RU2667475C1 - Стабилизатор напряжения аппаратуры электропитания посадочного радиолокатора - Google Patents
Стабилизатор напряжения аппаратуры электропитания посадочного радиолокатора Download PDFInfo
- Publication number
- RU2667475C1 RU2667475C1 RU2017117380A RU2017117380A RU2667475C1 RU 2667475 C1 RU2667475 C1 RU 2667475C1 RU 2017117380 A RU2017117380 A RU 2017117380A RU 2017117380 A RU2017117380 A RU 2017117380A RU 2667475 C1 RU2667475 C1 RU 2667475C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- output
- diode
- power supply
- radar
- energy storage
- Prior art date
Links
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
- G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
Abstract
Изобретение относится к электротехнике и может использоваться в аппаратуре электропитания посадочного радиолокатора. Целью изобретения является повышение КПД стабилизатора напряжения из состава аппаратуры электропитания посадочного радиолокатора. Стабилизатор напряжения содержит силовую последовательную цепь из регулирующего элемента и энергонакопительного дросселя, подключенную между потенциальной входной клеммой и одной из выходных клемм, узел управления, вход которого подключен к выходу стабилизатора, а выход - к управляющему входу регулирующего элемента, диодный коммутирующий элемент, включенный между точкой соединения регулирующего элемента и энергонакопительного дросселя и другой выходной клеммой, и выходной конденсатор, включенный между двумя выходными клеммами. Повышение КПД стабилизатора достигается новой технологией выполнения коммутирующего элемента, на основе диодной твердотельной структуры с площадью рабочей поверхности, пропорциональной произведению постоянного коэффициента структуры, номинального тока нагрузки и отношения времен закрытого и открытого состояний регулирующего элемента. 3 ил., 2 табл.
Description
Изобретение относится к электротехнике и может использоваться в аппаратуре электропитания посадочного радиолокатора.
Известна система электропитания посадочного радиолокатора [1, 2, 3, 4] состоящая из ввода внешней сети, защитно-распределительного блока, первого преобразователя из переменного в постоянный ток (AC-DC), питающих передающее устройство, второго преобразователя из переменного в переменный ток (АС-АС), питающего привод вращения антенно-мачтового устройства, третьего преобразователя типа AC-DC, подключенного к аккумулятору, питающему ЭВМ, последовательно включенных четвертого преобразователя типа AC-DC и пятого преобразователя из постоянного в постоянный ток (DC-DC), питающих аппаратуру радиолокационной станции с соответствующими связями. AC-DC преобразователь из состава аппаратуры электропитания посадочного радиолокатора [3], питающей передающее устройство, содержит блоки управления БУ ПРД [4], в состав которого входят стабилизаторы напряжения, которые обеспечивают работу устройств, входящих в аппаратуру электропитания посадочного радиолокатора.
Известны стабилизаторы напряжения (СН), содержащие силовую последовательную цепь из регулирующего элемента и энергонакопительного дросселя, узла управления, выходного конденсатора и коммутирующего элемента.
Наиболее близким по технической сущности к предложенному решению является СН фиг. 1, содержащий силовую последовательную цепь из регулирующего элемента и энергонакопительного дросселя, подключенную между потенциальной входной и выходной клеммами, узел управления, вход которого подключен к выходу стабилизатора, а выход - к управляющему входу регулирующего элемента, диодный коммутирующий элемент, включенный между точкой соединения регулирующего элемента и энергонакопительного дросселя и другой выходной клеммой, и выходной конденсатор, включенный между двум выходными клеммами [7].
Выполнение диодного коммутирующего элемента производится исходя из значения номинального тока нагрузки - подбирается диод с аналогичным током в прямом направлении, что не оптимально по КПД.
На КПД влияют значения как номинального тока нагрузки, так и входного напряжения питания, что требует при выполнении упомянутого элемента учета на только статических, но и динамических режимов СН.
Целью изобретения является повышение КПД стабилизатора напряжения.
Поставленная цель достигается тем, что упомянутый коммутирующий элемент выполнен на основе диодной твердотельной структуры с площадью рабочей поверхности равной произведению постоянного коэффициента структуры, номинального тока нагрузки и отношения времен закрытого и открытого состояний регулирующего элемента.
Предлагаются варианты формирования диодной твердотельной структуры путем параллельного соединения элементарных структур с суммарной площадью поверхности, равной требуемой площади диодной твердотельной структуры.
Такой принцип построения СН является новым, неизвестным из литературных данных, как в полупроводниковой технике, так и в технике источников питания, так как площадь рабочей поверхности диодного коммутирующего элемента (ДКЭ) в общем случае является переменной величиной, жестко связанной с конкретными электрическими параметрами СН, а выполнение ДКЭ необходимо проводить на основе полуфабриката диодной твердотельной структуры, площадь поверхности которой выбирается индивидуально в зависимости от упомянутых параметров СН.
Найденное соотношение для определения оптимальной поверхности ДКЭ определяет существенное отличие заявленного решения.
На фиг. 2 представлена объединенная конструктивная и электрическая схема СН, понижающего напряжение сети (Пн СН), которая содержит силовую цепь из регулирующего элемента 1 и энергонакопительного дросселя 2, подключенную между потенциальной входной клеммой 3 и выходной клеммой 4, узел управления 5, входом подключенный к выходу стабилизатора, а выходом к управляющему входу регулирующего элемента 2, диодный коммутирующий элемент 6, выполненного во виде параллельно соединенных элементных структур, включенный между точкой соединения регулирующего элемента 1 и энргонакопительного дросселя 2 и другой выходной клеммой 7, к выходу подключен выходной конденсатор 8.
ДКЭ 6 выполнен на основе полуфабриката диодной твердотельной структуры (в данном случае р-n перехода). Характерным для диодной твердотельной структуры является распределение носителей заряда по закону Максвелла-Больцмана. В этом случае независимо от конкретного вида структуры (барьер Шоттки, гетеропереход и т.д.) площадь ее рабочей поверхности выполняется равной произведению постоянного коэффициента структуры, номинального тока нагрузки и отношения времен закрытого и открытого состояний регулирующего элемента.
Выполнение других полупроводниковых узлов - 1 и 5 - может производиться любым известным способом.
На разрезе по АА фиг. 1 узлы 1, 5 представлены в бескорпусном варианте, в виде плоских твердотельных сборок и микросхем, размещенных на общей теплорассеивающей подложке 9 с коммутирующим элементом 6.
Физическое объяснение предложенного выполнения ДКЭ в виде параллельно соединенных элементных структур заключается в следующем: общие потери энергии в ДКЭ - PΣ - определяются потерями как в прямом (Рпр), так и в обратном (Робр) направлениях. Однако, при описываемой диодной структуре потери в прямом направлении, точнее прямое напряжение Uпр - является функцией от обратного тока Iо6р, причем Uпp уменьшается с увеличением Iо6р, тогда как Робр при этом увеличивается.
Величина iобp для данной структуры с постоянной плотностью обратного тока io6p определяется величиной рабочей поверхности структуры S.
Таким образом, для данной структуры существует всегда оптимальная площадь рабочей поверхности Sр, зависящая от токов нагрузки Iн и режима коммутации - времен открытого (tо) и закрытого (tз) состояний регулирующего элемента, при которой величина PΣ - минимальная.
Ниже приведены теоретические выкладки, подтверждающие вышесказанное.
Для рассматриваемого класса диодных твердотельных структур [6], вольтамперная характеристика может быть обобщена в виде:
где Iд - среднее значение диодного тока за время,
U - напряжение на диоде,
ϕ0 - тепловой потенциал,
n - коэффициент неидеальности структуры.
Величина iобp в общем случае является величиной, зависящей от Uобp, при этом наиболее типовые зависимости iобp - следующие:
1. iобр=is=const при (Uобр)>>ϕ0 - для классических р-n перехода и контакта металл-полупроводник [6].
iR ~ Uoбp - при наличии утечек в р-n переходе и для гетеропереходов [6].
При оценке режимов в прямом направлении имеем
Потери в прямом направлении определяются в виде [6]:
Из (1) с учетом (2) имеем:
В обратном направлении потери определяются в виде:
Не учитывая коммутационные потери, которые всегда можно существенно уменьшить по сравнению с Рпр и Робр, суммарные потери можно представить с учетом (4)-(6) в виде:
Таким образом, из (7) очевидно, что так как с возрастанием S потери в прямом направлении уменьшаются, а потери в обратном направлении увеличиваются, то существует минимальное значение РΣ при некотором оптимальном Sр.
Определяя из (7) экстремум функции РΣ, находим значение Sp.
В табл. 1 представлены для типовых схем стабилизаторов уравнения для величин Р, U, с использованием рассчитанных ранее известных уравнений для стабилизаторов. При этом предполагается, что где r0 - удельное динамическое сопротивление структуры диода в обратном направлении. Полагается также, что напряжение питания схемы много больше напряжения насыщения регулируемого элемента, тогда Ubx=Uп. На фиг. 3 иллюстрируются зависимости потерь от величины S.
Приведенные выше уравнения для понижающего (Пн) и повышающего (Пв) СН сведены в таблицу 1.
Из уравнений, представленных в табл. 1, следует, что оптимальная площадь рабочей поверхности Sp для СН описывается одним уравнением. Представляя i0 в виде:
получим обобщенное уравнение в виде
Или (8) можно представить, используя (4), в виде:
Таким образом, уравнение (9) определяет величину Sp в соответствие полученными решениями.
В случае использования элементарных структур с рабочей поверхностью, меньшей Sp, следует использовать параллельное соединение их, чтобы площадь суммарной рабочей поверхности была равна Sp, а при идентичности таких структур, чтобы суммарная поверхность элементарных структур была связана с их числом N соотношением:
где Sд - площадь элементарной структуры.
Из уравнения (5) вычислим: nϕ0=0.12 В, из (3-7) определим величину РΣ при S=kSд, где k = 1; 2; 3; 5. Данные расчетов приведены в таблице:
Сравнение расчетных данных с экспериментальными, полученными при испытании СН приведенного на фиг. 2 с параметрами Uп=+27 В; Uн=5 В; Iн=3 А, τ=0.2 и при использовании кремниевых структур на основе диодов Шоттки (Iк0=iк0Sд=20⋅10-3 А, Uпp=0.6 В), показали достаточность для практического использования при совпадение ≤ 5%, причем повышение КПД составляет более 10%, таким образом увеличение КПД, учитывая количество используемых стабилизаторов напряжения улучшает показатели работы посадочного радиолокатора.
Источники литературы
1. РШПИ.462725.001 Э4 - Схема электрических соединений
2. РШПИ.468324.011 Э3 Схема электрическая принципиальная
3. РШПИ.462725.001 Модуль ПРЛ-27С
4. РШПИ.468324.011 ТУ БУ ПРД
5. Б.В. Кабелев. Высокочастотные конвенторы на мощных МДП-транзисторах. В сб. Электронная техника в автоматике вып. 15, 1984, стр. 24, рис. 2.
6. ЗИ. Физика полупроводниковых приборов. «Мир», 1984, т. 1, стр. 325-429.
7. Источники вторичного электропитания под ред. Ю.И. Конева, М, «Сов. Радио», 1983 г., стр. 80-94.
Claims (1)
- Стабилизатор напряжения аппаратуры электропитания посадочного радиолокатора, содержащий силовую последовательную цепь из регулирующего элемента и энергонакопительного дросселя, подключенную между потенциальной входной клеммой и одной из выходных клемм, узел управления, вход которого подключен к выходу стабилизатора, а выход - к управляющему входу регулирующего элемента, диодный коммутирующий элемент, включенный между точкой соединения регулирующего элемента и энергонакопительного дросселя и другой выходной клеммой, и выходной конденсатор, отличающийся тем, что диодный коммутирующий элемент выполнен на основе диодной твердотельной структуры с площадью рабочей поверхности, пропорциональной произведению постоянного коэффициента структуры, номинального тока нагрузки и отношения времен закрытого и открытого состояний регулирующего элемента.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2017117380A RU2667475C1 (ru) | 2017-05-18 | 2017-05-18 | Стабилизатор напряжения аппаратуры электропитания посадочного радиолокатора |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2017117380A RU2667475C1 (ru) | 2017-05-18 | 2017-05-18 | Стабилизатор напряжения аппаратуры электропитания посадочного радиолокатора |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2667475C1 true RU2667475C1 (ru) | 2018-09-20 |
Family
ID=63580420
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2017117380A RU2667475C1 (ru) | 2017-05-18 | 2017-05-18 | Стабилизатор напряжения аппаратуры электропитания посадочного радиолокатора |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2667475C1 (ru) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU559232A1 (ru) * | 1976-04-01 | 1977-05-25 | Предприятие П/Я А-7284 | Релейный стабилизатор посто нного напр жени |
SU954981A1 (ru) * | 1981-03-30 | 1982-08-30 | Военный Инженерный Краснознаменный Институт Им.А.Ф.Можайского | Импульсный стабилизатор посто нного напр жени |
JPH07281772A (ja) * | 1994-04-06 | 1995-10-27 | Nichicon Corp | 半導体スイッチ回路 |
RU2339072C1 (ru) * | 2007-09-04 | 2008-11-20 | Российская Федерация в лице Федерального агентства по атомной энергии | Понижающий стабилизатор |
-
2017
- 2017-05-18 RU RU2017117380A patent/RU2667475C1/ru active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU559232A1 (ru) * | 1976-04-01 | 1977-05-25 | Предприятие П/Я А-7284 | Релейный стабилизатор посто нного напр жени |
SU954981A1 (ru) * | 1981-03-30 | 1982-08-30 | Военный Инженерный Краснознаменный Институт Им.А.Ф.Можайского | Импульсный стабилизатор посто нного напр жени |
JPH07281772A (ja) * | 1994-04-06 | 1995-10-27 | Nichicon Corp | 半導体スイッチ回路 |
RU2339072C1 (ru) * | 2007-09-04 | 2008-11-20 | Российская Федерация в лице Федерального агентства по атомной энергии | Понижающий стабилизатор |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Zaid et al. | A transformerless high gain dc–dc boost converter with reduced voltage stress | |
Leyva-Ramos et al. | Average current controlled switching regulators with cascade boost converters | |
Stanzione et al. | A self-biased 5-to-60V input voltage and 25-to-1600µW integrated DC-DC buck converter with fully analog MPPT algorithm reaching up to 88% end-to-end efficiency | |
US8618864B2 (en) | Self-powered active rectifier circuit and related method of operation for photovoltaic solar power arrays | |
Maalandish et al. | High step‐up DC–DC converter using one switch and lower losses for photovoltaic applications | |
Schaef et al. | A coupled-inductor multi-level ladder converter for sub-module PV power management | |
US10998765B2 (en) | Selectable power scavenging systems and methods | |
US20120101645A1 (en) | Power control method using orthogonal-perturbation, power generation system, and power converter | |
Bhaskar et al. | A new hybrid zeta-boost converter with active quad switched inductor for high voltage gain | |
CN118176653A (zh) | 保护多电平电力转换器 | |
Khan et al. | A novel high step-up DC–DC converter with improved P&O MPPT for photovoltaic applications | |
US9122287B2 (en) | Dual frequency control of buck-boost regulator with a pass through band | |
RU2667475C1 (ru) | Стабилизатор напряжения аппаратуры электропитания посадочного радиолокатора | |
Moghe et al. | Powering low-cost utility sensors using energy harvesting | |
Mule et al. | Sliding mode control based maximum power point tracking of PV system | |
Rastmanesh et al. | An efficient PV battery charger/harvester for low power applications, suitable for heavily overcast operations | |
CN106817016B (zh) | 一种功率管偏置电路 | |
US11107936B2 (en) | Output voltage control circuit device for plurality of power supply cells connected in series | |
Choi et al. | A CMOS controller for submodule integrated converters in photovoltaic systems | |
Maheshwari et al. | A novel integrated high gain DC-DC converter | |
RU2559025C2 (ru) | Автономная система электропитания на постоянном токе | |
Kumar et al. | Design and implementation of solar charge controller for photovoltaic systems | |
Prakash et al. | Reliability evaluation of MPPT based interleaved boost converter for PV system | |
Chang et al. | Reconfigurable photovoltaic array systems for adaptive and fault-tolerant energy harvesting | |
Lu et al. | Two-transistor step-down dc/dc converters with fault-tolerant capability |