RU2638085C2 - Перестраиваемое индукторное устройство, приемопередатчик и способ - Google Patents

Перестраиваемое индукторное устройство, приемопередатчик и способ Download PDF

Info

Publication number
RU2638085C2
RU2638085C2 RU2016118649A RU2016118649A RU2638085C2 RU 2638085 C2 RU2638085 C2 RU 2638085C2 RU 2016118649 A RU2016118649 A RU 2016118649A RU 2016118649 A RU2016118649 A RU 2016118649A RU 2638085 C2 RU2638085 C2 RU 2638085C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
winding
tunable
chip
tunable inductor
winding parts
Prior art date
Application number
RU2016118649A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2016118649A (ru
Inventor
Томас МАТТССОН
Original Assignee
Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл) filed Critical Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл)
Publication of RU2016118649A publication Critical patent/RU2016118649A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2638085C2 publication Critical patent/RU2638085C2/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/004—Arrangements for interchanging inductances, transformers or coils thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/5227—Inductive arrangements or effects of, or between, wiring layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F21/00—Variable inductances or transformers of the signal type
    • H01F21/12—Variable inductances or transformers of the signal type discontinuously variable, e.g. tapped
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/2804—Printed windings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/10—Inductors
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/06—Receivers
    • H04B1/16—Circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F21/00—Variable inductances or transformers of the signal type
    • H01F21/12—Variable inductances or transformers of the signal type discontinuously variable, e.g. tapped
    • H01F2021/125—Printed variable inductor with taps, e.g. for VCO
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
    • H03J5/00—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B7/00—Radio transmission systems, i.e. using radiation field

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)
  • Filters And Equalizers (AREA)
  • Near-Field Transmission Systems (AREA)

Abstract

Группа изобретений относится к технике связи, в частности к устройствам для приема и передачи радиочастотных сигналов. Предложено перестраиваемое индукторное устройство, размещаемое на кристалле микросхемы или подложке, способ использования индукторного устройства, а также приемник, приемопередатчик, устройство связи. Перестраиваемый индуктор содержит первую обмоточную часть, подсоединенную на одном конце к первому входу, вторую обмоточную часть, подсоединенную на одном конце к другому концу первой обмоточной части, третью обмоточную часть, подсоединенную на одном конце ко второму входу перестраиваемого индукторного устройства, четвертую обмоточную часть, подсоединенную на одном конце к другому концу третьей обмоточной части, и коммутационную группу, выполненную с возможностью настройки перестраиваемого индукторного устройства. Настройка выполняется селективным созданием любой из схемы, содержащей первую и третью обмоточные части, последовательно соединенные между первым и вторым входами, или схемы, содержащей первую, вторую, четвертую и третью обмоточные части, последовательно соединенные между первым и вторым входами. Первая и третья обмоточные части расположены на кристалле микросхемы или подложке таким образом, что магнитные поля первой и третьей обмоточных частей являются, по существу, общими, и вторая и четвертая обмоточные части расположены с возможностью подавления электромагнитной связи с первой и третьей обмоточными частями. 5 н. и 8 з.п. ф-лы, 8 ил.

Description

Область техники, к которой относится изобретение
Настоящее изобретение относится, в общем, к перестраиваемому индукторному устройству, радиочастотному приемопередатчику или приемнику с резонатором, содержащим данное устройство, устройству связи, способу настройки устройства и компьютерной программе для настройки.
Уровень техники
Поскольку в радио-приемопередатчиках следует поддерживать все больше полос частот, которые могут охватывать широкий частотный диапазон, например от 700 МГц до 3800 МГц, данное требование можно выполнить с помощью набора резонаторов. Как известно, настройка LC (индуктивно-емкостного) резонатора более чем на одну октаву является сложной задачей, из чего следует, что может потребоваться множество резонаторов. Данная проблема дополнительно обостряется при объединении несущих, т.е. связь осуществляется на нескольких разных несущих одновременно, при этом упомянутые несущие могут быть произвольно разбросаны в широком частотном диапазоне.
LC-резонаторы занимают место кристалла микросхемы, при осуществлении на кристалле микросхемы, и очень дорого стоят при осуществлении вне кристалла микросхемы. Поэтому желательно обеспечивать более адаптивные резонаторы.
Заявка WO 03/052780 A1 раскрывает индуктивный компонент, включающий в себя точно одну катушку, имеющую суммарную индуктивность, и множество спиральных витков, которые осуществлены в форме токопроводящих дорожек, имеющих ширину токопроводящих дорожек, которая сужается к центру множества спиральных витков, два контакта ответвления на катушке и схему управления, которая подсоединена между двумя контактами ответвления и изменяет эффективную индуктивность катушки.
Заявка WO 2007/006867 A1 раскрывает, что индуктивность монолитного планарного индуктора распределяется по небольшим участкам индуктора. Небольшие участки индуктора обеспечены в каскадной конфигурации таким образом, которая вынуждает индуктор функционировать как дифференциальное индукторное устройство. Некоторые из участков выполнены с возможностью симметричного обхода перемычками или короткого замыкания относительно общей точки на одном или более этапах для работы в одном или более высокочастотных радиодиапазонах. Посредством переключаемого симметричного короткого замыкания можно обеспечить этап управляемой индуктивности.
Сущность изобретения
Целью изобретения является, по меньшей мере, ослабление вышеупомянутой проблемы. Настоящее изобретение основано на понимании, что как емкость, так и индуктивность LC-резонатора следует настраивать, чтобы получить искомую адаптивность. Соответственно, предлагается перестраиваемое индукторное устройство. Автор изобретения выполнил также требования, согласно которым собственная частота колебаний должна устанавливаться достаточно высокой для высокочастотных мод, при этом добротность должна быть достаточно высокой, в частности в низкоиндуктивном состоянии, чтобы не снижать коэффициент усиления или не повышать потребляемый ток в годном исполнении, и отношение индуктивностей должно быть достаточно высоким, чтобы охватывать также низкочастотные полосы. Данную задачу решают посредством коммутационной группы в перестраиваемом индукторном устройстве, которая выполняет маршрутизацию сигнала таким образом, что вносимое ослабление снижается, особенно в неиспользуемых цепях.
В соответствии с первым аспектом предлагается перестраиваемое индукторное устройство, размещаемое на кристалле микросхемы или подложке, при этом перестраиваемый индуктор содержит первую обмоточную часть, подсоединенную на первом конце к первому входу перестраиваемого индукторного устройства; вторую обмоточную часть, подсоединенную на первом конце ко второму концу первой обмоточной части; третью обмоточную часть, подсоединенную на первом конце ко второму входу перестраиваемого индукторного устройства; четвертую обмоточную часть, подсоединенную на первом конце ко второму концу третьей обмоточной части и подсоединенную на втором конце ко второму концу второй обмоточной части; и коммутационную группу, выполненную с возможностью настройки перестраиваемого индукторного устройства посредством селективного обеспечения, по меньшей мере: схемы, содержащей первую и третью обмоточные части, последовательно соединенные между первым и вторым входами; и схемы, содержащей первую, вторую, четвертую и третью обмоточные части, последовательно соединенные между первым и вторым входами. Первая и третья обмоточные части расположены на кристалле микросхемы или подложке таким образом, что магнитные поля первой и третьей обмоточных частей являются, по существу, общими, и вторая и четвертая обмоточные части расположены с возможностью подавления электромагнитной связи с первой и третьей обмоточными частями.
Четвертая обмоточная часть может быть подсоединена на втором конце ко второму концу второй обмоточной части.
Перестраиваемое индукторное устройство может содержать дополнительные обмоточные части, подсоединенные между вторым концом четвертой обмоточной части и вторым концом второй обмоточной части.
Коммутационная группа может содержать первый переключатель, подсоединенный между вторым концом первой обмоточной части и вторым концом третьей обмоточной части.
Коммутационная группа может содержать первый переключатель, подсоединенный между вторым концом первой обмоточной части и потенциально заземленной точкой, подсоединенной ко второму концу второй обмоточной части; и второй переключатель, подсоединенный между вторым концом третьей обмоточной части и потенциально заземленной точкой.
Вторая и четвертая обмоточные части могут формировать на кристалле микросхемы или подложке структуру, имеющую первую часть, направляющую магнитное поле в первом направлении, и вторую часть, направляющую магнитное поле во втором направлении, при этом второе направление противоположно первому направлению. Структура второй и четвертой обмоточных частей и структура первой и третьей обмоточных частей могут быть расположены симметрично на кристалле микросхемы или подложке. Первая и третья обмоточные части могут формировать структуру, окружающую вторую и четвертую обмоточные части в плоскости кристалла микросхемы или подложки.
Структура второй и четвертой обмоточных частей может быть восьмиугольной, в форме клеверного четырехлистника или в форме клеверного 2n-листника, где n является положительным целым числом.
Две или более из обмоточных частей могут быть расположены в виде множества токопроводящих слоев на кристалле микросхемы или подложке.
Потенциально заземленная точка может быть источником питания постоянного тока, который на переменном токе, например радиочастоте, действует как заземление для сигналов переменного тока, или может быть узлом заземления или опорного напряжения постоянного тока.
В соответствии со вторым аспектом предлагается радиочастотный приемопередатчик, содержащий резонатор, при этом резонатор содержит перестраиваемое индукторное устройство по первому аспекту, причем перестраиваемое индукторное устройство можно настраивать для предоставления резонатору возможности селективной работы на одной из множества резонансных частот.
В соответствии с третьим аспектом предлагается многополосный радиочастотный приемник, содержащий первый приемный тракт, выполненный с возможностью приема радиосигнала в первой полосе частот; второй приемный тракт, выполненный с возможностью приема радиосигнала во второй полосе частот, при этом первая полоса частот работает на более высокой частоте, чем вторая полоса частот, и каждый из первого и второго приемных трактов выполнен с возможностью селективной работы в выбранной полосе частот из множества полос частот; и содержит резонатор, содержащий перестраиваемое индукторное устройство по первому аспекту, причем упомянутый резонатор выполнен с возможностью настройки на выбранную полосу частот.
В соответствии с четвертым аспектом предлагается устройство связи, содержащее радиочастотный приемопередатчик по второму аспекту или многополосный радиочастотный приемник по третьему аспекту и процессор, выполненный с возможностью взаимодействия с радиочастотным приемопередатчиком или многополосным радиочастотным приемником, при этом процессор выполнен с возможностью управления коммутационной группой для выбора режима настройки перестраиваемого индукторного устройства.
В соответствии с пятым аспектом предлагается способ перестраиваемого индукторного устройства, включающего в себя обмоточные части и переключатели для настройки, по первому аспекту. Способ содержит этап определения параметра настройки для перестраиваемого индукторного устройства; этап назначения состояний переключателей для переключателя или соответствующих переключателей соответственно параметру настройки; и этап управления переключателем или переключателями в соответствии с назначенными состояниями переключателей.
В соответствии с шестым аспектом предлагается компьютерная программа, содержащая компьютерно выполняемые команды, которые, при выполнении программируемым контроллером радиочастотного приемопередатчика или многополосного радиочастотного приемника, содержащего резонатор, который содержит перестраиваемое индукторное устройство, предписывают контроллеру выполнять способ по пятому аспекту.
Преимущество получают для вариантов осуществления, когда добротность повышается с частотой, при использовании топологии, которая обеспечивает добротность в низкоиндуктивном состоянии выше, чем в высокоиндуктивном состоянии, и абсолютная ширина полосы частот резонатора становится более постоянной по частоте.
Преимущество в соответствии с вариантами осуществления состоит в том, что перестраиваемый резонатор допускает более адаптивную конфигурацию многополосного приемника/передатчика/приемопередатчика. Например, разные приемные тракты больше не требуется предназначать либо для низкочастотной полосы, либо для высокочастотной полосы, но можно распределять в зависимости от текущей ситуации приема.
Другие цели, признаки или преимущества настоящего изобретения будут понятны из последующего подробного раскрытия, из прилагаемых зависимых пунктов формулы изобретения, а также из чертежей. В общем, все термины, используемые в формуле изобретения, следует интерпретировать в соответствии с их обычным значением в данной области техники, если явно не указано иное в настоящем описании. Все ссылки на [элемент, устройство, компонент, средство, этап и т.п.] следует интерпретировать в открытом смысле как ссылку на, по меньшей мере, один пример упомянутого элемента, устройства, компонента, средства, этапа и т.п., если в настоящем описании явно не указано иное. Этапы любого способа, раскрытого в настоящем описании, не обязательно должны выполняться в точно раскрытом порядке, если явно не заявлено иное.
Краткое описание чертежей
Вышеизложенное, а также дополнительные цели, признаки и преимущества настоящего изобретения будут понятнее при рассмотрении пояснительного и неограничивающего подробного описания предпочтительных вариантов осуществления настоящего изобретения, приведенного далее со ссылкой на прилагаемые чертежи.
Фиг. 1 - схема перестраиваемого индукторного устройства в соответствии с вариантом осуществления.
Фиг. 2 - схема перестраиваемого индукторного устройства в соответствии с вариантом осуществления.
Фиг. 3 - топология обмоток перестраиваемого индукторного устройства вместе со схематическим указанием на коммутационную группу в соответствии с вариантами осуществления.
Фиг. 4 - увеличенное изображение топологии обмоток перестраиваемого индукторного устройства в соответствии с вариантом осуществления.
Фиг. 5 - схема входных каскадов радиоэлектронного устройства, в котором применимы перестраиваемые индукторные устройства в соответствии с вариантами осуществления.
Фиг. 6 - блок-схема, схематически изображающая устройство связи в соответствии с вариантом осуществления.
Фиг. 7 - блок-схема последовательности операций способа, поясняющая способ перестраиваемого индукторного устройства в соответствии с вариантом осуществления.
Фиг. 8 - схематичное изображение компьютерной программы и процессора для осуществления способа.
Подробное описание
Фиг. 1 является схемой перестраиваемого индукторного устройства в соответствии с вариантом осуществления. Индукторное устройство предпочтительно расположено на кристалле микросхемы или подложке, как показано ниже. Индукторное устройство содержит первую обмоточную часть W1, подсоединенную на одном конце к первому входу INP перестраиваемого индукторного устройства, вторую обмоточную часть W2, подсоединенную на одном конце к другому концу первой обмоточной части W1, третью обмоточную часть W3, подсоединенную на одном конце ко второму входу INN перестраиваемого индукторного устройства, и четвертую обмоточную часть W4, подсоединенную на одном конце к другому концу третьей обмоточной части W3 и подсоединенную на другом конце к другому концу второй обмоточной части W2. Точка, в которой соединяются вторая и четвертая обмоточные части W2, W4, может быть, при желании, подсоединена к заземлению переменного тока, например к напряжению питания, как центральное ответвление. Тем самым, по сути, формируется последовательное соединение обмоточных частей W1, W2, W4, W3. Перестраиваемое индукторное устройство дополнительно содержит коммутационную группу, выполненную с возможностью настройки перестраиваемого индукторного устройства посредством селективного обеспечения либо последовательного соединения, либо схемы, содержащей первую и третью обмоточные части W1, W3, последовательно соединенные между первым и вторым входами INP, INN. Обмоточные части расположены на кристалле микросхемы или подложке, т.е., по существу, в одной плоскости, но обмотки могут быть сформированы в виде двух или более металлических слоев, при этом обмотки могут быть расположены в несколько ярусов на кристалле микросхемы или подложке или расположены бок о бок в металлическом слое, или в виде комбинации из ярусов и размещения бок о бок. Коммутационная группа содержит переключатель S12, подсоединенный между другим концом первой обмоточной части W1 и другим концом третьей обмоточной части W3. Когда переключатель S12 разомкнут, работает последовательное соединение обмоточных частей W1, W2, W4, W3, а, когда переключатель S12 замкнут, работает схема, содержащая первую и третью обмоточные части W1, W3, соединенные последовательно между первым и вторым входами INP, INN. Когда в состоянии, в котором действуют только первая и третья обмоточные части W1, W3, желательно, чтобы недействующие вторая и четвертая обмотки W2, W4 не оказывали влияния, например, для сохранения низкого значения вносимого ослабления. Следовательно, первая и третья обмоточные части расположены на кристалле микросхемы или подложке таким образом, что магнитные поля первой и третьей обмоток являются, по существу, общими, и вторая и четвертая обмоточные части расположены с возможностью подавления электромагнитной связи с первой и третьей обмоточными частями. Данное расположение можно обеспечить посредством конструкции обмоток, которая подавляет магнитную связь между первой/третьей и второй/четвертой обмотками, как показано ниже на примере со ссылкой на фиг. 3. Принцип может осуществляться за счет того, что вторая и четвертая обмоточные части формируют структуру на кристалле микросхемы или подложке, имеющую первую часть, направляющую магнитное поле в первом направлении, и вторую часть, направляющую магнитное поле во втором направлении, при этом второе направление противоположно первому направлению. Магнитная связь тем самым подавляется. Следует отметить, что центральное ответвление присоединено к узлу питания в низкоимпедансном режиме, и, когда переключатель S12 замкнут, от первой и третьей обмоточных частей W1, W3 к узлу центрального ответвления имеются тракты через короткозамкнутые вторую и четвертую обмоточные части W2, W4. Импеданс или сопротивление увеличивается в достаточной мере, но обеспечивает рабочее решение для многих случаев применения.
Фиг. 2 является схемой перестраиваемого индукторного устройства в соответствии с вариантом осуществления. Индукторное устройство предпочтительно расположено на кристалле микросхемы или подложке, как показано ниже. Индукторное устройство содержит первую обмоточную часть W1, подсоединенную на одном конце к первому входу INP перестраиваемого индукторного устройства, вторую обмоточную часть W2, подсоединенную на одном конце к другому концу первой обмоточной части W1, третью обмоточную часть W3, подсоединенную на одном конце ко второму входу INN перестраиваемого индукторного устройства, и четвертую обмоточную часть W4, подсоединенную на одном конце к другому концу третьей обмоточной части W3 и подсоединенную на другом конце к другому концу второй обмоточной части W2. Точка, в которой соединяются вторая и четвертая обмоточные части W2, W4, подсоединена к заземлению переменного тока, например к напряжению питания, как центральное ответвление. Тем самым, по сути, формируется последовательное соединение обмоточных частей W1, W2, W4, W3. Перестраиваемое индукторное устройство дополнительно содержит коммутационную группу, выполненную с возможностью настройки перестраиваемого индукторного устройства посредством селективного обеспечения либо последовательного соединения, либо схемы, содержащей первую и третью обмоточные части W1, W3, последовательно соединенные между первым и вторым входами INP, INN. Обмоточные части расположены на кристалле микросхемы или подложке, т.е., по существу, в одной плоскости, но обмотки могут быть сформированы в виде двух или более металлических слоев, при этом обмотки могут быть расположены в несколько ярусов на кристалле микросхемы или подложке или расположены бок о бок в металлическом слое, или в виде комбинации из ярусов и размещения бок о бок. Коммутационная группа содержит первый переключатель S1, подсоединенный между другим концом первой обмоточной части W1 и заземлением переменного тока, т.е. центральным ответвлением. Второй переключатель S2 подсоединен между центральным ответвлением и другим концом третьей обмоточной части W3. Когда переключатели S1 и S2 разомкнуты, работает последовательное соединение обмоточных частей W1, W2, W4, W3, а, когда переключатели S1 и S2 замкнуты, работает схема, содержащая первую и третью обмоточные части W1, W3, соединенные последовательно между первым и вторым входами INP, INN. Соединение цепей переменного тока, обеспечиваемое в разомкнутом состоянии центральным ответвлением, находится в замкнутом состоянии, еще обеспечиваемом посредством переключателей S1, S2. В данном случае, коммутационная группа из двух переключателей обеспечивает низкоимпедансный тракт к центральному ответвлению, в отличие от варианта осуществления, показанного на фиг. 1, но, возможно, за счет более высоких паразитных емкостей. В состоянии, в котором работают только первая и третья обмоточные части W1, W3, желательно, чтобы недействующие вторая и четвертая обмотки W2, W4 не оказывали влияния, например, для сохранения низкого значения вносимого ослабления. Следовательно, первая и третья обмоточные части расположены на кристалле микросхемы или подложке таким образом, что магнитные поля первой и третьей обмоток являются, по существу, общими, и вторая и четвертая обмоточные части расположены с возможностью подавления электромагнитной связи с первой и третьей обмоточными частями. Данное расположение можно обеспечить посредством конструкции обмоток, которая подавляет магнитную связь между первой/третьей и второй/четвертой обмотками, как показано ниже на примере со ссылкой на фиг. 3. Принцип может осуществляться за счет того, что вторая и четвертая обмоточные части формируют структуру на кристалле микросхемы или подложке, имеющую первую часть, направляющую магнитное поле в первом направлении, и вторую часть, направляющую магнитное поле во втором направлении, при этом второе направление противоположно первому направлению. Принцип может осуществляться за счет того, что вторая и четвертая обмоточные части формируют структуру на кристалле микросхемы или подложке, имеющую первую часть, направляющую магнитное поле в первом направлении, и вторую часть, направляющую магнитное поле во втором направлении, при этом второе направление противоположно первому направлению. Магнитная связь тем самым подавляется. Благодаря применению двух переключателей S1, S2, соединенных с центральным ответвлением, получают уменьшенный импеданс соединения с узлом питания, что может быть важно в некоторых случаях применения. С другой стороны, более сложная коммутационная группа может привести к повышению паразитных сопротивления и/или емкости, что может снизить рабочую характеристику резонатора в некоторых случаях применения.
Фиг. 3 изображает пример топологии обмоток перестраиваемого индукторного устройства вместе со схематическим указанием на коммутационную группу в соответствии с вариантами осуществления, где соответствующие коммутационные группы, показанные со ссылками на обозначения на фиг. 1 и 2, схематично изображены на фиг. 3. Первая и третья обмоточные части формируют структуру, окружающую вторую обмотку в плоскости кристалла микросхемы или подложки. Структура второй и четвертой обмоточных частей и структура первой и третьей обмоточных частей симметрично расположены на кристалле микросхемы или подложке, как указано симметричными линиями, проведенными на фиг. 3. Структура второй и четвертой обмоточных частей на фиг. 3 имеет восьмиугольную форму, что обеспечивает первую часть, направляющую магнитное поле в первом направлении, и вторую часть, направляющую магнитное поле во втором направлении, при этом второе направление противоположно первому направлению. Равным образом возможны другие структуры, обеспечивающие такой же эффект, например в форме клеверного четырехлистника или в форме клеверного 2n-листника, где n является положительным целым числом.
Фиг. 4 является увеличенным изображением примерной топологии обмоток перестраиваемого индукторного устройства в соответствии с вариантом осуществления. Таким образом можно получить пересечения токопроводящих дорожек, формирующих обмотки. Две или более из обмоточных частей могут быть расположены в виде множества токопроводящих слоев на кристалле микросхемы или подложке. На иллюстрациях дорожки обеспечены бок о бок на подложке, и пересечения используют уложенные слоями проводники. Однако дорожки также могут использовать уложенные слоями проводники и размещаться одна поверх другой, или можно обеспечить комбинацию разных слоев и расположения бок о бок. Обмотки изображены также в форме восьмиугольников, но возможны другие формы, например круглая, квадратная или другая n-сторонняя форма, где n равно 3 или выше, или их комбинации, которые формируют обмотки, заключающие магнитное поле, которое является целью обмоток для формирования индуктивности. Индуктивность можно адаптировать для разных целей или единственных целей обычным образом.
Между второй и четвертой обмоточными частями W2, W4 могут быть подсоединены дополнительные обмоточные части, которые могут использоваться при формировании схемы перестраиваемого индукторного устройства. В предпочтительном варианте упомянутые дополнительные обмоточные части также расположены на кристалле микросхемы или подложке таким образом, чтобы образовались магнитные поля для подавления электромагнитной связи с первой по четвертую обмоточными частями W1-W4, подобно связи второй и четвертой обмоточных частей W2, W4 с первой и третьей обмоточными частями W1, W3. Возможность для этого можно создать посредством применения дополнительных металлических слоев для выполнения обмоточных частей на кристалле микросхемы или подложке и дополнительных переключателей коммутационной группы для селективного обеспечения схем, включающих в себя искомое количество обмоточных частей.
Фиг. 5 схематично изображает входные каскады радиоэлектронного устройства, в котором применимы перестраиваемые индукторные устройства в соответствии с вариантами осуществления. В схеме входных каскадов радиоэлектронного устройства, применяемого, например, в радиоустройствах стандарта 3GPP LTE radio, может использоваться несколько полос частот. Кроме того, например, при объединении несущих, когда отдельные полосы частот собираются и используются одновременно в разных конфигурациях, переналаживаемость является ключевым требованием к решению адаптивных входных каскадов. Более того, если входные каскады должны быть также применимыми для других технологий радиодоступа, например GSM (глобальной системе мобильных коммуникаций), UMTS (универсальной системе мобильной связи), WLAN (беспроводным локальным сетям), GNSS (глобальной навигационной спутниковой системе) и т.п., то спрос на переналаживаемость дополнительно возрастает. Таким образом, принятый сигнал может быть на нескольких частотах и иметь широкую или узкую ширину полосы частот, и, возможно, полосовой избирательный фильтр или другая схема, которая нуждается в резонаторе, должны быть для этого конфигурируемыми, в зависимости от текущего режима работы. Переменная емкость в упомянутых полосовых избирательных фильтрах, обычно, большей частью выполняет задачу, например, посредством использования конденсаторной батареи, в которой емкость можно переключать по требованию, но, при использовании перестраиваемого индуктора, показанного выше, переналаживаемость можно усовершенствовать, как и рабочую характеристику, например, полосовых избирательных фильтров. Посредством использования одного или более перестраиваемых индукторных устройств 502, 504, подобных вышеописанным устройствам, можно выполнить требование к переналаживаемости. Тем самым допускаются адаптивные комбинации полос.
Примером, в котором можно применить устройство входных каскадов, показанное выше, является многополосный радиочастотный приемник 500. Приемник 500 содержит первый приемный тракт, выполненный с возможностью приема радиосигнала в первой полосе частот, и второй приемный тракт, выполненный с возможностью приема радиосигнала во второй полосе частот, при этом первая полоса частот работает на более высокой частоте, чем вторая полоса частот, т.е. с расположением высокочастотных-низкочастотных полос, где как высокочастотная, так и низкочастотная полосы могут приниматься одновременно. Каждый из первого и второго приемных трактов может быть выполнен с возможностью селективной работы в выбранной полосе частот из множества полос частот, например, первый тракт для высокочастотной полосы может выбирать работу в одной из полос частот 1800 МГц, 1900 МГц, 2100 МГц и 2700 МГц, а второй тракт для низкочастотной полосы может выбирать одновременную работу в одной из полос частот 750 МГц, 850 МГц, 900 МГц и 1500 МГц. Данные полосы частот приведены только для примера, и равным образом возможны другие полосы частот и группировки высокочастотных и низкочастотных полос. Каждый приемный тракт содержит резонатор, содержащий перестраиваемое индукторное устройство 502, 504, показанное выше, при этом резонаторы выполнены с возможностью настройки на выбранную полосу частот в соответствующем приемном тракте. Следует отметить, что оба приемных тракта являются перенастраиваемыми на все полосы частот с помощью перестраиваемого индукторного устройства, при этом достигается высокая адаптивность, так как отсутствует специальный тракт для высокочастотных или низкочастотных полос. Возможны также устройства с более чем двумя упомянутыми приемными трактами. Таким образом, допускаются адаптивные комбинации полос частот, что, например, полезно в решениях с объединением несущих.
На фиг. 5 резонаторы показаны, например, для настройки выходов LNA (малошумящих усилителей). Разумеется, резонатор с перестраиваемым индукторным устройством можно использовать также для других целей, а также, например, для фильтров, согласования импедансов и т.п.
Фиг. 6 является блок-схемой, схематически изображающей устройство 600 связи в соответствии с вариантом осуществления. Устройство связи содержит приемник или приемопередатчик 602, который может быть подсоединен к антенне 604, и другие схемы 606, например процессор, выполненный с возможностью взаимодействия с приемником или приемопередатчиком 602, интерфейсами ввода и вывода устройства 600 связи и т.п. Приемник или приемопередатчик 602 содержит резонатор 610, при этом резонатор содержит перестраиваемое индукторное устройство в соответствии с любым из вышеописанных вариантов осуществления, причем перестраиваемое индукторное устройство является перестраиваемым, чтобы предоставлять резонатору 610 возможность работы на множестве резонансных частот. Приемник или приемопередатчик может также содержать контроллер 608, который может быть выполнен с возможностью управления настройкой резонатора 610, т.е. также перестраиваемого индукторного устройства. Приемник 602 может быть, например, многополосным радиочастотным приемником 500, показанным со ссылкой на фиг. 5.
Фиг. 7 является блок-схемой последовательности операций способа перестраиваемого индукторного устройства в соответствии с вариантом осуществления. Способ содержит этап определения 701 параметра настройки для перестраиваемого индукторного устройства. Определение можно выполнить путем получения распределения частот из удаленного объекта или из объекта внутри устройства связи, содержащего перестраиваемое индукторное устройство. На основании, например, информации о распределении частот, назначают 702 состояния переключателей для переключателя S12 или соответствующих переключателей S1, S2 для параметра настройки и управляют 703 переключателями в соответствии с назначенными состояниями переключателей. При новом распределении процедура может повторяться.
Способ в соответствии с настоящим изобретением пригоден для осуществления с помощью процессорных средств, например компьютеров и/или процессоров, в частности, в случае, в котором цифровой контроллер управляет приемопередатчиком. Поэтому обеспечиваются компьютерные программы, содержащие команды, составленные с возможностью предписания процессорному средству, процессору или компьютеру выполнять этапы любого из способов в соответствии с любым из вариантов осуществления, описанных со ссылкой на фиг. 7. Компьютерные программы предпочтительно содержат программный код, который хранится на компьютерно-читаемом носителе 800, как показано на фиг. 8, который может загружаться и выполняться процессорным средством, процессором или компьютером 802, чтобы соответственно назначать последнему выполнение способов в соответствии с вариантами осуществления настоящего изобретения, предпочтительно, как любой из вариантов осуществления, описанных со ссылкой на фиг. 7. Компьютер 802 и компьютерный программный продукт 800 могут быть выполнены с возможностью выполнения программного кода последовательно, при этом действия любого из способов выполняются пошагово. Процессорное средство, процессор или компьютер 802 является предпочтительно тем, что обычно называется встроенной системой. Таким образом, компьютерно-читаемый носитель 800 и компьютер 802, изображенные на фиг. 8, следует интерпретировать всего лишь как наглядные примеры для обеспечения понимания принципа и их нельзя интерпретировать как какую-либо непосредственную иллюстрацию элементов.
Выше изобретение описано в основном со ссылкой на несколько вариантов осуществления. Однако, как несложно понять специалисту в данной области техники, другие варианты осуществления, кроме тех, которые описаны выше, равным образом возможны в пределах объема изобретения, определенного прилагаемой формулой изобретения.

Claims (33)

1. Перестраиваемое индукторное устройство, размещаемое на кристалле микросхемы или подложке, при этом перестраиваемый индуктор содержит
первую обмоточную часть (W1), подсоединенную на первом конце к первому входу (INP) перестраиваемого индукторного устройства;
вторую обмоточную часть (W2), подсоединенную на первом конце ко второму концу первой обмоточной части (W1);
третью обмоточную часть (W3), подсоединенную на первом конце ко второму входу (INN) перестраиваемого индукторного устройства;
четвертую обмоточную часть (W4), подсоединенную на первом конце ко второму концу третьей обмоточной части (W3) и подсоединенную на втором конце ко второму концу второй обмоточной части (W2); и
коммутационную группу (S12; S1, S2), выполненную с возможностью настройки перестраиваемого индукторного устройства для селективного обеспечения либо
схемы, содержащей первую и третью обмоточные части (W1, W3), последовательно соединенные между первым и вторым входами (INP, INN); либо
схемы, содержащей первую, вторую, четвертую и третью обмоточные части (W1, W2, W4, W3), последовательно соединенные между первым и вторым входами (INP, INN),
причем первая и третья обмоточные части (W1, W3) расположены на кристалле микросхемы или подложке таким образом, что магнитные поля первой и третьей обмоточных частей (W1, W3) являются, по существу, общими; и
вторая и четвертая обмоточные части (W2, W4) формируют на кристалле микросхемы или подложке структуру, имеющую первую часть, направляющую магнитное поле в первом направлении, и вторую часть, направляющую магнитное поле во втором направлении, при этом второе направление противоположно первому направлению.
2. Перестраиваемое индукторное устройство по п. 1, в котором четвертая обмоточная часть (W4) подсоединена на втором конце ко второму концу второй обмоточной части (W2).
3. Перестраиваемое индукторное устройство по п. 1, дополнительно содержащее дополнительные обмоточные части, подсоединенные между вторым концом четвертой обмоточной части (W4) и вторым концом второй обмоточной части (W2).
4. Перестраиваемое индукторное устройство по любому из пп. 1-3, в котором коммутационная группа содержит первый переключатель (S12), подсоединенный между вторым концом первой обмоточной части (W1) и вторым концом третьей обмоточной части (W3).
5. Перестраиваемое индукторное устройство по любому из пп. 1-3, в котором коммутационная группа содержит
первый переключатель (S1), подсоединенный между вторым концом первой обмоточной части (W1) и потенциально заземленной точкой, подсоединенной ко второму концу второй обмоточной части (W2); и
второй переключатель (S2), подсоединенный между вторым концом третьей обмоточной части (W3) и потенциально заземленной точкой.
6. Перестраиваемое индукторное устройство по п. 1, в котором структура второй и четвертой обмоточных частей (W2, W4) и структура первой и третьей обмоточных частей (W1, W3) расположены симметрично на кристалле микросхемы или подложке.
7. Перестраиваемое индукторное устройство по п. 1 или 6, в котором первая и третья обмоточные части (W1, W3) формируют структуру, окружающую вторую и четвертую обмоточные части в плоскости кристалла микросхемы или подложки (W2, W4) в плоскости кристалла микросхемы или подложки.
8. Перестраиваемое индукторное устройство по п. 6, в котором структура второй и четвертой обмоточных частей (W2, W4) является восьмиугольной, в форме клеверного четырехлистника или в форме клеверного 2n-листника, где n является положительным целым числом.
9. Перестраиваемое индукторное устройство по любому из пп. 1-3, 6, в котором две или более из обмоточных частей (W1, W2, W3, W4) расположены в виде множества токопроводящих слоев на кристалле микросхемы или подложке.
10. Радиочастотный приемопередатчик (602), содержащий резонатор (610), при этом резонатор (610) содержит перестраиваемое индукторное устройство по любому из пп. 1-9, в котором перестраиваемое индукторное устройство можно настраивать для предоставления резонатору (610) возможности селективной работы на одной из множества резонансных частот.
11. Многополосный радиочастотный приемник (500), содержащий
первый приемный тракт, выполненный с возможностью приема радиосигнала в первой полосе частот;
второй приемный тракт, выполненный с возможностью приема радиосигнала во второй полосе частот,
при этом первая полоса частот работает на более высокой частоте, чем вторая полоса частот, и каждый из первого и второго приемных трактов
выполнен с возможностью селективной работы в выбранной полосе частот из множества полос частот; и
содержит резонатор, содержащий перестраиваемое индукторное устройство (502, 504) по любому из пп. 1-9, причем резонатор выполнен с возможностью настройки на выбранную полосу частот.
12. Устройство (600) связи, содержащее радиочастотный приемопередатчик (602) по п. 10 или многополосный радиочастотный приемник (602) по п. 11, и процессор (608), выполненный с возможностью взаимодействия с радиочастотным приемопередатчиком или многополосным радиочастотным приемником (602), при этом процессор (608) выполнен с возможностью управления коммутационной группой для выбора режима настройки перестраиваемого индукторного устройства.
13. Способ использования перестраиваемого индукторного устройства, включающего в себя обмоточные части и переключатели для настройки по любому из пп. 1-9, при этом способ содержит следующие этапы:
определяют (701) параметр настройки для перестраиваемого индукторного устройства;
назначают (702) состояния переключателей для переключателя
или соответствующих переключателей соответственно параметру настройки; и
управляют (703) переключателем или переключателями соответственно назначенным состояниям переключателей.
RU2016118649A 2013-10-16 2014-10-10 Перестраиваемое индукторное устройство, приемопередатчик и способ RU2638085C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP13188915.6 2013-10-16
EP13188915.6A EP2863429B1 (en) 2013-10-16 2013-10-16 Tunable inductor arrangement, transceiver, method and computer program
PCT/EP2014/071751 WO2015055528A2 (en) 2013-10-16 2014-10-10 Tunable inductor arrangement, transceiver, method and computer program

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2016118649A RU2016118649A (ru) 2017-11-20
RU2638085C2 true RU2638085C2 (ru) 2017-12-11

Family

ID=49356320

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016118649A RU2638085C2 (ru) 2013-10-16 2014-10-10 Перестраиваемое индукторное устройство, приемопередатчик и способ

Country Status (12)

Country Link
US (5) US9934898B2 (ru)
EP (2) EP2863429B1 (ru)
JP (1) JP6247387B2 (ru)
CN (1) CN105917464B (ru)
AU (1) AU2014336353B2 (ru)
BR (1) BR112016008388B1 (ru)
DK (1) DK2863429T3 (ru)
ES (1) ES2638962T3 (ru)
IN (1) IN201637012335A (ru)
MX (1) MX352530B (ru)
RU (1) RU2638085C2 (ru)
WO (1) WO2015055528A2 (ru)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES2637119T3 (es) 2013-10-16 2017-10-10 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Disposición, transceptor, procedimiento y programa informático de inductor sintonizable
EP2863429B1 (en) 2013-10-16 2017-06-14 Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) Tunable inductor arrangement, transceiver, method and computer program
US9543068B2 (en) 2014-06-17 2017-01-10 Qualcomm Technologies International, Ltd. Inductor structure and application thereof
GB201705913D0 (en) 2017-04-12 2017-05-24 Novelda As Filter
TWI664649B (zh) * 2017-07-31 2019-07-01 瑞昱半導體股份有限公司 電感裝置
US10381981B2 (en) 2017-09-15 2019-08-13 Qualcomm Incorporated Degeneration for a wideband voltage-controlled oscillator
US10447204B2 (en) * 2017-09-15 2019-10-15 Qualcomm Incorporated Switchable inductor network for wideband circuits
CN109801769B (zh) * 2017-11-16 2021-06-11 世界先进积体电路股份有限公司 电感结构
TWI643217B (zh) * 2018-01-15 2018-12-01 瑞昱半導體股份有限公司 八字形電感性線圈裝置
US11070087B2 (en) * 2018-01-27 2021-07-20 Apple Inc. Wireless power system with in-band communication
US11552594B2 (en) * 2018-03-30 2023-01-10 Intel Corporation Oscillator frequency range extension using switched inductor
TWI666662B (zh) * 2018-06-20 2019-07-21 瑞昱半導體股份有限公司 可變電感裝置
US10637528B2 (en) * 2018-07-23 2020-04-28 Audiowise Technology Inc. Inductor circuit and wireless communication devices
US11159145B2 (en) * 2018-08-14 2021-10-26 Newport Fab, Llc Radio frequency (RF) filtering using phase-change material (PCM) RF switches
TWI674595B (zh) * 2019-04-25 2019-10-11 瑞昱半導體股份有限公司 積體變壓器
CN112117101B (zh) * 2019-06-19 2022-11-22 瑞昱半导体股份有限公司 电感装置
TWI692780B (zh) 2019-09-25 2020-05-01 瑞昱半導體股份有限公司 電感裝置
TWI692783B (zh) * 2019-09-25 2020-05-01 瑞昱半導體股份有限公司 電感裝置
CN114762246A (zh) * 2019-11-28 2022-07-15 华为技术有限公司 电感器、振荡器及终端设备
CN113936894B (zh) * 2020-06-29 2024-09-06 瑞昱半导体股份有限公司 电感装置
CN114783721A (zh) * 2021-01-22 2022-07-22 瑞昱半导体股份有限公司 电感装置
CN112928208B (zh) * 2021-01-22 2024-05-28 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种非对称的电压偏置效应的高压高阻值多晶硅电阻模型
KR102397695B1 (ko) * 2021-03-12 2022-05-13 강원대학교산학협력단 스위칭 가능한 차동 인덕터 및 이의 동작 방법 및 이를 포함하는 장치들
CN115172022A (zh) * 2021-04-06 2022-10-11 华为技术有限公司 一种电感器件以及以太网口电路
CN113517869A (zh) * 2021-06-24 2021-10-19 成都爱旗科技有限公司 一种低噪声放大器、信号收发设备及信号收发方法
US11669135B2 (en) * 2021-08-16 2023-06-06 DXCorr Design Inc. Inter-chip input-output (IO) for voltage-stacked near threshold computing (NTC) chips
US11671068B1 (en) * 2022-02-23 2023-06-06 Realtek Semiconductor Corp. Integrated LC tank with third order harmonic trap
WO2023171910A1 (ko) * 2022-03-07 2023-09-14 삼성전자 주식회사 Rf 신호의 전력 증폭기를 포함하는 전자 장치

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003052780A1 (de) * 2001-12-18 2003-06-26 Infineon Technologies Ag Induktives bauteil
WO2007006867A1 (en) * 2005-07-11 2007-01-18 Nokia Corporation Inductor device for multiband radio frequency operation
RU92273U1 (ru) * 2009-10-27 2010-03-10 ОАО Российский институт мощного радиостроения Радиопередающее устройство
US20120286889A1 (en) * 2011-05-10 2012-11-15 Samsung Electro-Mechanics Company Systems and Methods for Wideband CMOS Voltage-Controlled Oscillators Using Reconfigurable Inductor Arrays
US8331978B2 (en) * 2006-07-28 2012-12-11 Qualcomm Incorporated Dual inductor circuit for multi-band wireless communication device
RU2517059C2 (ru) * 2009-09-29 2014-05-27 Сони Корпорейшн Устройство беспроводной связи, система беспроводной передачи данных и способ беспроводной передачи данных

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8602033A (nl) 1986-08-08 1988-03-01 Nedap Nv Precisie richtfunctie bij herkensysteem.
DE3817726A1 (de) 1988-05-25 1989-11-30 Siemens Ag Vorrichtung zur raeumlichen ultraschall-ortung von konkrementen
US5351688A (en) 1993-08-16 1994-10-04 Univ. Of Ne Board Of Regents NMR quadrature detection solenoidal coils
US6549071B1 (en) 2000-09-12 2003-04-15 Silicon Laboratories, Inc. Power amplifier circuitry and method using an inductance coupled to power amplifier switching devices
GB0126219D0 (en) 2001-11-01 2002-01-02 Koninkl Philips Electronics Nv Tunable filter
US7005930B1 (en) 2001-11-14 2006-02-28 Berkana Wireless, Inc. Synchronously coupled oscillator
US6621365B1 (en) 2002-04-03 2003-09-16 Nokia Corporation Method and apparatus providing a dual mode VCO for an adaptive receiver
US7151430B2 (en) 2004-03-03 2006-12-19 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Method of and inductor layout for reduced VCO coupling
US6982887B2 (en) 2004-04-26 2006-01-03 Astec International Limited DC-DC converter with coupled-inductors current-doubler
US7432794B2 (en) 2004-08-16 2008-10-07 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Variable integrated inductor
TW200633362A (en) 2004-11-15 2006-09-16 Koninkl Philips Electronics Nv Variable inductance circuitry for frequency control of a voltage controlled oscillator
US7649407B2 (en) 2007-09-28 2010-01-19 Intel Corporation Digitally tuned, integrated RF filters with enhanced linearity for multi-band radio applications
US7688158B2 (en) 2007-09-28 2010-03-30 Intel Corporation Digitally tuned, integrated baluns with enhanced linearity for multi-band radio applications
US7808310B2 (en) 2007-11-28 2010-10-05 Infineon Technologies, Ag Differential band-pass filter having symmetrically interwoven inductors
WO2009081342A1 (en) 2007-12-21 2009-07-02 Nxp B.V. Low magnetic field inductor
US8237531B2 (en) 2007-12-31 2012-08-07 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Tunable high quality factor inductor
CN101682293B (zh) * 2008-03-28 2013-10-30 松下电器产业株式会社 压控振荡器、以及使用其的锁相环电路和无线通信设备
EP2266121B1 (en) 2008-04-10 2015-06-10 Nxp B.V. 8-shaped inductor
JP2009260080A (ja) 2008-04-17 2009-11-05 Fujitsu Ltd インダクタ装置
US7953462B2 (en) 2008-08-04 2011-05-31 Vartanian Harry Apparatus and method for providing an adaptively responsive flexible display device
US7821372B2 (en) 2008-12-31 2010-10-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. On-chip transformer BALUN structures
EP2273613A1 (en) 2009-07-07 2011-01-12 Nxp B.V. Magnetic shield layout, semiconductor device and application
US8842410B2 (en) 2009-08-31 2014-09-23 Qualcomm Incorporated Switchable inductor network
WO2011073853A1 (en) 2009-12-17 2011-06-23 Stmicroelectronics S.R.L. Circuit arrangement of a voltage controlled oscillator
EP2337150B1 (en) 2009-12-18 2012-12-05 Laird Technologies AB An antenna arrangement and a portable radio communication device comprising such an antenna arrangement
US20120244802A1 (en) * 2011-03-24 2012-09-27 Lei Feng On chip inductor
US9002309B2 (en) * 2011-05-27 2015-04-07 Qualcomm Incorporated Tunable multi-band receiver
US8699974B2 (en) 2011-08-24 2014-04-15 Aviacomm Inc. Wideband transmitter front-end
US8742859B2 (en) 2011-12-06 2014-06-03 Qualcomm Incorporated Tunable inductor circuit
US8639286B2 (en) 2011-12-23 2014-01-28 Broadcom Corporation RF transmitter having broadband impedance matching for multi-band application support
EP2648193B1 (en) 2012-04-03 2015-07-29 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (publ) An inductor layout, and a voltage-controlled oscillator (VCO) system
US20140028521A1 (en) * 2012-07-27 2014-01-30 Rf Micro Devices, Inc. Tuner topology for wide bandwidth
US9058130B2 (en) * 2013-02-05 2015-06-16 International Business Machines Corporation Tunable sector buffer for wide bandwidth resonant global clock distribution
US9276547B2 (en) * 2013-06-28 2016-03-01 Peregrine Semiconductor Corporation Systems and methods of stacking LC tanks for wide tuning range and high voltage swing
ES2637119T3 (es) 2013-10-16 2017-10-10 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Disposición, transceptor, procedimiento y programa informático de inductor sintonizable
EP2863429B1 (en) * 2013-10-16 2017-06-14 Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) Tunable inductor arrangement, transceiver, method and computer program

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003052780A1 (de) * 2001-12-18 2003-06-26 Infineon Technologies Ag Induktives bauteil
WO2007006867A1 (en) * 2005-07-11 2007-01-18 Nokia Corporation Inductor device for multiband radio frequency operation
US8331978B2 (en) * 2006-07-28 2012-12-11 Qualcomm Incorporated Dual inductor circuit for multi-band wireless communication device
RU2517059C2 (ru) * 2009-09-29 2014-05-27 Сони Корпорейшн Устройство беспроводной связи, система беспроводной передачи данных и способ беспроводной передачи данных
RU92273U1 (ru) * 2009-10-27 2010-03-10 ОАО Российский институт мощного радиостроения Радиопередающее устройство
US20120286889A1 (en) * 2011-05-10 2012-11-15 Samsung Electro-Mechanics Company Systems and Methods for Wideband CMOS Voltage-Controlled Oscillators Using Reconfigurable Inductor Arrays

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017501560A (ja) 2017-01-12
US11456102B2 (en) 2022-09-27
MX352530B (es) 2017-11-29
US10249426B2 (en) 2019-04-02
WO2015055528A3 (en) 2015-06-18
BR112016008388B1 (pt) 2022-08-02
WO2015055528A2 (en) 2015-04-23
ES2638962T3 (es) 2017-10-24
AU2014336353B2 (en) 2017-12-07
DK2863429T3 (en) 2017-09-04
EP2863429A1 (en) 2015-04-22
EP3223309B1 (en) 2020-07-08
EP3223309A1 (en) 2017-09-27
BR112016008388A2 (ru) 2017-08-01
JP6247387B2 (ja) 2017-12-13
RU2016118649A (ru) 2017-11-20
US9934898B2 (en) 2018-04-03
AU2014336353A1 (en) 2016-04-28
US20220415554A1 (en) 2022-12-29
US10916364B2 (en) 2021-02-09
US11854728B2 (en) 2023-12-26
US20210134507A1 (en) 2021-05-06
US20180261369A1 (en) 2018-09-13
CN105917464A (zh) 2016-08-31
US20160225509A1 (en) 2016-08-04
CN105917464B (zh) 2018-11-30
US20190180904A1 (en) 2019-06-13
EP2863429B1 (en) 2017-06-14
IN201637012335A (ru) 2016-08-26
MX2016004732A (es) 2016-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2638085C2 (ru) Перестраиваемое индукторное устройство, приемопередатчик и способ
US11527347B2 (en) Tunable inductor arrangement, transceiver, method and computer program
EP3158640B1 (en) A radio frequency oscillator
ES2644019T3 (es) Malla hecha de anillos de alambre y método para hacer malla hecha de anillos de alambre