RU2688037C1 - Hybrid photoelectric circuit assembly method with non-parallel mounting of elements - Google Patents
Hybrid photoelectric circuit assembly method with non-parallel mounting of elements Download PDFInfo
- Publication number
- RU2688037C1 RU2688037C1 RU2018125480A RU2018125480A RU2688037C1 RU 2688037 C1 RU2688037 C1 RU 2688037C1 RU 2018125480 A RU2018125480 A RU 2018125480A RU 2018125480 A RU2018125480 A RU 2018125480A RU 2688037 C1 RU2688037 C1 RU 2688037C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- hybrid
- elements
- assembly
- planes
- peripheral
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 230000000712 assembly Effects 0.000 abstract description 4
- 238000000429 assembly Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 abstract description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000012086 standard solution Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к электронной технике, а именно, к технологии изготовления гибридных микросхем, и может быть использовано в производстве гибридных фотоэлектрических сборок путем микросварки. В частности, в инфракрасной фотоэлектронике используются гибридные сборки фоточувствительных линейных или матричных массивов, размещенных на одной полупроводниковой подложке, электрически связанных с интегральными схемами считывания и предварительной обработки (ИС СПО), размещенными на других полупроводниковых подложках.The invention relates to electronic engineering, in particular, to the technology of manufacturing hybrid circuits, and can be used in the production of hybrid photovoltaic assemblies by micro-welding. In particular, in the infrared photoelectronics are used hybrid assemblies of photosensitive linear or matrix arrays placed on one semiconductor substrate, electrically connected with integrated circuits of reading and preprocessing (IS IP) placed on other semiconductor substrates.
В простейшем случае, когда вышеуказанные элементы расположены в одной плоскости, сборка осуществляется при помощи проволочных выводов методом гибридно-планарного монтажа [Минскер Ф.Е. Справочник сборщика микросхем. - М.: Высш. шк., 1992. - С.70.].In the simplest case, when the above elements are located in the same plane, the assembly is carried out using wire leads by the method of hybrid-planar installation [Minsker F.Ye. Handbook chip collector. - M .: Higher. shk., 1992. - p.70.].
При создании перспективных инфракрасных датчиков, обеспечивающих не только прием ИК-излучения и считывание электрического сигнала, но и более глубокую обработку сигнала, включающую операции предварительного усиления, фильтрации, компенсации неоднородности чувствительности датчиков матричного массива и мультиплексирования каналов, используют так называемую Z – технологию. При этом осуществляется параллельная обработка сигналов со всей строки (либо со всего столбца) матричного массива фотоприемников. Платы обработки сигнала собираются в единую структуру, к торцевой грани которой монтируется кристалл, содержащий матричный массив фотоприемников. В этом случае электрические контакты плат обработки выводятся на их торцы [Минскер Ф.Е. Справочник сборщика микросхем. - М.: Высш. шк., 1992. - С.70.] и монтаж кристалла, содержащего массив фотоприемников, осуществляется пайкой или холодной сваркой при помощи индиевых столбиков методом обратного или перевернутого монтажа (флип-чип) методом [EP (ЕПВ) A1 № 0316026, H01L21/00, 17.05.89.]. Однако такая технология монтажа очень сложна и используется для производства только специальной техники, где повышенная сложность и соответственно цена изделия определяются его исключительно тактико-техническими характеристиками.When creating advanced infrared sensors that provide not only IR reception and reading of an electrical signal, but also deeper signal processing, including pre-amplification, filtering, compensating for the inhomogeneity of the sensitivity of sensors in the array array and channel multiplexing, the so-called Z-technology is used. In this case, parallel processing of signals from the entire row (or from the entire column) of the array of photodetectors is carried out. The signal processing boards are assembled into a single structure, to the end face of which a crystal is mounted that contains a matrix array of photodetectors. In this case, the electrical contacts of the processing boards are displayed on their ends [Minske F. Ye. Handbook chip collector. - M .: Higher. shk., 1992. - p.70.] and the installation of a crystal containing an array of photodetectors is carried out by soldering or cold welding using indium columns by the method of reverse or inverted mounting (flip-chip) by the method [EP (EPO) A1 No. 0316026, H01L21 / 00, 05/17/89.]. However, this mounting technology is very complex and is used to produce only special equipment, where the increased complexity and, accordingly, the price of the product are determined solely by its tactical and technical characteristics.
В ряде конструкций ИК фотоприемников фокальной плоскости приходится располагать различные элементы конструкции, в частности подложки содержащие массивы фотоприемников и элементы ИС СПО, в различных плоскостях. Особенно это относится к охлаждаемым фотоприемникам фокальной плоскости при монтаже их в криостат фотоприемного устройства. В этом случае в конструкцию гибридной фоточувствительной интегральной схемы вводят гибкие токоведущие элементы, в частности полиимидные кабели, которые монтируются при помощи проволочных выводов в рамках гибридно-планарной технологии. Однако способ монтажа элементов конструкции гибридных фоточувствительных интегральных схем при помощи полиимидных кабелей имеет ряд недостатков. В частности полиимид имеет повышенное газоотделение в вакууме, имеет технологическую усадку, что не позволяет создавать полиимидные кабели с большим числом токоведущих элементов. Использование полиимидных кабелей требует развивать площадь и соответственно массу элементов крепления к устройству охлаждения фотоприемникам фокальной плоскости для их размещения, что не целесообразно из-за ограниченности по массо-габаритным харктеристикам.In a number of designs of IR photodetectors of the focal plane, it is necessary to locate various structural elements, in particular, substrates containing arrays of photodetectors and elements of the IS of the ACT, in different planes. This especially applies to cooled photodetectors of the focal plane when mounting them in a cryostat of a photodetector. In this case, flexible current-carrying elements, in particular polyimide cables, are inserted into the design of a hybrid photosensitive integrated circuit, which are mounted using wire leads as part of hybrid planar technology. However, the method of mounting hybrid photosensitive integrated circuit design elements using polyimide cables has several disadvantages. In particular, polyimide has increased gas separation in vacuum, has technological shrinkage, which does not allow to create polyimide cables with a large number of current-carrying elements. The use of polyimide cables requires the development of the area and, accordingly, the mass of the fastening elements to the cooling device of the photodetectors of the focal plane for their placement, which is not advisable due to the limited mass-dimensional characteristics.
Общемировая тенденция к уменьшению габаритов радиоэлектронной аппаратуры требует применения новых нестандартных решений в компоновке приборов. Одним из таких решений является расположение элементов в различных непараллельных плоскостях. Такое решение открывает широкие возможности для уменьшения габаритов изделия, однако при его применении возникает проблема создания проволочных межсоединений. The global tendency to reduce the size of electronic equipment requires the use of new non-standard solutions in the layout of devices. One such solution is to arrange the elements in different non-parallel planes. This solution opens up wide possibilities for reducing the dimensions of the product, however, when it is used, the problem of creating wire interconnects arises.
Наиболее близкий аналог (прототип) такого способа сборки описан в патенте на изобретение «Способ сборки гибридной фоточувствительной схемы» [SU 1826819 H05K3/00, 30.06.1983], согласно которому коммутационные платы с размещенными на них токоведущими дорожками, кросс-платами и полупроводниковыми подложками с ИК фотоприемниками и ИС СПО соединяются между собой и размещаются в специальное устройство, позволяющее вращать полученную сборку относительно ее осей. При этом к контактной площадке кросс-платы, расположенной в первой плоскости присоединяется, например, методом ультразвуковой сварки один конец проводника, после чего сборка коммутационных плат вращается в указанном устройстве относительно соответствующей оси и фиксирует в горизонтальной плоскости смежную ей коммутационную плату. Затем второй конец проводника присоединяется к соответствующей контактной площадке, расположенной на смежной коммутационной плате. Аналогичная процедура повторяется для каждой пары соответствующих контактных площадок, расположенных на смежных коммутационных платах.The closest analogue (prototype) of such an assembly method is described in the patent for the invention “Assembly Method of a Hybrid Photosensitive Circuit” [SU 1826819 H05K3 / 00, 06.06.1983], according to which switching boards with current-carrying tracks, cross-boards and semiconductor substrates placed on them With the IR photodetectors and the IS of the ACT are interconnected and placed in a special device that allows the resulting assembly to be rotated about its axes. In this case, the contact area of the cross-board located in the first plane is connected, for example, by ultrasonic welding with one end of the conductor, after which the assembly of the switching boards rotates in the specified device relative to the corresponding axis and fixes the switching board adjacent to it in the horizontal plane. Then the second end of the conductor is connected to the corresponding contact area located on the adjacent circuit board. A similar procedure is repeated for each pair of corresponding pads located on adjacent circuit boards.
Несовершенство данного решения заключается в том, что при разварке каждой перемычки требуется поворачивать корпус прибора, что снижает производительность труда. Кроме того, данное решение требует создавать петли с очень высоким профилем, что отрицательно сказывается на качестве.The imperfection of this solution lies in the fact that during the splicing of each jumper, it is required to rotate the housing of the device, which reduces productivity. In addition, this solution requires creating loops with a very high profile, which negatively affects the quality.
Также, к недостаткам этого патента следует отнести то, что для его воспроизведения требуется разработка и создание специального оборудования и оснастки. Кроме того, низкая надежность соединений и высокая трудоемкость процесса затрудняют использовать этот способ при создании гибридных фоточувствительных схем. Also, the disadvantages of this patent include the fact that its reproduction requires the development and creation of special equipment and accessories. In addition, the low reliability of the compounds and the high complexity of the process make it difficult to use this method when creating hybrid photosensitive circuits.
Техническим результатом изобретения является улучшение качества сборки и снижение времени сборки, также техническим результатом является упрощение конструкции.The technical result of the invention is to improve the build quality and reduce assembly time, and the technical result is to simplify the design.
Указанный технический результат достигается предлагаемым способом сборки, включающим размещение и крепление на центральной горизонтальной плоскости кристалла фотоприемника, вспомогательных плат и кристаллов, по крайней мере, на одной/двух периферийных горизонтальных плоскостях; последующее межсоединение микросваркой контактных площадок активных и пассивных элементов; центральная горизонтальная плоскость шарнирно соединена с периферийными горизонтальными плоскостями, причем контактные площадки на периферийных горизонтальных плоскостях расположены непосредственно вдоль оси вращения шарниров; после осуществления коммутации элементов производят поворот периферийных горизонтальных плоскостей на заданный угол от 0° до 180°.This technical result is achieved by the proposed method of Assembly, including the placement and mounting on the Central horizontal plane of the crystal of the photodetector, auxiliary boards and crystals, at least one / two peripheral horizontal planes; subsequent interconnection by micro-welding of the contact areas of active and passive elements; the central horizontal plane is pivotally connected to the peripheral horizontal planes, with contact pads on the peripheral horizontal planes located directly along the axis of rotation of the hinges; after the switching of the elements, the peripheral horizontal planes are rotated at a given angle from 0 ° to 180 °.
В предлагаемом способе все собираемые элементы размещены и закреплены на нескольких (не менее 2-х) шарнирно соединенных между собой горизонтальных плоскостях, что позволяет, во-первых, производить сборку на серийном оборудовании без его модернизации, во-вторых, соединения на всех плоскостях и между ними можно производить за один процесс и только после осуществлять поворот плоскостей друг относительно друга на заданный угол. В-третьих, периферийная горизонтальная плоскость расположена ниже центральной, и присоединение производится на площадки, размещенные вдоль оси вращения шарниров, что позволяет осуществить поворот плоскости без существенного воздействия на сварные соединения и практически без изменения формы петли.In the proposed method, all assembled elements are placed and fixed on several (at least 2) horizontal planes pivotally interconnected, which allows, firstly, to assemble on serial equipment without upgrading it, secondly, on all planes and between them it can be done in one process and only after that they can rotate the planes relative to each other at a given angle. Thirdly, the peripheral horizontal plane is located below the central one, and the connection is made to the platforms located along the axis of rotation of the hinges, which allows the plane to rotate without significant impact on the welded joints and practically without changing the shape of the loop.
Изобретение поясняется чертежами.The invention is illustrated by drawings.
На фиг.1 изображена гибридная фоточувствительная схема в собранном виде, где введены обозначения: Figure 1 shows a hybrid photosensitive circuit in assembled form, where the following notation is entered:
1 – центральная горизонтальная плоскость; 1 - central horizontal plane;
2 – предметный столик; 2 - subject table;
3 – периферийная горизонтальная плоскость; 3 - peripheral horizontal plane;
4 – холодильное устройство; 4 - refrigeration unit;
5 – проволочные межсоединения; 5 - wire interconnects;
6,7,8,9 – оси вращения периферийных плоскостей.6,7,8,9 - axis of rotation of the peripheral planes.
На фиг.2 изображена гибридная фоточувствительная схема после осуществления поворота периферийных горизонтальных плоскостей.Figure 2 shows a hybrid photosensitive circuit after the rotation of the peripheral horizontal planes.
На фиг.3 изображена 3D модель гибридной фотоэлектрической схемы до осуществления поворота и после.Figure 3 shows a 3D model of a hybrid photovoltaic circuit before and after turning.
Согласно изобретению, после размещения и крепления на центральной плоскости (1) схемы фотоприемника (2) и на периферийных плоскостях (3) вспомогательных элементов (4) производят полную сборку всех элементов на всех плоскостях, затем осуществляют коммутацию (5) между центральной и периферийными плоскостями. Причем, контактные площадки на периферийных плоскостях расположены вдоль оси вращения шарниров (6,7). После осуществления коммутации производят поворот периферийных горизонтальных плоскостей на заданный угол (0° - 180°).According to the invention, after placing and fixing on the central plane (1) of the photodetector circuit (2) and on the peripheral planes (3) of the auxiliary elements (4), all the elements are assembled on all the planes, then they switch (5) between the central and peripheral planes . Moreover, the contact pads on the peripheral planes are located along the axis of rotation of the hinges (6.7). After switching, the peripheral horizontal planes are rotated at a given angle (0 ° - 180 °).
Технико-экономическая эффективность предлагаемого способа заключается в появившейся возможности поворота периферийных плоскостей на заданный угол, что, не снижая надежность соединений, позволяет производить сборку всех элементов гибридной фотоэлектрической схемы на любой сборочной установке. Кроме того, использование данного способа позволяет значительно повысить производительность труда.Technical and economic efficiency of the proposed method lies in the possibility of rotation of the peripheral planes at a given angle, which, without compromising the reliability of the connections, allows the assembly of all elements of the hybrid photovoltaic circuit on any assembly unit. In addition, the use of this method can significantly increase productivity.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018125480A RU2688037C1 (en) | 2018-07-11 | 2018-07-11 | Hybrid photoelectric circuit assembly method with non-parallel mounting of elements |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018125480A RU2688037C1 (en) | 2018-07-11 | 2018-07-11 | Hybrid photoelectric circuit assembly method with non-parallel mounting of elements |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2688037C1 true RU2688037C1 (en) | 2019-05-17 |
Family
ID=66578796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018125480A RU2688037C1 (en) | 2018-07-11 | 2018-07-11 | Hybrid photoelectric circuit assembly method with non-parallel mounting of elements |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2688037C1 (en) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0316026A1 (en) * | 1987-11-03 | 1989-05-17 | Presidenza Del Consiglio Dei Ministri - Ufficio Del Ministro Per Il Coordinamento Delle Iniziative Per La Ric.Ca Sc. E Tecn. | Procedure for soldering a semiconductor component (chip) to a supporting unit |
| SU1829796A1 (en) * | 1990-06-12 | 1996-04-20 | Научно-исследовательский институт "Пульсар" | Hybrid photoconverter |
| SU1826819A1 (en) * | 1990-06-12 | 1996-06-10 | Научно-исследовательский институт "Пульсатор" | Method for assembly of hybrid photosensitive circuit |
| RU2209491C2 (en) * | 2001-03-20 | 2003-07-27 | Формозов Борис Николаевич | Photodetector module for mosaic focal grid built around solid-state photoelectric matrix television transducer |
-
2018
- 2018-07-11 RU RU2018125480A patent/RU2688037C1/en active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0316026A1 (en) * | 1987-11-03 | 1989-05-17 | Presidenza Del Consiglio Dei Ministri - Ufficio Del Ministro Per Il Coordinamento Delle Iniziative Per La Ric.Ca Sc. E Tecn. | Procedure for soldering a semiconductor component (chip) to a supporting unit |
| SU1829796A1 (en) * | 1990-06-12 | 1996-04-20 | Научно-исследовательский институт "Пульсар" | Hybrid photoconverter |
| SU1826819A1 (en) * | 1990-06-12 | 1996-06-10 | Научно-исследовательский институт "Пульсатор" | Method for assembly of hybrid photosensitive circuit |
| RU2209491C2 (en) * | 2001-03-20 | 2003-07-27 | Формозов Борис Николаевич | Photodetector module for mosaic focal grid built around solid-state photoelectric matrix television transducer |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4304624A (en) | Method of fabricating a multi-layer structure for detector array module | |
| US7659134B2 (en) | Microelectronic imagers and methods for manufacturing such microelectronic imagers | |
| US9214455B2 (en) | Stub minimization with terminal grids offset from center of package | |
| US20080079140A1 (en) | Electronic system modules and method of fabricaton | |
| US10304764B2 (en) | Film product, film packages and package modules using the same | |
| CN102403325A (en) | Semiconductor package and manufacturing method for a semiconductor package as well as optical module | |
| CN102983111A (en) | Stepped package for image sensor and method of making same | |
| JP2014521221A (en) | Multi-die package with deskew | |
| US4354107A (en) | Detector array module-structure and fabrication | |
| US20160190192A1 (en) | Chip scale package camera module with glass interposer and method for making the same | |
| US6485999B1 (en) | Wiring arrangements having electrically conductive cross connections and method for producing same | |
| US4352715A (en) | Detector array module fabrication | |
| RU2688037C1 (en) | Hybrid photoelectric circuit assembly method with non-parallel mounting of elements | |
| JPH0710005B2 (en) | Superconductor interconnection device | |
| KR920000601B1 (en) | Method of making liquid crystal devices | |
| KR20090103302A (en) | Probe Assembly of Probe Card and Manufacturing Method thereof | |
| EP0128799A1 (en) | Method of producing a hybrid circuit, and hybrid circuit obtained by this method | |
| US20100251542A1 (en) | Electronic Device Comprising an Integrated Circuit and a Capacitance Element | |
| KR100858027B1 (en) | Probe assembly of probe card and manufacturing method thereof | |
| US20190363047A1 (en) | Fan-out connections of processors on a panel assembly | |
| JPH0737662A (en) | Electric apparatus | |
| US11658123B2 (en) | Hybrid bridged fanout chiplet connectivity | |
| KR20110097529A (en) | Prober unit | |
| JPH0427890A (en) | Array sensor module | |
| JPS62283320A (en) | Electronic connecting device |