RU2668944C1 - Method of manufacturing solar-to-electrical energy converter based on perovskites - Google Patents

Method of manufacturing solar-to-electrical energy converter based on perovskites Download PDF

Info

Publication number
RU2668944C1
RU2668944C1 RU2017143071A RU2017143071A RU2668944C1 RU 2668944 C1 RU2668944 C1 RU 2668944C1 RU 2017143071 A RU2017143071 A RU 2017143071A RU 2017143071 A RU2017143071 A RU 2017143071A RU 2668944 C1 RU2668944 C1 RU 2668944C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
temperature
precursor
inorganic material
taken
Prior art date
Application number
RU2017143071A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Евгений Николаевич Козырев
Владимир Харитонович Сабанов
Валентина Ивановна Филоненко
Татьяна Николаевна Беляева
Роман Олегович Аскеров
Георгий Олегович Гордеев
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Северо-Кавказский горно-металлургический институт (государственный технологический университет) (СКГМИ (ГТУ)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Северо-Кавказский горно-металлургический институт (государственный технологический университет) (СКГМИ (ГТУ) filed Critical Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Северо-Кавказский горно-металлургический институт (государственный технологический университет) (СКГМИ (ГТУ)
Priority to RU2017143071A priority Critical patent/RU2668944C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2668944C1 publication Critical patent/RU2668944C1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

FIELD: power engineering.
SUBSTANCE: invention relates to the field of technologies for producing solar-to-electrical converters. Method comprises forming a layer of a transparent conductive electrode, a perovskite layer and an inorganic material layer. As a layer of inorganic material, conductive nanostructured porous alumina is used, the pores of which are filled with a precursor of a p-type semiconductor by centrifugation at a rotation speed of 3,000–3,500 rpm until fully filled. Precursor is 30 % toluene solution of nickel stearate heated to a temperature of 40–50 °C and taken in an amount of 0.05–0.1 ml or a 10 % solution of nickel acetate in monoethanolamine, taken in the same amount, which is dried for 15–20 minutes at a temperature of 100–110 °C and for the same time annealed at a temperature of 450±10 °C.
EFFECT: invention provides a simplified technological process and a lowered energy costs.
1 cl, 1 dwg, 2 ex

Description

Изобретение относится к области технологий получения преобразователей солнечной энергии в электрическую.The invention relates to the field of technologies for producing converters of solar energy into electrical energy.

Известны способы преобразования солнечной энергии в электрическую на основе перовскитов, которые наносят на гибкие тонкие структуры типа пластиков и тканей, при этом в качестве слоя для переноса дырок используют материал spiro - OMeTAD, а также органические полимеры РЗНТ и ДЕН (см. В.А. Миличко, А.С. Шалин др. Солнечная фотовольтанка: современное состояние и тенденции развития. М., УФН, т. 186, №8, 2016 г., с. 801-852.)Known methods for converting solar energy into electrical energy based on perovskites, which are applied to flexible thin structures such as plastics and fabrics, using spiro - OMeTAD material, as well as organic polymers RZNT and DEN (see V.A. Milichko, AS Shalin et al. Solar photovoltaic system: current status and development trends. M., UFN, vol. 186, No. 8, 2016, pp. 801-852.)

Недостатком данного способа очень высокая стоимость изготовления подобных HTM (hole transport material - слой для переноса дырок).The disadvantage of this method is the very high cost of manufacturing such HTMs (hole transport material - hole transport layer).

Известен способ получения преобразования солнечной энергии на перовскитах, где органические НТМ заменяют на неорганические. В качестве последних можно использовать полупроводники р-типа (иодид меди, оксид никеля и др.) (см. Zonglong Zhu, Yang Bai, Teng Zhang. High - performance hole - extraction of sol - gel processed NiO nanocrystals for inverted planar perovskite solar cells, - Angewandte Chemie, 2014 г).There is a method of producing solar energy conversion on perovskites, where organic NTMs are replaced by inorganic ones. As the latter, p-type semiconductors (copper iodide, nickel oxide, etc.) can be used (see Zonglong Zhu, Yang Bai, Teng Zhang. High - performance hole - extraction of sol - gel processed NiO nanocrystals for inverted planar perovskite solar cells , - Angewandte Chemie, 2014).

Недостатком данного способа является высокий уровень отжига (300°С) на конечном этапе процесса изготовления, т.к. перовскит не выдерживает температуры выше 150°С.The disadvantage of this method is the high level of annealing (300 ° C) at the final stage of the manufacturing process, because perovskite does not withstand temperatures above 150 ° C.

Наиболее близким к заявляемому техническому решению является способ изготовления перовскитного солнечного элемента, включающий формирование слоя прозрачного проводящего электрода, слоя перовскита и слоя неорганического материала (см. W0 №2017073472 МПК H01L 51/44, опубл. 04.05.2017 г.).Closest to the claimed technical solution is a method of manufacturing a perovskite solar cell, comprising the formation of a layer of a transparent conductive electrode, a layer of perovskite and a layer of inorganic material (see W0 No. 2017073472 IPC H01L 51/44, published 04.05.2017).

Недостатком прототипа является сложность технологического процесса и большие материальные и энергетические затраты.The disadvantage of the prototype is the complexity of the process and the large material and energy costs.

Технический результат предлагаемого технического решения заключается в упрощении технологического процесса, снижении энергетических затрат, т.к. не требует специального оборудования, позволяет вводить в поры наноструктурированного пористого анодного оксида алюминия различные полупроводники р-типа, изменяя функциональные свойства преобразователей солнечной энергии в электрическую.The technical result of the proposed technical solution is to simplify the process, reduce energy costs, because it does not require special equipment; it allows the introduction of various p-type semiconductors into the pores of a nanostructured porous anodic aluminum oxide, changing the functional properties of solar to electric converters.

Технический результат достигается тем, что в способе изготовления преобразователя солнечной энергии в электрическую на основе перовскитов, включающем формирование слоя прозрачного проводящего электрода, слоя перовскита и слоя неорганического материала, согласно изобретению, в качестве слоя неорганического материала используют проводящий наноструктурированный пористый оксид алюминия, поры которого заполняют прекурсором полупроводника р-типа центрифугированием при скорости вращения 3000-3500 об/мин до полного заполнения, причем в качестве прекурсора используют нагретый до температуры 40-50°С 30%-ный толуольный раствор стеарата никеля, взятый в количестве 0,05-0,1 мл или 10%-ный раствор ацетата никеля в моноэтаноламине, взятый в том же количестве, который сушат в течение 15-20 минут при температуре 100-110°С и отжигают в течение такого же времени при температуре 450±10°С.The technical result is achieved by the fact that in the method of manufacturing a solar energy to electric converter based on perovskites, comprising forming a layer of a transparent conductive electrode, a perovskite layer and a layer of inorganic material according to the invention, a conductive nanostructured porous alumina is used as a layer of pores, the pores of which are filled p-type semiconductor precursor by centrifugation at a rotation speed of 3000-3500 rpm until completely filled, and in quality The precursor uses a 30% toluene solution of nickel stearate heated to a temperature of 40-50 ° C, taken in an amount of 0.05-0.1 ml or a 10% solution of nickel acetate in monoethanolamine, taken in the same amount that is dried for 15-20 minutes at a temperature of 100-110 ° C and annealed for the same time at a temperature of 450 ± 10 ° C.

Данный способ позволяет упростить технологию изготовления преобразователей солнечной энергии в электрическую и сократить энергетические затраты.This method allows to simplify the manufacturing technology of converters of solar energy into electrical energy and reduce energy costs.

Использование проводящего пористого оксида алюминия позволяет решить двойную задачу: исключить необходимость в дополнительном формировании электрода и обеспечить простую технологию введения в поры полупроводника р-типа, используя растворы прекурсоров.The use of conductive porous alumina allows us to solve a double problem: to eliminate the need for additional electrode formation and to provide a simple technology for introducing p-type semiconductor into the pores using precursor solutions.

Растворы прекурсоров полупроводника р-типа на основе солей никеля, хорошо смачиваются и равномерно внедряются в поры наноструктурированного оксида алюминия.Solutions of p-type semiconductor precursors based on nickel salts are well wetted and uniformly embedded in the pores of nanostructured alumina.

Доза растворов прекурсоров 0,05-0,1 мл обеспечивает полное смачивание поверхности пор образца пористого оксида алюминия диаметром 25 мм, а скорость вращения центрифуги 3000-3500 об/мин - равномерное заполнение пор без большого разбрызгивания раствора. Выбранная концентрация растворов позволяет достичь оптимальной регулировки вязкости раствора прекурсора полупроводникового материала. Повышение концентрации приводит к получению пересыщенных растворов, выкристаллизации солей на поверхности, быстрой агрегации их в порах, получению неравномерного заполнения пор. Снижение концентрации требует более многослойного нанесения для полного заполнения пор. Выбранные интервалы являются оптимальными и обеспечивают полное заполнение пор полупроводником р-типа без применения дополнительных химических реагентов, высоких температур, инертных газов и давления.A dose of 0.05-0.1 ml of precursor solutions provides complete wetting of the pore surface of a sample of porous alumina with a diameter of 25 mm, and a centrifuge rotation speed of 3000-3500 rpm ensures uniform filling of pores without large spraying of the solution. The selected concentration of solutions allows to achieve optimal adjustment of the viscosity of the solution of the precursor of the semiconductor material. An increase in concentration leads to the production of supersaturated solutions, crystallization of salts on the surface, their rapid aggregation in pores, and the formation of uneven pore filling. Reducing the concentration requires a more multilayer application to completely fill the pores. The selected intervals are optimal and provide complete filling of pores with a p-type semiconductor without the use of additional chemicals, high temperatures, inert gases and pressure.

Практическая значимость предложенного способа изготовления преобразователей солнечной энергии в электрическую на основе перовскитов заключается в стабильности получаемых структур, уменьшении их толщины, улучшении параметров, снижении стоимости изготавливаемых изделий.The practical significance of the proposed method of manufacturing solar energy to electric converters based on perovskites consists in the stability of the resulting structures, a decrease in their thickness, an improvement in parameters, and a decrease in the cost of manufactured products.

Сущность изобретения поясняется чертежом, на котором изображена схема солнечного преобразователя.The invention is illustrated in the drawing, which shows a diagram of a solar converter.

Способ изготовления преобразователя солнечной энергии в электрическую на основе перовскитов иллюстрируется следующими примерами.A method of manufacturing a transformer of solar energy into electrical energy based on perovskites is illustrated by the following examples.

Пример 1.Example 1

Образец наноструктурированного пористого оксида алюминия с высокой проводимостью диаметром 25 мм, полученный двухступенчатым анодированием алюминиевой фольги толщиной 100 мкм в 5%-ном растворе ортофосфорной кислоты при плотности тока 5 мА/см2, температуре 5-6°С, в течение 5 минут, помещают в центрифугу и наносят на его поверхность 0,05 мл нагретого до 40-50°С 30% толуольного раствора стеарата никеля при скорости вращения центрифуги 3000 об/мин в течение 15 сек. Образец сушат в термостате при 100°С 20 минут и затем отжигают в муфельной печи при температуре 450±10°С в течение 20 минут. Процесс повторяют до полного заполнения пор оксидом никеля. Далее на его поверхности формируют слой металлорганического перовскита, на который наносят прозрачный проводящий электрод из оксида индия олова (ITO) (см. фиг.).A sample of nanostructured porous alumina with a high conductivity of 25 mm in diameter, obtained by two-stage anodization of aluminum foil with a thickness of 100 μm in a 5% solution of phosphoric acid at a current density of 5 mA / cm 2 , a temperature of 5-6 ° C, for 5 minutes, placed in a centrifuge and 0.05 ml of a 30% toluene solution of nickel stearate heated to 40-50 ° C is applied to its surface at a centrifuge speed of 3000 rpm for 15 seconds. The sample is dried in a thermostat at 100 ° C for 20 minutes and then annealed in a muffle furnace at a temperature of 450 ± 10 ° C for 20 minutes. The process is repeated until the pores are completely filled with nickel oxide. Then, a layer of organometallic perovskite is formed on its surface, onto which a transparent conductive electrode of indium tin oxide (ITO) is applied (see. Fig.).

Пример 2.Example 2

Образец наноструктурированного пористого оксида алюминия, изготовленный, как описано в примере 1, помещают в центрифугу и наносят на его поверхность 0,1 мл 10% раствора ацетата никеля в моноэтаноламине при скорости вращения центрифуги 3500 об/мин в течение 15 с. Образец сушат в термостате при температуре 110°С 15 минут, далее отжигают в муфельной печи при 450±10°С в течение 15 мин. Процесс повторяют до полного заполнения пор оксидом никеля. Далее на его поверхности формируют слой металлорганического перовскита, на который наносят прозрачный проводящий электрод из оксида индия олова (ITO) (см. фиг.).A nanostructured porous alumina sample made as described in Example 1 is placed in a centrifuge and 0.1 ml of a 10% solution of nickel acetate in monoethanolamine is applied to its surface at a centrifuge speed of 3500 rpm for 15 s. The sample is dried in a thermostat at a temperature of 110 ° C for 15 minutes, then annealed in a muffle furnace at 450 ± 10 ° C for 15 minutes. The process is repeated until the pores are completely filled with nickel oxide. Then, a layer of organometallic perovskite is formed on its surface, onto which a transparent conductive electrode of indium tin oxide (ITO) is applied (see. Fig.).

Использование предлагаемого способа изготовления преобразователя солнечной энергии в электрическую на основе перовскитов позволит, по сравнению с прототипом, упростить технологию изготовления преобразователя, исключить необходимость формирования второго электрода за счет использования анодированного пористого оксида алюминия в качестве электрода и в качестве пористого слоя с введенным в поры оксидом никеля, увеличить прочность сцепления оксида никеля с алюминием.Using the proposed method of manufacturing a solar energy to electric converter based on perovskites will allow, in comparison with the prototype, to simplify the manufacturing technology of the converter, eliminate the need to form a second electrode by using anodized porous alumina as an electrode and as a porous layer with nickel oxide introduced into the pores , increase the adhesion strength of nickel oxide to aluminum.

Claims (1)

Способ изготовления преобразователя солнечной энергии в электрическую на основе перовскитов, включающий формирование слоя прозрачного проводящего электрода, слоя перовскита и слоя неорганического материала, отличающийся тем, что в качестве слоя неорганического материала используют проводящий наноструктурированный пористый оксид алюминия, поры которого заполняют прекурсором полупроводника р-типа центрифугированием при скорости вращения 3000-3500 об/мин до полного заполнения, причем в качестве прекурсора используют нагретый до температуры 40-50°С 30%-ный толуольный раствор стеарата никеля, взятый в количестве 0,05-0,1 мл или 10%-ный раствор ацетата никеля в моноэтаноламине, взятый в том же количестве, который сушат в течение 15-20 минут при температуре 100-110°С и отжигают в течение такого же времени при температуре 450±10°С.A method of manufacturing a solar energy to electric converter based on perovskites, comprising forming a layer of a transparent conductive electrode, a perovskite layer and a layer of inorganic material, characterized in that a conductive nanostructured porous alumina is used as a layer of inorganic material, the pores of which are filled with a p-type semiconductor precursor by centrifugation at a rotation speed of 3000-3500 rpm until completely filled, moreover, heated to a temperature is used as a precursor tours 40-50 ° С 30% toluene solution of nickel stearate, taken in an amount of 0.05-0.1 ml or 10% solution of nickel acetate in monoethanolamine, taken in the same amount, which is dried for 15-20 minutes at a temperature of 100-110 ° C and annealed for the same time at a temperature of 450 ± 10 ° C.
RU2017143071A 2017-12-08 2017-12-08 Method of manufacturing solar-to-electrical energy converter based on perovskites RU2668944C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2017143071A RU2668944C1 (en) 2017-12-08 2017-12-08 Method of manufacturing solar-to-electrical energy converter based on perovskites

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2017143071A RU2668944C1 (en) 2017-12-08 2017-12-08 Method of manufacturing solar-to-electrical energy converter based on perovskites

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2668944C1 true RU2668944C1 (en) 2018-10-05

Family

ID=63798460

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2017143071A RU2668944C1 (en) 2017-12-08 2017-12-08 Method of manufacturing solar-to-electrical energy converter based on perovskites

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2668944C1 (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU188622U1 (en) * 2018-12-20 2019-04-18 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО) LIGHT EFFICIENT SOLAR ELEMENT
RU2694118C1 (en) * 2018-12-21 2019-07-09 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" Method of producing photovoltaic elements using a precursor for liquid-phase application of p-type semiconductor layers
RU195827U1 (en) * 2019-11-01 2020-02-06 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования"Национальный исследовательский университет ИТМО" (Университет ИТМО) TUNABLE LED ON THE BASIS OF PEROVSKIT WITH INTERFACE MODIFICATION
CN113571651A (en) * 2021-07-21 2021-10-29 北京大学 Solution medium annealing method for preparing perovskite thin film photoelectric device
RU2788942C2 (en) * 2021-02-26 2023-01-26 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской академии наук (ИПХФ РАН) Photovoltaic device with perovskite photoactive layer and inorganic passivating coating based on metal halogenides and method for manufacture of this device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013171518A1 (en) * 2012-05-18 2013-11-21 Isis Innovation Limited Optoelectronic device comprising porous scaffold material and perovskites
US20160133392A1 (en) * 2013-07-31 2016-05-12 Fujifilm Corporation Photoelectric conversion element and solar cell
US20160141112A1 (en) * 2013-07-01 2016-05-19 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) Solar cell and process for producing the same
WO2017073472A1 (en) * 2015-10-29 2017-05-04 国立研究開発法人物質・材料研究機構 Highly reliable perovskite solar cell

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013171518A1 (en) * 2012-05-18 2013-11-21 Isis Innovation Limited Optoelectronic device comprising porous scaffold material and perovskites
US20160141112A1 (en) * 2013-07-01 2016-05-19 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) Solar cell and process for producing the same
US20160133392A1 (en) * 2013-07-31 2016-05-12 Fujifilm Corporation Photoelectric conversion element and solar cell
WO2017073472A1 (en) * 2015-10-29 2017-05-04 国立研究開発法人物質・材料研究機構 Highly reliable perovskite solar cell

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU188622U1 (en) * 2018-12-20 2019-04-18 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО) LIGHT EFFICIENT SOLAR ELEMENT
RU2694118C1 (en) * 2018-12-21 2019-07-09 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" Method of producing photovoltaic elements using a precursor for liquid-phase application of p-type semiconductor layers
RU195827U1 (en) * 2019-11-01 2020-02-06 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования"Национальный исследовательский университет ИТМО" (Университет ИТМО) TUNABLE LED ON THE BASIS OF PEROVSKIT WITH INTERFACE MODIFICATION
RU2788942C2 (en) * 2021-02-26 2023-01-26 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской академии наук (ИПХФ РАН) Photovoltaic device with perovskite photoactive layer and inorganic passivating coating based on metal halogenides and method for manufacture of this device
CN113571651A (en) * 2021-07-21 2021-10-29 北京大学 Solution medium annealing method for preparing perovskite thin film photoelectric device
CN113571651B (en) * 2021-07-21 2023-10-20 北京大学 Solution medium annealing method for preparing perovskite thin film photoelectric device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2668944C1 (en) Method of manufacturing solar-to-electrical energy converter based on perovskites
Allam et al. Photoelectrochemical water oxidation characteristics of anodically fabricated TiO2 nanotube arrays: Structural and optical properties
JP7177822B2 (en) Conversion of a valve metal layer into a template with a plurality of (nano)channels with defined spacing and formation of structures therein with defined spacing
Zhang et al. Toward highly efficient CdS/CdSe quantum dots-sensitized solar cells incorporating ordered photoanodes on transparent conductive substrates
Luan et al. Facile synthesis and morphology control of bamboo-type TiO2 nanotube arrays for high-efficiency dye-sensitized solar cells
Xie et al. A reliable TiO2 nanotube membrane transfer method and its application in photovoltaic devices
CN107641817B (en) A kind of light anode preparation method and gained light anode structure improving photocatalytic water performance
Li et al. Preparation of TiO2 nanotube arrays with efficient photocatalytic performance and super-hydrophilic properties utilizing anodized voltage method
CN106367794B (en) A kind of quick method for preparing orderly anodic titanium dioxide nanotube array film
Li et al. Synthesis of TiO2 submicro-rings and their application in dye-sensitized solar cell
Li et al. Growth model of the tin anodizing process and the capacitive performance of porous tin oxides
Wang et al. Hierarchically macro–mesoporous TiO2 film via self-assembled strategy for enhanced efficiency of dye sensitized solar cells
Passalacqua et al. Use of modified anodization procedures to prepare advanced TiO2 nanostructured catalytic electrodes and thin film materials
KR20130007145A (en) Nanostructure and manufacturing method thereof and solar cell including the same
CN101465215A (en) Method for preparing nanocrystalline mesoporous TiO2 thick film material
KR101710421B1 (en) Photo-electrode composed of CuO/ZnO nanorod-nanobranch structure and method of forming the structure
Guli et al. Preparation and characterisation of TiO2 nanorod and nanotube films as photoanodes for dye-sensitised solar cells
KR20130085093A (en) Method for providing solar cell structures and solar cell thereof
CN102795665B (en) Preparation method of titanium dioxide nanotube (rod) array
CN112875836B (en) Tungsten trioxide electrode with controllable oxygen vacancy distribution and preparation and application thereof
JP4606775B2 (en) Concave oxide film structure
Bocchetta et al. Preparation of large area anodic alumina membranes and their application to thin film fuel cell
Kim et al. Co-sedimentation of TiO2 nanoparticles and polymer beads to fabricate macroporous TiO2 photoelectrodes
Xu et al. A novel method for fabricating double layers porous anodic alumina in phosphoric/oxalic acid solution and oxalic acid solution
KR101016646B1 (en) Dye-sensitized solar cell having photoelectrode made using atomic layer deposition and preparing method of the same

Legal Events

Date Code Title Description
QB4A Licence on use of patent

Free format text: LICENCE FORMERLY AGREED ON 20181221

Effective date: 20181221

MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20201209