RU2649047C1 - METHOD FOR OBTAINING A FERROMAGNETIC COMPOSITE AlSb-MnSb - Google Patents
METHOD FOR OBTAINING A FERROMAGNETIC COMPOSITE AlSb-MnSb Download PDFInfo
- Publication number
- RU2649047C1 RU2649047C1 RU2017106593A RU2017106593A RU2649047C1 RU 2649047 C1 RU2649047 C1 RU 2649047C1 RU 2017106593 A RU2017106593 A RU 2017106593A RU 2017106593 A RU2017106593 A RU 2017106593A RU 2649047 C1 RU2649047 C1 RU 2649047C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- composite
- manganese
- aluminum
- mnsb
- alsb
- Prior art date
Links
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 9
- 229910016964 MnSb Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 8
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 10
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 7
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 5
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 12
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 abstract description 10
- LVQULNGDVIKLPK-UHFFFAOYSA-N aluminium antimonide Chemical compound [Sb]#[Al] LVQULNGDVIKLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 abstract 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- 108091064702 1 family Proteins 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000005493 condensed matter Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007850 degeneration Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005307 ferromagnetism Effects 0.000 description 1
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H01L21/203—
Landscapes
- Hard Magnetic Materials (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к созданию новых композиционных материалов, состоящих из полупроводника антимонида алюминия и ферромагнетика антимонида марганца, которые могут найти применение для создания магниточувствительных диодных структур, магнитных переключателей и сенсоров магнитных полей на основе ферромагнитного композита.The invention relates to the field of inorganic chemistry, specifically to the creation of new composite materials consisting of a semiconductor of aluminum antimonide and a ferromagnet manganese antimonide, which can be used to create magnetosensitive diode structures, magnetic switches and magnetic field sensors based on a ferromagnetic composite.
Известны способы получения ферромагнитных композитов на основе полупроводника и ферромагнетика путем непосредственного сплавления указанных соединений в стехиометрическом составе с дальнейшим напылением на подложку или путем совместного напыления полупроводника и ферромагнетика и последующей термической обработки при температуре выше температуры плавления композита. Получают как объемные композиты [I.V. Fedorchenko, L. Kilanski, I. Zakharchuk, P. Geydt, E. Lahderanta, P.N. Vasiliev, N.P. Simonenko, A.N. Aronov, W. Dobrowolski, S.F. Marenkin, Composites based on self-assembled MnAs ferromagnet nanoclusters embedded in ZnSnAs2 semiconductor // Journal of Alloys and Compounds, V. 650, (2015), pp. 277-284], так и пленочные гетероструктуры [Making ferromagnetic heterostructures Si/Zn(1-X)MnXSiAs2 and Ge/Zn(1-X)MnXGeAs2 / I.V. Fedorchenko, A. Rumiantsev, T. Kuprijanova, L. Kilanski, R.A. Szymczak, W. Dobrowolski, L.I. Koroleva // Solid State Phenomena, 2011, Vols. 168-169, 2011, pp. 313-316. - ISSN: 1662-9779].Known methods for producing ferromagnetic composites based on a semiconductor and a ferromagnet by directly fusing these compounds in a stoichiometric composition with further sputtering on a substrate or by co-spraying a semiconductor and a ferromagnet and subsequent heat treatment at a temperature above the melting temperature of the composite. Obtained as bulk composites [IV Fedorchenko, L. Kilanski, I. Zakharchuk, P. Geydt, E. Lahderanta, PN Vasiliev, NP Simonenko, AN Aronov, W. Dobrowolski, SF Marenkin, Composites based on self-assembled MnAs ferromagnet nanoclusters embedded in ZnSnAs 2 semiconductor // Journal of Alloys and Compounds, V. 650, (2015), pp. 277-284], and film heterostructures [Making ferromagnetic heterostructures Si / Zn (1-X) Mn X SiAs 2 and Ge / Zn (1-X) Mn X GeAs 2 / IV Fedorchenko, A. Rumiantsev, T. Kuprijanova, L. Kilanski, RA Szymczak, W. Dobrowolski, LI Koroleva // Solid State Phenomena, 2011, Vols. 168-169, 2011, pp. 313-316. - ISSN: 1662-9779].
К недостаткам указанных методик относится то, что получение композита AlSb-MnSb указанными способами невозможно в принципе, поскольку температура термического разложения антимонида марганца значительно ниже, чем температура плавления получаемого композита, т.е. антимонид марганца перитектически разлагается раньше, чем плавится композит, а значит, способы, основанные на плавлении не пригодны.The disadvantages of these methods include the fact that obtaining an AlSb-MnSb composite by these methods is impossible in principle, since the temperature of thermal decomposition of manganese antimonide is much lower than the melting temperature of the resulting composite, i.e. manganese antimonide peritectically decomposes before the composite melts, which means that methods based on melting are not suitable.
Наиболее близкой по технической сущности являются известные тонкие пленки разбавленного магнитного полупроводника In1-XMnxSb, где х = 0,0025 и 0,0135 [Diluted magnetic semiconductor (In,Mn)Sb: Transport and Magnetic properties, V.M. Ivanov, O.N. Pashkova, V.P. Sanygin, P.M. Sheverdyaeva, V.N. Prudnikov, N.S. Perov, A.G. Padalko // Journal of Magnetism and Magnetic Materials 310 (2007) 2132-2134] (прототип), которые получают из раствора расплава исходного стехиометрического состава.The closest in technical essence are the known thin films of the diluted magnetic semiconductor In 1-X Mn x Sb, where x = 0.0025 and 0.0135 [Diluted magnetic semiconductor (In, Mn) Sb: Transport and Magnetic properties, VM Ivanov, ON Pashkova, VP Sanygin, PM Sheverdyaeva, VN Prudnikov, NS Perov, AG Padalko // Journal of Magnetism and Magnetic Materials 310 (2007) 2132-2134] (prototype), which are obtained from a melt solution of the original stoichiometric composition.
Недостатком прототипа является узкая ширина запрещенной зоны InSb 0,13эВ [Group IV Elements, IV-IV and III-V Compounds. Part b - Electronic, Transport, Optical and Other Properties,Volume 41A1b of the series 
Технической задачей является создание ферромагнитного композита, состоящего из фаз AlSb и MnSb.The technical task is to create a ferromagnetic composite consisting of AlSb and MnSb phases.
Предлагаемое изобретение направлено на изыскание способа получения композита на основе антимонида алюминия с антимонидом марганца, пригодного для создания ферромагнитного материала с высокими значениями температуры Кюри на основе широкозонного полупроводника.The present invention is directed to finding a method for producing a composite based on aluminum antimonide with manganese antimonide, suitable for creating a ferromagnetic material with high Curie temperatures based on wide-gap semiconductor.
Высокотемпературный ферромагнетизм определяется наличием в структуре антимонида марганца, известного ферромагнетика, с температурой Кюри 587К [Electronic and Magnetic Properties of MnSb Compounds, R. Masrour, E.K. Hlil, M. Hamedoun, A. Benyoussef, O. Mounkachi, H.El Moussaoui // Journal of Superconductivity and Novel Magnetism, 2015, V. 28, Issue 6, pp 1815-1819], а большая ширина запрещенной зоны определяется матрицей антимонида алюминия, полупроводника с шириной запрещенной зоны 1.61эВ [The 6.1 
Технический результат достигается тем, что предложен способ получения ферромагнитного композита AlSb-MnSb, заключающийся в том, что поочередно наносят тонкие пленки марганца, сурьмы и алюминия в их стехиометрических соотношениях на диэлектрическую подложку, при этом пленку сурьмы наносят между марганцем и алюминием, далее полученную гетероструктуру подвергают термической обработке в бескислородной среде при температуре от 400 до 450°С в течение 2-4 часов до образования пленки двухфазного композита MnSb-AlSb.The technical result is achieved by the fact that a method for producing an AlSb-MnSb ferromagnetic composite is proposed, which consists in applying thin films of manganese, antimony and aluminum in their stoichiometric proportions on a dielectric substrate, while an antimony film is applied between manganese and aluminum, the resulting heterostructure subjected to heat treatment in an oxygen-free environment at a temperature of from 400 to 450 ° C for 2-4 hours until the formation of a film of a two-phase composite MnSb-AlSb.
Целесообразно, что нанесение тонких пленок металлов на подложку осуществляют методом вакуумно-термического напыления.It is advisable that the deposition of thin films of metals on a substrate is carried out by the method of vacuum thermal spraying.
Целесообразно также, что в качестве диэлектрической подложки используют кремний или сапфир.It is also advisable that silicon or sapphire is used as the dielectric substrate.
Указанный результат достигается также тем, что термическую обработку полученной гетероструктуры осуществляют в вакууме или в инертной среде.The specified result is also achieved by the fact that the heat treatment of the obtained heterostructure is carried out in vacuum or in an inert medium.
Температура термической обработки определяется тем, что при температуре ниже 400°С реакция идет очень медленно, а ввиду мелкодисперсности нанесенных слоев и, как следствие, большой реакционной способности компонентов нагрев выше 450°С может приводить к образованию дополнительных фаз.The temperature of the heat treatment is determined by the fact that at temperatures below 400 ° C the reaction is very slow, and due to the fineness of the deposited layers and, as a consequence, the high reactivity of the components, heating above 450 ° C can lead to the formation of additional phases.
Время термической обработки определяется тем, что при термической обработке менее двух часов при заданных температурах реакция не успевает пройти до конца из-за медленной скорости диффузии, а при отжиге более четырех часов существенных изменений в композите не наблюдается.The time of heat treatment is determined by the fact that when heat treatment is less than two hours at given temperatures, the reaction does not have time to go through due to the slow diffusion rate, and when annealing for more than four hours, there are no significant changes in the composite.
Сущность изобретения состоит в том, что предложен уникальный способ получения композита из тонких пленок марганца, сурьмы и алюминия без достижения температуры плавления собственно композита, что позволяет избежать перитектического разложения антимонида марганца.The essence of the invention lies in the fact that a unique method is proposed for producing a composite from thin films of manganese, antimony and aluminum without reaching the melting temperature of the composite itself, which avoids the peritectic decomposition of manganese antimonide.
Сущность заявляемого изобретения поясняется следующими прилагаемыми иллюстрациями:The essence of the invention is illustrated by the following accompanying illustrations:
Фиг. 1. Микрофотография поверхности гетероструктуры из тонких пленок марганца, сурьмы и алюминия (по данным атомно-силовой микроскопии).FIG. 1. Micrograph of the surface of the heterostructure from thin films of manganese, antimony and aluminum (according to atomic force microscopy).
Фиг. 2. Микрофотография композита AlSb-MnSb после термической обработки гетероструктуры (по данным атомно-силовой микроскопии).FIG. 2. Micrograph of the AlSb-MnSb composite after heat treatment of the heterostructure (according to atomic force microscopy).
Заявляемый композит получали следующим образом:The inventive composite was prepared as follows:
С помощью метода вакуумно-термического напыления на подложку из кремния и сапфира последовательно наносили тонкие пленки сначала марганца, затем сурьмы и алюминия, соответствующие стехиометрическому составу композита. При этом порядок нанесения пленок является существенным условием, т.к. адгезия между пленками алюминия и марганца отсутствует (материал шелушится и отслаивается). Подложки с нанесенными пленками помещали в кварцевые ампулы, которые затем вакуумировали и подвергали термической обработке при температуре от 400 до 450°С от 2 до 4 часов.Using the method of vacuum thermal spraying, thin films of manganese, then antimony and aluminum, corresponding to the stoichiometric composition of the composite, were successively applied to a silicon and sapphire substrate. In this case, the procedure for applying films is an essential condition, since there is no adhesion between aluminum and manganese films (the material peels and peels off). The substrates with the deposited films were placed in quartz ampoules, which were then evacuated and subjected to heat treatment at a temperature of 400 to 450 ° C for 2 to 4 hours.
По данным атомно-силовой микроскопии до термической обработки поверхность гетероструктуры из тонких пленок марганца, сурьмы и алюминия является гладкой, Фиг. 1, а после термообработки наблюдается образование субмикронных, 400-900 нм, кластеров композита MnSb-AlSb Фиг. 2.According to atomic force microscopy, before the heat treatment, the surface of the heterostructure from thin films of manganese, antimony, and aluminum is smooth, FIG. 1, and after heat treatment, the formation of submicron, 400-900 nm, clusters of the MnSb-AlSb composite is observed. FIG. 2.
Таким образом, предлагаемый способ позволяет получать композит на основе антимонида алюминия с антимонидом марганца, пригодного для создания ферромагнитного материала с высокими значениями температуры Кюри и со свойствами широкозонного полупроводника.Thus, the proposed method allows to obtain a composite based on aluminum antimonide with manganese antimonide, suitable for creating a ferromagnetic material with high Curie temperatures and with the properties of a wide-gap semiconductor.
Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017106593A RU2649047C1 (en) | 2017-02-28 | 2017-02-28 | METHOD FOR OBTAINING A FERROMAGNETIC COMPOSITE AlSb-MnSb |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017106593A RU2649047C1 (en) | 2017-02-28 | 2017-02-28 | METHOD FOR OBTAINING A FERROMAGNETIC COMPOSITE AlSb-MnSb |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2649047C1 true RU2649047C1 (en) | 2018-03-29 |
Family
ID=61867064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2017106593A RU2649047C1 (en) | 2017-02-28 | 2017-02-28 | METHOD FOR OBTAINING A FERROMAGNETIC COMPOSITE AlSb-MnSb |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2649047C1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2700896C1 (en) * | 2018-12-07 | 2019-09-23 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН (ИОНХ РАН) | Method of producing a ferromagnetic composite mnsb-gamn-gasb |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU900983A1 (en) * | 1980-04-24 | 1982-01-30 | Ордена Трудового Красного Знамени Институт Проблем Материаловедения Ан Усср | Method of obtaining manganese monoantimonide |
| US20050141147A1 (en) * | 2003-12-24 | 2005-06-30 | Tdk Corporation | Magnetoresistance effect element and magnetic head |
| EA200800197A1 (en) * | 2005-07-01 | 2008-06-30 | Синвеншен Аг | MEDICAL DEVICES CONTAINING NET COMPOSITE MATERIAL |
| RU2465378C1 (en) * | 2011-07-07 | 2012-10-27 | Учреждение Российской Академии Наук Институт Общей И Неорганической Химии Им. Н.С. Курнакова Ран (Ионх Ран) | Magnetic semiconductor material |
-
2017
- 2017-02-28 RU RU2017106593A patent/RU2649047C1/en active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU900983A1 (en) * | 1980-04-24 | 1982-01-30 | Ордена Трудового Красного Знамени Институт Проблем Материаловедения Ан Усср | Method of obtaining manganese monoantimonide |
| US20050141147A1 (en) * | 2003-12-24 | 2005-06-30 | Tdk Corporation | Magnetoresistance effect element and magnetic head |
| EA200800197A1 (en) * | 2005-07-01 | 2008-06-30 | Синвеншен Аг | MEDICAL DEVICES CONTAINING NET COMPOSITE MATERIAL |
| RU2465378C1 (en) * | 2011-07-07 | 2012-10-27 | Учреждение Российской Академии Наук Институт Общей И Неорганической Химии Им. Н.С. Курнакова Ран (Ионх Ран) | Magnetic semiconductor material |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Diluted magnetic semiconductor (In,Mn)Sb: Transport and Magnetic properties, V.M. Ivanov, et al. Journal of Magnetism and Magnetic Materials 310 (2007) 2132-2134. * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2700896C1 (en) * | 2018-12-07 | 2019-09-23 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН (ИОНХ РАН) | Method of producing a ferromagnetic composite mnsb-gamn-gasb |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Zheng et al. | Optoelectronic characteristics of a near infrared light photodetector based on a topological insulator Sb 2 Te 3 film | |
| He et al. | Review of 3D topological insulator thin‐film growth by molecular beam epitaxy and potential applications | |
| Ishikawa et al. | Fabrication of fully epitaxial Co2MnSi∕ MgO∕ Co2MnSi magnetic tunnel junctions | |
| US10543545B2 (en) | Method of initializing multiferroic element | |
| CN105951055B (en) | A kind of preparation method of two dimension tin alkene material | |
| RU2649047C1 (en) | METHOD FOR OBTAINING A FERROMAGNETIC COMPOSITE AlSb-MnSb | |
| Tomaka et al. | High-temperature stability of electron transport in semiconductors with strong spin-orbital interaction | |
| Ichinokura et al. | Vortex-induced quantum metallicity in the mono-unit-layer superconductor NbS e 2 | |
| US9613905B2 (en) | Electronic interconnects and devices with topological surface states and methods for fabricating same | |
| Hamaya et al. | Finely Controlled Approaches to Formation of Heusler-Alloy/Semiconductor Heterostructures for Spintronics | |
| Watanabe et al. | Emergence of interfacial conduction and ferromagnetism in MnTe/InP | |
| Twardowski | Diluted magnetic III-V semiconductors | |
| Kilanski et al. | Zn_1-x(Mn,Co)_xGeAs_2 Ferromagnetic Semiconductor: Magnetic and Transport Properties | |
| McFadden et al. | Oxygen migration in epitaxial CoFe/MgO/Co2MnSi magnetic tunnel junctions | |
| JP2008047624A (en) | Anti-ferromagnetic half metallic semiconductor | |
| JP2006517175A (en) | Ferromagnetic material | |
| Lou et al. | Flexoelectronic doping of degenerate silicon and correlated electron behavior | |
| Kochura et al. | Magnetotransport properties of InSb-MnSb nanostructured films | |
| RU2633538C1 (en) | Magnetic-sensitive composite | |
| Zhang et al. | Growth and properties of magnetic two-dimensional transition-metal chalcogenides | |
| RU2700896C1 (en) | Method of producing a ferromagnetic composite mnsb-gamn-gasb | |
| Kochura et al. | Growth and magnetic properties of Mn‐doped ZnSiAs2/Si heterostructures | |
| Druzhinin et al. | Weak Localization in GaSb Whiskers under Strain Influence | |
| Reisi et al. | The Study of Half-Metallicity in Zincblende CrBi (001) and VBi (001) Surfaces and CrBi/InSb (001) and VBi/InSb (001) Interfaces | |
| Novotortsev et al. | New ferromagnetic material based on ZnSiAs 2 containing manganese |