RU2655666C1 - Способ определения скорости эрозии и осаждения тонких слоев на обращенных к плазме элементах плазменных установок (варианты) - Google Patents
Способ определения скорости эрозии и осаждения тонких слоев на обращенных к плазме элементах плазменных установок (варианты) Download PDFInfo
- Publication number
- RU2655666C1 RU2655666C1 RU2017121241A RU2017121241A RU2655666C1 RU 2655666 C1 RU2655666 C1 RU 2655666C1 RU 2017121241 A RU2017121241 A RU 2017121241A RU 2017121241 A RU2017121241 A RU 2017121241A RU 2655666 C1 RU2655666 C1 RU 2655666C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- plasma
- erosion
- thickness
- rate
- target
- Prior art date
Links
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 title claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000009434 installation Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 34
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 31
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims abstract description 25
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 abstract description 10
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 abstract description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 19
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 9
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000342 Monte Carlo simulation Methods 0.000 description 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 210000004072 lung Anatomy 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 238000001226 reprecipitation Methods 0.000 description 1
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010896 thin film analysis Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Изобретение относится к способу определения толщины и контроля скорости эрозии и осаждения тонких слоев на обращенных к плазме элементах плазменных установок. В изобретении предусмотрено изготовление и помещение в плазменную установку мишеней из легкого и/или тяжелого элемента (например, вольфрам на боре или углерод на вольфраме) с заданной толщиной поверхностного слоя в те места установки, в которых предполагается исследовать скорость эрозии и/или осаждения, с последующим анализом энергетических спектров отраженных на угол 30-90° от экспонированных мишеней ионов водорода с начальной энергией в диапазоне 1-20 кэВ. Толщина тяжелого поверхностного слоя определяется по полуширине высокоэнергетичного пика на энергетическом спектре, а толщина легкого поверхностного слоя - по положению пика на энергетическом спектре. Скорость эрозии/осаждения при этом, как и при использовании СРОР, определяется как отношение изменения толщины поверхностного слоя мишени к количеству импульсов или времени существования плазменного разряда в плазменной установке. Техническим результатом является увеличение чувствительности, уменьшение времени анализа при определении скорости эрозии и осаждения тонких поверхностных слоев на обращенных к плазме элементах плазменных установок. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 3 ил.
Description
Изобретение относится к экспериментальной физике и может быть использовано как способ определения толщины и контроля скорости эрозии и осаждения тонких слоев на обращенных к плазме элементах плазменных установок.
Известен метод анализа тонких поверхностных слоев, образующихся в результате эрозии и переосаждения материалов стенок плазменных установок, с помощью вторично-ионной масс-спектроскопии [L. Feldman, J. Mayer Fundamentals of surface and thin film analysis, Cornell University, 1986]. Этот метод является разрушающим - в процессе анализа исследуемый образец распыляется пучком тяжелых ионов - и не обладает достаточным разрешением по глубине.
Другим применяемым и принятым за прототип способом является использование спектроскопия резерфордовского обратного рассеяния (СРОР) [Krat S. et al. Erosion at the inner wall of JET during the discharge campaign 2011-2012 in comparison with previous campaigns // J. Nucl. Mater. Elsevier, 2015. Vol. 456. P. 106-110]. В этом способе для определения скорости эрозии и осаждения тонких слоев в плазменную камеру помещаются специальные многослойные мишени с известной толщиной слоев, а после экспозиции в плазменной установке толщина поверхностного слоя определяется по энергетическим спектрам обратно рассеянных от мишени протонов или ионов гелия с начальной энергией в диапазоне 1-3 МэВ. Скорость эрозии или осаждения определяется как изменение толщины поверхностного слоя за суммарное время существования плазменного разряда в установке. Однако данный способ имеет несколько существенных недостатков - требуется применение дорогостоящих ускорителей ионов, при этом чувствительность метода недостаточна для анализа слоев толщиной менее 40 нм. К тому же из-за недостаточного разрешения по глубине для определения скорости эрозии и осаждения тонких слоев требуется длительная экспозиция мишени в плазменной установке.
Техническим результатом изобретения является увеличение чувствительности, уменьшение времени анализа и сокращение материальных затрат при реализации способа определения скорости эрозии и осаждения тонких поверхностных слоев на обращенных к плазме элементах плазменных установок.
Технический результат по первому варианту достигается тем, что определяют изменение толщины поверхностного слоя анализируемой мишени с поверхностным слоем заданной толщины при экспозиции в установке с плазменным разрядом путем измерения энергетических спектров ионов водорода, отраженных от мишени, и определяют скорость эрозии и/или осаждения тонкого слоя по отношению изменения толщины этого слоя к времени существованию плазменного разряда в установке, при этом измеряют энергетические спектры отраженных от мишени с тяжелым поверхностным слоем на угол 30-90° относительно первоначального направления пучка ионов водорода с начальной энергией в диапазоне 1-20 кэВ и по изменению толщины поверхностного слоя мишени, которую определяют по полуширине высокоэнергетичного пика на энергетическом спектре, судят о скорости эрозии и/или осаждения тонкого слоя.
Технический результат по второму варианту достигается тем, что определяют изменение толщины поверхностного слоя анализируемой мишени с поверхностным слоем заданной толщины при экспозиции в установке с плазменным разрядом путем измерения энергетических спектров ионов водорода, отраженных от мишени, и определяют скорость эрозии и/или осаждения тонкого слоя по отношению изменения толщины этого слоя к времени существованию плазменного разряда в установке, при этом измеряют энергетические спектры отраженных от мишени с легким поверхностным слоем на угол 30-90° относительно первоначального направления пучка ионов водорода с начальной энергией в диапазоне 1-20 кэВ и по изменению толщины поверхностного слоя мишени, которую определяют по положению пика на энергетическом спектре, судят о скорости эрозии и/или осаждения тонкого слоя.
Для анализа скорости эрозии и осаждения тонких слоев используется моноэнергетический пучок ионов Н+ или D+, так как водород и дейтерий обладают необходимой глубиной пробега в мишени и практически не распыляют ее, с такой энергией в диапазоне 1-20 кэВ, при которой энергетический спектр отраженных частиц при их рассеянии на углы 30-90° формируется тонкими поверхностными слоями исследуемого образца. В данном энергетическом диапазоне рассеяние на другие углы не позволяет получить достаточное разрешение по массам, а использование других энергий не позволяет получить нужно глубину пробега частиц в анализируемой мишени. Глубиной пробега определяется и чувствительность метода к самым поверхностным слоям исследуемой мишени, и, соответственно, время анализа, необходимое для определения скорости эрозии и осаждения тонких поверхностных слоев на обращенных к плазме элементах плазменных установок.
При наличии слоя тяжелого элемента на поверхности легкого поверхностный слой формирует острый высокоэнергетичный пик на энергетическом спектре, амплитуда и ширина которого зависят от энергии частиц и угла их рассеяния, при этом эрозия тяжелого поверхностного слоя приводит к уменьшению ширины и амплитуды этого пика, а осаждение, наоборот, приводит к возникновению, росту и увеличению ширины пика.
При наличии слоя легкого элемента на поверхности тяжелого толщина слоя легкого вещества определяется по положению пика, формируемого частицами, прошедшими через слой более легкого вещества и отраженного находящимся под ним слоем более тяжелого. Осаждение легкого вещества приводит к сдвигу пика в область более низких энергий, а эрозия, наоборот, к сдвигу к область более высоких энергий.
Суть способа заключается в изготовлении и помещении в плазменную установку специальных мишеней из легкого и/или тяжелого элемента (например, вольфрам на боре или углерод на вольфраме) с заданной толщиной поверхностного слоя в те места установки, в которых предполагается исследовать скорость эрозии и/или осаждения, с последующим анализом энергетических спектров отраженных на угол 30-90° от экспонированных мишеней ионов водорода с начальной энергией в диапазоне 1-20 кэВ. Скорость эрозии/осаждения при этом, как и при использовании СРОР, определяется как отношение изменения толщины поверхностного слоя мишени к количеству импульсов или времени существования плазменного разряда в плазменной установке.
Предлагаемый способ был проверен на экспериментальной установке «Большой масс-монохроматор МИФИ» [Bulgadaryan D. et al. Facility and the method for MEIS analysis of layers redeposited in plasma devices // J. Phys. Conf. Ser. 2016. Vol. 748, №1]. Схема установки и возможного варианта реализации эксперимента представлена на фиг. 1, где 1 - источник ионов, 2 - сепарирующий электромагнит, 3 - камера взаимодействия, 4 - исследуемая мишень, 5 - энергоанализатор, 6 - детектор, штриховая линия - траектория первичного пучка ионов, штрихпунктирная линия - траектория отраженных от мишени ионов, попадающих в энергоанализатор, θ - угол рассеяния. Пучок ионов водорода, в котором присутствуют как атомарная (Н+), так и молекулярные (Н2 +, Н3 +) компоненты, формируется ионным источником типа «дуоплазматрон», сепарируется по отношению массы к заряду с помощью электромагнита, при этом выполняется соотношение 
, где U0 - ускоряющее напряжение, М - масса ионов, Z - заряд, В - магнитное поле. Нужная компонента пучка 
выделяется изменением тока электромагнита, сепарированный пучок попадает на мишень в камере взаимодействия, после чего при помощи системы энергоанализа, состоящей из электростатического анализатора и вторично-электронного умножителя, измеряется энергетический спектр отраженных от мишени частиц, рассеянных под углом θ. Для расчетов использовался компьютерный код SCATTER [В.А. Курнаев, Н.Н. Трифонов. Программа моделирования взаимодействия ионов с твердым телом с учетом микротопографии поверхности // ВАНТ, Сер. Термояд. синтез 3-4, 76 (2002)], позволяющий моделировать энергетические распределения частиц, отраженных от мишени с заданным составом, в приближении парных соударений с помощью численного метода Монте-Карло.
Пример 1. При определении толщины тяжелого слоя на поверхности легкой мишени использовалось напыление тонкого слоя золота на кремниевую мишень с помощью ионного распыления на установке «Большой массмонохроматор МИФИ». Экспериментальные и расчетные спектры отраженных от кремниевой подложки до и после осаждения на нее в этой же установке тонкого слоя золота методом реактивного распыления ионами аргона мишени из золота чистотой 99,999 на угол θ=38° ионов водорода с начальной энергией E0=9000 эВ показаны на фиг. 2. Видно, что осаждение поверхностного слоя золота приводит к образованию высокоэнергетичного пика. Сравнение экспериментальных и расчетных спектров с учетом того, что при реактивном напылении в поверхностном слое подложки происходит перемешивание напыляемого золота с кремнием, позволяет определить толщину тяжелого поверхностного слоя золота на легкой кремниевой мишени как 3.8±0.3 нм. Скорость напыления золота при этом определена как 1 нм/ч.
Пример 2. Для определения толщины легкого слоя на поверхности тяжелой мишени использовались расчеты энергетических спектров ионов водорода, отраженных от мишени, состоящей из вольфрама с тонким поверхностным слоем бора разной толщины. На фиг. 3 показаны спектры, полученные при использовании пучка ионов водорода с начальной энергией E0=4000 эВ, рассеянных на угол θ=38°. Видно, что различным толщинам легкого поверхностного слоя соответствует разное положение пика на энергетическом спектре, что при данных энергии и угле рассеяния позволяет определить толщину слоя с погрешностью 0.3 нм.
Таким образом, из вышесказанного следует, что предлагаемый способ позволяет определять толщину и, соответственно, скорость эрозии и осаждения тонких слоев в плазменных и, в частности, термоядерных установках с большей чувствительностью, за меньшее и время и с меньшими затратами.
Claims (6)
1. Способ определения скорости эрозии и осаждения тонких слоев на обращенных к плазме элементах плазменных установок, заключающийся в определении изменения толщины поверхностного слоя анализируемой мишени с поверхностным слоем заданной толщины при экспозиции в установке с плазменным разрядом путем измерения энергетических спектров ионов водорода, отраженных от мишени, и определения скорости эрозии и/или осаждения тонкого слоя по отношению изменения толщины этого слоя к времени существования плазменного разряда в установке, отличающийся тем, что измеряют энергетические спектры отраженных от мишени с тяжелым поверхностным слоем на угол 30-90° относительно первоначального направления моноэнергетического пучка ионов водорода с начальной энергией в диапазоне 1-20 кэВ и по изменению толщины поверхностного слоя мишени, которую определяют по полуширине высокоэнергетичного пика на энергетическом спектре, судят о скорости эрозии и/или осаждения тонкого слоя.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что для определения скорости эрозии тяжелого вещества используют мишень, состоящую из легкой подложки с поверхностным слоем тяжелого вещества заданной толщины.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что для определения скорости осаждения тяжелого вещества используют мишень из легкого вещества.
4. Способ определения скорости эрозии и осаждения тонких слоев на обращенных к плазме элементах плазменных установок, заключающийся в определении изменения толщины поверхностного слоя анализируемой мишени с поверхностным слоем заданной толщины при экспозиции в установке с плазменным разрядом путем измерения энергетических спектров ионов водорода, отраженных от мишени, и определения скорости эрозии и/или осаждения тонкого слоя по отношению изменения толщины этого слоя к времени существованию плазменного разряда в установке, отличающийся тем, что измеряют энергетические спектры отраженных от мишени с легким поверхностным слоем на угол 30-90° относительно первоначального направления моноэнергетического пучка ионов водорода с начальной энергией в диапазоне 1-20 кэВ и по изменению толщины поверхностного слоя мишени, которую определяют по положению пика на энергетическом спектре, судят о скорости эрозии и/или осаждения тонкого слоя.
5. Способ по п. 4, отличающийся тем, что для определения скорости эрозии легкого вещества используют мишень, состоящую из тяжелой подложки с поверхностным слоем легкого вещества заданной толщины.
6. Способ по п. 4, отличающийся тем, что для определения скорости осаждения легкого вещества используют мишень из тяжелого вещества.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017121241A RU2655666C1 (ru) | 2017-06-16 | 2017-06-16 | Способ определения скорости эрозии и осаждения тонких слоев на обращенных к плазме элементах плазменных установок (варианты) |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017121241A RU2655666C1 (ru) | 2017-06-16 | 2017-06-16 | Способ определения скорости эрозии и осаждения тонких слоев на обращенных к плазме элементах плазменных установок (варианты) |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2655666C1 true RU2655666C1 (ru) | 2018-05-29 |
Family
ID=62559970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2017121241A RU2655666C1 (ru) | 2017-06-16 | 2017-06-16 | Способ определения скорости эрозии и осаждения тонких слоев на обращенных к плазме элементах плазменных установок (варианты) |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2655666C1 (ru) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110266437A1 (en) * | 2010-05-03 | 2011-11-03 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method for chemical analysis and apparatus for chemical analysis |
| RU2522667C2 (ru) * | 2012-07-30 | 2014-07-20 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" | Способ определения элементного состава и толщины поверхностной пленки твердого тела при внешнем воздействии на поверхность |
| KR20160079763A (ko) * | 2013-07-03 | 2016-07-06 | 페어발퉁스게젤샤프트 퓌어 에미씨온스아날뤼제 우게(하프퉁스베슈랭크트) | 모터의 탄화수소 배출물에 대한 결정 장치 |
-
2017
- 2017-06-16 RU RU2017121241A patent/RU2655666C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110266437A1 (en) * | 2010-05-03 | 2011-11-03 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method for chemical analysis and apparatus for chemical analysis |
| RU2522667C2 (ru) * | 2012-07-30 | 2014-07-20 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" | Способ определения элементного состава и толщины поверхностной пленки твердого тела при внешнем воздействии на поверхность |
| KR20160079763A (ko) * | 2013-07-03 | 2016-07-06 | 페어발퉁스게젤샤프트 퓌어 에미씨온스아날뤼제 우게(하프퉁스베슈랭크트) | 모터의 탄화수소 배출물에 대한 결정 장치 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Krat S. et al. Erosion at the inner wall of JET during the discharge campaign 2011-2012 in comparison with previous campaigns // J. Nucl. Mater. Elsevier, 2015. Vol. 456. P. 106-110. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2012096959A1 (en) | Technique and apparatus for monitoring ion mass, energy, and angle in processing systems | |
| Bulgadaryan et al. | Facility and the method for MEIS analysis of layers redeposited in plasma devices | |
| Lohmann et al. | Analysis of photon emission induced by light and heavy ions in time-of-flight medium energy ion scattering | |
| Creutzburg et al. | Angle-dependent charge exchange and energy loss of slow highly charged ions in freestanding graphene | |
| RU2655666C1 (ru) | Способ определения скорости эрозии и осаждения тонких слоев на обращенных к плазме элементах плазменных установок (варианты) | |
| Toburen et al. | Time‐of‐flight measurements of low‐energy electron energy distributions from ion–atom collisions | |
| Ntemou et al. | Electronic interaction of slow hydrogen, helium, nitrogen, and neon ions with silicon | |
| Szabo | Experimental and simulated sputtering of Gold, Iron and Wollastonite with a Catcher-QCM setup | |
| RU2522667C2 (ru) | Способ определения элементного состава и толщины поверхностной пленки твердого тела при внешнем воздействии на поверхность | |
| Szabo | Novel insights into ion-solid interaction: Case studies for space weathering and nuclear fusion research | |
| Børgesen et al. | Stopping of keV light ions in solid hydrogen | |
| Taglauer | Low‐Energy Ion Scattering and Rutherford Backscattering | |
| Ryan | Electron diagnostics of magnetron discharges | |
| Funsten et al. | Thickness uniformity and pinhole density analysis of thin carbon foils using incident keV ions | |
| Biber | Sputtering investigations of wollastonite using solar wind ions | |
| Kurnaev et al. | On the Possibility of Surface Analysis by keV-Energy Proton Scattering in Magnetic Fusion Devices | |
| Palla et al. | Preliminary measurements on the new TOF system installed at the AMS beamline of INFN-LABEC | |
| Kawatoh et al. | Analysis of Sputtered Neutrals by Nonresonant Multiphoton Ionization. II. A Quantitative Composition Analysis of Cu-Al Alloy | |
| Valkealahti et al. | Ranges and stopping power of KeV electrons in the solid hydrogens | |
| Smith | Development of a Time of Flight Spectrometer for Rutherford Backscattering Studies with keV ions | |
| Wampler et al. | High-Z materials erosion and its control in DIII-D carbon divertor. | |
| Fejes et al. | Fabrication and characterizationof self-supporting Yttrium foils | |
| Krasa et al. | Determination of energy spectrum of laser-created heavy ions from their implantation depth profile in a metallic substrate | |
| Van Kan et al. | Glancing incident MeV ion beams for total reflection PIXE (TPIXE) and RBS surface analysis | |
| Waets et al. | Very-High-Energy Heavy Ion Beam Dosimetry using Solid State Detectors for Electronics Testing |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20190617 |