RU2675409C1 - Фотодетекторный свч модуль - Google Patents
Фотодетекторный свч модуль Download PDFInfo
- Publication number
- RU2675409C1 RU2675409C1 RU2018104234A RU2018104234A RU2675409C1 RU 2675409 C1 RU2675409 C1 RU 2675409C1 RU 2018104234 A RU2018104234 A RU 2018104234A RU 2018104234 A RU2018104234 A RU 2018104234A RU 2675409 C1 RU2675409 C1 RU 2675409C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- microwave
- load
- optical
- assembly
- photocells
- Prior art date
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 42
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 7
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000835 fiber Substances 0.000 abstract description 7
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract description 5
- 238000003491 array Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
Abstract
Изобретение относится к области радиотехники, а именно к радиофотонике, и может быть использовано при конструировании систем возбуждения антенн и активных фазированных антенных решеток (АФАР) для связи, радиолокации, радионавигации и радиоэлектронной борьбы. Фотодетекторный СВЧ модуль включает симметричный оптоволоконный разветвитель оптических СВЧ импульсов, подводимых через входное оптоволокно, СВЧ фотодиоды, оптически стыкованные с выходными оптоволокнами разветвителя, к каждому фотодиоду приложено обратное смещение, величина напряжения которого задана последовательно соединенной с фотодиодом через нагрузочное сопротивление сборкой вентильных фотоэлементов, работающих без обратного напряжения смещения и облучаемых через оптоволокна непрерывным оптическим излучением, количество вентильных фотоэлементов в одной сборке установлено не более отношения максимально допустимого обратного напряжения смещения каждого СВЧ фотодиода к рабочему напряжению, генерируемому каждым вентильным фотоэлементом, параллельно сборке вентильных фотоэлементов подсоединен конденсатор, емкость которого установлена не менее удвоенного отношения длительности импульсов к величине нагрузочного сопротивления, нагрузочные сопротивления соединены между собой последовательно, а общие выводы последовательной сборки нагрузочных сопротивлений подсоединены через СВЧ тракт к СВЧ нагрузке, причем величина каждого нагрузочного сопротивления установлена равной отношению волнового сопротивления СВЧ нагрузки к количеству СВЧ фотодиодов, установленному равным заданной выходной импульсной мощности модуля, умноженной на коэффициент заполнения импульсного оптического сигнала и деленной на суммарную мощность вентильных фотоэлементов в одной сборке. Изобретение обеспечивает повышение мощности фотодетекторного СВЧ модуля, преобразующего импульсы оптического излучения в мощные электрические импульсы, и оптимальное согласование с СВЧ нагрузкой. 1 з.п. ф-лы, 2 ил., 2 пр.
Description
Изобретение относится к области радиотехники, а именно к радиофотонике, и может быть использовано при конструировании систем возбуждения антенн и активных фазированных антенных решеток (АФАР) для связи, радиолокации, радионавигации и радиоэлектронной борьбы.
Недостатком существующих приемо-передающих модулей АФАР является их низкий КПД и связанные с этим проблемы энергопотребления и охлаждения, большие габариты и избыточная масса. Волоконно-оптические фотонные линии передачи мощных информационно-энергетических СВЧ сигналов имеют большие перспективы использования для совершенствования бортовых и стационарных радиолокационных систем на основе АФАР.
Одним из важнейших требований к АФАР является необходимость разнесения в пространстве антенного полотна АФАР (СВЧ излучатели) и аппаратурной основной части приемно-передающего модуля АФАР. Реализация этого требования с использованием обычных (радиоэлектронных) приемо-передающих модулей АФАР чрезвычайно трудна. Использование фотонных трактов на основе мощных информационно-энергетических фотодетекторных модулей для преобразования импульсного лазерного излучения позволит кардинально снизить нагрузку на антенное полотно, уменьшить его массу и габариты. При этом фотодетекторные СВЧ модули должны обеспечить высокоэффективное преобразование мощных импульсов лазерного излучения в гигагерцевом диапазоне частот.
Работа предлагаемого устройства основана на фотоэлектрическом преобразовании наносекундных и субнаносекундных оптических (лазерных) импульсов, передаваемых по оптоволокну, в мощные электрические импульсы с помощью быстродействующего мощного фотодетекторного СВЧ модуля.
Известен фотодетекторный СВЧ модуль, предназначенный для калибровки и контроля фазы каждого излучающего элемента в активной фазированной антенной решетке (см.
https://www.researchgate.net/publication/235084654_RF_Photonic_In-Situ_Real-Time_Phased_Array_Antenna_Calibration_System, W.M. Dorsey, M.G. Parent, S.A. Long, Ch.S. McDermitt, F. Bucholtz). В данном модуле используется фотонное устройство возбуждения, в состав которого входит маломощный фотодетектор, преобразующий промодулированный оптический сигнал в высокочастотный калиброванный (эталонный) электрический сигнал, способный возбудить небольшую дипольную антенну, находящуюся перед каждым излучающим элементом фазированной антенной решетки и работающую в ближней зоне.
Недостатками известного устройства служит малая (1 мВт) выходная мощность модуля, которой возбуждается небольшая дипольная антенна, передающая высокочастотный калиброванный сигнал на излучающий элемент антенной решетки, а сама дипольная антенна находится в ближней зоне каждого из элементов фазированной антенной решетки, то есть предлагаемое устройство не рассчитано для работы в дальней зоне для излучения высокочастотного сигнала в открытое пространство на большие расстояния и служит как источник высокочастотного гармонического калиброванного колебания с малой мощностью и узкой полосой пропускания.
Известен фотодетекторный СВЧ модуль (см. http://masters.donntu.org/2012/frt/samoylenko/diss/index.htm, Самойленко Д.А. «Исследование характеристик интегрированных микрополосковых активных антенн в защищенных системах связи»). В данном устройстве реализована концепция фотонной антенны, отличающейся от традиционной микроволновой антенны тем, что коаксиальный кабель заменен оптическим волокном, устройством возбуждения антенны является фотодетектор, а источником оптического сигнала - лазер. В фотодетекторе происходит преобразование амплитудно-модулированного оптического сигнала в электрический, который и возбуждает микроволновую антенну. Недостатком известного устройства, как утверждает автор, является большие потери при преобразовании, которые могут превышать 10 дБ и низкая выходная мощность СВЧ сигнала, ограниченная максимальным фототоком фотодетектора, который не превышает нескольких десятков миллиампер.
Известно устройство (см. патент US20040145026 «Photonic transmitter», Chi-Kuang Sun и др., дата публикаций 29 июля 2004 г., https://www.google.ch/patents/US20040145026), в котором «печатная» щелевая антенна соединена через секцию сопротивлений согласования, через копланарный волновод и интегрирована с фотодетектором. Недостатками известного устройства является низкая мощность, составляющая единицы милливатт.
Наиболее близким техническим решением-прототипом является фото детекторный СВЧ модуль (см. патент US2006140644, «High performance, high efficiency fiber optic link for analog and RF systems», A. Paolella, дата публикации 29 июня 2006 г., http://www.google.ch/patents/US20060140644), состоящий из фотодетектора, оптоволокна и антенны, в котором описан вариант преобразования промодулированного оптического сигнала в высокочастотный электрический сигнал с помощью одного фотодетектора и передача сигнала в антенну за счет прямого преобразования: модулированный оптический сигнал - оптоволокно - детектирование -антенна.
Недостатком известного устройства является небольшая мощность (1 мВт) устройства возбуждения, которая ограничивается мощностью одного фотодетектора, невозможностью оптимального согласования фотодетектора с антенной, что ведет к потере мощности генерируемого антенной сигнала и искажению самого сигнала.
Задача настоящего изобретения - повышение мощности фотодетекторного СВЧ модуля, преобразующего импульсы оптического излучения в мощные электрические импульсы, и оптимальное согласование с СВЧ нагрузкой.
Поставленная задача достигается тем, что фотодетекторный СВЧ модуль включает симметричный оптоволоконный разветвитель оптических СВЧ импульсов, подводимых через входное оптоволокно, и СВЧ фотодиоды, оптически стыкованные с выходными оптоволокнами разветвителя. К каждому фотодиоду приложено обратное смещение, величина напряжения которого задана подключенной к фотодиоду через нагрузочное сопротивление сборкой последовательно соединенных вентильных фотоэлементов, работающих без обратного напряжения смещения и облучаемых через оптоволокна непрерывным лазерным излучением.
Количество вентильных фотоэлементов в одной сборке установлено не более величины отношения максимально допустимого обратного напряжения смещения каждого СВЧ фотодиода к рабочему напряжению, генерируемому каждым вентильным фотоэлементом. Параллельно сборке вентильных фотоэлементов подсоединен конденсатор, емкость которого установлена не менее удвоенного отношения длительности оптических импульсов к величине нагрузочного сопротивления. Величина фототока вентильного фотоэлемента установлена равной фототоку СВЧ фотодиодов, умноженному на коэффициент заполнения СВЧ импульсов. Нагрузочные сопротивления соединены между собой последовательно, а общие выводы последовательной сборки нагрузочных сопротивлений подсоединены через СВЧ тракт к СВЧ нагрузке, например, передающей антенне, причем величина каждого нагрузочного сопротивления установлена равной отношению волнового сопротивления СВЧ нагрузки к количеству СВЧ фотодиодов. Количество СВЧ фотодиодов в модуле установлено равным заданной выходной импульсной мощности модуля, умноженной на коэффициент заполнения оптических импульсов и деленной на мощность вентильных фотоэлементов в одной сборке.
В заявленном фотодетекторном СВЧ модуле СВЧ фотодиоды и вентильные фотоэлементы могут быть выполнены на основе арсенида галлия с величиной допустимого обратного смещения 10В. Длительность оптических импульсов равна 1 не, скважность импульсов равна 8, фототок СВЧ фотодиодов равен 1А. Величина каждого нагрузочного сопротивления равна 8 Ом, волновое сопротивление СВЧ нагрузки равно 64 Ом. Рабочее напряжение вентильного фотоэлемента равно 1В, количество вентильных фотоэлементов в одной сборке равно 8, общее количество вентильных фотоэлементов равно 64, а фототок одного вентильного фотоэлемента равен 125 мА. Заданная импульсная выходная мощность устройства равна 64 Вт, а общая мощность всех вентильных фотоэлементов равна 8 Вт.При коэффициенте заполнения наносекундных оптических импульсов, равном 0,125, количество СВЧ фотодиодов равно 8.
Новизна настоящего фотодетекторного СВЧ модуля и эффективность предлагаемых технических решений состоят в следующем.
Включение в состав модуля симметричного оптоволоконного разветвителя позволяет равномерно распределить мощность импульсного наносекундного и субнаносекундного оптического излучения на несколько последовательно включенных через нагрузочные сопротивления СВЧ фотодиодов. Это позволяет увеличить мощность модуля пропорционально количеству СВЧ фотодиодов и увеличить выходное сопротивление модуля пропорционально величине и количеству нагрузочных сопротивлений, что, в свою очередь, позволяет согласовать выходное сопротивление модуля и волновое сопротивление антенной нагрузки.
Для дополнительного увеличения выходной мощности СВЧ фотодиодов к каждому из них приложено обратное смещение, величина напряжения которого задана сборкой последовательно соединенных вентильных фотоэлементов, работающих без обратного смещения.
Количество вентильных фотоэлементов в одной сборке, питающей один СВЧ фотодиод, должно быть равно отношению максимально допустимого обратного напряжения каждого фотодиода к рабочему напряжению, генерируемому каждым вентильным фотоэлементом и равно величине отношения суммарного количества всех вентильных элементов в модуле к суммарному количеству всех фотодиодов в модуле. Выполнение этого условия необходимо для предотвращения электрического пробоя СВЧ фотодиодов.
Сборка вентильных фотоэлементов подключена к каждому фотодиоду последовательно через нагрузочное сопротивление. Каждый фотоэлемент сборки облучается непрерывным оптическим излучением, генерируя электрическую мощность и заряжая параллельно подключенный к сборке конденсатор. В промежутке времени между приходом оптических импульсов электрическая энергия аккумулируется на конденсаторе и затем разряжается в течение импульса. Емкость конденсатора должна быть не менее удвоенного отношения длительности оптических СВЧ импульсов к величине нагрузочного сопротивления. При выполнении этого условия вся энергия, генерируемая сборкой фотоэлементов, будет перекачена в энергию импульсов фотодиода. При этом импульсная мощность фотодиода будет равна мощности вентильных фотоэлементов в сборке, умноженной на скважность оптических импульсов.
Для исключения «токовых» потерь величина фототока вентильного фотоэлемента установлена равной фототоку, генерируемому в СВЧ фотодиоде импульсным оптическим излучением, умноженному на коэффициент заполнения оптических импульсов.
Нагрузочные сопротивления в модуле соединены между собой последовательно, а крайние выводы последовательной сборки нагрузочных сопротивлений подсоединены через СВЧ тракт к СВЧ нагрузке. Величина каждого нагрузочного сопротивления установлена отношению волнового сопротивления СВЧ нагрузки к количеству СВЧ фотодиодов, то есть к количеству нагрузочных сопротивлений. Это позволяет осуществить согласование выходного сопротивления фотодетекторного СВЧ модуля с волновым сопротивлением антенны.
Импульсная мощность модуля равна суммарной импульсной мощности всех фотодиодов и равна суммарной постоянной мощности всех вентильных фотоэлементов, умноженной на скважность импульсного оптического сигнала. Из этого следует, что количество фотодиодов в модуле должно быть равным заданной импульсной мощности модуля, умноженной на коэффициент заполнения импульсного оптического сигнала и деленной на суммарную выходную мощность вентильных фотоэлементов в одной сборке, питающей один СВЧ фотодиод.
Настоящее техническое решение поясняется чертежами, где:
на фиг. 1 приведено схематическое изображение фотодетекторного СВЧ модуля с тремя СВЧ фотодиодами 6, 7, 8 и девятью вентильными фотоэлементами 12, 13, 14;
на фиг. 2 приведена блок-схема фотодетекторного СВЧ модуля на основе 4-х фотодетекторных блоков 23, 24, 25, 26. ФД - СВЧ фотодиоды, ФЭ - вентильные фотоэлементы, ОВР - оптоволоконный разветвитель.
Фотодетекторный СВЧ модуль, включает симметричный оптоволоконный разветвитель 1 оптических импульсов, подводимых через входное оптоволокно 2, выходные оптоволокна 3, 4, 5 разветвителя оптически стыкованы с СВЧ фотодиодами 6, 7, 8, работающими при обратном смещении (см. фиг. 1 и фиг. 2).
Величина напряжения каждого фотодиода задана подключенной к фотодиоду через нагрузочное сопротивление 9, 10, 11 сборкой последовательно соединенных вентильных фотоэлементов 12, 13, 14, работающих без обратного напряжения смещения и облучаемых через оптоволокна 15, 16, 17 непрерывным оптическим излучением (см. фиг. 1 и фиг. 2).
Количество вентильных фотоэлементов в каждой сборке установлено равным отношению максимально допустимого обратного напряжения смещения каждого СВЧ фотодиода к рабочему напряжению, генерируемому каждым вентильным фотоэлементом. Параллельно сборке вентильных фотоэлементов подсоединен конденсатор 18, емкость которого установлена не менее значения удвоенного отношения длительности импульсов к величине нагрузочного сопротивления.
Величина фототока, генерируемого в вентильных фотоэлементах 12, 13, 14 непрерывным оптическим излучением, установлена равной фототоку фотодиодов 6, 7, 8, умноженному на коэффициент заполнения оптических импульсов.
Нагрузочные сопротивления соединены между собой последовательно, а общие выводы 19, 20 последовательной сборки нагрузочных сопротивлений подсоединены через СВЧ тракт 21 к СВЧ нагрузке, например, антенне 22 (см. фиг. 1 и фиг. 2).
Величина каждого нагрузочного сопротивления 9, 10, 11 установлена равной отношению волнового сопротивления СВЧ нагрузки к количеству СВЧ фотодиодов 6, 7, 8, установленному равным заданной выходной импульсной мощности модуля, умноженной на коэффициент заполнения импульсного оптического сигнала и деленной на суммарную выходную мощность вентильных фотоэлементов 12, 13, 14 в одной сборке (см. фиг. 1 и фиг. 2).
Пример 1.
Фотодетекторный СВЧ модуль изготовлен на основе симметричного оптоволоконного разветвителя (1x8) с одним входным и 8-ю выходными оптоволокнами, оптически стыкованными с 8-ю СВЧ фотодиодами. СВЧ фотодиоды и вентильные элементы изготовлены на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs с фотоактивной областью, выполненной на основе арсенида галлия. Длительность оптических импульсов tимп=1 нс, частота следования импульсов 125 МГц, скважность импульсного оптического сигнала S=8. Величина фототока СВЧ фотодиода равна Iфд=1 А. Величина обратного допустимого напряжения фотодиодов составляет Uфд=10 В. Количество вентильных фотоэлементов (
), последовательно соединенных в одной сборке, составляет =8. При величине рабочего напряжения одного вентильного фотоэлемента равной Uфэ=1 В обратное напряжение смещения, приложенного к каждому СВЧ фотодиоду составляет Uфд=8 В, а величина нагрузочного сопротивления Rн=8 Ом. Величина емкости, подсоединенной параллельно каждой сборке вентильных фотоэлементов, составляет С=250 пф. Эта емкость равна удвоенному отношению длительности оптических импульсов tимп=10-9 с к нагрузочному сопротивлению 8 Ом. Величина нагрузочного сопротивления Rн=8 Ом обеспечивает согласование сопротивления сборки из 8-ми последовательно соединенных СВЧ фотодиодов с СВЧ нагрузкой, характеризующейся величиной волнового сопротивления Ra=64 Ом. При величине выходной мощности каждого вентильного фотоэлемента равной 125 мВт и фототоке Iфэ=125 мА, суммарном количестве вентильных фотоэлементов 64 и коэффициенте заполнения импульсного оптического сигнала равном D=0,125 выходная импульсная мощность модуля составляет 64 Вт.
Пример 2.
Фотодетекторный СВЧ модуль изготовлен на основе симметричного оптоволоконного разветвителя 1×16. СВЧ фотодиоды и вентильные элементы изготовлены на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs. Длительность оптических импульсов tимп=1 нс, скважность импульсов S=5. Величина импульсного фототока СВЧ фотодиода равна Iфд=250 мА. Количество вентильных фотоэлементов в одной сборке =8. Величина рабочего напряжения Uфэ=1 В, величина обратного напряжения смещения СВЧ фотодиода Uфд=8 В, а величина нагрузочного сопротивления Rн=16 Ом. Количество СВЧ фотодиодов в устройстве Nфд=16. Величина емкости С=200 пф. Величина нагрузочного сопротивления обеспечивает согласование модуля с СВЧ нагрузкой, имеющей волновое сопротивление Ra=256 Ом. При мощности каждого вентильного фотоэлемента 
=50 мВт и фототоке Iфэ=50 мА, общем количестве фотоэлементов Nфэ=128 и коэффициенте заполнения импульсов D=0,2 выходная импульсная мощность модуля составляет Рм=32 Вт.
Пример 3.
Фотодетекторный СВЧ модуль изготовлен на основе оптоволоконного разветвите ля 1×8. СВЧ фотодиоды и вентильные элементы изготовлены на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs. tимп=1 нс, S=10, Iфд=1 А, С=200 пф, 
=6, Uфэ=1 В, Rн=6 Ом, Rа=48 Ом. =100 мВт, Iфэ=100 мА, Nфд=8, Nфэ=48, D=0,1. Импульсная мощность модуля составляет 48 Вт.
Claims (2)
1. Фотодетекторный СВЧ модуль, включающий симметричный оптоволоконный разветвитель оптических СВЧ импульсов, подводимых через входное оптоволокно, и СВЧ фотодиоды, оптически стыкованные с выходными оптоволокнами оптического разветвителя, к каждому фотодиоду приложено обратное смещение, величина напряжения которого задана последовательно соединенной с фотодиодом через нагрузочное сопротивление сборкой вентильных фотоэлементов, работающих без обратного напряжения смещения и облучаемых через оптоволокна непрерывным оптическим излучением, количество вентильных фотоэлементов в одной сборке установлено не более величины отношения максимально допустимого обратного напряжения смещения каждого СВЧ фотодиода к рабочему напряжению, генерируемому каждым вентильным фотоэлементом, параллельно сборке вентильных фотоэлементов подсоединен конденсатор, емкость которого установлена не менее удвоенного отношения длительности импульсов к величине нагрузочного сопротивления, величина фототока вентильного фотоэлемента установлена равной величине импульсного фототока, генерируемого в СВЧ фотодиоде импульсным оптическим излучением, умноженной на коэффициент заполнения оптических импульсов, нагрузочные сопротивления соединены между собой последовательно, а общие выводы последовательной сборки нагрузочных сопротивлений подсоединены через СВЧ тракт к СВЧ нагрузке, причем величина каждого нагрузочного сопротивления установлена равной отношению волнового сопротивления СВЧ нагрузки к количеству СВЧ фотодиодов, установленному равным заданной выходной импульсной мощности модуля, умноженной на коэффициент заполнения импульсного оптического сигнала и деленной на суммарную мощность вентильных фотоэлементов в одной сборке.
2. Фотодетекторный СВЧ модуль по п. 1, отличающийся тем, что модуль изготовлен на основе симметричного оптоволоконного разветвителя 1×8 с одним входным и восемью выходными оптоволокнами, длительность оптических СВЧ импульсов составляет 1 нс, СВЧ фотодиоды и вентильные фотоэлементы выполнены на основе арсенида галлия с величиной допустимого обратного смещения 10 В, импульсный фототок СВЧ фотодиода равен 1 А, величина каждого нагрузочного сопротивления равна 8 Ом, величина емкости равна 250 пф, волновое сопротивление СВЧ нагрузки равно 64 Ом, рабочее напряжение вентильного фотоэлемента равно 1 В, количество вентильных фотоэлементов в одной сборке равно 8, общее количество вентильных фотоэлементов равно 64, импульсная выходная электрическая мощность модуля равна 64 Вт, выходная мощность одного вентильного элемента равна 125 мВт при фототоке, равном 125 мА, общая мощность всех вентильных фотоэлементов равна 8 Вт, коэффициент заполнения импульсного оптического сигнала равен 0,125, количество фотодиодов равно 8.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018104234A RU2675409C1 (ru) | 2018-02-05 | 2018-02-05 | Фотодетекторный свч модуль |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018104234A RU2675409C1 (ru) | 2018-02-05 | 2018-02-05 | Фотодетекторный свч модуль |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2675409C1 true RU2675409C1 (ru) | 2018-12-19 |
Family
ID=64753202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018104234A RU2675409C1 (ru) | 2018-02-05 | 2018-02-05 | Фотодетекторный свч модуль |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2675409C1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2817550C1 (ru) * | 2023-11-29 | 2024-04-16 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | Фотоэлектрический оптоволоконный свч модуль |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1775843A1 (ru) * | 1990-06-11 | 1992-11-15 | Mi Ni Priborostroitelnyj Inst | c b ч-дetektop |
| RU93028873A (ru) * | 1993-05-28 | 1995-12-20 | В.Н. Граевский | Свч-детекторное устройство для индикатора электромагнитного излучения |
| RU2065171C1 (ru) * | 1993-05-28 | 1996-08-10 | Вадим Николаевич Граевский | Детекторное устройство для индикатора сверхвысокочастотного излучения |
| US20040145026A1 (en) * | 2003-01-29 | 2004-07-29 | Chi-Kuang Sun | Photonic transmitter |
| JP2004219646A (ja) * | 2003-01-14 | 2004-08-05 | Mitsubishi Electric Corp | 光送受信モジュール |
| US20060140644A1 (en) * | 2004-12-23 | 2006-06-29 | Paolella Arthur C | High performance, high efficiency fiber optic link for analog and RF systems |
-
2018
- 2018-02-05 RU RU2018104234A patent/RU2675409C1/ru active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1775843A1 (ru) * | 1990-06-11 | 1992-11-15 | Mi Ni Priborostroitelnyj Inst | c b ч-дetektop |
| RU93028873A (ru) * | 1993-05-28 | 1995-12-20 | В.Н. Граевский | Свч-детекторное устройство для индикатора электромагнитного излучения |
| RU2065171C1 (ru) * | 1993-05-28 | 1996-08-10 | Вадим Николаевич Граевский | Детекторное устройство для индикатора сверхвысокочастотного излучения |
| JP2004219646A (ja) * | 2003-01-14 | 2004-08-05 | Mitsubishi Electric Corp | 光送受信モジュール |
| US20040145026A1 (en) * | 2003-01-29 | 2004-07-29 | Chi-Kuang Sun | Photonic transmitter |
| US20060140644A1 (en) * | 2004-12-23 | 2006-06-29 | Paolella Arthur C | High performance, high efficiency fiber optic link for analog and RF systems |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2817550C1 (ru) * | 2023-11-29 | 2024-04-16 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | Фотоэлектрический оптоволоконный свч модуль |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101385108B1 (ko) | 포토믹서 모듈 및 그것의 테라헤르츠파 발생 방법 | |
| Ito et al. | Photonic millimetre-and sub-millimetre-wave generation using J-band rectangular-waveguide-output uni-travelling-carrier photodiode module | |
| Goldsmith et al. | Principles and performance of traveling-wave photodetector arrays | |
| CN110456324B (zh) | 集成相控阵激光雷达系统 | |
| US20060140644A1 (en) | High performance, high efficiency fiber optic link for analog and RF systems | |
| Visscher et al. | Broadband true time delay microwave photonic beamformer for phased array antennas | |
| CN103888192A (zh) | 一种波分复用宽带线性调频信号的光电产生装置及其方法 | |
| Nagatsuma et al. | A 120-GHz integrated photonic transmitter | |
| RU2675409C1 (ru) | Фотодетекторный свч модуль | |
| CN113890618B (zh) | 基于光子时间压缩与拉伸的收发一体化装置及方法 | |
| RU2722085C1 (ru) | Радиофотонный оптоволоконный модуль | |
| RU2674074C1 (ru) | Радиофотонный передающий тракт для передачи мощных широкополосных сигналов и эффективного возбуждения антенн | |
| Takahata et al. | Monolithically integrated millimeter-wave photonic emitter for 60-GHz fiber-radio applications | |
| RU2670719C1 (ru) | Оптоволоконный фотоэлектрический свч модуль | |
| CN110830120A (zh) | 一种宽带噪声源的产生装置及其信号产生方法 | |
| RU2789005C1 (ru) | Радиофотонный оптоволоконный модуль | |
| Chizh et al. | Impulse transmitting photonic antenna for ultra-wideband applications | |
| Ross et al. | Photodiode-integrated UWB phased array antennas | |
| Shi et al. | Theory and design of a tapered line distributed photodetector | |
| Chtioui et al. | Analog microwave photonic link based on a high power directly modulated laser, a high power photodiode and passive impedance matching | |
| Kolpatzeck et al. | Power budget analysis and optimization of photonic beamforming concepts for terahertz transmitters | |
| CN114124235B (zh) | 模拟光子链路 | |
| Sun et al. | High-power integrated photodiode-antenna emitter for 100 GHz applications | |
| Kuo et al. | Photonic Impulse-Radio Wireless Link at $ W $-Band Using a Near-Ballistic Uni-Traveling-Carrier Photodiode-Based Photonic Transmitter-Mixer | |
| RU2716269C1 (ru) | Радиофотонный передающий тракт для передачи мощных широкополосных сигналов и эффективного возбуждения антенн |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| QB4A | Licence on use of patent |
Free format text: LICENCE FORMERLY AGREED ON 20210520 Effective date: 20210520 |