RU2666784C1 - Matrix auto emission cathode and method for manufacture thereof - Google Patents
Matrix auto emission cathode and method for manufacture thereof Download PDFInfo
- Publication number
- RU2666784C1 RU2666784C1 RU2017144840A RU2017144840A RU2666784C1 RU 2666784 C1 RU2666784 C1 RU 2666784C1 RU 2017144840 A RU2017144840 A RU 2017144840A RU 2017144840 A RU2017144840 A RU 2017144840A RU 2666784 C1 RU2666784 C1 RU 2666784C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- graphene
- layer
- pedestal
- cathode assembly
- emission
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/304—Field-emissive cathodes
Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к приборам твердотельной и вакуумной электроники, в частности к автоэмиссионным элементам на основе системы Si-SiC-графен, используемых в качестве катодов: к диодам, к триодам и к устройствам на их основе.The invention relates to devices for solid-state and vacuum electronics, in particular to field emission elements based on the Si-SiC-graphene system used as cathodes: to diodes, to triodes, and to devices based on them.
В последние годы большой интерес вызывают исследования связанные с необычными физико-химическими свойствами углеродосодержащих материалов (УСМ), благодаря которым УСМ являются привлекательным объектом не только фундаментальной науки, но и прикладного их использования.In recent years, studies related to the unusual physicochemical properties of carbon-containing materials (USM) have been of great interest, due to which USM are an attractive object not only for fundamental science, but also for their applied use.
Известно, что холодный катод, используемый в качестве источника электронной эмиссии в электронном приборе, должен удовлетворять таким основным требованиям, как высокая стабильность тока, высокая поверхностная однородность эмиссионных характеристик эмиттера и малый разброс энергии эмиттируемых электронов. Катоды на основе УСМ в большей степени удовлетворяют сформулированным требованиям и в отношении указанных параметров не уступают наиболее распространенным коммерческим источникам холодной эмиссии.It is known that a cold cathode used as an electron emission source in an electronic device must satisfy such basic requirements as high current stability, high surface uniformity of the emitter emission characteristics, and a small energy spread of emitted electrons. USM-based cathodes to a greater extent satisfy the formulated requirements and, in relation to these parameters, are not inferior to the most common commercial sources of cold emission.
Аналогом предлагаемого автоэмиссионного элемента и способа его изготовления является холодно-эмиссионный пленочный катод в виде подложки с нанесенной на нее углеродной пленкой, позволяющей получать высокую плотность эмиссионных токов 0,15-0,5 А/см2 [1]. Углеродная пленка представляет собой структуру, состоящую из углеродных микро- и наноребер или микро- и нанонитей, ориентированных перпендикулярно поверхности подложки, с характерным размером от 0,05 до 1 мкм. Особенности технологии формирования эмиссионных катодов на основе углеродных материалов (такие как высокая температура осаждения, недопустимость осаждения других слоев на сформированную эмиссионную поверхность) затрудняют создание интегрированных эмиссионных элементов (диодов и триодов), что требует разработки новых структур полевых эмиссионных элементов.An analogue of the proposed field emission element and the method of its manufacture is a cold-emission film cathode in the form of a substrate with a carbon film deposited on it, which allows to obtain a high density of emission currents of 0.15-0.5 A / cm 2 [1]. A carbon film is a structure consisting of carbon micro- and nanowires or micro- and nanowires oriented perpendicular to the surface of the substrate, with a characteristic size of 0.05 to 1 μm. Features of the technology for the formation of emission cathodes based on carbon materials (such as a high deposition temperature, the inadmissibility of the deposition of other layers on the formed emission surface) make it difficult to create integrated emission elements (diodes and triodes), which requires the development of new structures of field emission elements.
Также известно устройство интегральных автоэмиссионных элементов с эмиттерами на основе наноалмазных покрытий, что позволяет получить большие плотности тока [2]. Для получения больших плотностей автоэмиссионных токов полевой катод должен быть изготовлен из материала с достаточно высокой электронной проводимостью, которая в поликристаллических алмазных пленках обуславливается различными структурными дефектами, формирующими системы дополнительных уровней в запрещенной зоне алмаза. Эмиссионные свойства алмазных пленок значительно улучшаются с увеличением их дефектности вплоть до формирования аморфного материала, существенным признаком которого остается алмазный тип гибридизации связей валентных электронов атома углерода. Однако, во-первых, контролировать и управлять процессом получения алмазоподобных пленок с вышеуказанными параметрами довольно-таки затруднительно, а, следовательно, получаются приборы с невоспроизводимыми эмиссионными характеристиками и, во-вторых, наиболее предпочтительной формой эмиттеров являются микро- и наноострия или структуры в виде лезвий, в отличие от предлагаемой планарной структуры эмиттеров на основе наноалмазных покрытий.The device of integrated field emission elements with emitters based on nanodiamond coatings is also known, which makes it possible to obtain high current densities [2]. To obtain high field emission current densities, the field cathode must be made of a material with a sufficiently high electronic conductivity, which in polycrystalline diamond films is caused by various structural defects that form systems of additional levels in the band gap of diamond. The emission properties of diamond films are significantly improved with an increase in their imperfection up to the formation of an amorphous material, a significant feature of which remains the diamond type of hybridization of valence electron bonds of a carbon atom. However, firstly, it is rather difficult to control and control the process of producing diamond-like films with the above parameters, and, therefore, devices with irreproducible emission characteristics are obtained and, secondly, the most preferred form of emitters are micro and nano points or structures in the form blades, in contrast to the proposed planar structure of emitters based on nanodiamond coatings.
Прототипом устройства автоэмиссионного элемента, наиболее близким к заявляемому техническому решению, является углеродный многоострийный автоэмиссионный катод и способ его изготовления, представленные в [3]. Для создания периодической структуры из микроострий на поверхности монолитной углеродной подложки в качестве микро-, наноразмерной обработки используется способ группового микрозаострения в низкотемпературной плазме ВЧ-разряда в кислородной или в смеси кислородной и инертной газовых средах. Предварительно поверхность углеродной пластины подвергается механической обработке с целью подготовки поверхности и ее активации перед нанесением маски из фоторезиста. Проводится процесс шлифования с использованием тонкого микропорошка, а затем полирование, где в результате этих обработок съем материала с поверхности углеродной пластины 0,015÷0,03 мм. После чего проводится активация поверхности углеродной пластины с помощью низкотемпературной плазмы. Далее формируют фоторезистивную маску, представляющую периодически расположенные на поверхности основания из фоторезиста, имеющих форму круга. После чего на поверхность пластины наносится пленка переходного металла с целью дальнейшего проведения травления пленкой металла в свободных от фоторезиста периодических основаниях углеродной структуры. В результате травления происходит интенсивное растворение атомов углерода в пленке металла и последующая диффузия атомов углерода через структуру пленки металла без образования химического соединения на поверхность и взаимодействие атомов углерода с газообразной средой. Затем проводится удаление остатков пленки переходных металлов в смеси кислот. Для увеличения напряженности электростатического поля на вершинах образованной периодической углеродной структуры с заданной высотой микроразмерных столбиков данную структуру подвергают групповому микро-, наноразмерному заострению в низкотемпературной плазме ВЧ-разряда в кислородной или в кислородно-инертной газовых средах с получением углеродных микроострий.The prototype device of the field emission element closest to the claimed technical solution is a carbon multi-edge field emission cathode and a method for its manufacture, presented in [3]. To create a periodic structure of micropoints on the surface of a monolithic carbon substrate as a micro-, nanoscale treatment, a group micro-sharpening method is used in a low-temperature RF discharge plasma in oxygen or in a mixture of oxygen and inert gas media. Previously, the surface of the carbon plate is machined to prepare the surface and activate it before applying the mask from the photoresist. The grinding process is carried out using fine micropowder, and then polished, where as a result of these treatments, the material is removed from the surface of the carbon plate from 0.015 ÷ 0.03 mm. After that, the surface of the carbon plate is activated using low-temperature plasma. Then form a photoresist mask, representing periodically located on the surface of the base of the photoresist, having the shape of a circle. After that, a transition metal film is deposited on the surface of the plate in order to further etch the metal film in the periodic bases of the carbon structure free of photoresist. As a result of etching, intensive dissolution of carbon atoms in the metal film occurs and subsequent diffusion of carbon atoms through the structure of the metal film without the formation of a chemical compound on the surface and the interaction of carbon atoms with a gaseous medium. Then, the remnants of the transition metal film in the mixture of acids are removed. To increase the electrostatic field strength at the vertices of the formed periodic carbon structure with a given height of micro-sized columns, this structure is subjected to group micro-, nanoscale sharpening in a low-temperature RF discharge plasma in oxygen or oxygen-inert gas media to produce carbon micropoints.
Однако одним из недостатков эмиссионных структур на основе углеродных многоострийных автоэмиссионных катодов является их невысокая плотность на единице поверхности пластины, связанная с разрешающей способностью процесса фотолитографии, и соответственно, приборы на их основе имеют невысокие плотности автоэмиссионного тока. Кроме того, использование в качестве подложки монолитной углеродной пластины значительно увеличивает стоимость изготавливаемых автоэмиссионных приборов.However, one of the drawbacks of emission structures based on carbon multi-edge field emission cathodes is their low density per unit surface of the plate, associated with the resolution of the photolithography process, and accordingly, devices based on them have low field emission current densities. In addition, the use of a monolithic carbon plate as a substrate significantly increases the cost of manufactured field emission devices.
Задачей данного изобретения является повышение тока эмиссии, уменьшение рабочих напряжений в приборах вакуумной микроэлектроники на основе системы графен-карбид кремниевых пленок, расположенных на полупроводниковой подложке.The objective of the invention is to increase the emission current, reduce the operating voltage in vacuum microelectronics devices based on a graphene-carbide silicon film system located on a semiconductor substrate.
Поставленная задача решается за счет создания матричного автоэмиссионного элемента с катодами на основе системы Si-SiC-графен, содержащего подложку из монокристаллического кремния, на лицевой поверхности которой сформирован катодный узел, представляющий собой многоострийные эмиссионные структуры, имеющие форму конуса, на кончике эмиссионной структуры сформированы пленки нижележащего карбида кремния и графена, обладающего низкой работой выхода электронов, имеющего высокую адгезионную прочность к карбиду кремния и стабильность параметров, многоострийные эмиссионные структуры расположены на пьедестале монокристаллической кремниевой подложки, контактный слой, сформирован на обратной поверхности монокристаллической кремниевой подложки, состоящий из адгезионного слоя титана и токоведущего слоя никеля, расположенного на поверхности адгезионного слоя.The problem is solved by creating a matrix field emission element with cathodes based on the Si-SiC-graphene system containing a single-crystal silicon substrate, on the front surface of which a cathode assembly is formed, which is a multi-edge emission structure having a cone shape, films are formed on the tip of the emission structure underlying silicon carbide and graphene, having a low electron work function, having high adhesive strength to silicon carbide and stability of param trov, multi-tip emission structures are located on the pedestal of a single-crystal silicon substrate, a contact layer is formed on the back surface of a single-crystal silicon substrate, consisting of an adhesive layer of titanium and a current-carrying layer of nickel located on the surface of the adhesive layer.
Способ изготовления матричного автоэмиссионного элемента включает формирование на лицевой стороне монокристаллической кремниевой подложки слоя карбида кремния, формирование слоя графена на поверхности слоя SiC, формирование контактного слоя на обратной поверхности монокристаллической кремниевой подложки, состоящего из адгезионного слоя титана и токоведущего слоя никеля, расположенного на поверхности адгезионного слоя, формирование пьедестала катодного узла на лицевой стороне монокристаллической кремниевой подложки, состоящего из материала монокристаллической кремниевой подложки, слоя карбида кремния, расположенного на поверхности монокристаллической кремниевой подложки, и слоя графена, расположенного на поверхности слоя SiC, формирование металлического слоя алюминия, расположенного по периметру пьедестала катодного узла, формирование матрицы наноразмерной маски на поверхности слоя графена пьедестала, состоящей из наночастиц металлического слоя, формирование массива наноразмерных острий на поверхности пьедестала катодного узла, удаление наноразмерной металлической маски с кончиков эмиссионных структур и металлический слой, расположенный по периметру пьедестала катодного узла, жидкостным травлением.A method of manufacturing a matrix field emission element includes forming a silicon carbide layer on the front side of a single crystal silicon substrate, forming a graphene layer on the surface of the SiC layer, forming a contact layer on the back surface of the single crystal silicon substrate, consisting of an adhesive titanium layer and a current-carrying nickel layer located on the surface of the adhesive layer , the formation of the pedestal of the cathode assembly on the front side of a single-crystal silicon substrate, consisting of and the material of a single-crystal silicon substrate, a silicon carbide layer located on the surface of a single-crystal silicon substrate, and a graphene layer located on the surface of the SiC layer, the formation of an aluminum metal layer located along the perimeter of the cathode assembly pedestal, the formation of a nanoscale mask matrix on the surface of the graphene layer of the pedestal, consisting of from nanoparticles of the metal layer, the formation of an array of nanoscale points on the surface of the pedestal of the cathode assembly, the removal of nanoscale thallic mask with the tips of emission structures and a metal layer located along the perimeter of the pedestal of the cathode assembly, by liquid etching.
Совокупностью отличительных признаков изобретения является то, что в качестве материала подложки используется монокристаллический кремний, катодный узел сформирован на пьедестале лицевой стороны монокристаллической кремниевой подложки, на кончике эмиссионной структуры сформированы пленки нижележащего карбида кремния и графена, на обратной стороне подложки сформирован базовый контакт, состоящий из адгезионного подслоя титана и токоведущего слоя никеля, получение углеродосодержащих слоев нижележащего карбида кремния и графена производится с помощью методов самоформирования, формирование массива наноразмерных острий на поверхности пьедестала катодного узла осуществляется через металлическую наноразмерную маску.The combination of distinctive features of the invention is that monocrystalline silicon is used as the substrate material, the cathode assembly is formed on a pedestal of the face of the monocrystalline silicon substrate, films of underlying silicon carbide and graphene are formed on the tip of the emission structure, a base contact is formed on the back of the substrate, which consists of adhesive a sublayer of titanium and a current-carrying layer of nickel, obtaining carbon-containing layers of underlying silicon carbide and graphene plagued by means of self-formation methods, formation of an array of nanoscale sharp points on the surface of the cathode assembly pedestal through a nano-sized metal mask.
Несмотря на то, что углеродосодержащий материал подложки, как правило, карбид кремния обладает рядом ценных качеств (стойкость к химическим воздействиям, высокая твердость (33400 Мн/м2), большая ширина запрещенной зоны (2,3-3,3 эВ), высокая температура плавления (2830°С) и т.д.), главным препятствием на пути его широкого использования в технологии полупроводниковых приборов является высокая стоимость (в среднем 100 долларов США за 1 кв. дюйм поверхности монокристалла SiC).Despite the fact that the carbon-containing substrate material, as a rule, silicon carbide has a number of valuable qualities (resistance to chemical influences, high hardness (33400 Mn / m 2 ), large band gap (2.3-3.3 eV), high melting temperature (2830 ° C), etc.), the main obstacle to its widespread use in semiconductor device technology is its high cost (an average of $ 100 per 1 square inch of SiC single crystal surface).
Использование технологических приемов самоформирования при изготовлении различного рода приборов микро- и наноэлектроники, микро- и наносистемной техники позволяют значительно упростить технологический маршрут, повысить точность совмещения конструкционных элементов приборов, обеспечить воспроизводимость геометрических и физико-химических параметров входящих в него функциональных слоев и, как следствие, добиться стабильности его характеристик, включая высокую эмиссионную способность и временную стабильность величины тока эмиссии.The use of technological methods of self-formation in the manufacture of various kinds of micro- and nanoelectronics devices, micro- and nanosystem technology can significantly simplify the technological route, increase the accuracy of the combination of structural elements of devices, ensure reproducibility of the geometric and physico-chemical parameters of the functional layers included in it and, as a result, to achieve stability of its characteristics, including high emissivity and temporary stability of the emission current and.
Для увеличения тока электронной эмиссии, снижения рабочих напряжений необходимо на эмитирующую поверхность наносить тонкие пленки материалов, обладающих низкой работой выхода. Использование пленок графена является перспективным для этих целей, благодаря тому, что они обладают низкой работой выхода электронов, имеют высокую адгезионную прочность к карбиду кремния и стабильность параметров.To increase the electron emission current and reduce operating voltages, it is necessary to apply thin films of materials with a low work function to the emitting surface. The use of graphene films is promising for these purposes, due to the fact that they have a low electron work function, high adhesion strength to silicon carbide, and parameter stability.
Изобретение иллюстрируется следующими чертежами:The invention is illustrated by the following drawings:
на фиг. 1 представлена многослойная структура, состоящая из: 1 - полупроводниковая подложка, 2 - слой карбида кремния, 3 - слой графена, 4 - адгезионный слой, 5 - токоведущий слой;in FIG. 1 shows a multilayer structure consisting of: 1 - a semiconductor substrate, 2 - a layer of silicon carbide, 3 - a layer of graphene, 4 - an adhesive layer, 5 - a current-carrying layer;
на фиг. 2 представлена структура после формирования пьедестала катодного узла и нанесения перераспыляемого металлического слоя 6 по периметру пьедестала катодного узла и на поверхность фоторезистивной маски 7;in FIG. 2 shows the structure after the formation of the pedestal of the cathode assembly and deposition of a sprayed
на фиг. 3 представлена структура после формирования матрицы наноразмерной маски 8 на поверхности слоя графена;in FIG. 3 shows the structure after the formation of a matrix of a
на фиг. 4 представлена структура матричного автоэмиссионного элемента с катодами 9 на основе системы Si-SiC-графен.in FIG. 4 shows the structure of a matrix field emission element with cathodes 9 based on a Si-SiC-graphene system.
Матричный автоэмиссионный элемент с катодами на основе системы Si-SiC-графен изготавливают следующим образом. На лицевой поверхности монокристаллической кремниевой подложки, прошедшей химическую обработку в растворах КАРО и перекисно-аммиачном, формируют слой карбида кремния толщиной порядка 150 нм методом ионного легирования ионами 12С+ поверхности кремниевой подложки и последующего отжига при 1200°С, формируют слой графена на поверхности SiC путем термического разложения карбида кремния в вакууме при температуре 1250°С в течение 15 мин., формируют контактный слой на обратной стороне монокристаллической кремниевой подложки последовательным магнетронным напылением адгезионного слоя титана толщиной 15 нм и токоведущего слоя никеля, толщиной 500-600 нм, отжигают сформированную структуру контактного слоя при температуре 950°С быстрым термическим отжигом, формируют квадратный пьедестал катодного узла размером 10 мкм ×10 мкм и высотой 2 мкм на лицевой стороне монокристаллической кремниевой подложки при проведении контактной фотолитографии и реактивного ионного плазменного травления (РИПТ) системы графен-SiC-Si, формируют металлический слой алюминия толщиной 100-200 нм магнетронным распылением, удаляют металлический слой с поверхности пьедестала катодного узла взрывной фотолитографией, формируют матрицу наноразмерной маски на поверхности слоя графена переосаждением наночастиц металлического слоя при его бомбардировке ионами аргона в процессе ионного травления, формируют массив наноразмерных острий в области пьедестала катодного узла реактивным ионным плазменным травлением структуры графен-SiC-Si, удаляют наноразмерную маску со сформированного массива наноразмерных острий и металлический слой с поверхности подложки вокруг катодного узла жидкостным химическим травлением, проводят последовательно химическую обработку поверхности подложки в растворе демитилформамида, промывку в деионизованной воде и сушку подложки.Matrix field emission element with cathodes based on the Si-SiC-graphene system is made as follows. A silicon carbide layer of about 150 nm thick is formed on the front surface of a single-crystal silicon substrate that has undergone chemical treatment in KARO and peroxide-ammonia solutions by ion doping with 12 C + ions of the surface of a silicon substrate and subsequent annealing at 1200 ° C; a graphene layer is formed on the SiC surface by thermal decomposition of silicon carbide in vacuum at a temperature of 1250 ° C for 15 minutes, a contact layer is formed on the reverse side of the single-crystal silicon substrate by a successive magnet by sputtering a titanium adhesive layer with a thickness of 15 nm and a current-carrying nickel layer with a thickness of 500-600 nm, annealed the formed structure of the contact layer at a temperature of 950 ° C by rapid thermal annealing, form a square pedestal of the cathode assembly with a size of 10 μm × 10 μm and a height of 2 μm on the front side of a single-crystal silicon substrate during contact photolithography and reactive ion plasma etching (RIPT) of the graphene-SiC-Si system, an aluminum metal layer 100-200 nm thick by magnetron sputtering is formed remove the metal layer from the surface of the cathode assembly pedestal by explosive photolithography, form a matrix of a nanoscale mask on the surface of the graphene layer by reprecipitation of nanoparticles of the metal layer during its bombardment by argon ions during ion etching, form an array of nanoscale tips in the region of the cathode assembly pedestal by reactive ion plasma etching of the graphene-structure of graphene SiC-Si, remove the nanoscale mask from the formed array of nanoscale points and the metal layer from the surface of the wok substrate y cathode assembly by wet chemical etching, chemical treatment is carried out sequentially in the substrate surface demitilformamida solution, rinsing in deionized water and drying the substrate.
Таким образом, предлагаемое решение конструкции матричного автоэмиссионного элемента с катодами на основе системы Si-SiC-графен и способа его изготовления, по сравнению с прототипом, имеет ряд преимуществ, связанных с повышением тока автоэмиссии и временной стабильности этой величины, уменьшением рабочих напряжений. Указанные преимущества достигаются в конструкции матричного автоэмиссионного элемента с катодами на основе системы Si-SiC-графен за счет того, что наноразмерные острия катода покрыты графеном, который снижает работу выхода электронов с поверхности катода, имеет высокую адгезионную прочность к карбиду кремния и стабильность параметров, улучшена стабильность характеристик автоэмиссионного катода, включая эмиссионную способность, за счет применения методов самоформирования при его изготовлении.Thus, the proposed solution to the design of the matrix field emission element with cathodes based on the Si-SiC-graphene system and the method of its manufacture, in comparison with the prototype, has several advantages associated with an increase in the field emission current and temporary stability of this value, and a decrease in operating voltages. These advantages are achieved in the design of a matrix field emission element with cathodes based on the Si-SiC-graphene system due to the fact that the nanoscale cathode tips are coated with graphene, which reduces the electron work function from the cathode surface, has high adhesion strength to silicon carbide and parameter stability, improved stability of the characteristics of the field emission cathode, including the emission ability, due to the use of self-formation methods in its manufacture.
Источники информации:Information sources:
1. Патент РФ №2194328.1. RF patent No. 2194328.
2. Патент РФ №2455724.2. RF patent No. 2455724.
3. Патент РФ №2486625 - прототип.3. RF patent No. 2486625 - prototype.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017144840A RU2666784C1 (en) | 2017-12-20 | 2017-12-20 | Matrix auto emission cathode and method for manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017144840A RU2666784C1 (en) | 2017-12-20 | 2017-12-20 | Matrix auto emission cathode and method for manufacture thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2666784C1 true RU2666784C1 (en) | 2018-09-12 |
Family
ID=63580321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2017144840A RU2666784C1 (en) | 2017-12-20 | 2017-12-20 | Matrix auto emission cathode and method for manufacture thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2666784C1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU221572U1 (en) * | 2023-04-12 | 2023-11-13 | Артем Иванович Ковалец | Field emission cathode of concentric type |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7572164B2 (en) * | 2004-06-17 | 2009-08-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing electron-emitting device, methods for manufacturing electron source and image display device using the electron-emitting device |
| RU2455724C1 (en) * | 2010-11-13 | 2012-07-10 | Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" | Structure and method of making integrated field-emission elements having nanodiamond coating-based emitters |
| RU2474909C1 (en) * | 2011-06-01 | 2013-02-10 | Учреждение Российской академии наук Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН | Method to increase degradation resistance of high-current multi-spike field-emission cathodes |
| RU2486625C2 (en) * | 2011-06-08 | 2013-06-27 | Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Алмаз" (ОАО "НПП "Алмаз") | Method to manufacture multi-tip field-emission cathodes |
| US9362080B2 (en) * | 2014-01-20 | 2016-06-07 | Tsinghua University | Electron emission device and electron emission display |
-
2017
- 2017-12-20 RU RU2017144840A patent/RU2666784C1/en active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7572164B2 (en) * | 2004-06-17 | 2009-08-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing electron-emitting device, methods for manufacturing electron source and image display device using the electron-emitting device |
| RU2455724C1 (en) * | 2010-11-13 | 2012-07-10 | Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" | Structure and method of making integrated field-emission elements having nanodiamond coating-based emitters |
| RU2474909C1 (en) * | 2011-06-01 | 2013-02-10 | Учреждение Российской академии наук Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН | Method to increase degradation resistance of high-current multi-spike field-emission cathodes |
| RU2486625C2 (en) * | 2011-06-08 | 2013-06-27 | Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Алмаз" (ОАО "НПП "Алмаз") | Method to manufacture multi-tip field-emission cathodes |
| US9362080B2 (en) * | 2014-01-20 | 2016-06-07 | Tsinghua University | Electron emission device and electron emission display |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU221572U1 (en) * | 2023-04-12 | 2023-11-13 | Артем Иванович Ковалец | Field emission cathode of concentric type |
| RU2813858C1 (en) * | 2023-05-30 | 2024-02-19 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники" | Method of increasing efficiency of multi-tip electron field emission cathodes |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7811149B2 (en) | Method for fabricating carbon nanotube-based field emission device | |
| Guillorn et al. | Self-aligned gated field emission devices using single carbon nanofiber cathodes | |
| US5536193A (en) | Method of making wide band gap field emitter | |
| US5199918A (en) | Method of forming field emitter device with diamond emission tips | |
| US9058954B2 (en) | Carbon nanotube field emission devices and methods of making same | |
| JPH08236010A (en) | Field emission device using hyperfine diamond particle-form emitter and its preparation | |
| US6652762B2 (en) | Method for fabricating nano-sized diamond whisker, and nano-sized diamond whisker fabricated thereby | |
| JPH10112253A (en) | Electron-emitting film and method | |
| CN1978310A (en) | Surface nano tip array and its preparing method | |
| CN111180292A (en) | Graphene/metamaterial composite nanostructure-based field emission cathode and preparation method thereof | |
| Kim et al. | Enhanced field emission properties from carbon nanotube emitters on the nanopatterned substrate | |
| RU2666784C1 (en) | Matrix auto emission cathode and method for manufacture thereof | |
| CN104934275B (en) | Field Electron Emission cathode array based on metal molybdenum substrate and preparation method thereof | |
| JPH09185942A (en) | Cold cathode element and its manufacture | |
| Minh et al. | Selective growth of carbon nanotubes on Si microfabricated tips and application for electron field emitters | |
| Baik et al. | Diamond tip fabrication by air-plasma etching of diamond with an oxide mask | |
| RU2590897C1 (en) | Field-emission element with cathodes based on carbon nanotubes and method of its making | |
| JP4312352B2 (en) | Electron emission device | |
| Wisitsora-At et al. | High current diamond field emission diode | |
| Van Quy et al. | The use of anodic aluminium oxide templates for triode-type carbon nanotube field emission structures toward mass-production technology | |
| RU2486625C2 (en) | Method to manufacture multi-tip field-emission cathodes | |
| JPH1040805A (en) | Cold-cathode element and its manufacture | |
| EP1003196A1 (en) | Carbon material, method for manufacturing the same material, field-emission type cold cathode using the same material and method for manufacturing the same cathode | |
| RU2813858C1 (en) | Method of increasing efficiency of multi-tip electron field emission cathodes | |
| US20230411104A1 (en) | Method of forming field emission cathodes by co-electrodeposition |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| QB4A | Licence on use of patent |
Free format text: LICENCE FORMERLY AGREED ON 20190129 Effective date: 20190129 |