RU2680990C1 - Компланарный волновод электрооптического модулятора бегущей волны на базе интерферометра Маха-Цендера - Google Patents
Компланарный волновод электрооптического модулятора бегущей волны на базе интерферометра Маха-Цендера Download PDFInfo
- Publication number
- RU2680990C1 RU2680990C1 RU2018118794A RU2018118794A RU2680990C1 RU 2680990 C1 RU2680990 C1 RU 2680990C1 RU 2018118794 A RU2018118794 A RU 2018118794A RU 2018118794 A RU2018118794 A RU 2018118794A RU 2680990 C1 RU2680990 C1 RU 2680990C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- wave
- zone
- coplanar waveguide
- waveguide
- absorption zone
- Prior art date
Links
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 32
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 5
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 4
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 abstract description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 14
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- ZAKOWWREFLAJOT-CEFNRUSXSA-N D-alpha-tocopherylacetate Chemical group CC(=O)OC1=C(C)C(C)=C2O[C@@](CCC[C@H](C)CCC[C@H](C)CCCC(C)C)(C)CCC2=C1C ZAKOWWREFLAJOT-CEFNRUSXSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/035—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области интегральных оптоэлектронных компонентов, применяемых в области оптической связи, в частности к компланарным волноводам электрооптических модуляторов бегущей волны на базе интерферометра Маха-Цендера, и может быть использовано для амплитудной модуляции лазерного излучения, обработки и передачи оптической информации. Компланарный волновод электрооптического модулятора бегущей волны на базе интерферометра Маха-Цендера, предназначенного для работы в диапазоне частот от fдо fс допустимым уровнем SIR, выполненный в виде размещенных на подложке центрального и заземляющих электродов различного сечения, образующих последовательно расположенные зону ввода электрического сигнала в компланарный волновод, активную зону модуляции, образованную параллельными участками центрального и заземляющих электродов равной длины, и зону поглощения электромагнитной волны, включающую заземляющий резистор, сопротивление R которого в рабочем диапазоне частот равно волновому сопротивлению Z волновода, на участке между активной зоной и зоной поглощения электромагнитной волны снабжен дополнительной зоной поглощения длиной L'', в которой электроды выполнены того же сечения и ориентации, что и в активной зоне из материала с удельным сопротивлением ρ с соблюдением условияво всем диапазоне частот от fдо f. Технический результат - улучшение качества модуляции. 6 ил.
Description
Данное изобретение относится к области интегральных оптоэлектронных компонентов, применяемых в области оптической связи, в частности, к компланарным волноводам электрооптических модуляторов бегущей волны на базе интерферометра Маха-Цендера, и может быть использовано для амплитудной модуляции лазерного излучения, обработки и передачи оптической информации.
Известны электрооптические модуляторы света на базе интерферометра Маха-Цендера, изготовленные в интегрально-оптическом исполнении (см., например, заявка WO 03/089984, МПК G02F 1/313). В таких моделях свет распространяется в оптических волноводах, которые сформированы либо напылением на подложку волноводного слоя из материала с сильными электрооптическими свойствами, либо путем локальной диффузии поверхности монокристаллической подложки с целью образования волноводных каналов, при этом волноводный эффект возникает из-за увеличения показателя преломления в зоне канала. Амплитудная модуляция лазерного излучения в этих моделях обеспечивается компланарными волноводами, выполненными в виде размещенных на подложке центрального и заземляющих электродов, образующих зону модуляции.
К недостаткам упомянутого выше аналога следует отнести понижение качества модуляции, обусловленное отражением части модулирующего сигнала обратно в активную зону, как правило, возрастающее с повышением частоты.
Наиболее близким к заявленному техническому решению - прототипом - является компланарный волновод электрооптического модулятора бегущей волны на базе интерферометра Маха-Цендера, предназначенного для работы в диапазоне частот от fmin до fmax с допустимым соотношением помеха/сигнал (SIR), выполненный в виде размещенных на подложке центрального и заземляющих электродов различного сечения, образующих последовательно расположенные зону ввода электрического сигнала в компланарный волновод, активную зону модуляции, образованную параллельными участками центрального и заземляющих электродов равной длины, и зону поглощения электромагнитной волны, включающую заземляющий резистор, сопротивление R которого в рабочей полосе частот равно волновому сопротивлению Z волновода (заявка US 2004/0062466, МПК G02F 1/035).
К недостаткам прототипа следует отнести его ограниченные по рабочей частоте эксплуатационные возможности, обусловленные наличием отражения модулирующего сигнала из зоны поглощения обратно в активную зону. Эти отражения обусловлены наличием в зоне поглощения (у согласующего заземляющего резистора и токопроводящих дорожек, обеспечивающих присоединение заземляющего резистора к компланарному волноводу) паразитных индуктивности и емкости. Как правило, отражения возрастают с ростом частоты, однако из-за наличия как паразитной индуктивности, так и паразитной емкости, возможен резонансный рост отражений на отдельных частотах.
Задача, на решение которой направлено настоящее изобретение, - снижение соотношения помеха/сигнал SIR в рабочем диапазоне частот от fmin до fmax.
Технический результат - улучшение качества модуляции.
Поставленная задача решается, а заявленный технический результат достигается тем, что компланарный волновод электрооптического модулятора бегущей волны на базе интерферометра Маха-Цендера, предназначенного для работы в диапазоне частот от fmin до fmax с допустимым уровнем SIR, выполненный в виде размещенных на подложке центрального и заземляющих электродов различного сечения, образующих последовательно расположенные зону ввода электрического сигнала в компланарный волновод, активную зону модуляции, образованную параллельными участками центрального и заземляющих электродов равной длины, и зону поглощения электромагнитной волны, включающую заземляющий резистор, сопротивление R которого в рабочем диапазоне частот равно волновому сопротивлению Z волновода, на участке между активной зоной и зоной поглощения электромагнитной волны снабжен дополнительной зоной поглощения длиной L'', в которой электроды выполнены того же сечения и ориентации, что и в активной зоне из материала с удельным сопротивлением ρ'' с соблюдением во всем диапазоне частот от fmin до fmax условия:
SIR - максимально допустимое соотношение помеха/сигнал при модуляции [безразмерная величина];
- погонный коэффициент затухания в дополнительной зоне поглощения на частоте f (формула применима при условии, что скин-слой меньше половины ширины центрального электрода - частоты более нескольких ГГц) [Нп/м];
К'' - коэффициент, зависящий от конфигурации (сечения) дополнительной зоны поглощения (К''=К для компланарного волновода) [безразмерная величина];
Z - волновое сопротивление компланарного волновода [Ом];
h - высота электродов компланарного волновода (всех, поскольку технологически, если специальными условиями не предусмотрено иное, высота центрального и заземляющих электродов одинакова) [м];
ρ'' - удельное сопротивление материала электродов в дополнительной зоне поглощения [Ом*м];
f - текущая частота от fmin до fmax [Гц];
Г - модуль коэффициента отражения на частоте f, характеризующий отражения из зоны поглощения, возникающие из-за наличия паразитных индуктивностей и емкостей у резистора и конструктивных элементов, соединяющих согласующий резистор с компланарным волноводом [безразмерная величина];
ρ - удельное сопротивление материала электродов [Ом*м];
К≈1 - коэффициент, учитывающий краевые эффекты [безразмерная величина];
ξ=4πnf/c - коэффициент рассогласования для отраженного электрического сигнала [1/м];
с - скорость света [м/с];
L - длина активной зоны компланарного волновода [м];
n - коэффициент преломления для необыкновенной оптической волны в направлении распространения для кристалла электрооптического модулятора [безразмерная величина].
Изобретение поясняется изображениями, где
на Фиг. 1 представлен принципиальный образ электрооптического модулятора бегущей волны на базе интерферометра Маха-Цендера с заявленным компланарным волноводом;
на Фиг. 2 - сечение Е-Е на Фиг. 1;
на Фиг. 3 - график зависимости модуля коэффициента отражения Г от частоты типичного модулятора для которого рассчитаны зависимости соотношения помеха/сигнал (SIR) на Фиг. 4-6;
на Фиг. 4 - зависимость соотношения помеха/сигнал (SIR) от частоты для прототипа (длина дополнительной зоной поглощения L''=0);
на Фиг. 5 - зависимость соотношения помеха/сигнал (SIR) от частоты при длине дополнительной зоны поглощения меньше заявленной;
на Фиг. 6 - зависимость соотношения помеха/сигнал (SIR) от частоты при длине дополнительной зоны поглощения, соответствующей заявленной.
Позиции, проставленные на изображениях, означают следующее:
1 - оптический волновод;
2 - кристалл модулятора;
3 - подложка;
4 - центральный электрод;
5 - заземляющий электрод;
6 - заземляющий резистор;
7 - стык согласующего резистора с центральным электродом;
8 - источник модулирующего электрического сигнала.
Ниже раскрывается конструкция заявленного технического решения.
Электрооптический модулятор бегущей волны на базе интерферометра Маха-Цендера (Фиг. 1) включает организованный аналогично прототипу оптический волновод 1, размещенный в кристалле модулятора 2, оптические сигналы в котором преобразуются воздействием электрических сигналов в компланарном волноводе, который включает подложку 3 центральный 4 и заземляющие 5 электроды различного сечения, образующие последовательно расположенные зону А ввода модулирующего электрического сигнала в компланарный волновод от источника 8, активную зону В модуляции, образованную параллельными участками центрального 4 и заземляющих 5 электродов равной длины, и зону поглощения С электромагнитной волны, включающую заземляющий резистор 6, сопротивление R которого в рабочей полосе частот равно волновому сопротивлению Z волновода. На участке между активной зоной В и зоной поглощения С электромагнитной волны, компланарный волновод снабжен дополнительной зоной поглощения D, в которой электроды 4,5 выполнены того же сечения и ориентации, что и в активной зоне, но из более резистивного материала, чем в активной зоне. Суть изобретения сводится к следующему.
Как было отмечено выше, в компланарном волноводе при переходе сигнала (электромагнитной волны) из активной зоны В в зону поглощения С, которая сформирована резистором 6 и его стыком 7 с центральным электродом 4 (иногда, помимо резистора, эта зона может дополнительно содержать емкостные и/или индуктивные элементы), наблюдается отражение (шум) модулирующего сигнала обратно в активную зону В. Величина и характер этого отражения (шума) различны для разных частот, что будет рассмотрено ниже.
Оценить величину этого отражения, которое можно рассматривать как помеху, возможно следующим образом.
Напряженность электрического поля прямой волны на конце копланарного волновода модулятора:
Е0 - напряженность электрического поля прямой волны на входе копланарного волновода модулятора [В/м].
Напряженность электрического поля обратной волны на конце компланарного волновода модулятора:
- коэффициент отражения по напряжению волны в конце копланарного волновода модулятора (в общем виде комплексное число).
Отражения из зоны согласующего резистора (согласующего элемента), возникают из-за наличия паразитных индуктивностей и емкостей резистора и конструктивных элементов, соединяющих согласующий резистор с компланарным волноводом, т.е. нагрузка компланарного волновода модулятора носит активно-реактивный характер. Общее выражение для коэффициента отражения по напряжению волны в конце компланарного волновода:
= комплексное волновое сопротивление копланарного волновода, которое с достаточно высокой точностью может рассматриваться как чисто активное и равное Z [Ом],
В качестве примера на Фиг. 3. приведен график зависимости модуля коэффициента отражения Г от частоты модулятора для которого рассчитаны зависимости соотношения помеха/сигнал (SIR) на Фиг. 4-6.
Как будет показано ниже выражение для отношения помеха/сигнал в выходном оптическом сигнале модулятора Маха-Цендера (SIR) в линейном режиме, при рассмотрении электрооптического воздействия обратной волны как помехи (во избежание сомнений здесь и по тексту термины «помеха» и «шум» идентичны) при модуляции, выглядит следующим образом:
SIR - максимально допустимое соотношение помеха/сигнал при модуляции [безразмерная величина];
I*(f) - электрооптическое воздействие обратной волны [Вт/В];
I(f) - электрооптическое воздействие прямой волны [Вт/В];
Отсюда следует однозначная взаимосвязь допустимого уровня отношения помеха/сигнал (шума) от коэффициента отражения модулирующего сигнала обратно в активную зону В.
Согласно изобретению, существенно повысить частотный порог (fmax) и улучшить качество модуляции позволяет введение в конструкцию компланарного волновода дополнительной зоны поглощения D длиной L'', в которой электроды 4,5 выполнены того же сечения и ориентации, что и в активной зоне В, из материала с удельным сопротивлением ρ'' с соблюдением во всем диапазоне частот от fmin до fmax условия:
Заявленное условие может быть подтверждено ниже представленным расчетом.
Выходная интенсивность света для модулятора Маха-Цендера определяется выражением:
Δϕ - разность фаз между оптическими каналами модулятора Маха-Цендера.
n0 - коэффициент преломления в отсутствии поля;
r - электрооптический коэффициент в направлении светового потока;
Е - напряженность электрического поля в оптических каналах модулятора Маха-Цендера;
L - длина активной зоны модулятора Маха-Цендера;
λ - длина волны света.
Из приведенных соотношений видно, что
максимум крутизны для которого будет при cosΔϕ=0, при этом модуль производной cos'Δϕ=1, таким образом, выражение для выходной интенсивности света может быть упрощено и записано в виде:
Для учета затухания и рассогласования оптической и электрической волн в модуляторе Маха-Цендера, выражение (3) должно быть записано в виде интеграла (без учета собственного затухания световой волны)
α - погонное затухание в компланарном волноводе модулятора Маха-Цендера;
ξ - погонное рассогласование оптической и электрической волн на участке dx;
ξ х=2 πτ/Т, где
τ - разбег по времени между оптической и электрической волнами на участке dx на расстоянии х;
Т=1/f, где
f - частота электрической волны (сигнала);
N - коэффициент преломления для электрической волны (сигнала).
N=с/vc, где
vc - скорость электрической волны (сигнала);
с - скорость света.
Следовательно ξ=2πf(n0-N)/c и интеграл для прямой волны принимает вид:
поскольку Е0-напряженность электрического поля в начале компланарного волновода модулятора Маха-Цендера.
Такой интеграл (5) может быть выражен следующим образом:
Для прямой волны:
или
Для обратной волны:
Таким образом, общее выражение для зависимости выходной интенсивности света от частоты входного электрического сигнала для прямой волны модулятора Маха-Цендера определяется выражением:
Для обратной волны общее выражение зависимости выходной интенсивности света от частоты входного электрического сигнала определяется выражением:
В выражении (9) E0 * - напряженность электрического поля обратной волны, распространяющейся от конца компланарного волновода модулятора Маха-Цендера к началу, на конце волновода (т.е. точки входа обратной волны).
Упростим выражения (8) (9) для двух случаев:
а) для прямой волны при условии vоп=vc;
б) для обратной волны при условии vc=-vоп.
а) При условии vоп=vc ξ(f)=0, и выражение (8) приобретает вид:
или
Напряженность электрического поля прямой волны на конце компланарного волновода модулятора Екон=Е0 exp(-α(f)L), и связана с Е0* следующим образом:
Далее, рассматривая электрооптическое воздействие обратной волны как помеху при модуляции, можно получить выражение для отношения помеха/сигнал (SIR) в выходном оптическом сигнале модулятора Маха-Цендера:
Из выражения (14) можно сформулировать требования к модулю коэффициента отражения - Г, при допустимом SIR:
Согласно изобретению, когда в диапазоне рабочих частот от fmin до fmax соотношение (15) не выполняется, следует уменьшить отраженную волну, разместив на участке между активной зоной и зоной поглощения электромагнитной волны дополнительную зону поглощения длиной L'', в которой, для исключения отражений от стыка этой дополнительной зоны с активной зоной, электроды выполнены того же сечения и ориентации, что и в активной зоне, из материала с удельным сопротивлением ρ'' с соблюдением во всем диапазоне частот от fmin до fmax условия:
Тогда из (16) получим заявленное условие:
В соответствии с изложенным в качестве доказательства достижения заявленного технического результата средствами предложенного технического решения, рассмотрим пример расчетных зависимостей соотношения сигнал/помеха (SIR) от частоты для следующих значений длин дополнительной зоной поглощения L''. При этом требуемое соотношение помеха/сигнал SIR принято больше - 30 Дб.
L''=0 - соответствует прототипу, данные представлены на Фиг. 4;
т.е. длина дополнительной зоны поглощения принята средней между прототипом и заявленным решением, данные представлены на Фиг. 5;
длина дополнительной зоны поглощения принята в соответствии с заявленным решением, данные представлены на Фиг. 6.
Графические данные на Фиг. 4-6 наглядно свидетельствуют, что задача, на решение которой направлено настоящее изобретение - снижение соотношения помеха/сигнал SIR в рабочем диапазоне частот от fmin до fmax - решена, а заявленный технический результат - улучшение качества модуляции - достигнут.
Анализ заявленного технического решения на соответствие условиям патентоспособности показал, что указанные в формуле признаки являются существенными и взаимосвязаны между собой с образованием устойчивой совокупности неизвестной на дату приоритета из уровня техники необходимых признаков, достаточной для получения требуемого синергетического (сверх суммарного) технического результата.
Таким образом, вышеизложенные сведения свидетельствуют о выполнении при использовании заявленного технического решения следующей совокупности условий:
- объект, воплощающий заявленное техническое решение, при его осуществлении относится к области интегральных оптоэлектронных компонентов, применяемых в области оптической связи, в частности, к компланарным волноводам электрооптических модуляторов бегущей волны на базе интерферометра Маха-Цендера, и может быть использовано для амплитудной модуляции лазерного излучения, обработки и передачи оптической информации;
- для заявленного объекта в том виде, как он охарактеризован в формуле изобретения, подтверждена возможность его осуществления с помощью вышеописанных в заявке или известных из уровня техники на дату приоритета средств и методов;
- объект, воплощающий заявленное техническое решение, при его осуществлении способен обеспечить достижение усматриваемого заявителем технического результата.
Следовательно, заявленный объект соответствует критериям патентоспособности «новизна», «изобретательский уровень» и «промышленная применимость» по действующему законодательству.
Claims (16)
- Компланарный волновод электрооптического модулятора бегущей волны на базе интерферометра Маха-Цендера, предназначенного для работы в диапазоне частот от fmin до fmax с допустимым уровнем SIR, выполненный в виде размещенных на подложке центрального и заземляющих электродов различного сечения, образующих последовательно расположенные зону ввода электрического сигнала в компланарный волновод, активную зону модуляции, образованную параллельными участками центрального и заземляющих электродов равной длины, и зону поглощения электромагнитной волны, включающую заземляющий резистор, сопротивление R которого в рабочем диапазоне частот равно волновому сопротивлению Z волновода, отличающийся тем, что на участке между активной зоной и зоной поглощения электромагнитной волны снабжен дополнительной зоной поглощения длиной L'', в которой электроды выполнены того же сечения и ориентации, что и в активной зоне из материала с удельным сопротивлением ρ'' с соблюдением во всем диапазоне частот от fmin до fmax условия
- К'' - коэффициент, зависящий от конфигурации (сечения) дополнительной зоны поглощения (К''=К для компланарного волновода) [безразмерная величина];
- Z - волновое сопротивление компланарного волновода [Ом];
- h - высота электродов компланарного волновода (всех, поскольку технологически, если специальными условиями не предусмотрено иное, высота центрального и заземляющих электродов одинакова) [м];
- ρ'' - удельное сопротивление материала электродов в дополнительной зоне поглощения [Ом*м];
- f - текущая частота от fmin до fmax [Гц];
- Г - модуль коэффициента отражения на частоте f, характеризующий отражения из зоны поглощения, возникающие из-за наличия паразитных индуктивностей и емкостей у резистора и конструктивных элементов, соединяющих согласующий резистор с компланарным волноводом [безразмерная величина];
- ρ - удельное сопротивление материала электродов [Ом*м];
- К≈1 - коэффициент, учитывающий краевые эффекты [безразмерная величина];
- ξ=4πnf/c - коэффициент рассогласования для отраженного электрического сигнала [1/м];
- n - коэффициент преломления для необыкновенной оптической волны в направлении распространения для кристалла электрооптического модулятора [безразмерная величина];
- с - скорость света [м/с];
- L - длина активной зоны компланарного волновода [м].
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2018118794A RU2680990C1 (ru) | 2018-05-22 | 2018-05-22 | Компланарный волновод электрооптического модулятора бегущей волны на базе интерферометра Маха-Цендера |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2018118794A RU2680990C1 (ru) | 2018-05-22 | 2018-05-22 | Компланарный волновод электрооптического модулятора бегущей волны на базе интерферометра Маха-Цендера |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2680990C1 true RU2680990C1 (ru) | 2019-03-01 |
Family
ID=65632630
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2018118794A RU2680990C1 (ru) | 2018-05-22 | 2018-05-22 | Компланарный волновод электрооптического модулятора бегущей волны на базе интерферометра Маха-Цендера |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2680990C1 (ru) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3923380A (en) * | 1973-03-12 | 1975-12-02 | Hagiwara Denki Kk | Electrooptic modulator utilizing multiple interference |
US4936645A (en) * | 1989-08-24 | 1990-06-26 | Hoechst Celanese Corp. | Waveguide electrooptic light modulator with low optical loss |
US6008927A (en) * | 1997-03-27 | 1999-12-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical fiber modulator having an optical fiber having a poled portion serving as an electrooptic element and method for making same |
US20040062466A1 (en) * | 2000-11-16 | 2004-04-01 | Henri Porte | Wide band electro-optical modulators |
RU2405179C1 (ru) * | 2009-10-13 | 2010-11-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный технический университет" (СГТУ) | Электрооптический модулятор по схеме интерферометра маха-цендера |
-
2018
- 2018-05-22 RU RU2018118794A patent/RU2680990C1/ru active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3923380A (en) * | 1973-03-12 | 1975-12-02 | Hagiwara Denki Kk | Electrooptic modulator utilizing multiple interference |
US4936645A (en) * | 1989-08-24 | 1990-06-26 | Hoechst Celanese Corp. | Waveguide electrooptic light modulator with low optical loss |
US6008927A (en) * | 1997-03-27 | 1999-12-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical fiber modulator having an optical fiber having a poled portion serving as an electrooptic element and method for making same |
US20040062466A1 (en) * | 2000-11-16 | 2004-04-01 | Henri Porte | Wide band electro-optical modulators |
RU2405179C1 (ru) * | 2009-10-13 | 2010-11-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный технический университет" (СГТУ) | Электрооптический модулятор по схеме интерферометра маха-цендера |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5138480A (en) | Traveling wave optical modulator | |
CN107003549B (zh) | 光调制器 | |
US9671670B2 (en) | Inductance-tuned electro-optic modulators | |
JP5853880B2 (ja) | 光変調器 | |
US8655116B2 (en) | Optical modulator | |
US9008469B2 (en) | Mach-zehnder optical modulator having an asymmetrically-loaded traveling wave electrode | |
US7899277B2 (en) | Integrated on-chip inductors and capacitors for improved performance of an optical modulator | |
JP6983908B2 (ja) | 半導体光変調器 | |
KR20060059863A (ko) | 광변조기 및 광변조 방법 | |
US9335568B1 (en) | Electro-optic grating modulator | |
JP2005037547A (ja) | 光変調器 | |
US6304685B1 (en) | Low drive voltage LiNbO3 intensity modulator with reduced electrode loss | |
US6763151B1 (en) | Electro-optic modulators with internal impedance matching | |
US9599843B2 (en) | Optical modulator | |
US20050058385A1 (en) | Low-pass filter transmission line with integral electroabsorption modulator | |
US20050196092A1 (en) | Optical modulator and communications system | |
JP6926499B2 (ja) | 光変調器 | |
RU2680990C1 (ru) | Компланарный волновод электрооптического модулятора бегущей волны на базе интерферометра Маха-Цендера | |
WO2020170871A1 (ja) | 光変調器 | |
JP3669999B2 (ja) | 光変調素子 | |
JP2018036399A (ja) | 基板型光導波路及び基板型光変調器 | |
JPH09304746A (ja) | 導波路型光デバイス | |
US7058265B2 (en) | Customizing traveling wave optical modulators | |
JP6088349B2 (ja) | 進行波電極型光変調器 | |
US20210080795A1 (en) | Optical Modulator |