RU2685076C1 - Device for scanning radio frequency optical modulation spectroscopy - Google Patents
Device for scanning radio frequency optical modulation spectroscopy Download PDFInfo
- Publication number
- RU2685076C1 RU2685076C1 RU2017146928A RU2017146928A RU2685076C1 RU 2685076 C1 RU2685076 C1 RU 2685076C1 RU 2017146928 A RU2017146928 A RU 2017146928A RU 2017146928 A RU2017146928 A RU 2017146928A RU 2685076 C1 RU2685076 C1 RU 2685076C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- optical fiber
- metal
- radio frequency
- frequency
- modulation spectroscopy
- Prior art date
Links
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 4
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 230000004807 localization Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 14
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 11
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005685 electric field effect Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000001055 reflectance spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
- G01N21/3581—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light using far infrared light; using Terahertz radiation
- G01N21/3586—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light using far infrared light; using Terahertz radiation by Terahertz time domain spectroscopy [THz-TDS]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к модуляционной спектроскопии, в которой производят измерения зависимости спектров материалов от внешнего воздействия, при котором производят модуляцию параметра образца на низкой частоте и измеряют изменения в спектре оптического отражения. Таким параметром может быть электрическое поле, температура, механическое напряжение и т.д. Применение синхронного детектирования позволяет производить измерения с высокой точностью. В результате измерений можно получить информацию о встроенных электрических полях, температуре, электронных состояниях в поверхностном слое полупроводника, металла и диэлектрика, толщина которого определяется проникновением света в исследуемый материал.The invention relates to modulation spectroscopy, in which measurements are made of the dependence of the spectra of materials on external influences, at which the sample parameter is modulated at a low frequency and changes in the optical reflection spectrum are measured. Such a parameter can be an electric field, temperature, mechanical stress, etc. The use of synchronous detection allows measurement with high accuracy. As a result of measurements, it is possible to obtain information about the built-in electric fields, temperature, electronic states in the surface layer of a semiconductor, metal and dielectric, the thickness of which is determined by the penetration of light into the material under study.
В частности, изобретение относится к радиочастотной оптической модуляционной спектроскопии. В этом случае в качестве параметра выступает внешнее радиочастотное поле в диапазоне от 100 кГц до 100 МГц, дополнительно промодулированное на низкой частоте (100-1000 Гц).In particular, the invention relates to radio frequency optical modulation spectroscopy. In this case, the parameter is an external radio frequency field in the range from 100 kHz to 100 MHz, additionally modulated at a low frequency (100-1000 Hz).
Известно устройство и способ измерений, получивший название радиочастотное модуляционное отражение (РМО) [Рябушкин О.А., Сабликов В.А. «Модулированное радиочастотным полем отражения света в полупроводниковых гетероструктурах», Письма в ЖЭТФ, том. 67, вып. 3, стр. 217-221, 1998]. Полупроводниковую структуру с двумерным электронным газом помещают между пластинами плоского конденсатора. К металлическим пластинам прикладывают напряжение на частоте радио диапазона, которое модулируют по амплитуде. Зондирующий луч света подводится к образцу с помощью оптического волокна через отверстие в стенке конденсатора. Отраженный луч выводится наружу через такое же волокно. В результате получаются изменения спектра в диапазоне длин волн, соответствующем краю запрещенной зоны. Они обусловлены эффектами Франца-Келдыша и экситонными состояниями. Замечено, что сигнал возрастает с понижением температуры, поэтому данные измерения удобно проводить в области азотных или гелиевых температур. Особенностью данного метода, по сравнению с другими методами модуляционной спектроскопии, является взаимодействие внешнего излучения только с проводящими слоями структуры. Преимущество описанного метода, по сравнению с таким методом модуляционной спектроскопии, как фотоотражение, состоит в том, что отсутствует яркая люминесценция прямозонных полупроводников, которая нивелирует особенности спектра модуляционного отражения исследуемых структур. К тому же, в некоторых случаях появляется сигнал с энергией кванта меньшей, чем ширина запрещенной зоны, обусловленный акцепторными состояниями. Это дает возможность наблюдать легированные слои структуры.A device and method of measurement, known as radiofrequency modulated reflection (RMS), is known [Ryabushkin OA, Sablikov V.A. “Modulated by the radiofrequency field the reflection of light in semiconductor heterostructures”, Letters to JETP, vol. 67, no. 3, pp. 217-221, 1998]. A semiconductor structure with a two-dimensional electron gas is placed between the plates of a flat capacitor. Voltage is applied to the metal plates at the frequency of the radio band, which is modulated in amplitude. The probing beam of light is supplied to the sample using an optical fiber through an opening in the wall of the capacitor. The reflected beam is output through the same fiber. The result is a change in the spectrum in the wavelength range corresponding to the edge of the forbidden band. They are due to the Franz-Keldysh effects and exciton states. It is noticed that the signal increases with decreasing temperature, so these measurements are conveniently carried out in the region of nitrogen or helium temperatures. A feature of this method, compared with other modulation spectroscopy methods, is the interaction of external radiation only with conducting layers of the structure. The advantage of the described method, compared with the modulation spectroscopy method such as photoreflection, is that there is no bright luminescence of direct-gap semiconductors, which levels the features of the modulation reflection spectrum of the structures under study. In addition, in some cases, a signal appears with a quantum energy less than the width of the forbidden band, due to acceptor states. This makes it possible to observe the doped layers of the structure.
Похожий способ измерений заключается в том, что структуру помещают в поля различных пространственных конфигураций [А.О. Волков, О.А. Рябушкин, М.С. Поволоцкий «Модуляция радиочастотным полем двух поляризаций отражения света от полупроводниковых гетероструктур» Письма в ЖТФ, 2001, Т. 27, вып. 18. С. 8-13]. Для этого одну из обкладок конденсатора заменяют металлической гребенкой. Это дает возможность прикладывать продольное или поперечное электрическое поле к структуре. Поля с разной эффективностью взаимодействуют с различными сломи структуры, что позволяет выделять вклады отдельных слоев.A similar measurement method is that the structure is placed in the fields of different spatial configurations [A.O. Volkov, O.A. Ryabushkin, MS Povolotsky "Modulation of two polarizations of light reflection from semiconductor heterostructures by a radio frequency field" Letters in Technical Physics, 2001, T. 27, no. 18. P. 8-13]. To do this, one of the plates of the capacitor is replaced with a metal comb. This makes it possible to apply a longitudinal or transverse electric field to the structure. Fields with different efficiencies interact with different structures and structures, which allows you to select the contributions of individual layers.
Еще один способ измерений, при котором образец помещают в резонатор с металлическими стенками, в котором создается переменное СВЧ-поле, получил название Микроволновое модуляционное отражение (ММО) [М.А. Черников, О.А. Рябушкин «Микроволновое модуляционное отражение света полупроводников», Письма в ЖТФ, 2001, т. 27, вып. 24. С. 29-34]. Преимущество данного метода над предыдущими состоит в повышении эффективности разогрева полупроводника за счет высокой частоты поля. Кроме того, резонатор позволяет увеличить во много раз значение напряженности поля.Another measurement method in which the sample is placed in a resonator with metal walls, in which an alternating microwave field is created, is called Microwave Modulation Reflection (MMO) [M.А. Chernikov, O.A. Ryabushkin “Microwave modulation reflection of light from semiconductors”, Letters to the Journal of Technical Physics, 2001, vol. 27, no. 24. pp. 29-34]. The advantage of this method over the previous ones is to increase the heating efficiency of the semiconductor due to the high frequency of the field. In addition, the resonator allows you to increase many times the value of the field strength.
Разогревать электронный газ можно еще одним методом с помощью пропускания переменного тока через гетероструктуру («Current modulated light reflectance spectroscopy with submicronspatial resolution in semiconductor heterostructures» O.A. Ryabushkin, E.I. Lonskaya, Physica E 13 (2002) 374-376). Этот метод дает близкие к предыдущим методам спектры. Он удобнее в случае, когда образец имеет электрические контакты и значительно труднее для случая, когда этих контактов нет. Его преимущество в том, что разогреваются носители заряда только в тех слоях, через которые протекает ток, в отличие от РМО и ММО методов, где поле взаимодействует со всеми проводящими слоями.Electron gas can be heated by another method by passing an alternating current through the heterostructure (O.A. Ryabushkin, E.I.Lonskaya, Physica E 13 (2002) 374-376) “Current modulated light reflectance spectroscopy with heterostructures”. This method gives spectra close to previous methods. It is more convenient when the sample has electrical contacts and much more difficult for the case when these contacts are not. Its advantage is that charge carriers are heated only in those layers through which current flows, in contrast to the PMO and MMO methods, where the field interacts with all conductive layers.
Наиболее близким к данному изобретению является устройство, описанное в работе [A.O. Volkov and O.A. Ryabushkin «Spatial distribution of light reflectance modulated by near-field radio-frequency excitation in semiconductor structures)) Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Compound Semiconductors 1998: Proceedings of the Twenty-Fifth International Symposium on Compound Semiconductors held in Nara, Japan, 12-16 October 1998.]. Образец кладется на металлическую пластину, которая является одним из электродов. Над поверхностью образца находятся два оптических волокна. Через одно из них освещается поверхность образца, а второе волокно принимает отраженный сигнал. Металлический цилиндрический стержень над поверхностью образца является вторым электродом. Это увеличивает локализацию радиочастотного поля и на порядок усиливает сигнал. Тем не менее, радиочастотное поле воздействует на все слои гетероструктуры.The closest to this invention is the device described in [A.O. Volkov and O.A. Ryabushkin "Spatial distribution of light reflectance modulated by near-field radio frequency excitation in semiconductor structures)) Institute for Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Compound Semiconductors 1998: Nara, Japan, 12-16 October 1998.]. The sample is placed on a metal plate, which is one of the electrodes. Above the sample surface are two optical fibers. Through one of them the surface of the sample is illuminated, and the second fiber receives the reflected signal. The metal cylindrical rod above the sample surface is the second electrode. This increases the localization of the radio frequency field and amplifies the signal by an order of magnitude. However, the radio frequency field affects all layers of the heterostructure.
Из вышесказанного следует, что все известные устройства, в том числе и прототип, реализующий описанные выше методы, предполагают воздействие электрическим полем на весь полупроводниковый образец, либо на его значительную часть, что затрудняет интерпретацию спектров отражения света для неоднородных образцов. К тому же, источниками электрического поля и света служат различные устройства, что создает дополнительные трудности совмещения их в пространстве.From the foregoing, it follows that all known devices, including the prototype that implements the methods described above, imply an electric field effect on the entire semiconductor sample, or on a significant part of it, which makes it difficult to interpret the reflection spectra of non-uniform samples. In addition, various devices serve as sources of electric field and light, which creates additional difficulties in combining them in space.
Технической задачей, решаемой в предлагаемом изобретении, является создание устройства для воздействия высокочастотным электрическим полем на малую область образца и снятия оптических спектров отражения от этой области.The technical problem solved in the present invention is the creation of a device for exposure to high-frequency electric field in a small area of the sample and the removal of the optical reflection spectra from this area.
Техническим результатом является повышение разрешающей способности устройства за счет улучшения локальности воздействия.The technical result is to increase the resolution of the device by improving the locality of the impact.
Технический результат достигается тем, что устройство для сканирующей радиочастотно-оптической модуляционной спектроскопии, содержит по крайней мере два металлических электрода, выполненных в виде стержней, расположеных внутри оптического волокна либо в светоотражающей оболочке, либо в защитном покрытии.The technical result is achieved by the fact that the device for scanning radio-frequency-optical modulation spectroscopy contains at least two metal electrodes, made in the form of rods, located inside the optical fiber, either in a reflective sheath or in a protective coating.
Оптическое волокно может быть выполнено в виде усеченного конуса (тейпера), сужающегося к выходному торцу. Это позволяет произвести дальнейшее уменьшение области воздействия на образец, сохранив при этом возможности заведения излучения в волокно и прикладывания напряжения к электродам.Optical fiber can be made in the form of a truncated cone (taper), tapering to the output end. This allows us to further reduce the area of impact on the sample, while maintaining the possibility of the institution of radiation into the fiber and applying voltage to the electrodes.
Устройство может содержать от 2-х до 6-ти металлических электродов, что позволяет подбирать оптимальное направление напряженности поля в образцах с анизотропной проводимостью.The device can contain from 2 to 6 metal electrodes, which allows you to select the optimal direction of field strength in samples with anisotropic conductivity.
Для заведения излучения накачки к оптическому волокну может быть присоединен тройной ответвитель. Это позволяет снимать как спектры радиочастотно-оптического модуляционного отражения, так и спектры фотоотражения.For the establishment of pumping radiation to the optical fiber can be attached triple coupler. This makes it possible to take both radiofrequency modulated reflection spectra and photoreflection spectra.
Оптическое волокно для уменьшения внешнего электромагнитного воздействия (экранировки) может быть покрыто сверху металлическим слоем.Optical fiber to reduce external electromagnetic interference (shielding) can be covered on top with a metal layer.
На фиг. 1 представлена схема устройства, где 1 - электроды, 2 -внутренняя светоотражающая оболочка, 3 - защитное покрытие (внешняя оболочка), 4 - световедущая сердцевина оптического волокна, на фиг. 2 - волоконная структура в форме тейпера. На фиг. 3 - вид с торца. На фиг. 4 изображена экспериментальная установка, где 5 - лампа, 6 - лазер, 7 - монохроматор, 8 - фотоприемник, 9 - синхронный детектор, 10 - высокочастотный генератор, 11 - персональный компьютер, 12 - оптическое волокно с электродами, 13 - исследуемый образец, 14 - оптические волокна, 15 - тройной ответвитель. Устройство работает следующим образом. Компьютер (11) управляет высокочастотным генератором (10), который прикладывает к электродам (1) высокочастотное промодулированное напряжение. Несущая частота составляет десятки мегагерц, а частота модуляции - сотни герц. Свет от галогеновой лампы (5) заводится в одно из волокон (14) тройного ответвителя (15) с помощью согласующей линзы. Отраженный от образца (13) свет направляется через другое волокно тройника в монохроматор (7). Их апертуры согласовываются при помощи объектива. Разрешение монохроматора не более одного мэВ для наблюдения осциллирующей структуры спектра. На выходе монохроматора установлен фотоприемник (8). Его полоса пропускания должна быть больше частоты модуляции (несколько килогерц). Сигнал с фотоприемника разделялся на переменную и постоянную составляющие. Переменная составляющая выделяется с помощью синхронного детектора. Опорная частота для него поступает с компьютера, она равна частоте модуляции. Затем обе составляющие оцифровываются и заносятся в память компьютера. Компьютер управляет положением дифракционной решетки монохроматора с помощью шагового двигателя. Для каждого положения решетки проводятся описанные выше измерения. Так осуществляется сканирование по спектру. Результатом измерений является величина ΔR(λ)/R, где R - коэффициент отражения, a ΔR - его изменение под действием приложенного поля.FIG. 1 shows a diagram of the device, where 1 is the electrodes, 2 is the inner light reflecting shell, 3 is the protective coating (outer shell), 4 is the light-guiding core of the optical fiber, FIG. 2 - fiber structure in the form of a taper. FIG. 3 is an end view. FIG. 4 shows an experimental setup, where 5 is a lamp, 6 is a laser, 7 is a monochromator, 8 is a photodetector, 9 is a synchronous detector, 10 is a high-frequency generator, 11 is a personal computer, 12 is an optical fiber with electrodes, 13 is a test sample, 14 - optical fibers, 15 - triple coupler. The device works as follows. The computer (11) controls the high-frequency generator (10), which applies a high-frequency modulated voltage to the electrodes (1). The carrier frequency is tens of megahertz, and the modulation frequency is hundreds of hertz. The light from the halogen lamp (5) is inserted into one of the fibers (14) of the triple coupler (15) using a matching lens. The light reflected from the sample (13) is directed through another tee fiber to the monochromator (7). Their apertures are matched with a lens. The resolution of the monochromator is no more than one meV for observing the oscillating structure of the spectrum. A photodetector (8) is installed at the output of the monochromator. Its bandwidth must be greater than the modulation frequency (several kilohertz). The signal from the photodetector was divided into variable and constant components. The variable component is allocated using a synchronous detector. The reference frequency for it comes from the computer, it is equal to the modulation frequency. Then both components are digitized and stored in the computer's memory. The computer controls the position of the monochromator diffraction grating using a stepper motor. For each lattice position, the measurements described above are carried out. This is how scanning is carried out across the spectrum. The measurement result is the value of ΔR (λ) / R, where R is the reflection coefficient, a ΔR is its change under the action of the applied field.
Существует еще несколько способов, отличных от вышеописанного. Например, электрическое поле не модулируется, а его несущая частота составляет несколько мегагерц. При этом сигнал фотоприемника детектируется на несущей частоте. По сути, описанный способ является высокочастотным электроотражением. Его преимущество по сравнению с обычным электроотражением состоит в локальности и в возможности наблюдать отклик не только от изолирующих слоев, но и от тех проводящих слоев, где электроны не успевают перераспределиться за период поля.There are several other ways than the one described above. For example, the electric field is not modulated, and its carrier frequency is several megahertz. In this case, the photodetector signal is detected at the carrier frequency. In fact, the described method is a high-frequency electroreflection. Its advantage in comparison with the usual electrophorection is in locality and in the ability to observe the response not only from the insulating layers, but also from those conducting layers where the electrons do not have time to redistribute during the field period.
Еще одним способом является периодическая оптическая накачка с помощью одного из волокон тройника и наблюдение отклика на частоте этой накачки. Это модификация известного метода фотоотражения. Она обладает тем преимуществом, что используется одно волокно для накачки, зондирования и заведения отраженного сигнала вместо трех различных волокон.Another method is periodic optical pumping using one of the tee fibers and observing the response at the frequency of this pump. This is a modification of the known method of photoreflection. It has the advantage of using a single fiber to pump, probe, and bring in the reflected signal instead of three different fibers.
Claims (5)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017146928A RU2685076C1 (en) | 2017-12-28 | 2017-12-28 | Device for scanning radio frequency optical modulation spectroscopy |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017146928A RU2685076C1 (en) | 2017-12-28 | 2017-12-28 | Device for scanning radio frequency optical modulation spectroscopy |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2685076C1 true RU2685076C1 (en) | 2019-04-16 |
Family
ID=66168372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2017146928A RU2685076C1 (en) | 2017-12-28 | 2017-12-28 | Device for scanning radio frequency optical modulation spectroscopy |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2685076C1 (en) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006085971A2 (en) * | 2004-07-02 | 2006-08-17 | Platypus Technologies, Llc | Detection of analytes |
| RU2624833C2 (en) * | 2015-07-23 | 2017-07-07 | Илья Александрович Зайцев | Device for measurement of longitudinal temperature distribution in polymer coating of active waveguides of fibre lasers and amplifiers |
-
2017
- 2017-12-28 RU RU2017146928A patent/RU2685076C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006085971A2 (en) * | 2004-07-02 | 2006-08-17 | Platypus Technologies, Llc | Detection of analytes |
| RU2624833C2 (en) * | 2015-07-23 | 2017-07-07 | Илья Александрович Зайцев | Device for measurement of longitudinal temperature distribution in polymer coating of active waveguides of fibre lasers and amplifiers |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| PROTASENYA D.V., RYABUSHKIN O.А., "MEASUREMENT OF FREE CARRIER CONCENTRATION IN SEMICONDUCTOR WITH HIGH SPATIAL RESOLUTION BY OPTICAL FIBER WITH TWO ELECTRODES", THE 37TH PIERS (PROGRESS IN ELECTROMAGNETICS RESEARCH SYMPOSIUM) CHINA, AUGUST 8 - 11, 2016. * |
| ШАЙДУЛЛИН Р.И., диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук "РАДИОЧАСТОТНАЯ ИМПЕНДАНСНАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ АКТИВНЫХ ОПТИЧЕСКИХ ВОЛОКОН ПРИ УСИЛЕНИИ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ", 2015 ГОД. * |
| ШАЙДУЛЛИН Р.И., диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук "РАДИОЧАСТОТНАЯ ИМПЕНДАНСНАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ АКТИВНЫХ ОПТИЧЕСКИХ ВОЛОКОН ПРИ УСИЛЕНИИ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ", 2015 ГОД. PROTASENYA D.V., RYABUSHKIN O.А., "MEASUREMENT OF FREE CARRIER CONCENTRATION IN SEMICONDUCTOR WITH HIGH SPATIAL RESOLUTION BY OPTICAL FIBER WITH TWO ELECTRODES", THE 37TH PIERS (PROGRESS IN ELECTROMAGNETICS RESEARCH SYMPOSIUM) CHINA, * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7470643B2 (en) | Atom-based electromagnetic field sensing elements and measurement systems | |
| Kirtley et al. | Light emission from tunnel junctions on gratings | |
| Kwong et al. | Cooperative emission of a pulse train in an optically thick scattering medium | |
| WO2006019776A2 (en) | A method for coupling terahertz pulses into a coaxial waveguide | |
| Mitsudo et al. | High power, frequency tunable, submillimeter wave ESR device using a gyrotron as a radiation source | |
| Sprik et al. | Far infrared spectroscopy with subpicosecond electrical pulses on transmission lines | |
| US11585841B1 (en) | Low-frequency atomic electrometry | |
| US4208624A (en) | Method and apparatus for investigating dielectric semiconductor materials | |
| RU2685076C1 (en) | Device for scanning radio frequency optical modulation spectroscopy | |
| Clément et al. | Multi-band spectroscopy of inhomogeneous Mott-insulator states of ultracold bosons | |
| Ma et al. | The distribution measurement of the photo-induced plasma in semiconductor by near-field scanning microwave microscopy | |
| Pakulis et al. | Optically detected electron cyclotron resonance in silicon | |
| JP3922462B2 (en) | Infrared light emitting device, time-series conversion pulse spectroscopic measuring device, and infrared light emitting method | |
| KR20170089613A (en) | Terahertz device | |
| JP7396787B2 (en) | Microcurrent detection device and microcurrent detection method | |
| Shchelkunov et al. | Nondestructive diagnostic for electron bunch length in accelerators<? format?> using the wakefield radiation spectrum | |
| Murav’ev et al. | Measurement of the mean free path of edge magnetoplasmons revealed in the spectra of magnetic oscillations of photovoltage in a two-dimensional electron system under microwave radiation | |
| Murasawa et al. | Generation and homodyne detection of continuous terahertz waves using single photoconductive antenna | |
| Chusseau et al. | Near-Field Millimeter Wave Vector Measurements--Experimental Design & Measurement Interpretation | |
| Antsygin et al. | Efficiency of generation of terahertz radiation in GaAs, InAs, and InSb crystals | |
| Tsujimoto et al. | Broadly tunable CW terahertz sources using intrinsic josephson junction stacks in high-temperature superconductors | |
| US20230349957A1 (en) | Electrometry by Optical Charge Conversion of Defects in the Solid-State | |
| Horn-Cosfeld et al. | Generation of phonon-induced resistance oscillations by terahertz radiation | |
| JP7384399B2 (en) | Measuring device and method | |
| Kazantsev et al. | Configurable Plasma Antenna with Laser Control |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20191229 |