RU2646536C1 - Heterostructural field-effec transistor based on gallium nitride with improved temperature stability of current-voltage characteristics - Google Patents
Heterostructural field-effec transistor based on gallium nitride with improved temperature stability of current-voltage characteristics Download PDFInfo
- Publication number
- RU2646536C1 RU2646536C1 RU2016150464A RU2016150464A RU2646536C1 RU 2646536 C1 RU2646536 C1 RU 2646536C1 RU 2016150464 A RU2016150464 A RU 2016150464A RU 2016150464 A RU2016150464 A RU 2016150464A RU 2646536 C1 RU2646536 C1 RU 2646536C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- current
- gallium nitride
- field
- Prior art date
Links
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 23
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 6
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- INQLNSVYIFCUML-QZTLEVGFSA-N [[(2r,3s,4r,5r)-5-(6-aminopurin-9-yl)-3,4-dihydroxyoxolan-2-yl]methoxy-hydroxyphosphoryl] [(2r,3s,4r,5r)-5-(4-carbamoyl-1,3-thiazol-2-yl)-3,4-dihydroxyoxolan-2-yl]methyl hydrogen phosphate Chemical compound NC(=O)C1=CSC([C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](COP(O)(=O)OP(O)(=O)OC[C@@H]3[C@H]([C@@H](O)[C@@H](O3)N3C4=NC=NC(N)=C4N=C3)O)O2)O)=N1 INQLNSVYIFCUML-QZTLEVGFSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области радиотехники и электроники. В частности, к высокочастотным полевым транзисторам на основе широкозонных полупроводников группы А3В5. Изобретение может быть использовано в СВЧ-транзисторах для усилителей мощности в устройствах различного функционального назначения.The invention relates to the field of radio engineering and electronics. In particular, to high-frequency field-effect transistors based on wide-band semiconductors of group A 3 B 5 . The invention can be used in microwave transistors for power amplifiers in devices for various functional purposes.
Известен транзистор с высокой подвижностью электронов на GaN/AlxGa1-xN гетеропереходах (см. US №5192987, кл. H01L 29/80, 09.03.1993). Указанный транзистор с высокой подвижностью электронов имеет преимущество возросшей мобильности за счет двумерных электронных газов, имеющих место в GaN/AlxGa1-xN гетеропереходах. Эти структуры осаждаются на базальной плоскости сапфира с использованием низкого давления металлоорганических химических осаждений из паровой фазы. Транзистор включает подложку, буферный слой, осаждаемый на подложку, первый активный слой, состоящий по существу из GaN, нанесенный на буферный слой, второй активный слой, состоящий в основном из AlxGa1-xN, где х больше 0 и меньше 1, и множество электрических соединений, находящихся на втором активном слое, причем множество электрических соединений включает соединение истока, соединение затвора и соединение стока, позволяя тем самым разности электрических потенциалов быть примененной ко второй активной области с тем, чтобы обеспечить работу транзистора. Транзистор, сконструированный в соответствии с изобретением, имеет более низкий шумовой ток, температура эксплуатации увеличивается по сравнению с арсенид-галлиевым транзистором до 800°С.Known transistor with high electron mobility on GaN / Al x Ga 1-x N heterojunctions (see US No. 5192987, CL H01L 29/80, 09.03.1993). The indicated transistor with high electron mobility has the advantage of increased mobility due to two-dimensional electron gases occurring in GaN / Al x Ga 1-x N heterojunctions. These structures are deposited on the basal plane of sapphire using low pressure organometallic chemical vapor deposition. The transistor includes a substrate, a buffer layer deposited on the substrate, a first active layer consisting essentially of GaN deposited on the buffer layer, a second active layer consisting mainly of Al x Ga 1-x N, where x is greater than 0 and less than 1, and a plurality of electrical connections located on the second active layer, the plurality of electrical connections including a source connection, a gate connection, and a drain connection, thereby allowing electric potential differences to be applied to the second active region in order to ensure that anzistora. The transistor constructed in accordance with the invention has a lower noise current, the operating temperature increases compared to a gallium arsenide transistor up to 800 ° C.
Недостатком транзистора является недостаточная стабильность вольт-амперной характеристики.The disadvantage of the transistor is the lack of stability of the current-voltage characteristics.
Наиболее близким аналогом-прототипом является гетероструктурный полевой транзистор на основе нитрида галлия с улучшенной стабильностью вольт-амперной характеристики (см. RU 154437 U1, кл. H01L 29/772, 27.08.2015). Гетероструктурный полевой транзистор на основе нитрида галлия с улучшенной стабильностью вольт-амперной характеристики включает подложку из карбида кремния, канальный слой, буферный слой, барьерный слой на основе AlGaN, слой пассивации на основе нитрида кремния, электроды стока, затвора, истока. Гетероструктурный полевой транзистор имеет уменьшенный гистерезис тока стока полевого транзистора на основе гетероструктур типа AlGaN/GaN/AlGaN с каналом в слое GaN и может быть использован в СВЧ-транзисторах для усилителей мощности в устройствах различного функционального назначения.The closest analogue prototype is a heterostructured field effect transistor based on gallium nitride with improved stability of the current-voltage characteristics (see RU 154437 U1, class H01L 29/772, 08/27/2015). A gallium nitride-based heterostructure field effect transistor with improved stability of the current-voltage characteristic includes a silicon carbide substrate, a channel layer, a buffer layer, an AlGaN barrier layer, a passivation layer based on silicon nitride, drain electrodes, gate, source. The heterostructured field-effect transistor has a reduced hysteresis of the drain current of the field-effect transistor based on heterostructures of the AlGaN / GaN / AlGaN type with a channel in the GaN layer and can be used in microwave transistors for power amplifiers in devices for various functional purposes.
Недостатками прототипа являются сложность и недостаточная температурная стабильность его вольт-амперной характеристики.The disadvantages of the prototype are the complexity and lack of temperature stability of its current-voltage characteristics.
Технический результат, на достижение которого направлено изобретение, заключается в устранении вышеуказанных недостатков, локальном улучшении теплоотвода от подзатворной области и уменьшении температуры канала полевого транзистора на основе гетероструктур типа AlGaN/GaN, что приводит к улучшению температурной стабильности его вольт-амперной характеристики.The technical result to which the invention is directed is to eliminate the above drawbacks, locally improve the heat sink from the gate region and reduce the channel temperature of the field effect transistor based on AlGaN / GaN heterostructures, which leads to an improvement in the temperature stability of its current-voltage characteristic.
Технический результат достигается тем, что в гетероструктурном полевом транзисторе на основе нитрида галлия с улучшенной стабильностью вольт-амперной характеристики, включающем подложку из карбида кремния, канальный слой, буферный слой, барьерный слой на основе AlGaN, слой пассивации на основе нитрида кремния, электроды стока, затвора, истока. Буферный слой выполнен на основе нитрида галлия, после процедуры снижения толщины подложки до 100 мкм нанесен слой с высокой теплопроводностью, модулированный по глубине подложки в районе расположения затвора.The technical result is achieved in that in a heterostructured field effect transistor based on gallium nitride with improved stability of the current-voltage characteristic, including a silicon carbide substrate, a channel layer, a buffer layer, an AlGaN-based barrier layer, a passivation layer based on silicon nitride, drain electrodes, shutter, source. The buffer layer is made on the basis of gallium nitride, after the procedure of reducing the thickness of the substrate to 100 μm, a layer with high thermal conductivity is applied, modulated along the depth of the substrate in the vicinity of the gate.
Технический результат достигается также тем, что в гетероструктурном полевом транзисторе на основе нитрида галлия с улучшенной стабильностью вольт-амперной характеристики глубина модулирования подложки в районе расположения затвора составляет 50 мкм.The technical result is also achieved by the fact that in a heterostructured field-effect transistor based on gallium nitride with improved stability of the current-voltage characteristic, the depth of modulation of the substrate in the vicinity of the gate is 50 μm.
На фиг. 1 показана принципиальная схема гетероструктурного полевого транзистора на основе нитрида галлия с улучшенной стабильностью вольт-амперной характеристики.In FIG. 1 shows a schematic diagram of a heterostructured field effect transistor based on gallium nitride with improved stability of the current-voltage characteristic.
На фиг. 2 показаны результаты расчета распределения температуры по глубине транзистора.In FIG. 2 shows the results of calculating the temperature distribution over the depth of the transistor.
На фиг. 3 показаны результаты расчета вольт-амперной характеристики транзистора.In FIG. 3 shows the results of calculating the current-voltage characteristics of the transistor.
Гетероструктурный полевой транзистор на основе нитрида галлия с улучшенной стабильностью вольт-амперной характеристики (см. фиг. 1) содержит подложку из карбида кремния 1, канальный слой 2, буферный слой 3, барьерный слой на основе AlGaN 4, слой пассивации на основе нитрида кремния 5, электроды стока 6, затвора 7, истока 8, слой с высокой теплопроводностью 9. Буферный слой выполнен на основе нитрида галлия.A gallium nitride-based heterostructure field effect transistor with improved stability of the current-voltage characteristic (see Fig. 1) contains a silicon carbide substrate 1, a channel layer 2, a
Для слоя с высокой теплопроводностью может быть использовано золото, которое обладает высокой пластичностью, электропроводностью и теплопроводностью. Предложенная конструкция была описана и просчитана в программном пакете системы автоматизированного технологического проектирования полупроводниковых приборов TCAD "Synopsys" (см. TCAD "Synopsys" Synopsys Inc., Sentaurus Device User Guide, Version E-2010.12, Fremont, California, 2010). Результаты моделирования сравнивались с результатами измерения вольт-амперных характеристик изготовленных транзисторов с высокой подвижностью электронов (НЕМТ транзисторов).For a layer with high thermal conductivity can be used gold, which has high ductility, electrical conductivity and thermal conductivity. The proposed design was described and calculated in the software package of the computer-aided technological design system for semiconductor devices TCAD "Synopsys" (see TCAD "Synopsys" Synopsys Inc., Sentaurus Device User Guide, Version E-2010.12, Fremont, California, 2010). The simulation results were compared with the results of measuring the current-voltage characteristics of manufactured transistors with high electron mobility (HEMT transistors).
После процедуры снижения толщины подложки до 100 мкм нанесен слой с высокой теплопроводностью, модулированный по глубине подложки в районе расположения затвора. Снижение толщины подложки до 50 и менее микрометров приводит к потере прочности структуры и значительным сложностям в монтаже, требующим применения специальной технологической оснастки. Однако на предприятии «Светлана-Электронприбор» освоена технология изготовления сквозных отверстий с металлизацией, которая может успешно применяться для нанесения модулированного по глубине подложки слоя с высокой теплопроводностью.After the procedure of reducing the thickness of the substrate to 100 μm, a layer with high thermal conductivity is applied, modulated along the depth of the substrate in the vicinity of the shutter. Reducing the thickness of the substrate to 50 or less micrometers leads to a loss of structural strength and significant difficulties in installation, requiring the use of special technological equipment. However, the Svetlana-Electronpribor enterprise has mastered the technology of manufacturing through holes with metallization, which can be successfully used to deposit a layer with high thermal conductivity modulated along the depth of the substrate.
Результаты расчета распределения температуры по глубине транзистора показаны на фиг. 2. Из анализа результатов хорошо видно, что при работе транзистора в области под стоковым краем затвора формируется локальная зона повышенной температуры, которая может приводить к снижению тока через транзистор и, следовательно, температурной нестабильности его вольт-амперной характеристики.The results of calculating the temperature distribution over the depth of the transistor are shown in FIG. 2. From the analysis of the results, it is clearly seen that when the transistor operates in the area under the drain edge of the gate, a local zone of elevated temperature is formed, which can lead to a decrease in the current through the transistor and, consequently, to the temperature instability of its current-voltage characteristic.
Введение в конструкцию транзистора слоя с высокой теплопроводностью модулированного по глубине подложки в районе расположения затвора, позволяет существенно снизить температуру в этой локальной зоне под затвором и повысить температурную стабильность вольт-амперной характеристики транзистора.Introduction to the transistor design of a layer with high thermal conductivity modulated along the depth of the substrate in the vicinity of the gate allows you to significantly reduce the temperature in this local area under the gate and increase the temperature stability of the current-voltage characteristics of the transistor.
Сравнительные вольт-амперные характеристики транзистора с предложенной конструкцией (отдельные точки 10) и экспериментальных характеристик транзистора аналога-прототипа (сплошные линии 11) показаны на фиг. 3.Comparative current-voltage characteristics of the transistor with the proposed design (individual points 10) and experimental characteristics of the transistor of the analogue prototype (solid lines 11) are shown in FIG. 3.
Анализ полученных вольт-амперных характеристик предложенного транзистора показывает, что технический результат, который заключался в локальном улучшении теплоотвода от подзатворной области полевого транзистора на основе гетероструктур типа AlGaN/GaN, достигнут и наблюдается явное улучшение температурной стабильности его вольт-амперной характеристики.An analysis of the obtained current-voltage characteristics of the proposed transistor shows that the technical result, which consisted in a local improvement of the heat sink from the gate region of the field-effect transistor based on AlGaN / GaN heterostructures, is achieved and a clear improvement in the temperature stability of its current-voltage characteristic is observed.
Гетероструктуры НЕМТ транзисторов были выращены в Научно-техническом центре микроэлектроники РАН на SiC подложках, изготовленных ЗАО «Светлана-Электронприбор» методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений (МО ГФЭ) на установке Dragon-125. Водород и азот-водородные смеси, триметилгаллий (TMGa), триметилалюминий (ТМА1), аммиак и моносилан (SiH4) использовались в качестве несущего газа и прекурсоров. Исследованные транзисторы были изготовлены в АО «Светлана-Электронприбор». Транзисторы имели конструкцию, позволяющую удобно проводить измерения с помощью копланарных зондов. Тестовые транзисторы изготавливались методами оптической фотолитографии и имели затвор длиной 0.6 мкм. При формировании омических контактов была использована стандартная металлизация из Ti/Al/Ni/Au, в барьерном контакте Ni/Au. Затворы транзисторов были пассивированы слоем Si3N4, нанесенного методом плазмохимического осаждения.Heterostructures of NEMT transistors were grown at the Scientific and Technical Center for Microelectronics of the Russian Academy of Sciences on SiC substrates manufactured by Svetlana-Electronpribor CJSC by gas-phase epitaxy from organometallic compounds (MO HFE) on a Dragon-125 installation. Hydrogen and nitrogen-hydrogen mixtures, trimethylgallium (TMGa), trimethylaluminum (TMA1), ammonia and monosilane (SiH 4 ) were used as carrier gas and precursors. The investigated transistors were manufactured at Svetlana-Electronpribor JSC. The transistors had a design that allows convenient measurements using coplanar probes. Test transistors were fabricated using optical photolithography methods and had a gate 0.6 μm in length. In the formation of ohmic contacts, standard metallization from Ti / Al / Ni / Au was used in the Ni / Au barrier contact. Transistor gates were passivated by a layer of Si 3 N 4 deposited by plasma chemical deposition.
Предлагаемая конструкция гетероструктурного полевого транзистора на основе нитрида галлия с улучшенной стабильностью вольт-амперной характеристики позволяет улучшить теплоотвод от подзатворной области и уменьшить температуры канала полевого транзистора на основе гетероструктур типа AlGaN/GaN, что приводит к улучшению температурной стабильности его вольт-амперной характеристики.The proposed design of a heterostructured field effect transistor based on gallium nitride with improved stability of the current-voltage characteristic can improve the heat sink from the gate region and reduce the channel temperature of the field-effect transistor based on heterostructures of the AlGaN / GaN type, which leads to an improvement in the temperature stability of its current-voltage characteristic.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016150464A RU2646536C1 (en) | 2016-12-21 | 2016-12-21 | Heterostructural field-effec transistor based on gallium nitride with improved temperature stability of current-voltage characteristics |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016150464A RU2646536C1 (en) | 2016-12-21 | 2016-12-21 | Heterostructural field-effec transistor based on gallium nitride with improved temperature stability of current-voltage characteristics |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2646536C1 true RU2646536C1 (en) | 2018-03-05 |
Family
ID=61568850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2016150464A RU2646536C1 (en) | 2016-12-21 | 2016-12-21 | Heterostructural field-effec transistor based on gallium nitride with improved temperature stability of current-voltage characteristics |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2646536C1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022119787A1 (en) * | 2020-12-01 | 2022-06-09 | Texas Instruments Incorporated | Normally-on gallium nitride based transistor with p-type gate |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5192987A (en) * | 1991-05-17 | 1993-03-09 | Apa Optics, Inc. | High electron mobility transistor with GaN/Alx Ga1-x N heterojunctions |
| US20010020700A1 (en) * | 2000-01-13 | 2001-09-13 | Kaoru Inoue | Semiconductor device |
| WO2003049193A1 (en) * | 2001-12-03 | 2003-06-12 | Cree, Inc. | Strain balanced nitride heterojunction transistors and methods of fabricating strain balanced nitride heterojunction transistors |
| US20040155260A1 (en) * | 2001-08-07 | 2004-08-12 | Jan Kuzmik | High electron mobility devices |
| JP2008118044A (en) * | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Toshiba Corp | Field-effect transistor and method for manufacturing the same |
| RU154437U1 (en) * | 2015-02-05 | 2015-08-27 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (МИЭТ) | HETEROSTRUCTURAL FIELD TRANSISTOR BASED ON GALLIUM NITRIDE WITH IMPROVED STABILIZATION OF VOLT-AMPER CHARACTERISTIC |
-
2016
- 2016-12-21 RU RU2016150464A patent/RU2646536C1/en active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5192987A (en) * | 1991-05-17 | 1993-03-09 | Apa Optics, Inc. | High electron mobility transistor with GaN/Alx Ga1-x N heterojunctions |
| US20010020700A1 (en) * | 2000-01-13 | 2001-09-13 | Kaoru Inoue | Semiconductor device |
| US20040155260A1 (en) * | 2001-08-07 | 2004-08-12 | Jan Kuzmik | High electron mobility devices |
| WO2003049193A1 (en) * | 2001-12-03 | 2003-06-12 | Cree, Inc. | Strain balanced nitride heterojunction transistors and methods of fabricating strain balanced nitride heterojunction transistors |
| JP2008118044A (en) * | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Toshiba Corp | Field-effect transistor and method for manufacturing the same |
| RU154437U1 (en) * | 2015-02-05 | 2015-08-27 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (МИЭТ) | HETEROSTRUCTURAL FIELD TRANSISTOR BASED ON GALLIUM NITRIDE WITH IMPROVED STABILIZATION OF VOLT-AMPER CHARACTERISTIC |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022119787A1 (en) * | 2020-12-01 | 2022-06-09 | Texas Instruments Incorporated | Normally-on gallium nitride based transistor with p-type gate |
| US11978790B2 (en) | 2020-12-01 | 2024-05-07 | Texas Instruments Incorporated | Normally-on gallium nitride based transistor with p-type gate |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Nanjo et al. | AlGaN channel HEMT with extremely high breakdown voltage | |
| TWI505461B (en) | Gallium nitride devices having low ohmic contact resistance | |
| JP6373509B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device | |
| US10074736B2 (en) | Semiconductor device | |
| JP5550740B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device | |
| Egawa et al. | Characterizations of recessed gate AlGaN/GaN HEMTs on sapphire | |
| US20140264364A1 (en) | Semiconductor device | |
| US8551821B2 (en) | Enhancement normally off nitride semiconductor device manufacturing the same | |
| US20120138944A1 (en) | Compound semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| Meyer et al. | Large-signal RF performance of nanocrystalline diamond coated AlGaN/GaN high electron mobility transistors | |
| JP4474292B2 (en) | Semiconductor device | |
| JP2013004924A (en) | Semiconductor device | |
| CN103715243A (en) | Compound semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JP5520432B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor transistor | |
| JP2017157589A (en) | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method | |
| US20150021666A1 (en) | Transistor having partially or wholly replaced substrate and method of making the same | |
| JP6905197B2 (en) | Compound semiconductor device and its manufacturing method | |
| RU2646536C1 (en) | Heterostructural field-effec transistor based on gallium nitride with improved temperature stability of current-voltage characteristics | |
| TWI523148B (en) | Method for increasing breakdown voltage of hemt device | |
| CN116053306A (en) | Gallium nitride-based high electron mobility transistor device and preparation method thereof | |
| TWM508782U (en) | Semiconductor device | |
| Rzin et al. | Impact of the in situ SiN thickness on low-frequency noise in MOVPE InAlGaN/GaN HEMTs | |
| JP5648307B2 (en) | Vertical AlGaN / GaN-HEMT and manufacturing method thereof | |
| CN107046053B (en) | Semiconductor structure and manufacturing method thereof | |
| Arulkumaran et al. | Uniformity studies of AlGaN/GaN HEMTs on 200-mm diameter Si (111) substrate |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| QB4A | Licence on use of patent |
Free format text: LICENCE FORMERLY AGREED ON 20200212 Effective date: 20200212 |