RU2648295C1 - Method for manufacturing electrically isolated microcircuit resistors - Google Patents
Method for manufacturing electrically isolated microcircuit resistors Download PDFInfo
- Publication number
- RU2648295C1 RU2648295C1 RU2017100827A RU2017100827A RU2648295C1 RU 2648295 C1 RU2648295 C1 RU 2648295C1 RU 2017100827 A RU2017100827 A RU 2017100827A RU 2017100827 A RU2017100827 A RU 2017100827A RU 2648295 C1 RU2648295 C1 RU 2648295C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- kev
- helium ions
- gallium arsenide
- dose
- resistors
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 10
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims abstract description 30
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- -1 helium ions Chemical class 0.000 claims abstract description 28
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 13
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 21
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 12
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000010668 complexation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000010893 electron trap Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/075—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способу изготовления электрически изолированных резисторов микросхем на арсениде галлия с высокой термостабильностью.The invention relates to microelectronics, and in particular to a method for manufacturing electrically isolated resistors of microcircuits on gallium arsenide with high thermal stability.
Известен способ изготовления резистивных слоев микросхем облучением протонами [Патент США №4196228, H01L 21/425, 1980] с энергией до 100 кэВ и дозой потока протонов 3-6 мкКл/см2, причем тонкий имплантированный поверхностный слой формируется при низких температурах.A known method of manufacturing resistive layers of microcircuits by irradiation with protons [US Patent No. 4196228, H01L 21/425, 1980] with an energy of up to 100 keV and a dose of proton flux of 3-6 μC / cm 2 , and a thin implanted surface layer is formed at low temperatures.
Недостатком этого способа является низкая термическая стабильность изготавливаемых резистивных слоев.The disadvantage of this method is the low thermal stability of the manufactured resistive layers.
Известен способ модифицирования полупроводников пучками протонов для создания омических контактов к материалам AIIIBV (Козловский В.В., Козлов В.А., Ломасов В.Н. Модифицирование полупроводников пучками протонов // Физика и техника полупроводников, 2000. - Т. 34. - Вып. 10. - с. 22-28).A known method of modifying semiconductors with proton beams to create ohmic contacts to materials A III B V (Kozlovsky V.V., Kozlov V.A., Lomasov V.N. Modification of semiconductors with proton beams // Physics and Technology of Semiconductors, 2000. - T. 34. -
Разработанная радиационная технология обеспечивает возможность с высокой точностью и воспроизводимостью управлять процессом формирования в кристаллах скрытых высокоомных слоев.The developed radiation technology provides the ability to control the formation of hidden high-resistance layers in crystals with high accuracy and reproducibility.
Недостатком разработанного способа является низкое пробивное напряжение и необходимость проведения дополнительного постимплантационного отжига изолирующих слоев.The disadvantage of the developed method is the low breakdown voltage and the need for additional post-implantation annealing of the insulating layers.
Наиболее близким к предлагаемому изобретению является способ изготовления электрически изолированных резистивных элементов микросхем [Козейкин Б.В., Перинский В.В. и др. Ионно-лучевая технология пассивных интегральных схем СВЧ на арсениде галлия: обзоры по электронной технике, серия 7 «Технология, организация производства и оборудование» / Б.В. Козейкин, В.В. Перинский и др. Москва: ЦНИИ «Электроника», 1990. Вып. 12(1548). С. 30-40], заключающийся в том, что после формирования контактных площадок на эпитаксиальных структурах арсенида галлия проводят внедрение ионов аргона, кислорода, водорода с энергией от 60 до 120 кэВ и в интервале доз 0-3000 мкКл/см2.Closest to the proposed invention is a method for the manufacture of electrically isolated resistive elements of microcircuits [Koseikin BV, Perinsky VV et al. Ion-beam technology of passive integrated circuits microwave on gallium arsenide: reviews on electronic technology, series 7 "Technology, organization of production and equipment" / B.V. Kozeikin, V.V. Perinsky et al. Moscow: Central Research Institute "Electronics", 1990. Issue. 12 (1548). S. 30-40], which consists in the fact that after the formation of contact pads on the epitaxial structures of gallium arsenide, the introduction of ions of argon, oxygen, hydrogen with an energy of 60 to 120 keV and in the dose range of 0-3000 µC / cm 2 .
Недостатком данного изобретения является низкая термостабильность резисторов и низкое пробивное напряжение изолирующих слоев.The disadvantage of this invention is the low thermal stability of the resistors and low breakdown voltage of the insulating layers.
Задача изобретения заключается в расширении технологических возможностей при проектировании микросхем.The objective of the invention is to expand technological capabilities in the design of microcircuits.
Технический результат заключается в увеличении термостабильности и повышении пробивного напряжения изолирующих слоев микросхем на арсениде галлия.The technical result consists in increasing the thermal stability and increasing the breakdown voltage of the insulating layers of microcircuits on gallium arsenide.
Поставленная задача решается тем, что при осуществлении способа изготовления электрически изолированных резисторов микросхем с высокой термостабильностью, заключающегося в изготовлении контактных площадок на эпитаксиальных структурах арсенида галлия, нанесении маски фоторезиста, новым является то, что после изготовления контактных площадок на поверхности эпитаксиальных структур арсенида галлия проводят внедрение ионов гелия с энергией 30-150 кэВ и дозой 1,2-1,4 мкКл/см2 для формирования областей изоляции; после нанесения маски фоторезиста формируют окна в фоторезистивной маске и осуществляют повторное внедрение ионов гелия с энергией 30-150 кэВ и дозой 6-12 мкКл/см2.The problem is solved in that when implementing the method of manufacturing electrically isolated resistors of microcircuits with high thermal stability, which consists in the manufacture of contact pads on epitaxial structures of gallium arsenide, the application of a photoresist mask, it is new that after the introduction of contact pads on the surface of epitaxial structures of gallium arsenide helium ions with an energy of 30-150 keV and a dose of 1.2-1.4 μC / cm 2 for the formation of isolation areas; after applying the photoresist mask, windows are formed in the photoresist mask and the helium ions are reintroduced with an energy of 30-150 keV and a dose of 6-12 μC / cm 2 .
Изобретение поясняется чертежами (фиг. 1 - фиг. 10), где на фиг. 1 представлена эпитаксиальная структура арсенида галлия до и после внедрения ионов гелия (He+), образующих области изоляции; на фиг. 2 представлена эпитаксиальная структура арсенида галлия после формирования окон в фоторезистивной маске и повторного внедрения ионов гелия (He+), образующих собственно резисторы; на фиг. 3 - эпитаксиальная структура арсенида галлия с резистором между контактными площадками, лежащим в слое изоляции; на фиг. 4 приведена зависимость электрического сопротивления эпитаксиального слоя арсенида галлия от дозы внедренных ионов гелия с энергией: Δ-E=30 кэВ; •-150 кэВ; на фиг. 5 - зависимость сопротивления от энергии ионов гелия: о - область изоляции (Ф=1,2 мкКл/см2); Δ - собственно сопротивление (Ф=6 мкКл/см2); на фиг. 6 - зависимость толщины нарушенного слоя от дозы ионов гелия: Δ-Е=150 кэВ; •-Е=30 кэВ; на фиг. 7 показана зависимость пробивного напряжения (Vпр) изолирующего слоя от дозы (Ф) ионов гелия (о-Е=30 кэВ, ток утечки Iут=10 мкА, без дополнительной термообработки; Δ-Е=30 кэВ, ток утечки Iут=10 мкА, термообработка +300°C); на фиг. 8 показана зависимость пробивного напряжения (Vпр) резисторов от температуры отжига (время отжига 60 мин) (Δ-Е=30 кэВ, Ф=8 мкКл/см2; •-Е=30 кэВ, Ф=12 мкКл/см2; о-Е=150 кэВ, Ф=8 мкКл/см2; □-Е=150 кэВ, Ф=12 мкКл/см2); на фиг. 9 показана зависимость пробивного напряжения (Vпр) изолирующего слоя от дозы: • - протонов (H+); Е=50 кэВ; ток утечки Iут=10 мкА; Δ - ионов гелия (He+); Е=30 кэВ; ток утечки Iут=10 мкА; □ - ионов гелия (He+); Е=150 кэВ; ток утечки Iут=10 мкА; на фиг. 10 показана зависимость пробивного напряжения (Vпр) резисторов, изготовленных: • - протонным облучением; Е=50 кэВ; Ф=12 мкКл/см2; Δ - облучением ионами гелия; Е=30 кэВ; Ф=12 мкКл/см2 от температуры отжига (время отжига 60 мин); □ - облучением ионами гелия; Е=150 кэВ; Ф=12 мкКл/см2 от температуры отжига (время отжига 60 мин). Позициями на чертежах 1-3 обозначены: 1 - полуизолирующая подложка; 2 - эпитаксиальный слой арсенида галлия; 3 - контактные площадки; 4 - области изоляции после внедрения ионов гелия; 5 - фоторезистивная маска; 6 - резистор, образованный после повторного внедрения ионов гелия.The invention is illustrated by drawings (FIG. 1 - FIG. 10), where in FIG. 1 shows the epitaxial structure of gallium arsenide before and after the introduction of helium ions (He + ), which form the region of isolation; in FIG. Figure 2 shows the epitaxial structure of gallium arsenide after the formation of windows in a photoresist mask and the reintroduction of helium ions (He + ), which form the actual resistors; in FIG. 3 - epitaxial structure of gallium arsenide with a resistor between the contact pads lying in the insulation layer; in FIG. Figure 4 shows the dependence of the electrical resistance of the gallium arsenide epitaxial layer on the dose of embedded helium ions with energy: Δ-E = 30 keV; • -150 keV; in FIG. 5 - dependence of resistance on the energy of helium ions: o - insulation region (Ф = 1.2 μC / cm 2 ); Δ is the actual resistance (Ф = 6 μC / cm 2 ); in FIG. 6 - dependence of the thickness of the damaged layer on the dose of helium ions: Δ-E = 150 keV; • -E = 30 keV; in FIG. 7 shows the dependence of the breakdown voltage (V CR ) of the insulating layer on the dose (Ф) of helium ions (о-Е = 30 keV, leakage current I ut = 10 μA, without additional heat treatment; Δ-Е = 30 keV, leakage current I ut = 10 μA, heat treatment + 300 ° C); in FIG. Figure 8 shows the dependence of the breakdown voltage (V ol ) of the resistors on the annealing temperature (annealing time of 60 min) (Δ-Е = 30 keV, Ф = 8 μC / cm 2 ; • -E = 30 keV, Ф = 12 μC / cm 2 ; o-E = 150 keV, F = 8 μC / cm 2 ; □ -E = 150 keV, F = 12 μ C / cm 2 ); in FIG. 9 shows the dependence of the breakdown voltage (V ol ) of the insulating layer on the dose: • - protons (H + ); E = 50 keV; leakage current I ut = 10 μA; Δ - helium ions (He + ); E = 30 keV; leakage current I ut = 10 μA; □ - helium ions (He + ); E = 150 keV; leakage current I ut = 10 μA; in FIG. 10 shows the dependence of the breakdown voltage (V CR ) of resistors manufactured by: • - proton irradiation; E = 50 keV; F = 12 μC / cm 2 ; Δ - irradiation with helium ions; E = 30 keV; F = 12 μC / cm 2 from the annealing temperature (annealing time of 60 min); □ - irradiation with helium ions; E = 150 keV; Ф = 12 μC / cm 2 from the annealing temperature (annealing time of 60 min). Positions in the drawings 1-3 are indicated: 1 - semi-insulating substrate; 2 - epitaxial layer of gallium arsenide; 3 - contact pads; 4 - areas of isolation after the introduction of helium ions; 5 - photoresistive mask; 6 - a resistor formed after the reintroduction of helium ions.
Способ осуществляют следующим образом.The method is as follows.
В качестве исходного материала используют эпитаксиальные структуры арсенида галлия с толщиной эпитаксиального слоя 0,3÷0,4 мкм и концентрацией электронов 2⋅1016 см-3. Контактные площадки 3 изготавливают методом вакуумного напыления алюминия толщиной 0,3 мкм с последующей фотолитографией (фиг. 1a) по стандартной технологии. Изолирующие области 4 между контактными площадками 3 создают внедрением ионов гелия на установке ионного легирования типа «Везувий» с энергией 30-150 кэВ и дозой 1,2-1,4 мкКл/см2 (фиг. 1б).As the starting material, the epitaxial structures of gallium arsenide are used with an epitaxial layer thickness of 0.3 ÷ 0.4 μm and an electron concentration of 2⋅10 16 cm -3 .
Области резисторов 6 выделяют формированием окон в фоторезистивной маске 5 из ФП-383 толщиной 1 мкм и повторно внедряют ионы гелия с энергией 30 кэВ (150 кэВ) и дозой 8 мкКл/см2 (12 мкКл/см2) (фиг. 2). В результате получают резисторы 6 с сопротивлением R=320 Ом (380 Ом) электрически изолированные от других резисторов 6 в плоскости эпитаксиальной структуры 2 слоем с удельным сопротивлением 106 Ом⋅см (фиг. 3, 4).The regions of resistors 6 are isolated by forming windows in a
Экспериментально полученными оптимальными дозами ионов гелия, необходимыми для получения электрически изолированных резисторов 6 являются 8-12 мкКл/см2 с энергией 30-150 кэВ, так как при дозах ионов гелия 8-12 мкКл/см2 электронное торможение является преобладающим процессом для ионов гелия, энергия которых в пределах 30-150 кэВ в арсениде галлия (фиг. 5).The experimentally obtained optimal doses of helium ions necessary to obtain electrically isolated resistors 6 are 8-12 μC / cm 2 with an energy of 30-150 keV, since at doses of helium ions 8-12 μC / cm 2 electronic braking is the predominant process for helium ions whose energy is in the range of 30-150 keV in gallium arsenide (Fig. 5).
*среднее значение номинала сопротивления; усреднение проведено для каждого режима группе из 50 резисторов; разброс номинала по каждой группе не превышает ±3%.* the average value of the nominal resistance; averaging was carried out for each mode for a group of 50 resistors; the range of the nominal for each group does not exceed ± 3%.
Зная (Козловский В.В., Козлов В.А., Ломасов В.Н. Модифицирование полупроводников пучками протонов // Физика и техника полупроводников, 2000. - Т. 34. - Вып. 10. - с. 22-28) характер распределения вводимых облучением дефектов, а также зависимость толщины нарушенного слоя от дозы ионов гелия (фиг. 6), определяем условия, при которых в ограниченной по горизонтали области кристалла арсенида галлия образуется слой с высокой плотностью радиационных дефектов.Knowing (Kozlovsky VV, Kozlov VA, Lomasov VN Modification of semiconductors by proton beams // Physics and Technology of Semiconductors, 2000. - V. 34. -
Методом измерения вольт-фарадных характеристик и емкостной переходной спектроскопии имплантированных ионами гелия слоев найдены четыре ловушки электронов с энергией активации 0,79; 0,65; 0,32; 0,27 эВ (Козловский В.В., Козлов В.А., Ломасов В.Н. Модифицирование полупроводников пучками протонов // Физика и техника полупроводников, 2000. - Т. 34. - Вып. 10. - с. 22-28), причем два наиболее глубоких центра доминируют при высоких дозах облучения 8-12 мкКл/см2, а при протонном облучении этого не наблюдается.Four electron traps with an activation energy of 0.79 were found by measuring the capacitance-voltage characteristics and capacitive transition spectroscopy of layers implanted with helium ions; 0.65; 0.32; 0.27 eV (Kozlovsky V.V., Kozlov V.A., Lomasov V.N. Modification of semiconductors by proton beams // Physics and Technology of Semiconductors, 2000. - V. 34. -
Результаты экспериментов по влиянию дозы ионов на параметры изолирующих областей и термообработки на параметры резисторов представлены на фиг. 7, 8.The results of experiments on the effect of ion dose on the parameters of insulating regions and heat treatment on the parameters of resistors are presented in FIG. 7, 8.
Заметное возрастание пробивного напряжения арсенида галлия, подвергнутого имплантации ионов гелия, наблюдается при дозе ионов гелия выше 0,4 мкКл/см2. В интервале 0,2-0,8 мкКл/см2 происходит монотонное увеличение Vпр от исходного значения до 300 В (в зависимости от исходных параметров эпитаксиального слоя). Как и следовало ожидать, в области Ф≥1,2-1,4 мкКл/см2 наклон дозовой зависимости уменьшается, зависимость стремится к насыщению с абсолютным значением сопротивления изолирующих областей 5⋅105-106 Ом (фиг. 4).A noticeable increase in the breakdown voltage of gallium arsenide subjected to implantation of helium ions is observed at a dose of helium ions above 0.4 μC / cm 2 . In the range of 0.2-0.8 μC / cm 2 there is a monotonic increase in V CR from the initial value to 300 V (depending on the initial parameters of the epitaxial layer). As one would expect, in the region Ф≥1.2-1.4 µC / cm 2 the slope of the dose dependence decreases, the dependence tends to saturate with the absolute value of the resistance of the
Как следует из этих данных, параметры полученных имплантацией ионов гелия изолирующих слоев термостабильны до температуры ~500°C и практически не изменяются после часового отжига. При температуре 300°C термообработка увеличивает пробивное напряжение изолирующих областей арсенида галлия в 1,5 раза. Уместно предположить, что низкотемпературный отжиг приводит к распаду нестабильных радиационных нарушений, отжигу и миграции быстро диффундирующих дефектов на стоки.As follows from these data, the parameters obtained by implantation of helium ions of the insulating layers are thermostable to a temperature of ~ 500 ° C and practically do not change after annealing for an hour. At a temperature of 300 ° C, heat treatment increases the breakdown voltage of the insulating regions of gallium arsenide by 1.5 times. It is appropriate to assume that low-temperature annealing leads to the decay of unstable radiation disturbances, annealing, and the migration of rapidly diffusing defects to drains.
Таким образом, разработан способ изготовления электрически изолированных резисторов при температурной обработке до 500°C, причем зависимость сопротивления и пробивного напряжения от дозы ионов гелия свидетельствует об отжиге некоторых центров в запрещенной зоне арсенида галлия либо их комплексообразовании; после отжига стабилизировались дефекты с энергией активации проводимости 0,08 и 0,66 эВ, по-видимому, образующие донорно-акцепторную связь с химическими примесями кристалла, что обеспечивает увеличение термостабильности и повышение пробивного напряжения изолирующих слоев арсенида галлия и, следовательно, расширяет возможности при проектировании микросхем (фиг. 9, 10).Thus, a method has been developed for the manufacture of electrically isolated resistors during heat treatment up to 500 ° C, and the dependence of the resistance and breakdown voltage on the dose of helium ions indicates annealing of some centers in the forbidden zone of gallium arsenide or their complexation; after annealing, defects with a conductivity activation energy of 0.08 and 0.66 eV stabilized, apparently forming a donor – acceptor bond with the chemical impurities of the crystal, which ensures an increase in thermal stability and an increase in the breakdown voltage of the insulating layers of gallium arsenide and, therefore, expands the possibilities for chip design (Fig. 9, 10).
Предлагаемое техническое решение позволяет получать электрически изолированные резисторы микросхем на арсениде галлия необходимого номинала термостабильностью до 500°C, изолированные имплантированными ионами гелия слоями изоляции с пробивным напряжением до 450 В.The proposed technical solution allows to obtain electrically isolated resistors of microcircuits on gallium arsenide of the required value with thermal stability up to 500 ° C, insulated with implanted helium ions insulation layers with breakdown voltage up to 450 V.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017100827A RU2648295C1 (en) | 2017-01-10 | 2017-01-10 | Method for manufacturing electrically isolated microcircuit resistors |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017100827A RU2648295C1 (en) | 2017-01-10 | 2017-01-10 | Method for manufacturing electrically isolated microcircuit resistors |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2648295C1 true RU2648295C1 (en) | 2018-03-23 |
Family
ID=61708054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2017100827A RU2648295C1 (en) | 2017-01-10 | 2017-01-10 | Method for manufacturing electrically isolated microcircuit resistors |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2648295C1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022005786A1 (en) * | 2020-06-30 | 2022-01-06 | Texas Instruments Incorporated | Gate implant for reduced resistance temperature coefficient variability |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4196228A (en) * | 1978-06-10 | 1980-04-01 | Monolithic Memories, Inc. | Fabrication of high resistivity semiconductor resistors by ion implanatation |
| US4298401A (en) * | 1978-12-28 | 1981-11-03 | International Business Machines Corp. | Breakdown voltage resistor obtained through a double ion-implantation into a semiconductor substrate, and manufacturing process of the same |
| EP0345741A2 (en) * | 1988-06-07 | 1989-12-13 | Oki Electric Industry Company, Limited | Method for manufacturing a semiconductive resistor |
| RU2087961C1 (en) * | 1994-05-10 | 1997-08-20 | Научно-производственное предприятие "ВНИИРА-МИКРО" | Nonlinear semiconductor resistor |
| RU2367062C1 (en) * | 2008-05-15 | 2009-09-10 | Общество с ограниченной ответственностью "Сенсор" | Semiconductor resistor |
| JP2012134195A (en) * | 2010-12-20 | 2012-07-12 | New Japan Radio Co Ltd | Semiconductor device manufacturing method |
-
2017
- 2017-01-10 RU RU2017100827A patent/RU2648295C1/en active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4196228A (en) * | 1978-06-10 | 1980-04-01 | Monolithic Memories, Inc. | Fabrication of high resistivity semiconductor resistors by ion implanatation |
| US4298401A (en) * | 1978-12-28 | 1981-11-03 | International Business Machines Corp. | Breakdown voltage resistor obtained through a double ion-implantation into a semiconductor substrate, and manufacturing process of the same |
| EP0345741A2 (en) * | 1988-06-07 | 1989-12-13 | Oki Electric Industry Company, Limited | Method for manufacturing a semiconductive resistor |
| RU2087961C1 (en) * | 1994-05-10 | 1997-08-20 | Научно-производственное предприятие "ВНИИРА-МИКРО" | Nonlinear semiconductor resistor |
| RU2367062C1 (en) * | 2008-05-15 | 2009-09-10 | Общество с ограниченной ответственностью "Сенсор" | Semiconductor resistor |
| JP2012134195A (en) * | 2010-12-20 | 2012-07-12 | New Japan Radio Co Ltd | Semiconductor device manufacturing method |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022005786A1 (en) * | 2020-06-30 | 2022-01-06 | Texas Instruments Incorporated | Gate implant for reduced resistance temperature coefficient variability |
| US11581399B2 (en) | 2020-06-30 | 2023-02-14 | Texas Instruments Incorporated | Gate implant for reduced resistance temperature coefficient variability |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Zaininger et al. | Radiation resistance of Al 2 O 3 MOS devices | |
| KR20160150035A (en) | Method for using heated substrates for process chemistry control | |
| US3796929A (en) | Junction isolated integrated circuit resistor with crystal damage near isolation junction | |
| JP2014033200A (en) | Device having reduced bias temperature instability (bti) | |
| RU2648295C1 (en) | Method for manufacturing electrically isolated microcircuit resistors | |
| US3540925A (en) | Ion bombardment of insulated gate semiconductor devices | |
| US4013483A (en) | Method of adjusting the threshold voltage of field effect transistors | |
| Webber et al. | The measurement of electrical activity and hall mobility of boron and phosphorus ion-implanted layers in silicon | |
| US4290825A (en) | Semiconductor devices containing protons and deuterons implanted regions | |
| Spitzer et al. | Electrical and optical properties of proton‐bombarded gallium phosphide | |
| JPS6388839A (en) | Manufacture of dielectrically isolated device with buried conductive layer | |
| US3999209A (en) | Process for radiation hardening of MOS devices and device produced thereby | |
| US4701422A (en) | Method of adjusting threshold voltage subsequent to fabrication of transistor | |
| US3946419A (en) | Field effect transistor structure for minimizing parasitic inversion and process for fabricating | |
| Sriram et al. | An experimental study of backgating effects in GaAs MESFETs | |
| JP3949192B2 (en) | Method for manufacturing diamond semiconductor device | |
| Hattori et al. | Electrical properties of InPxOy‐InP metal‐insulator‐semiconductor structures | |
| JP4851117B2 (en) | Semiconductor device and driving method thereof | |
| Huang et al. | Implant Isolation of Silicon Two-Dimensional Electron Gases at 4.2 K | |
| Chatterjee et al. | Electrical properties of be-implanted GaA1-xPx | |
| JP2520870B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| Taylor | Electron-beam-induced conductivity and related processes in insulating films | |
| CN114530377B (en) | MOSFET device integrated with PiN structure temperature sensor and preparation method thereof | |
| Cembali et al. | A technique to obtain deep penetrating ohmic contacts for electrical measurements on ion implanted silicon | |
| RU2198451C2 (en) | Method for insulating integrated-circuit components |