RU2646547C1 - Фотопреобразователь лазерного излучения - Google Patents
Фотопреобразователь лазерного излучения Download PDFInfo
- Publication number
- RU2646547C1 RU2646547C1 RU2016145473A RU2016145473A RU2646547C1 RU 2646547 C1 RU2646547 C1 RU 2646547C1 RU 2016145473 A RU2016145473 A RU 2016145473A RU 2016145473 A RU2016145473 A RU 2016145473A RU 2646547 C1 RU2646547 C1 RU 2646547C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- gaas
- wide
- gap
- thickness
- Prior art date
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 22
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical group [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 11
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 9
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 2
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 MOS hydride Chemical class 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/0304—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Фотопреобразователь лазерного излучения включает подложку (1) из n-GaAs, на которую последовательно нанесены слой (2) тыльного барьера из n-AlGaAs, базовый слой (3) из n-GaAs, эмиттерный слой (4) из p-GaAs, слой (5) широкозонного окна из n-AlxGa1-xAs, широкозонный стоп-слой (6) из n-AlyGa1-yAs и контактный подслой (7) из p-GaAs. Толщина слоя (5) широкозонного окна из n-AlxGa1-xAs, где 0,15<x<0,25, составляет не менее 1 мкм, а в широкозонном стоп-слое (6) из n-AlyGa1-yAs концентрация у алюминия составляет 0,6<y<0,7. Фотодетектор согласно изобретению обладает высоким уровнем квантовой эффективности в диапазоне 800-860 нм, а также пониженным последовательным сопротивлением. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.
Description
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано для создания фотопреобразователей (ФП) лазерного излучения.
Как показывают теоретические данные, эффективность преобразования монохроматического (в частности, лазерного) излучения в диапазоне длин волн 0,8-86 мкм для фотопреобразователей на основе GaAs может достигать 85-87% при мощности падающего излучения 100 Вт/см2. Таким образом, задача улучшения характеристик ФП лазерного излучения, таких как квантовый выход и КПД, является весьма актуальной для современной электроники и фотоники.
Известен фотопреобразователь лазерного излучения на основе GaAs (см. Tiqiang Shan, Xinglin Qi, Design and optimization of GaAs photovoltaic converter for laser power beaming, 2015, м. 71, p. 144-150), включающий подложку из n-GaAs толщиной 350 мкм (концентрация электронов Nn=5⋅1018 см-3), буферный слой из n-GaAs толщиной 1 мкм (Nn=5⋅1018 см-3), слой тыльного потенциального барьера из n-AlGaAs толщиной 0,05 мкм (Nn=5⋅1018 см-3), базовый слой из n-GaAs толщиной 3,5 мкм (Nn=1⋅1017 см-3), эмиттерный слой из p-GaAs толщиной 0,5 мкм (концентрация дырок Np=2⋅1018 см-3), слой широкозонного окна из p-GaInP толщиной 0,05 мкм (Np=5⋅1018 см-3), контактный слой из p+-GaAs толщиной 0,5 мкм (Np=5⋅1019 см-3), который впоследствии вытравливают на фоточувствительной области ФП, тыльный и лицевой омические контакты, двухслойное антиотражающее покрытие из TiO2/SiO2 для спектрального диапазона 810-840 нм. Эффективность таких элементов составила 53,2% при мощности падающего излучения 5 Вт/см2 для длины волны 808 нм.
Недостатком известного фотопреобразователя является высокое последовательное сопротивление растекания, связанное с малой толщиной слоя широкозонного окна, что обеспечивает его работоспособность только до мощности 5 Вт/см2.
Известен фотопреобразователь лазерного излучения на основе GaAs (см. E. Oliva, F. Dimroth and A.W. Bett. Converters for High Power Densities of Laser Illumination. - Prog. Photovolt: Res. Appl., 2008, 16:289-295), содержащий подложку из n-GaAs, слой тыльного потенциального барьера из n+-GaInP (Nn=8⋅1018 см-3), базовый слой из n-GaAs, эмиттерный слой из p-GaAs, слой широкозонного окна из p+-GaInP и контактный слой из p+-Al0,5GaAs (Np=1,5⋅1019 см-3) или из p++-Al0,5GaInAs (Np=1⋅1020 см-3), который впоследствии вытравливают на фоточувствительной области ФП, тыльный контакт из Pd/Ge к n-GaAs, лицевой контакт из слоев Ti/Pd/Ag и антиотражающее покрытие из двух слоев: TaOx и MgF2. Эффективность таких фотопреобразователей варьируется от 52% до 54,9% при интенсивности падающего излучения 10-20 Вт/см2 для длины волны 810 нм.
К недостатку известного фотопреобразователя относится усложненная технология его изготовления (использование большого количества разных газов для выращивания слоев разного элементного состава, а следовательно, повышенные требования к очистке реактора от нежелательных примесей). Кроме того, в случае использования широкозонного контактного слоя p+-Al0,5GaAs может увеличиваться последовательное сопротивление структуры из-за большого переходного сопротивления металл-полупроводник.
Наиболее близким к настоящему техническому решению по совокупности существенных признаков является фотопреобразователь лазерного излучения (см. патент RU 2547004, МПК H01L 31/18, опубл. 10.04.2015), принятый за прототип и включающий подложку из n-GaAs, легированную оловом, буферный слой из n-GaAs толщиной не менее 10 мкм, легированный оловом или теллуром, базовый слой из n-GaAs толщиной 3-5 мкм, легированный оловом или теллуром, эмиттерный слой из p-GaAs толщиной 1,5-2,0 мкм, легированный магнием, слой из p-AlxGa1-xAs толщиной 3-30 мкм, легированный магнием или германием, при x=0,3-0,4 в начале роста слоя и при x=0,10-0,15 в приповерхностной области слоя, тыльный омический контакт из Au(Ge)/Au, лицевой омический контакт из Cr/Au и двухслойное антиотражающее покрытие (ZnS/MgF2).
Недостатками известного фотодетектора лазерного излучения является неполное собирание фотогенерированных носителей из базового слоя и высокое последовательное сопротивление, связанное с необходимостью нанесения верхнего металлического контакта непосредственно на слой широкозонного окна, содержащего алюминий.
Задачей настоящего решения является создание такого фотодетектора лазерного излучения, который обладал бы высоким уровнем квантовой эффективности в диапазоне 800-860 нм, а также пониженным последовательным сопротивлением, что обеспечит повышение его КПД, а также возможность увеличения преобразуемой мощности лазерного излучения.
Поставленная задача достигается тем, что фотодетектор лазерного излучения включает полупроводниковую подложку из n-GaAs, на которую последовательно нанесены слой тыльного барьера из n-AlGaAs, базовый слой из n-GaAs, эмиттерный слой из p-GaAs, слой широкозонного окна из p-AlxGa1-xAs толщиной не менее 1 мкм, где 0,15<х<0,25, широкозонный стоп-слой из p-AlyGa1-yAs, где 0,6<y<0,7, и контактный подслой из p-GaAs.
Новым в настоящем фотопреобразователе является введение в структуру слоя тыльного потенциального барьера из n-AlxGa1-xAs, а также введение широкозонного стоп-слоя из p-AlyGa1-yAs, где 0,6<y<0,7, для травления контактного подслоя. Наличие тыльного барьера позволяет обеспечить полное собирание носителей, генерируемых в базовом слое. Наличие широкозонного стоп-слоя из p-AlyGa1-yAs, где 0,6<у<0,7, позволяет выполнить слой широкозонного окна из AlGaAs с малым содержанием алюминия, характеризующегося большей подвижностью носителей заряда и большей удельной проводимостью, что снижает сопротивление растекания фотодетектора. Кроме того, наличие широкозонного стоп-слоя из p-AlyGa1-yAs, позволяет использовать контактный подслой из GaAs, который обладаем очень малым переходным сопротивлением с металлическими контактами, что также понижает последовательное сопротивление структуры. Это условие не выполняется в фотодетекторе-прототипе, где отсутствие селективности для травления контактного подслоя приводит к необходимости осаждать металлический контакт непосредственно на слой широкозонного окна, обладающего большим переходным сопротивлением с металлическим контактом.
Концентрация алюминия в слое широкозонного окна 0,15<x<0,25 обусловлена тем, что при меньшей концентрации возможен заброс фотогенерированных носителей заряда в слой широкозонного окна, где они могут рекомбинировать, не давая вклад в фототок. При концентрации алюминия более 0,25 уменьшение подвижности носителей заряда будет приводить к заметному росту его удельного сопротивления. Толщина слоя широкозонного окна обусловлена тем, что при толщине слоя менее 1 мкм его сопротивление будет больше, чем сопротивление эмиттера, и слой широкозонного окна не будет эффективно способствовать растеканию носителей заряда, так как растекание будет в основном проходить через слой эмиттера. При содержании в стоп-слое Al менее 0,6 не будет обеспечиваться эффективная селективность для травления контактного подслоя, а в случае увеличения концентрации y>0,7, стоп-слой будет иметь тенденцию к деградации вследствие окисления из-за большого содержания алюминия.
В фотодетекторе лазерного излучения слой тыльного барьера может быть выполнен из n-AlzGa1-zAs толщиной 100 нм, где z=0,3, базовый слой из n-GaAs может быть выполнен толщиной 3200 нм, эмиттерный слой из p-GaAs может быть выполнен толщиной 400 нм, слой широкозонного окна из p-AlxGa1-xAs может быть выполнен толщиной 1000 нм, где x=0,20, широкозонный стоп-слой из p-AlyGa1-yAs может быть выполнен толщиной 50 нм, где y=0,65, а контактный подслой из p-GaAs может быть выполнен толщиной 300 нм.
В фотодетекторе лазерного излучения слой тыльного барьера из n-AlzGa1-zAs может быть легирован, например, атомами кремния на уровне (1-2)⋅1018 см-3, базовый слой из n-GaAs может быть легирован, например, атомами кремния на уровне (1-2)⋅1017 см-3, эмиттерный слой из p-GaAs может быть легирован, например, атомами цинка на уровне (1-2)⋅1018 см-3, слой широкозонного окна из p-AlxGa1-xAs может быть легирован, например, атомами цинка на уровне (1-2)⋅1019 см-3, широкозонный стоп-слой из p-AlyGa1-yAs может быть легирован, например, атомами кремния на уровне (1-2)⋅1018 см-3, а контактный подслой p-GaAs может быть легирован, например, атомами цинка на уровне (1-2)⋅1019 см-3.
Настоящее техническое решение поясняется чертежом, где:
на фиг. 1 представлено схематичное изображение поперечного сечения настоящего фотодетектора лазерного излучения;
на фиг. 2 приведен спектр квантовой эффективности фотодетектора лазерного излучения (кривая 8);
на фиг. 3 приведены напряжение холостого хода (кривая 9), фактор заполнения вольтамперной характеристики (кривая 10) и КПД преобразования лазерного излучения (кривая 11) в зависимости от энергетической освещенности и фототока.
Настоящий фотодетектор лазерного излучения показан на фиг. 1. Он включает подложку 1, выполненную из n-GaAs, и последовательно осажденные слои: слой 2 тыльного барьера, выполненный из n-AlGaAs с толщиной, например, 100 нм, базовый слой 3, выполненный из n-GaAs с толщиной, например, 3200 нм, эмиттерный слой 4, выполненный из p-GaAs с толщиной, например, 400 нм, слой 5 широкозонного окна из p-AlxGa1-xAs с толщиной, например, 1000 нм, широкозонный стоп-слой 6, выполненный из p-AlyGa1-yAs с толщиной, например, 50 нм, и контактный подслой 7, выполненный из p-GaAs с толщиной, например, 300 нм, при этом толщина широкозонного слоя 5 из p-AlxGa1-xAs составляет не менее 1 мкм при концентрации алюминия 0,15<х<0,25, а концентрация алюминия в широкозонном стоп-слое 6 находится в диапазоне 0,6<y<0,7.
Структура настоящего ФД представляет собой полупроводниковый p-n переход, разделяющий фотогенерированные носители за счет тянущего поля. При этом фотогенерированные носители диффундируют в сторону p-n перехода из глубины базового слоя 3 и эмиттерного слоя 4.
Выбранная конструкция ФД позволяет сократить потери на неполное поглощение фотонов в диапазоне 800-860 нм, для чего общая толщина фотопоглощающих слоев (эмиттерный и базовый) должна составлять не менее 3,5 мкм.
Наличие в структуре настоящего ФД слоя 2 тыльного барьера наряду с уровнем легирования базового слоя 3 порядка (1-2)⋅1017 см-3 позволяет обеспечить полное собирание фотогенерированных носителей из базового слоя 3. Увеличение уровня легирования будет приводить к снижению диффузионной длины таких носителей, что не позволит им достигнуть области р-n перехода для разделения. Отсутствие слоя 2 тыльного барьера приведет к диффузии части носителей в подложку 1 с их последующей потерей. Малая толщина эмиттерного слоя 4 настоящего ФД лазерного излучения позволяет также обеспечить полное собирание фотогенерированных носителей.
Важной особенностью ФД лазерного излучения является большая падающая световая мощность, что приводит к генерации значительной плотности фототока. В этом случае резистивные потери могут играть значительную роль, ограничивая КПД ФД. Последовательное сопротивление складывается из последовательного сопротивления слоев и подложки, сопротивления растекания между контактными шинками в верхних p-слоях, а также из переходного сопротивления между полупроводником и металлическими контактами. Сопротивление растекания, как правило, на несколько порядков выше, поэтому оно является основным фактором, лимитирующим КПД, однако в случае нанесения металлических контактов на широкозонные слои, в особенности слои, содержащие алюминий, переходное сопротивление может также стать ограничивающим КПД фактором.
Для минимизации резистивных потерь в настоящем ФД лазерного излучения включен слой 5 широкозонного окна из p-AlxGa1-xAs, с малым содержанием алюминия, высоким уровнем легирования и большой толщиной. При этом при концентрации алюминия более 10% он также исполняет роль лицевого барьера для эмиттерного слоя 4, препятствующего выходу фотогенерированных носителей. Это связано с тем, что при поглощении фотонов в диапазоне 800-860 нм не возникает «горячих» носителей с энергией, достаточной для выхода из эмиттерного слоя 4 в слой 5 широкозонного окна. Малая концентрация алюминия (менее 20%) в слое 5 широкозонного окна обеспечивает высокую удельную проводимость, которая, как известно, для слоев из AlGaAs уменьшается с увеличением концентрации алюминия из-за падения подвижности носителей заряда. Увеличение толщины контактного подслоя 7 приводит к пропорциональному уменьшению сопротивления растекания, так как ток при растекании между шинками течет вдоль слоя.
При изготовлении ФД лазерного излучения необходимо удаление контактного подслоя 7 между шинками, чтобы минимизировать поглощение лазерного излучения в нем. Это обычно достигается химическим жидкостным травлением GaAs. Для обеспечения возможности изготовления структуры ФД лазерного излучения стандартными пост-ростовыми методами в настоящий ФД лазерного излучения введен широкозонный стоп-слой 6, с концентрацией алюминия 60-70%, являющийся стоп-слоем для травления контактного подслоя 7.
Пример
Методом МОС-гидридной эпитаксии был изготовлен фотодетектор лазерного излучения на подложке из n-GaAs, включающий последовательно осажденные слои: слой тыльного барьера из n-AlGaAs толщиной 100 нм и уровнем легирования атомами кремния 1⋅1018 см-3, базовый слой из n-GaAs толщиной 3200 нм и уровнем легирования атомами кремния 1⋅1017 см-3, эмиттерный слой из p-GaAs толщиной 400 нм и уровнем легирования атомами цинка 1⋅1018 см-3, слой широкозонного окна из p-Al0,2Ga0,8As толщиной 1000 нм и уровнем легирования атомами цинка 1⋅1019 см-3, широкозонный стоп-слой из p-Al0.65Ga0.35As толщиной 50 нм и уровнем легирования атомами цинка 1⋅1018 см-3 и контактный подслой из p-GaAs толщиной 300 нм и уровнем легирования атомами цинка 1⋅1019 см-3.
Полученный ФД продемонстрировал высокий уровень квантового выхода в диапазоне 800-860 нм (фиг. 2), соответствующий практически полному поглощению фотонов и собиранию фотогенерированных носителей. При этом благодаря сниженному последовательному сопротивлению структуры ФД продемонстрировал КПД на уровне 59-60% вплоть до подводимой мощности лазерного излучения порядка 10 Вт/см2 и КПД более 54% вплоть до подводимой мощности лазерного излучения порядка 40 Вт/см2 (фиг. 3).
Claims (3)
1. Фотопреобразователь лазерного излучения, включающий полупроводниковую подложку из n-GaAs, на которую последовательно нанесены слой тыльного барьера из n-AlGaAs, базовый слой из n-GaAs, эмиттерный слой из p-GaAs, слой широкозонного окна из p-AlxGa1-xAs толщиной не менее 1 мкм, где 0,15<x<0,25, широкозонный стоп-слой из p-AlyGa1-yAs, где 0,6<y<0,7, и контактный подслой из p-GaAs.
2. Фотопреобразователь лазерного излучения по п. 1, отличающийся тем, что слой тыльного барьера выполнен из n-AlzGa1-zAs толщиной 100 нм, где z=0,3, базовый слой из n-GaAs выполнен толщиной 3200 нм, эмиттерный слой из p-GaAs выполнен толщиной 400 нм, слой широкозонного окна из p-AlxGa1-xAs выполнен толщиной 1000 нм, где x=0,20, широкозонный стоп-слой из p-AlyGa1-yAs выполнен толщиной 50 нм, где y=0,65, а контактный подслой из p-GaAs выполнен толщиной 300 нм.
3. Фотопреобразователь лазерного излучения по п. 2, отличающийся тем, что слой тыльного барьера из n-AlzGa1-zAs легирован атомами кремния на уровне (1-2)⋅1018 см-3, базовый слой из n-GaAs легирован атомами кремния на уровне (1-2)⋅1017 см-3, эмиттерный слой из p-GaAs легирован атомами цинка на уровне (1-2)⋅1018 см-3, широкозонный слой из p-AlxGa1-xAs легирован атомами цинка на уровне (1-2)⋅1019 см-3, слой широкозонного окна из p-AlyGa1-yAs легирован атомами кремния на уровне (1-2)⋅1018 см-3, а контактный подслой из p-GaAs легирован атомами цинка на уровне (1-2)⋅1019 см-3.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2016145473A RU2646547C1 (ru) | 2016-11-22 | 2016-11-22 | Фотопреобразователь лазерного излучения |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2016145473A RU2646547C1 (ru) | 2016-11-22 | 2016-11-22 | Фотопреобразователь лазерного излучения |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2646547C1 true RU2646547C1 (ru) | 2018-03-05 |
Family
ID=61568809
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2016145473A RU2646547C1 (ru) | 2016-11-22 | 2016-11-22 | Фотопреобразователь лазерного излучения |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2646547C1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2696355C1 (ru) * | 2018-12-25 | 2019-08-01 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | Оптоволоконный фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4427841A (en) * | 1982-06-29 | 1984-01-24 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Back barrier heteroface AlGaAs solar cell |
US20110048519A1 (en) * | 2008-10-23 | 2011-03-03 | Alta Devices, Inc. | Photovoltaic device with increased light trapping |
US8008572B2 (en) * | 2002-05-17 | 2011-08-30 | Ugur Ortabasi | Integrating sphere photovoltaic receiver employing multi-junction cells |
RU2487438C1 (ru) * | 2011-11-10 | 2013-07-10 | Открытое акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королева" | Фотоэлемент приемника-преобразователя лазерного излучения в космосе |
RU2544704C1 (ru) * | 2013-10-28 | 2015-03-20 | Открытое Акционерное Общество "Научно-Исследовательский И Проектный Институт Карбамида И Продуктов Органического Синтеза" (Оао Ниик) | Способ очистки сточных вод производства меламина |
-
2016
- 2016-11-22 RU RU2016145473A patent/RU2646547C1/ru active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4427841A (en) * | 1982-06-29 | 1984-01-24 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Back barrier heteroface AlGaAs solar cell |
US8008572B2 (en) * | 2002-05-17 | 2011-08-30 | Ugur Ortabasi | Integrating sphere photovoltaic receiver employing multi-junction cells |
US20110048519A1 (en) * | 2008-10-23 | 2011-03-03 | Alta Devices, Inc. | Photovoltaic device with increased light trapping |
RU2487438C1 (ru) * | 2011-11-10 | 2013-07-10 | Открытое акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королева" | Фотоэлемент приемника-преобразователя лазерного излучения в космосе |
RU2544704C1 (ru) * | 2013-10-28 | 2015-03-20 | Открытое Акционерное Общество "Научно-Исследовательский И Проектный Институт Карбамида И Продуктов Органического Синтеза" (Оао Ниик) | Способ очистки сточных вод производства меламина |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2696355C1 (ru) * | 2018-12-25 | 2019-08-01 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | Оптоволоконный фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100974226B1 (ko) | 유전체를 이용한 태양전지의 후면 반사막 및 패시베이션층형성 | |
Biyikli et al. | Solar-blind AlGaN-based pin photodiodes with low dark current and high detectivity | |
US9029680B2 (en) | Integration of a photovoltaic device | |
Khvostikov et al. | Photovoltaic laser-power converter based on AlGaAs/GaAs heterostructures | |
KR20120034965A (ko) | 태양 전지 | |
ITMI20091285A1 (it) | Cella fotovoltaica ad elevata efficienza di conversione | |
TW201251079A (en) | Photon recycling in an optoelectronic device | |
TW200849625A (en) | Low resistance tunnel junctions for high efficiency tandem solar cells | |
Sugiyama et al. | Quantum wire‐on‐well (WoW) cell with long carrier lifetime for efficient carrier transport | |
JP6920037B2 (ja) | 半導体装置用のアンチモン系高バンドギャップトンネル接合 | |
JP2013504877A (ja) | 接触遮断層を備える希薄iii−v族窒化物中間バンド太陽電池 | |
RU2539102C1 (ru) | Многопереходный солнечный элемент | |
RU2646547C1 (ru) | Фотопреобразователь лазерного излучения | |
JP2011077295A (ja) | 接合型太陽電池 | |
Kalinovskii et al. | The Effect of Charge Transport Mechanisms on the Efficiency of Al x Ga 1–x As/GaAs Photodiodes | |
RU170349U1 (ru) | ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ НА ОСНОВЕ GaAs | |
KR101964462B1 (ko) | 화합물 반도체 태양전지 | |
RU2442242C1 (ru) | Многопереходный преобразователь | |
US10714653B2 (en) | Compound semiconductor solar cell and method of manufacturing the same | |
KR102175147B1 (ko) | 태양 전지 및 이의 제조 방법 | |
Malevskaya et al. | Influence of the ohmic contact structure on the performance of GaAs/AlGaAs photovoltaic converters | |
RU2364007C1 (ru) | Многослойный фотопреобразователь | |
RU2607734C1 (ru) | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОЭЛЕМЕНТА НА ОСНОВЕ GaAs | |
RU2515210C1 (ru) | Концентраторный каскадный фотопреобразователь | |
JP2015039032A (ja) | アバランシェタイプのフォトダイオード |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
QB4A | Licence on use of patent |
Free format text: LICENCE FORMERLY AGREED ON 20190329 Effective date: 20190329 |