования части поверхности в результате скопления газовых пузырей под поверхностью.Despite the simple hardware solution, the main drawback of this technical solution is the deterioration of the process parameters and the heterogeneity of the structure and properties of porous silicon due to the shielding of part of the surface as a result of the accumulation of gas bubbles under the surface.
Известен способ обработки кремниевых подложек для формирования слоев пористого кремния на поверхности подложки, включающей анодное травление кремния n-типа в интервале плотности тока от 30 до 150 мА/см2 в течение времени от 20 до 600 минут в концентрированной фтористоводородной кислоте при освещенности рабочей поверхности кремния, например, лампой накаливания мощностью 200-500 Вт [Патент РФ 1459542, кл. H01L 21/306, опубл. 2000 г.].A known method of processing silicon substrates for the formation of layers of porous silicon on the surface of the substrate, including anodic etching of n-type silicon in the range of current density from 30 to 150 mA / cm 2 for a time from 20 to 600 minutes in concentrated hydrofluoric acid with illumination of the silicon working surface for example, an incandescent lamp with a power of 200-500 watts [RF Patent 1459542, cl. H01L 21/306, publ. 2000].
Основной недостаток - получается крупнодисперсная структура поверхности, пористый слой имеет достаточно большую толщину, высокую сорбционную емкость и неселективно адсорбирует из газовой фазы молекулы определяемого и мешающих компонентов. В течение достаточно длительного времени адсорбированные в порах молекулы диффундируют из объема к рабочей (шероховатой) поверхности, "отравляя" ее. Это приводит к принципиальной невозможности реализовать анализ газовой фазы в реальном времени с использованием пористой поверхности кремния.The main disadvantage is that a finely dispersed surface structure is obtained, the porous layer has a sufficiently large thickness, a high sorption capacity and adsorbs molecules of the determined and interfering components from the gas phase. For a sufficiently long time, the molecules adsorbed in the pores diffuse from the bulk to the working (rough) surface, "poisoning" it. This leads to the fundamental impossibility of real-time gas phase analysis using a porous silicon surface.
Известен способ и состав электролита для формирования слоев пористого кремния на поверхности подложки. Водный раствор фтористоводородной кислоты концентрацией 25% и этанол [J.J. Thomas et al., Desorption-ionization on silicon mass spectrometry: an application in forensics, J. Analytica Chimica acta 442, 2001, p.185]. При использовании вышеуказанного электролита поверхность подложки в достаточной степени получается шероховатой и с меньшей толщиной пористого слоя, что обуславливает ее использование в качестве эмиттера ионов в аналитических приборах.The known method and composition of the electrolyte for the formation of layers of porous silicon on the surface of the substrate. An aqueous solution of hydrofluoric acid at a concentration of 25% and ethanol [J.J. Thomas et al., Desorption-ionization on silicon mass spectrometry: an application in forensics, J. Analytica Chimica acta 442, 2001, p. 185]. When using the above electrolyte, the substrate surface is sufficiently rough and with a smaller thickness of the porous layer, which leads to its use as an ion emitter in analytical instruments.
Недостаток данного способа - экологическая опасность, значительные материальные затраты, обусловленные применением коррозионно активного агента и пожароопасных органических компонент.The disadvantage of this method is the environmental hazard, significant material costs due to the use of a corrosive agent and fire hazardous organic components.
Известен способ формирования шероховатой поверхности кремниевых подложек и электролит для анодного травления кремниевых подложек [Патент RU, 2217840 МПК7 01L 21/306] путем анодного травления в электролите, содержащем водный раствор фтористоводородной кислоты и спирт, травление ведут в электролите при плотности тока не более 4 мА/см2, дополнительно содержащем h или йодсодержащее соединение, диссоциирующее в электролите с образованием йодид-ионов, с последующей обработкой полученной поверхности оптическим излучением в присутствии воды с интенсивностью, меньшей порога разрушения вышеуказанной поверхности.A known method of forming a rough surface of silicon substrates and an electrolyte for anodic etching of silicon substrates [Patent RU, 2217840 IPC 7 01L 21/306] by anodic etching in an electrolyte containing an aqueous solution of hydrofluoric acid and alcohol, etching is carried out in the electrolyte at a current density of not more than 4 mA / cm 2, further comprising h or iodine-containing compound dissociates in the electrolyte to form iodide ions and then treating the resulting surface of the optical radiation in the presence of water with Intense vnostyu smaller than the destruction threshold of said surface.
В предложенном способе получаются малопористые кремниевые подложки с высокой степенью шероховатости поверхности и сохраняющие стабильность химического состояния поверхности подложек при длительном хранении в естественных условиях. На таких подложках процессы ионизации молекул протекают эффективно т.е. обеспечивают высокую чувствительность анализа в методах масс-спектрометрии и спектрометрии ионной подвижности.In the proposed method, low-porous silicon substrates with a high degree of surface roughness and maintaining the stability of the chemical state of the surface of the substrates during long-term storage under natural conditions are obtained. On such substrates, the processes of ionization of molecules proceed efficiently i.e. provide high sensitivity analysis in methods of mass spectrometry and ion mobility spectrometry.
Недостатки рассмотренных выше способов электрохимического формирования пористого кремния:The disadvantages of the above methods of electrochemical formation of porous silicon:
- электрохимическое формирование пористого кремния осуществлялось только монокристаллических подложек кремния;- the electrochemical formation of porous silicon was carried out only single-crystal substrates of silicon;
- материало-энергетически затратны и экологически опасны;- material and energy costs and environmentally hazardous;
- необходима дополнительная стадия в процессе формирования пористого кремния (освещенности рабочей поверхности кремния, например, лампой накаливания мощностью 200-500 Вт или оптическим излучением в присутствии воды с интенсивностью, меньшей порога разрушения вышеуказанной поверхности).- an additional stage is necessary in the process of formation of porous silicon (illumination of the working surface of silicon, for example, an incandescent lamp with a power of 200-500 W or optical radiation in the presence of water with an intensity lower than the threshold for destruction of the above surface).
Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является способ получения пористого кремния за счет внутреннего источника тока без приложения внешнего напряжения [Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 4, // Д.Н. Горячев, Л.В. Беляков, О.М. Сресли «Электролитический способ приготовления пористого кремния с использованием внутреннего источника тока»]. Исследовались образцы: вырожденный р+ Si (100), 10 мОм.см, а также пластины р-Si(B), (100), 12 Ом.см и n-Si(P), (100), 2 Ом.см. В электрохимическую ячейку с раствором 48% HF и этанола в соотношении 1:1 с добавками различных окислителей (азотной кислоты, бихромата калия, хлорида железа, перекиси водорода) погружались Si образцы и контрэлектрод из Pt или Ag или Cu. Образцы Si тыльной стороной электрически соединялись с контрэлектродом. В ходе опытов измерялась ЭДС или плотность тока короткого замыкания. Установлено, что интенсивное образование пористого кремния происходит только в присутствии перекиси водорода и только с Pt контрэлектродом. Авторами было показано, что формирование пористого кремния в электролите 48% HF+Н2О2 и этанола по способу без протекания тока не происходит.The closest in technical essence and the achieved result is a method for producing porous silicon due to an internal current source without applying an external voltage [Physics and Technology of Semiconductors, 2003, vol. 37, no. 4, // D.N. Goryachev, L.V. Belyakov, O.M. Srelli "Electrolytic method for the preparation of porous silicon using an internal current source"]. The samples were studied: degenerate p + Si (100), 10 mOhm.cm, and also plates p-Si (B), (100), 12 Ohm.cm and n-Si (P), (100), 2 Ohm.cm . Si samples and a counter electrode from Pt or Ag or Cu were immersed in an electrochemical cell with a solution of 48% HF and ethanol in a 1: 1 ratio with the addition of various oxidizing agents (nitric acid, potassium dichromate, iron chloride, hydrogen peroxide). Si samples with the back side were electrically connected to the counter electrode. During the experiments, the emf or short circuit current density was measured. It was found that the intensive formation of porous silicon occurs only in the presence of hydrogen peroxide and only with a Pt counter electrode. The authors showed that the formation of porous silicon in the electrolyte 48% HF + H 2 O 2 and ethanol by the method without current flow does not occur.
Недостатки:Disadvantages:
- предложенный способ не эффективен, материально и экологически опасен;- the proposed method is not effective, financially and environmentally hazardous;
- применение дорогостоящей платины в качестве контрэлектрода;- the use of expensive platinum as a counter electrode;
- экологическая опасность, использование коррозионноактивного агента и пожароопасных органических компонент;- environmental hazard, the use of a corrosive agent and fire hazardous organic components;
- установлено электрохимическое формирование пористого кремния только на монокристаллических образцах, в то время как получение пористых слоев на поликристаллическом кремни актуально.- the electrochemical formation of porous silicon was established only on single-crystal samples, while the preparation of porous layers on polycrystalline silicon is relevant.
Технической задачей предлагаемого изобретения является устранение вышеуказанных недостатков прототипа путем разработки неэлектролитического способа формирования пористых слоев кремния.The technical task of the invention is to eliminate the above disadvantages of the prototype by developing a non-electrolytic method for the formation of porous layers of silicon.
Технический результат состоит в создании способа формирования пористых слоев кремния и достигается тем, то в заявленном способе формирование пористых слоев на поликристаллическом кремнии ведут в растворах бифторида аммония в присутствии концентрированного озона.The technical result consists in creating a method for the formation of porous silicon layers and is achieved by the fact that in the claimed method the formation of porous layers on polycrystalline silicon is carried out in solutions of ammonium bifluoride in the presence of concentrated ozone.
Пример.Example.
Для приготовления 40% раствора NH4HF2 берут навеску 400 г NH4HF2 переносят ее в полиэтиленовый стакан на 1 л с деионизованной водой. На дно полиэтиленового стакана с раствором помещают образцы поликристаллического Si. Сюда же постоянно инжектируют озон-кислородную смесь с дозой озона 7,5 мг/л. Озон-кислородную смесь поучали на озонаторе тип СУ-20 электролизом 40% раствора NH4HF2 на аноде из стеклоуглерода СУ-2000. Эксперименты проводились на образцах поликристаллического n-Si.To prepare a 40% solution of NH 4 HF 2, a weighed portion of 400 g of NH 4 HF 2 is taken and transferred to a 1 L polyethylene glass with deionized water. Polycrystalline Si samples are placed at the bottom of the polyethylene beaker with the solution. An ozone-oxygen mixture with an ozone dose of 7.5 mg / L is constantly injected here. The ozone-oxygen mixture was taught on an SU-20 type ozonizer by electrolysis of a 40% solution of NH 4 HF 2 on an SU-2000 glassy carbon anode. The experiments were carried out on polycrystalline n-Si samples.
На Фиг. 1 даны РЭМ изображения образца ППП Si до обработки (а) и после обработки в 40% NH4 HF2+О3 при дозе О3 7,5 мг/л (б).In FIG. Figure 1 shows SEM images of a Si SPP sample before treatment (a) and after treatment in 40% NH 4 HF 2 + O 3 at a dose of O 3 of 7.5 mg / L (b).
На Фиг. 2 даны 3D изображения области сканирования 30×30 nm образцов ППП Si до обработки (а) и после обработки в 40% NH4 HF2+О3 при дозе О3 7,5 мг/л.In FIG. Figure 2 shows 3D images of the 30 × 30 nm scanning region of Si SPP samples before treatment (a) and after treatment in 40% NH 4 HF 2 + O 3 at a dose of O 3 of 7.5 mg / L.
Roughnese Analysis области сканирования 30×30 nm показал, что относительное приращение площади поверхности Sdr до обработки составило 39,91%, а после обработки 213,35%).Roughnese Analysis of the 30 × 30 nm scan region showed that the relative increment of the Sdr surface area before treatment was 39.91%, and after processing 213.35%).
При увеличении дозы озона выше 7,5 мг/л эффективность травления поверхности образцов снижается в результате образования оксидов.With an increase in the ozone dose above 7.5 mg / L, the etching efficiency of the surface of the samples decreases as a result of the formation of oxides.
Как видно из представленных результатов, заявляемый неэлектролитический способ по сравнению с известным позволяет существенно снизить технико-экономические показатели способа.As can be seen from the presented results, the claimed non-electrolytic method in comparison with the known allows to significantly reduce the technical and economic indicators of the method.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017130894A RU2703909C2 (en) | 2017-09-01 | 2017-09-01 | Method of forming layer of porous silicon on crystalline substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017130894A RU2703909C2 (en) | 2017-09-01 | 2017-09-01 | Method of forming layer of porous silicon on crystalline substrate |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2017130894A RU2017130894A (en) | 2019-03-01 |
| RU2017130894A3 RU2017130894A3 (en) | 2019-07-17 |
| RU2703909C2 true RU2703909C2 (en) | 2019-10-23 |
Family
ID=65632536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2017130894A RU2703909C2 (en) | 2017-09-01 | 2017-09-01 | Method of forming layer of porous silicon on crystalline substrate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2703909C2 (en) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2217840C1 (en) * | 2003-01-21 | 2003-11-27 | Алимпиев Сергей Сергеевич | Method for producing rough surface on silicon substrates for their anodic etching |
| WO2005059985A1 (en) * | 2003-12-17 | 2005-06-30 | Kansai Technology Licensing Organization Co., Ltd. | Process for producing silicon substrate with porous layer |
| RU2555013C1 (en) * | 2014-08-25 | 2015-07-10 | Общество с ограниченной ответственностью "ИНЛАБ" | Method of producing hydrophobic or hydrophilic porous silicon |
-
2017
- 2017-09-01 RU RU2017130894A patent/RU2703909C2/en active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2217840C1 (en) * | 2003-01-21 | 2003-11-27 | Алимпиев Сергей Сергеевич | Method for producing rough surface on silicon substrates for their anodic etching |
| WO2005059985A1 (en) * | 2003-12-17 | 2005-06-30 | Kansai Technology Licensing Organization Co., Ltd. | Process for producing silicon substrate with porous layer |
| RU2555013C1 (en) * | 2014-08-25 | 2015-07-10 | Общество с ограниченной ответственностью "ИНЛАБ" | Method of producing hydrophobic or hydrophilic porous silicon |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Горячев Д.Н. и др. Электролитический способ приготовления пористого кремния с использованием внутреннего источника тока. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, выпуск 4. * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2017130894A (en) | 2019-03-01 |
| RU2017130894A3 (en) | 2019-07-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Vial et al. | Porous Silicon Science and Technology: Winter School Les Houches, 8 to 12 February 1994 | |
| Ma et al. | Electrochemical degradation of perfluorooctanoic acid (PFOA) by Yb-doped Ti/SnO 2–Sb/PbO 2 anodes and determination of the optimal conditions | |
| Sui et al. | Enhanced photocatalytic activity for the degradation of rhodamine B by integrating salinity gradient power into a photocatalytic fuel cell | |
| Lebedev et al. | Photoelectrochemical processes at n-GaAs (100)/aqueous HCl electrolyte interface: a synchrotron photoemission spectroscopy study of emersed electrodes | |
| Di Quarto et al. | Photoelectrochemical characterization of thin anodic oxide films on zirconium metal | |
| Matsumura et al. | Enhanced etching rate of silicon in fluoride containing solutions at pH 6.4 | |
| RU2703909C2 (en) | Method of forming layer of porous silicon on crystalline substrate | |
| Kanzaki et al. | Glow discharge electrolysis of aqueous sulfuric acid solution in various atmosphere | |
| Allami et al. | Photoelectrochemical performance of N-doped ZnO branched nanowire photoanodes | |
| Takenouchi | Behavior of hydrogen nanobubbles in alkaline electrolyzed water and its rinse effect for sulfate ion remained on nickel-plated surface | |
| Song et al. | Corrosion trend on Q450 weathering steel deposited with Na2SO4, NaCl under ultraviolet light illumination | |
| CN117282453A (en) | Au-N co-doped TiO 2 Preparation method of nanotube and photoelectrocatalysis water purification system | |
| Wang et al. | Enhanced photoelectroctatlytic performance of etched 3C–SiC thin film for water splitting under visible light | |
| KR101472621B1 (en) | Bifacial anode for water treatment with photoelectrocatalytic layer and electrocatalytic layer, a preparation method thereof and a water treatment method using the same | |
| Rodriguez et al. | Reductive desorption of iodine chemisorbed on smooth polycrystalline gold electrodes | |
| CN108878141A (en) | A kind of preparation method of hydrochloric acid reaming high-field electrode foil | |
| Benjamin et al. | Surface recombination velocity measurements of cadmium sulfide single crystals immersed in electrolytes. A picosecond photoluminescence study | |
| Ojani et al. | Photoelectrocatalytic degradation of p-hydroxybenzoic acid at the surface of a titanium/titanium dioxide nanotube array electrode using electrochemical monitoring | |
| CN104900488B (en) | A kind of method of the stable porous silicon film physics micro-structural of energy | |
| Shiramizu et al. | Removal of Metal and Organic Contaminants from Silicon Substrates Using Electrolysis‐Ionized Water Containing Ammonium Chloride | |
| Baohong et al. | A new cleaning process combining non-ionic surfactant with diamond film electrochemical oxidation for polished silicon wafers | |
| RU2217840C1 (en) | Method for producing rough surface on silicon substrates for their anodic etching | |
| Niwano et al. | Hydrogen Exchange Reaction on Hydrogen‐Terminated (100) Si Surface during Storage in Water | |
| Aoki et al. | Wafer treatment using electrolysis-ionized water | |
| Petrovich et al. | Deposition of erbium containing film in porous silicon from ethanol solution of erbium salt |