RU2654967C1 - Method of measuring the characteristics of the magnetic field - Google Patents
Method of measuring the characteristics of the magnetic field Download PDFInfo
- Publication number
- RU2654967C1 RU2654967C1 RU2017115396A RU2017115396A RU2654967C1 RU 2654967 C1 RU2654967 C1 RU 2654967C1 RU 2017115396 A RU2017115396 A RU 2017115396A RU 2017115396 A RU2017115396 A RU 2017115396A RU 2654967 C1 RU2654967 C1 RU 2654967C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- magnetic field
- centers
- measured
- crystal
- diamond
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
Abstract
Description
Изобретение относится к способам измерения характеристик магнитного поля и может быть использовано при создании и эксплуатации магнитных датчиков и магнитометров.The invention relates to methods for measuring the characteristics of a magnetic field and can be used in the creation and operation of magnetic sensors and magnetometers.
Измерение характеристик магнитного поля является актуальной задачей для самых различных областей деятельности, от геологоразведки и археологии до биологии и медицины.Measuring the characteristics of a magnetic field is an urgent task for a wide variety of fields of activity, from exploration and archeology to biology and medicine.
Существует большое количество различных способов измерения характеристик магнитного поля. Одним из наиболее перспективных, сочетающих высокую чувствительность и высокое пространственное разрешение, считается способ с использованием электронных спиновых систем в твердотельных образцах, например NV-центров в алмазе, известный из патента US 8947080 «High sensitivity solid state magnetometer» (пп. 4, 9 формулы), МПК G01R 33/02, публ. 03.02.2015. Особенностями NV-центров (nitrogen-vacancy centers) является то, что их электронные спины могут быть поляризованы в определенном состоянии с помощью оптического излучения, в том числе при комнатной температуре, легко манипулируются микроволновым излучением, кроме того, интенсивность флюоресценции зависит от степени спиновой поляризации NV-центра. В указанном способе на электронную спиновую систему внутри твердотельного образца воздействуют оптическим излучением и некоторым внешним воздействием, которым может быть, в частности, радиочастотное излучение, а в случае NV-центров - микроволновое излучение (см. пп. 4, 9 пат. US 8947080), таким образом, чтобы вызвать прецессию электронного спина NV-центров вокруг направления измеряемого магнитного поля. Измеряют частоту этой прецессии, которая линейно зависит от измеряемого магнитного поля вследствие Зеемановского сдвига уровней энергии электронной спиновой системы. По величине Зеемановского сдвига определяют характеристики измеряемого магнитного поля.There are many different ways to measure magnetic field characteristics. One of the most promising, combining high sensitivity and high spatial resolution, is considered to be a method using electronic spin systems in solid samples, for example, NV centers in diamond, known from US 8947080 patent "High sensitivity solid state magnetometer" (
Недостатком этого способа является использование наряду с оптическим излучением внешнего управляющего воздействия, в частности, в случае NV-центров - микроволнового излучения. Источник микроволнового излучения усложняет конструкцию, использование микроволнового излучения ограничивает область применимости способа, т.к. в ряде случаев его использование может быть затруднено или может приводить к нежелательным воздействиям на объект исследования.The disadvantage of this method is the use along with optical radiation of an external control action, in particular, in the case of NV centers, microwave radiation. The microwave radiation source complicates the design, the use of microwave radiation limits the scope of the method, because in some cases, its use may be difficult or may lead to undesirable effects on the object of study.
Наиболее близким аналогом по технической сущности к предлагаемому способу является способ измерения характеристик магнитного поля, основанный на эффекте антипересечения подуровней основного состояния NV-центров в алмазе, который выбран в качестве прототипа (A. Wickenbrock, Н. Zheng, L. Bougas, N. Leefer, S. Afach, A. Jarmola, V.M. Acosta, and D. Budker, «Microwave-free magnetometry with nitrogen-vacancy centers in diamond)), Applied Physics Letters, V. 109, 053505 (2016)). Способ-прототип позволяет производить измерение характеристик магнитного поля с использованием NV-центров в алмазе без использования микроволнового излучения.The closest analogue in technical essence to the proposed method is a method of measuring magnetic field characteristics, based on the effect of antisection of sublevels of the ground state of NV centers in diamond, which is selected as a prototype (A. Wickenbrock, N. Zheng, L. Bougas, N. Leefer , S. Afach, A. Jarmola, VM Acosta, and D. Budker, “Microwave-free magnetometry with nitrogen-vacancy centers in diamond)), Applied Physics Letters, V. 109, 053505 (2016)). The prototype method allows the measurement of the characteristics of the magnetic field using NV centers in diamond without using microwave radiation.
Способ-прототип включает в себя следующие шаги. Кристалл алмаза с NV-центрами помещают в область измеряемого магнитного поля. На указанный кристалл направляют электромагнитное излучение оптического диапазона, приводящее к спиновой поляризации NV-центров. К указанному кристаллу прикладывают дополнительное постоянное магнитное поле величиной ~102,4 мТл, ориентированное вдоль оси одной из групп NV-центров, приводящее к эффекту антипересечения подуровней основного состояния NV-центров, при этом измеряют сигнал флюоресценции. Измеряемое магнитное поле приводит к смещению подуровней основного состояния и нарушению условия антипересечения подуровней основного состояния NV-центров, что приводит к изменению сигнала флюоресценции. Этот эффект используется в способе-прототипе для определения характеристик измеряемого магнитного поля. Для повышения точности измерений в способе-прототипе к указанному кристаллу прикладывают также небольшое переменное магнитное поле, ориентированное так же, как и дополнительное постоянное магнитное поле, и используют технику синхронного детектирования.The prototype method includes the following steps. A diamond crystal with NV centers is placed in the region of the measured magnetic field. Optical electromagnetic radiation is directed to this crystal, which leads to spin polarization of the NV centers. An additional constant magnetic field of ~ 102.4 mT, oriented along the axis of one of the groups of NV centers, is applied to the indicated crystal, leading to the effect of antirecrossing sublevels of the ground state of NV centers, and the fluorescence signal is measured. The measured magnetic field leads to a displacement of the sublevels of the ground state and to a violation of the antirecross condition for sublevels of the ground state of the NV centers, which leads to a change in the fluorescence signal. This effect is used in the prototype method to determine the characteristics of the measured magnetic field. To improve the accuracy of the measurements in the prototype method, a small alternating magnetic field, oriented in the same way as an additional constant magnetic field, is also applied to the indicated crystal, and the synchronous detection technique is used.
Недостатком способа-прототипа является использование сильного дополнительного постоянного магнитного поля ~102,4 мТл, что, во-первых, ограничивает область применимости способа теми случаями, когда использование сильных магнитных полей допустимо, а, во-вторых, усложняет техническую реализацию.The disadvantage of the prototype method is the use of a strong additional constant magnetic field of ~ 102.4 mT, which, firstly, limits the scope of the method to those cases where the use of strong magnetic fields is acceptable, and, secondly, complicates the technical implementation.
Задачей, решаемой настоящим изобретением, является разработка способа измерения характеристик магнитного поля с помощью NV-центров в алмазе без использования микроволнового излучения и сильного дополнительного постоянного магнитного поля.The problem solved by the present invention is the development of a method for measuring the characteristics of a magnetic field using NV centers in diamond without using microwave radiation and a strong additional constant magnetic field.
Технический результат в разработанном способе измерения характеристик магнитного поля, как и в способе-прототипе, достигается за счет того, что кристалл алмаза с NV-центрами помещают в область измеряемого магнитного поля, на указанный кристалл алмаза направляют электромагнитное излучение оптического диапазона, приводящее к спиновой поляризации NV-центров, регистрируют сигнал флюоресценции.The technical result in the developed method for measuring the characteristics of the magnetic field, as in the prototype method, is achieved due to the fact that the diamond crystal with NV centers is placed in the region of the measured magnetic field, electromagnetic radiation of the optical range is sent to the specified diamond crystal, leading to spin polarization NV centers record the fluorescence signal.
Новым в разработанном способе измерения характеристик магнитного поля является то, что к указанному кристаллу по крайней мере однократно прикладывают переменное магнитное поле, ориентированное в некотором наперед заданном направлении. Измеряют зависимость сигнала флюоресценции от величины переменного магнитного поля для каждого направления этого поля, на данной зависимости регистрируют положения резонансов, соответствующих совпадению частот переходов между подуровнями основного состояния, относящихся к различным группам NV-центров. По указанным положениям резонансов определяют характеристики измеряемого магнитного поля.New in the developed method for measuring the characteristics of the magnetic field is that an alternating magnetic field oriented in a predetermined direction is applied at least once to the indicated crystal. The dependence of the fluorescence signal on the magnitude of the alternating magnetic field is measured for each direction of this field, the positions of the resonances corresponding to the coincidence of the transition frequencies between the sublevels of the ground state belonging to different groups of NV centers are recorded on this dependence. The indicated resonance positions determine the characteristics of the measured magnetic field.
Разработанный способ, в отличие от способа-прототипа, не требует использования сильного дополнительного постоянного магнитного поля. Это упрощает техническую реализацию и расширяет область применимости способа, позволяя работать в ситуациях, в которых использование сильных магнитных полей недопустимо.The developed method, in contrast to the prototype method, does not require the use of a strong additional constant magnetic field. This simplifies the technical implementation and expands the applicability of the method, allowing you to work in situations in which the use of strong magnetic fields is unacceptable.
Предложенный авторами способ измерения характеристик магнитного поля основан на использовании взаимодействия разных групп NV-центров в кристалле алмаза в магнитном поле. Известно (см., например, А.В. Цуканов, «NV-центры в алмазе. Часть I: общие сведения, технология изготовления, структура спектра», Микроэлектроника, Т. 41, №2, С. 104-119 (2012)), что NV-центры в алмазе образуют четыре группы с различной ориентацией оси NV-центра относительно кристаллографических осей алмаза. Частоты переходов между подуровнями основного состояния для различных групп NV-центров по-разному зависят от магнитного поля. В общем случае указанные частоты в ненулевом магнитном поле не совпадают. Однако при некоторых магнитных полях возможно совпадение указанных частот для двух или нескольких групп NV-центров. Такое совпадение частот переходов между подуровнями основного состояния, относящихся к различным группам NV-центров, приводит к взаимодействию NV-центров и, как следствие, к их частичной деполяризации, что отражается в изменении сигнала флюоресценции. Авторами предлагается использовать этот эффект для измерения характеристик магнитного поля.The method proposed by the authors for measuring the characteristics of the magnetic field is based on the interaction of different groups of NV centers in a diamond crystal in a magnetic field. It is known (see, for example, A.V. Tsukanov, “NV centers in diamond. Part I: general information, manufacturing technology, spectrum structure”, Microelectronics, Vol. 41, No. 2, pp. 104-119 (2012) ) that the NV centers in diamond form four groups with different orientations of the axis of the NV center relative to the crystallographic axes of diamond. The transition frequencies between the sublevels of the ground state for different groups of NV centers depend differently on the magnetic field. In the general case, the indicated frequencies in a nonzero magnetic field do not coincide. However, at certain magnetic fields, the indicated frequencies may coincide for two or several groups of NV centers. Such a coincidence of the transition frequencies between sublevels of the ground state related to different groups of NV centers leads to the interaction of NV centers and, as a consequence, to their partial depolarization, which is reflected in a change in the fluorescence signal. The authors suggest using this effect to measure the characteristics of a magnetic field.
Разработанный способ поясняется следующими чертежами.The developed method is illustrated by the following drawings.
На фиг. 1 представлена схема возможной технической реализации разработанного способа в соответствии с п. 1. формулы.In FIG. 1 presents a diagram of a possible technical implementation of the developed method in accordance with
На фиг. 2 представлена упрощенная схема уровней NV-центра в алмазе.In FIG. Figure 2 shows a simplified diagram of the levels of the NV center in diamond.
На фиг. 3 представлена возможная зависимость сигнала флюоресценции от величины переменного магнитного поля при реализации разработанного способа в соответствии с п. 1 или п. 3 формулы.In FIG. Figure 3 shows the possible dependence of the fluorescence signal on the magnitude of the variable magnetic field when implementing the developed method in accordance with
Возможны различные технические реализации разработанного способа. Схема одной из возможных технических реализаций разработанного способа представлена на фиг. 1. Она содержит кристалл алмаза 1 с NV-центрами, лазер 2, дихроичное зеркало 3, соленоид 4 и фотодетектор 5.Various technical implementations of the developed method are possible. A diagram of one of the possible technical implementations of the developed method is presented in FIG. 1. It contains a
Способ измерения магнитного поля в соответствии с п. 1 формулы с помощью схемы, представленной на фиг. 1, осуществляют следующим образом.A method of measuring a magnetic field in accordance with
Кристалл алмаза 1 с NV-центрами помещают в область измеряемого магнитного поля . Длину волны лазера 2 выбирают так, чтобы она была меньше длины волны бесфононной линии NV-центра (~637 нм, см. фиг. 2), в частности, в качестве лазера 2 можно использовать широко распространенный лазер с длиной волны 532 нм. Излучение лазера 2 с помощью дихроичного зеркала 3, которое выбирают так, чтобы оно отражало излучение лазера 2, но пропускало сигнал флюоресценции от NV-центров, направляют на кристалл алмаза 1 с NV-центрами. Известно (см., например, А.В. Цуканов, «NV-центры в алмазе. Часть II: спектроскопия, измерения, квантовые операции», Микроэлектроника, Т. 41, №3, с. 163-180 (2012)), что в этом случае действие излучения приводит к спиновой поляризации NV-центров на подуровень основного состояния |0〉 с проекцией спина на ось NV-центра, равной 0 (см. фиг. 2). С помощью соленоида 4 к кристаллу алмаза 1 с NV-центрами прикладывают переменное магнитное поле , изменяющееся во времени по некоторому, например гармоническому, закону и ориентированное в некотором наперед заданном направлении относительно кристаллографических осей кристалла алмаза 1. Известно, что частоты переходов между подуровнями основного состояния зависят от величины и направления магнитного поля , которое в рассматриваемом случае является суммой измеряемого магнитного поля и переменного магнитного поля A
Величины частот переходов между подуровнями основного состояния задаются следующей формулой (K. Holliday, N.B. Manson, М. Glasbeek, and Е. van Oort. «Optical hole-bleaching by level anti-crossing and cross relaxation in the N-V centre in diamond», Journal of Physics: Condensed Matter, V. 1, №39, P. 7093-7102 (1989)):The frequencies of transitions between sublevels of the ground state are given by the following formula (K. Holliday, NB Manson, M. Glasbeek, and E. van Oort. “Optical hole-bleaching by level anti-crossing and cross relaxation in the NV center in diamond”, Journal of Physics: Condensed Matter, V. 1, No. 39, P. 7093-7102 (1989)):
где ν+ - частота перехода между подуровнями основного состояния |0〉 и |+1〉, ν- - частота перехода между подуровнями основного состояния |0〉 и |-1〉 (см. фиг. 2), k=gμBB, g - фактор Ланде, μB - магнетон Бора, В - величина магнитного поля, параметр α удовлетворяет условию:where ν + is the transition frequency between sublevels of the ground state | 0〉 and | +1〉, ν - is the transition frequency between sublevels of the ground state | 0〉 and | -1〉 (see Fig. 2), k = gμ B B, g is the Lande factor, μ B is the Bohr magneton, B is the magnetic field, parameter α satisfies the condition:
где D≈2,88 ГГц - расщепление в нулевом магнитном поле, θ - угол между осью NV-центра и магнитным полем. Направления осей различных групп NV-центров относительно кристаллографических осей кристалла алмаза задаются четырьмя векторами .where D≈2.88 GHz is the splitting in a zero magnetic field, θ is the angle between the axis of the NV center and the magnetic field. The directions of the axes of various groups of NV centers relative to the crystallographic axes of a diamond crystal are specified by four vectors .
Изменение сигнала флюоресценции при совпадении частот переходов между подуровнями основного состояния, относящихся к различным группам NV-центров, приводит к появлению резонансов в зависимости сигнала флюоресценции от величины переменного магнитного поля В~, положение которых зависит от величины и направления измеряемого магнитного поля .A change in the fluorescence signal with the coincidence of the transition frequencies between sublevels of the ground state belonging to different groups of NV centers leads to the appearance of resonances in the dependence of the fluorescence signal on the magnitude of the alternating magnetic field B ~ , the position of which depends on the magnitude and direction of the measured magnetic field .
С помощью фотодетектора 5 регистрируют сигнал флюоресценции от NV-центров и измеряют зависимость сигнала флюоресценции от величины переменного магнитного поля В~. На данной зависимости регистрируют положения резонансов, соответствующих совпадению частот переходов между подуровнями основного состояния, относящихся к различным группам NV-центров. По указанным положениям резонансов определяют характеристики измеряемого магнитного поля.Using a
Из выражений (2) и (3) следует, что для относительно небольших значений магнитного поля (В<300 Гс) совпадение частот переходов между подуровнями основного состояния, относящихся к различным группам NV-центров, соответствует равенству модулей проекций магнитного поля на оси соответствующих NV-центров.It follows from expressions (2) and (3) that for relatively small values of the magnetic field (B <300 G), the coincidence of the transition frequencies between sublevels of the ground state belonging to different groups of NV centers corresponds to the equality of the moduli of projections of the magnetic field on the axis of the corresponding NV centers.
Введя - единичный вектор вдоль направления переменного магнитного поля , из выражения (4) с учетом (1) получим следующее выражение для положения резонансов:By entering is the unit vector along the direction of the alternating magnetic field , from expression (4), taking into account (1), we obtain the following expression for the position of the resonances:
где возможно 9 различных векторов , , , , , , , , , .where 9 different vectors are possible , , , , , , , , , .
Таким образом, в общем случае может быть до 9 резонансов, в некоторых случаях некоторые из них могут совпадать. По положению указанных резонансов можно определить характеристики магнитного поля, к которым, в частности, относятся величина и направление магнитного поля. Методики могут быть различными.Thus, in the general case there can be up to 9 resonances, in some cases some of them may coincide. From the position of the indicated resonances, one can determine the characteristics of the magnetic field, which, in particular, include the magnitude and direction of the magnetic field. Techniques may vary.
Для измерения характеристик магнитного поля можно использовать различные направления переменного магнитного поля. В качестве примера рассмотрим способ измерения по п. 3, когда переменное магнитное поле направлено вдоль одной из главных кристаллографических осей, например, вдоль оси x, что соответствует . В этом случае будут наблюдаться 5 резонансов (см. фиг. 3), при следующих положениях (значениях величины переменного магнитного поля):Different directions of an alternating magnetic field can be used to measure the characteristics of a magnetic field. As an example, we consider the measurement method according to
Положение центрального резонанса позволяет однозначно определить проекцию The position of the central resonance allows you to uniquely determine the projection
Также из измерений можно определить модули проекций на другие оси |В0у|, |B0z|, однако способ измерения по п. 3 не позволяет идентифицировать, какое из измеренных значений соответствует проекции В0у, а какое В0z. При этом можно однозначно определить величину измеряемого магнитного поляAlso, from the measurements it is possible to determine the projection modules on the other axes | B 0y |, | B 0z |, however, the measurement method according to
Таким образом, способ измерения по п. 3 позволяет однозначно определить величину магнитного поля и проекцию на направление оси х.Thus, the measurement method according to
Для полного и однозначного измерения величины и направления магнитного поля следует провести несколько измерений с различными направлениями переменного магнитного поля . В качестве примера и в соответствии с п. 4 можно провести следующие три измерения.For a complete and unambiguous measurement of the magnitude and direction of the magnetic field, several measurements should be made with different directions of the alternating magnetic field . As an example and in accordance with
В первом измерении магнитное поле направляют вдоль кристаллографической оси x, что соответствует . С помощью фотодетектора регистрируют сигнал флюоресценции от NV-центров и измеряют зависимость сигнала флюоресценции от величины переменного магнитного поля B~. На данной зависимости регистрируют положения резонансов, соответствующих совпадению частот переходов между подуровнями основного состояния, относящихся к различным группам NV-центров. В этом случае будут наблюдаться 5 указанных резонансов. Положение центрального резонанса b0,1 позволяет однозначно определить проекцию В0х In the first measurement, the magnetic field is directed along the crystallographic axis x, which corresponds to . Using a photodetector, the fluorescence signal from the NV centers is recorded and the dependence of the fluorescence signal on the magnitude of the alternating magnetic field B ~ is measured. In this dependence, the positions of the resonances corresponding to the coincidence of the transition frequencies between sublevels of the ground state related to different groups of NV centers are recorded. In this case, 5 indicated resonances will be observed. The position of the central resonance b 0,1 allows you to uniquely determine the projection In 0x
Во втором измерении магнитное поле направляют вдоль кристаллографической оси у, что соответствует . С помощью фотодетектора регистрируют сигнал флюоресценции от NV-центров и измеряют зависимость сигнала флюоресценции от величины переменного магнитного поля B~. На данной зависимости регистрируют положения резонансов, соответствующих совпадению частот переходов между подуровнями основного состояния, относящихся к различным группам NV-центров. В этом случае будут также наблюдаться 5 указанных резонансов. Положение центрального резонанса b0,2 позволяет однозначно определить проекцию В0у In the second dimension, the magnetic field is directed along the crystallographic axis y, which corresponds to . Using a photodetector, the fluorescence signal from the NV centers is recorded and the dependence of the fluorescence signal on the magnitude of the alternating magnetic field B ~ is measured. In this dependence, the positions of the resonances corresponding to the coincidence of the transition frequencies between sublevels of the ground state related to different groups of NV centers are recorded. In this case, 5 indicated resonances will also be observed. The position of the central resonance b 0.2 allows you to uniquely determine the projection B 0y
В третьем измерении магнитное поле направляют вдоль кристаллографической оси z, что соответствует . С помощью фотодетектора регистрируют сигнал флюоресценции от NV-центров и измеряют зависимость сигнала флюоресценции от величины переменного магнитного поля В~. На данной зависимости регистрируют положения резонансов, соответствующих совпадению частот переходов между подуровнями основного состояния, относящихся к различным группам NV-центров. В этом случае также будут наблюдаться 5 указанных резонансов. Положение центрального резонанса b0,3 позволяет однозначно определить проекцию B0z In the third dimension, the magnetic field is directed along the crystallographic z axis, which corresponds to . Using a photodetector, the fluorescence signal from the NV centers is recorded and the dependence of the fluorescence signal on the magnitude of the alternating magnetic field B ~ is measured. In this dependence, the positions of the resonances corresponding to the coincidence of the transition frequencies between sublevels of the ground state related to different groups of NV centers are recorded. In this case, 5 indicated resonances will also be observed. The position of the central resonance b 0.3 allows you to uniquely determine the projection B 0z
Таким образом, указанные три измерения способа по п. 4 позволяют определить проекции магнитного поля В0х, В0у, В0z на кристаллографические оси x, у, z, а, следовательно, величину и направление измеряемого магнитного поля .Thus, the three measurements of the method according to
Примеры конкретной реализации предлагаемого способа.Examples of specific implementations of the proposed method.
В первом примере реализации предлагаемого способа в соответствии с п. 1 и п. 3 кристалл алмаза с NV-центрами помещают в слабое однородное поле, направление которого предполагают измерить. На указанный кристалл алмаза направляют излучение лазера с длиной волны 532 нм, приводящее к спиновой поляризации NV-центров. К указанному кристаллу с NV-центрами прикладывают переменное магнитное поле, изменяющееся во времени по гармоническому закону и ориентированное в некотором наперед заданном направлении. С помощью фотодетектора регистрируют сигнал флюоресценции от NV-центров и измеряют зависимость сигнала флюоресценции от величины переменного магнитного поля. При экспериментальной проверке на данной зависимости зарегистрированы положения (значения величин переменного магнитного поля) шести резонансов, соответствующих совпадению частот переходов между подуровнями основного состояния, относящихся к различным группам NV-центров, с контрастностью около 1%. По указанным положениям резонансов были определены величина и проекция измеряемого магнитного поля на направление переменного магнитного поля.In the first example of the implementation of the proposed method in accordance with
В другом примере реализации предлагаемого способа в соответствии с п. 2 в качестве оптического излучения используют резонансное лазерное излучение на длине волны бесфононной линии поглощения NV-центра (~637 нм), при этом кристалл алмаза помещают в криостат с температурой менее 30 К. Известно, что в таких условиях характер спиновой поляризации NV-центров существенно меняется (R. Akhmedzhanov, L. Gush-chin, N. Nizov, V. Nizov, D. Sobgayda, I. Zelensky, and P. Hemmer. «Optically detected magnetic resonance in negatively charged nitrogen-vacancy centers in diamond under resonant optical excitation at cryogenic temperatures», Physical Review A, V. 94, 063859 (2016)). В этом эксперименте на зависимости сигнала флюоресценции от величины переменного магнитного поля наблюдались резонансы обратного по сравнению с экспериментом с излучением с длиной волны 532 нм знака с контрастностью около 10%. По положению наблюдавшихся резонансов были определены величина и проекция измеряемого магнитного поля на направление переменного магнитного поля.In another example of the implementation of the proposed method in accordance with
Таким образом, проведенная экспериментальная проверка предлагаемого способа показала его работоспособность с достижением заявленного технического результата.Thus, the experimental verification of the proposed method showed its efficiency with the achievement of the claimed technical result.
Claims (4)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2017115396A RU2654967C1 (en) | 2017-05-02 | 2017-05-02 | Method of measuring the characteristics of the magnetic field |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2017115396A RU2654967C1 (en) | 2017-05-02 | 2017-05-02 | Method of measuring the characteristics of the magnetic field |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2654967C1 true RU2654967C1 (en) | 2018-05-23 |
Family
ID=62202496
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2017115396A RU2654967C1 (en) | 2017-05-02 | 2017-05-02 | Method of measuring the characteristics of the magnetic field |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2654967C1 (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2691766C1 (en) * | 2018-08-27 | 2019-06-18 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | Method of measuring temperature |
RU190347U1 (en) * | 2018-12-27 | 2019-06-28 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н. Туполева-КАИ" | Integral fiber optic quantum sensor with microwave delivery channel for thermal and magnetometry |
CN110095492A (en) * | 2019-04-18 | 2019-08-06 | 国仪量子(合肥)技术有限公司 | Magnetic field automates adjusting method, computer equipment and medium |
RU2776466C1 (en) * | 2021-11-01 | 2022-07-21 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН) | Optical magnetometer |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009073736A1 (en) * | 2007-12-03 | 2009-06-11 | President And Fellows Of Harvard College | Spin based magnetometer |
RU2601734C1 (en) * | 2015-08-12 | 2016-11-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | Method of measuring magnetic field |
US9551763B1 (en) * | 2016-01-21 | 2017-01-24 | Lockheed Martin Corporation | Diamond nitrogen vacancy sensor with common RF and magnetic fields generator |
-
2017
- 2017-05-02 RU RU2017115396A patent/RU2654967C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009073736A1 (en) * | 2007-12-03 | 2009-06-11 | President And Fellows Of Harvard College | Spin based magnetometer |
RU2601734C1 (en) * | 2015-08-12 | 2016-11-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | Method of measuring magnetic field |
US9551763B1 (en) * | 2016-01-21 | 2017-01-24 | Lockheed Martin Corporation | Diamond nitrogen vacancy sensor with common RF and magnetic fields generator |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
A. Wickenbrock и др. "Microwave-free magnetometry with nitrogen-vacancy centers in diamond", APPLIED PHYSICS LETTERS, т. 109, 2016 г., стр. 053505-1 - 053505-4. * |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2691766C1 (en) * | 2018-08-27 | 2019-06-18 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | Method of measuring temperature |
RU190347U1 (en) * | 2018-12-27 | 2019-06-28 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н. Туполева-КАИ" | Integral fiber optic quantum sensor with microwave delivery channel for thermal and magnetometry |
CN110095492A (en) * | 2019-04-18 | 2019-08-06 | 国仪量子(合肥)技术有限公司 | Magnetic field automates adjusting method, computer equipment and medium |
RU2776466C1 (en) * | 2021-11-01 | 2022-07-21 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН) | Optical magnetometer |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10648933B2 (en) | Methods and apparatus for optically detecting magnetic resonance | |
US9121889B2 (en) | Method and apparatus for implementing EIT magnetometry | |
CN108519564B (en) | Three-axis solid-state atomic magnetic sensor based on diamond NV color center and magnetic field detection method | |
London et al. | Detecting and polarizing nuclear spins with double resonance on a single electron spin | |
US7573264B2 (en) | Atomic magnetic gradiometer for room temperature high sensitivity magnetic field detection | |
JP5264242B2 (en) | Atomic magnetometer and magnetic force measurement method | |
Wood et al. | Wide-band nanoscale magnetic resonance spectroscopy using quantum relaxation of a single spin in diamond | |
RU2661442C2 (en) | Gyroscope at n-v centers in diamonds | |
EP2816367B1 (en) | Single-beam radio frequency atomic magnetometer | |
CN108287322B (en) | Atomic magnetometer without response blind zone and method for measuring external magnetic field by atomic magnetometer | |
WO2015015172A1 (en) | Sensitive detector | |
RU2483316C1 (en) | Method for optical detection of magnetic resonance and apparatus for realising said method | |
Borna et al. | Magnetic source imaging using a pulsed optically pumped magnetometer array | |
Shin et al. | Optically detected nuclear quadrupolar interaction of n 14 in nitrogen-vacancy centers in diamond | |
RU2654967C1 (en) | Method of measuring the characteristics of the magnetic field | |
Zhang et al. | A fast identification on the spin-exchange relaxation-free regime of atomic magnetometer exploiting measurement on gyromagnetic ratio | |
Budoyo et al. | Electron spin resonance with up to 20 spin sensitivity measured using a superconducting flux qubit | |
Colombo et al. | Orientational dependence of optically detected magnetic resonance signals in laser-driven atomic magnetometers | |
US4050009A (en) | Spectrometer for external detection of magnetic and related double resonance | |
Zhao et al. | A calibration method for coil constants using an atomic spin self-sustaining vector magnetometer | |
RU2694798C1 (en) | Method of measuring characteristics of magnetic field | |
Gusarov et al. | Accuracy enhancement of magnetic field distribution measurements within a large cell spin-exchange relaxation-free magnetometer | |
RU2816560C1 (en) | Quantum magnetometer based on n2v-centres in diamond | |
RU2733701C1 (en) | Quantum sensor and methods for measuring transverse component of weak magnetic field (versions) | |
Meinel et al. | Quantum Heterodyne Sensing of Nuclear Spins via Double Resonance |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20190503 |