RU2628676C1 - Thermoelectric element - Google Patents
Thermoelectric element Download PDFInfo
- Publication number
- RU2628676C1 RU2628676C1 RU2016146445A RU2016146445A RU2628676C1 RU 2628676 C1 RU2628676 C1 RU 2628676C1 RU 2016146445 A RU2016146445 A RU 2016146445A RU 2016146445 A RU2016146445 A RU 2016146445A RU 2628676 C1 RU2628676 C1 RU 2628676C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- film
- additional material
- thermoelectric
- additional
- hybridization
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
- H10N10/17—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/855—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising compounds containing boron, carbon, oxygen or nitrogen
Abstract
Description
Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению, в частности к конструкциям и материалам, используемым в термоэлектрических элементах (ТЭЭ) и термоэлектрических батареях (ТЭБ).The invention relates to thermoelectric instrumentation, in particular to structures and materials used in thermoelectric elements (TEE) and thermoelectric batteries (TEB).
Термоэлектричество является одним из альтернативных способов в технологии получения холода, который не использует химикаты, разрушающие озоновый слой Земли, и дает много дополнительных преимуществ, включая использование только твердотельных устройств, электронный контроль действия, обратимость производства нагревания и охлаждения. Термоэлектрические преобразователи используют в системах, утилизирующих тепло. Однако охлаждение с помощью термоэлектричества не имеет широкого распространения из-за низкой по сравнению с парожидкостным сжатием эффективностью. Термоэлектрическая эффективность (коэффициент преобразования друг в друга тепловой и электрической энергий) зависит от термоэлектрического параметра Z того материала, из которого термоэлектрическое устройство выполнено. Этот параметр определяется квадратом коэффициента термо-ЭДС S, умноженного на коэффициент электропроводности σ и деленного на коэффициент теплопроводности X.Thermoelectricity is one of the alternative methods in the technology of producing cold, which does not use chemicals that destroy the ozone layer of the Earth, and provides many additional advantages, including the use of only solid-state devices, electronic control of the action, reversibility of the production of heating and cooling. Thermoelectric converters are used in heat recovery systems. However, cooling by thermoelectricity is not widespread due to the low efficiency compared to vapor-liquid compression. Thermoelectric efficiency (coefficient of conversion of thermal and electric energies into each other) depends on the thermoelectric parameter Z of the material from which the thermoelectric device is made. This parameter is determined by the square of the coefficient of thermo-EMF S, multiplied by the coefficient of electrical conductivity σ and divided by the coefficient of thermal conductivity X.
Вследствие развития производства полупроводников появились ТЭЭ и ТЭБ, состоящие из последовательно соединенных в электрическую цепь посредством коммутационных элементов полупроводниковых термоэлементов, каждый из которых образован двумя ветвями, изготовленными из полупроводника соответственно p- и n-типов проводимости.As a result of the development of semiconductor production, TEE and TEB appeared, consisting of semiconductor thermoelements connected in series to an electric circuit through switching elements, each of which is formed by two branches made of semiconductor p- and n-types of conductivity, respectively.
Так, известен термоэлектрический элемент (см. RU 2475889, МПК H01L 35/08, H01L 35/34, опубликован 20.03.2013), включающий термопары, которые содержат полупроводники n-типа и полупроводники p-типа, соединенные по меньшей мере с одним электропроводным контактным материалом.Thus, a thermoelectric element is known (see RU 2475889, IPC H01L 35/08, H01L 35/34, published 03/20/2013), including thermocouples that contain n-type semiconductors and p-type semiconductors connected to at least one electrically conductive contact material.
Недостатком такой конструкции является громоздкость коммутационных электрических и тепловых контактов и недостаточно высокий коэффициент полезного действия.The disadvantage of this design is the bulkiness of the switching electrical and thermal contacts and the insufficiently high coefficient of efficiency.
Известен термоэлектрический элемент (см. заявка JPH 10173243, МПК H01L 35/22, опубликован 26.06.1998), включающий ветви n-типа проводимости из графита (кристаллического углерода) и p-типа проводимости в виде слоистой структуры из графита и FeC. Одни электроды (медные пластины) присоединены с помощью углеродной пасты к первым конечным поверхностям ветвей n-типа и p-типа, а другой электрод - общая медная пластина - присоединена к другим оконечным поверхностям упомянутых ветвей. Применение таких материалов для ветвей ТЭЭ уменьшает его стоимость и загрязнение окружающей среды.Known thermoelectric element (see application JPH 10173243, IPC H01L 35/22, published 06/26/1998), including branches of n-type conductivity from graphite (crystalline carbon) and p-type conductivity in the form of a layered structure of graphite and FeC. Some electrodes (copper plates) are connected with carbon paste to the first end surfaces of the n-type and p-type branches, and the other electrode, a common copper plate, is attached to the other end surfaces of the mentioned branches. The use of such materials for branches of the TEE reduces its cost and environmental pollution.
Недостатком известного термоэлектрического элемента является его невысокая термоэлектрическая эффективность.A disadvantage of the known thermoelectric element is its low thermoelectric efficiency.
Известен термоэлектрический элемент (см. RU 2223573, МПК H01L 35/32), содержащий многослойное тело, состоящее из двух или более ламинарных тел, выполненных из металла, причем ламинарные тела имеют среднюю толщину от 0,3 до 100 нм, а термоэлектрический элемент используют посредством приложения тока в направлении толщины многослойного тела или при наличии разности температур между обоими концами в направлении толщины многослойного тела.Known thermoelectric element (see RU 2223573, IPC H01L 35/32) containing a multilayer body consisting of two or more laminar bodies made of metal, and laminar bodies have an average thickness of from 0.3 to 100 nm, and the thermoelectric element is used by applying current in the direction of the thickness of the multilayer body or in the presence of a temperature difference between both ends in the direction of the thickness of the multilayer body.
Разработанный для известного термоэлемента термоэлектрический материал имеет более высокий коэффициент Зеебека, чем в традиционных полупроводниках, и соответственно больший коэффициент преобразования мощности, а также высокую ударопрочность, сопротивление температурной деформации и способность к формоизменению. Однако величина термоэлектрической эффективности Z известного термоэлемента является недостаточной для многих технических применений. Известно (см. Koga Т., Rabin О., Dresselhaus M.S. - Thermoelectric figure of merit of Bi/Pb1-xEUxTe superlattices. - Physical Review B, 2000, v. 62, p. 16703), что для однородных материалов наибольшее значение термоэлектрического параметра - Z≈0,003 K-1 - при комнатной температуре (300 K) имеет сплав Bi2Te3. Такой сплав обладает рекордным для однородного материала термоэлектрическим параметром вследствие того, что в электропроводящих материалах наряду с обычным диффузионным механизмом перераспределения электронов между горячими и холодными областями возможен гораздо более эффективный механизм увлечения электронов тепловым потоком (фононами), известный как эффект Гуревича (см. Гуревич Л.Э. Термоэлектрические свойства проводников. Журнал экспериментальной и теоретической физики. Т. 16, вып. 3, с. 193-227, 1946). Поток фононов увлекает электроны в сторону горячего конца образца и это дает вклад в коэффициент термоЭДС. В легированном висмуте (Bi2Te3) этот эффект определяет общий коэффициент термо-ЭДС, который создает упомянутый выше рекордный термоэлектрический параметр.The thermoelectric material developed for the known thermoelement has a higher Seebeck coefficient than in traditional semiconductors, and accordingly a higher power conversion coefficient, as well as high impact resistance, resistance to temperature deformation and the ability to shape change. However, the thermoelectric figure of merit Z of a known thermoelement is insufficient for many technical applications. It is known (see Koga T., Rabin O., Dresselhaus MS - Thermoelectric figure of merit of Bi / Pb 1-x EU x Te superlattices. - Physical Review B, 2000, v. 62, p. 16703) that for homogeneous materials, the largest value of the thermoelectric parameter - Z≈0.003 K -1 - at room temperature (300 K) has an alloy of Bi 2 Te 3 . Such an alloy has a record thermoelectric parameter for a homogeneous material due to the fact that in electrically conductive materials, along with the usual diffusion mechanism of electron redistribution between hot and cold regions, a much more efficient mechanism for electron capture by the heat flux (phonons), known as the Gurevich effect, is possible (see Gurevich L .E. Thermoelectric properties of conductors. Journal of Experimental and Theoretical Physics, vol. 16, issue 3, pp. 193-227, 1946). The phonon flux carries electrons towards the hot end of the sample and this contributes to the thermopower coefficient. In doped bismuth (Bi 2 Te 3 ), this effect determines the overall coefficient of thermo-emf, which creates the above-mentioned record thermoelectric parameter.
Известен термоэлектрический элемент (см. US 6670539, МПК H01L 35/18, H01L 35/34, H01L 35/12, опубликован 30.12.2003), содержащий дополнительный материал висмут, сплав с висмутом, висмут в других металлах и смеси вышеперечисленных материалов (возможно, включающих дополнительные добавки), помещенный в протяженные параллельно расположенные поры основного пористого материала с размерами пор 5-15 нм. Основной материал берется в виде неокисленного пористого алюминия, пористого стекла или пористого силикагеля. Основной материал использован в форме объемного материала. Электрические контакты присоединены к торцовым поверхностям дополнительного материала в порах основного.A thermoelectric element is known (see US 6670539, IPC H01L 35/18, H01L 35/34, H01L 35/12, published December 30, 2003) containing additional bismuth material, an alloy with bismuth, bismuth in other metals and a mixture of the above materials (possibly , including additional additives), placed in extended parallel pores of the main porous material with pore sizes of 5-15 nm. The base material is taken in the form of unoxidized porous aluminum, porous glass or porous silica gel. The base material is used in the form of bulk material. Electrical contacts are attached to the end surfaces of the additional material in the pores of the core.
Достигнутое в известном термоэлектрическом элементе рекордное в то время значение параметра Z=0,08 K-1 (при температуре 77 К) в настоящее время уже недостаточно для многих применений; к тому же термоэлектрический элемент имеет относительно невысокий коэффициент полезного действия.The record value of the parameter Z = 0.08 K -1 (at a temperature of 77 K) achieved at that time in the known thermoelectric element is now insufficient for many applications; in addition, the thermoelectric element has a relatively low efficiency.
Известен термоэлектрический элемент (см. патент RU 2376681, МПК H01L 35/12, H01L 35/32, опубликован 20.12.2009), совпадающий с настоящим техническим решением по наибольшему числу существенных признаков и принятый за прототип. Термоэлектрический элемент-прототип состоит из основного материала, имеющего протяженные параллельные углубления, и расположенного в них дополнительного материала, имеющих различные электропроводности и теплопроводности, и электрических контактов к дополнительному материалу. В качестве основного материала термоэлектрического элемента взят углеродный материал с sp3 гибридизацией атомных связей, а в качестве дополнительного материала - углеродный материал с sp2 гибридизацией связей. Углубления выполнены в виде канавок, у которых глубина, ширина и расстояние между осями ближайших канавок удовлетворяют определенным соотношениям:Known thermoelectric element (see patent RU 2376681, IPC H01L 35/12, H01L 35/32, published December 20, 2009), coinciding with this technical solution for the largest number of essential features and adopted for the prototype. The thermoelectric prototype element consists of a base material having extended parallel recesses, and additional material located therein having various electrical and thermal conductivities, and electrical contacts to the additional material. A carbon material with sp 3 hybridization of atomic bonds was taken as the main material of the thermoelectric element, and a carbon material with sp 2 hybridization of bonds was taken as an additional material. The recesses are made in the form of grooves in which the depth, width and distance between the axes of the nearest grooves satisfy certain relations:
2 нм≤d≤10 нм,2 nm≤d≤10 nm,
1≤I/b≤100,1≤I / b≤100,
где d - глубина канавки, нм;where d is the depth of the groove, nm;
b - ширина канавки, нм;b is the width of the groove, nm;
I - расстояние между осями ближайших канавок, нм,I is the distance between the axes of the nearest grooves, nm,
а электрические контакты расположены вдоль дна канавок и на противоположной поверхности дополнительного материала.and electrical contacts are located along the bottom of the grooves and on the opposite surface of the additional material.
Термоэлектрический элемент-прототип имеет повышенный коэффициент полезного действия за счет высокой термоэлектрической эффективности, а также обеспечивает миниатюризацию устройства, так как нанометрические размеры канавок и менее чем микрометрические размеры расстояния между канавками позволяют создавать из таких термоэлементов минитермоэлектрические батареи, удовлетворяющие требованиям пользователей.The thermoelectric prototype element has an increased efficiency due to high thermoelectric efficiency, and also provides miniaturization of the device, since the nanometric dimensions of the grooves and less than the micrometric dimensions of the distance between the grooves make it possible to create mini-thermoelectric batteries from such thermoelements that satisfy user requirements.
Недостатками термоэлектрического элемента-прототипа являются технологическая трудность создания канавок необходимых размеров и трудность размещения в них дополнительного материала и электрических контактов к дополнительному материалу.The disadvantages of the thermoelectric prototype element are the technological difficulty of creating grooves of the required size and the difficulty of placing additional material and electrical contacts to the additional material in them.
Задачей настоящего технического решения являлась разработка такого термоэлектрического элемента, который бы имел более простую в изготовлении конструкцию и при этом сохранял высокий коэффициент полезного действия.The objective of this technical solution was the development of such a thermoelectric element, which would have a simpler design to manufacture and at the same time maintain a high efficiency.
Поставленная задача решается тем, что термоэлектрический элемент включает основной материал в виде углеродного материала с sp3 гибридизацией атомных связей и дополнительный материал в виде углеродного материала с sp2 гибридизацией связей. Новым является выполнение основного материала в виде по меньшей мере двух пленок, между которыми расположена пленка дополнительного материала, при этом толщина d, нм, пленки дополнительного материала и толщина b, нм, пленки основного материала удовлетворяет соотношениям:The problem is solved in that the thermoelectric element includes a base material in the form of a carbon material with sp 3 hybridization of atomic bonds and an additional material in the form of a carbon material with sp 2 hybridization of bonds. New is the implementation of the base material in the form of at least two films between which there is a film of additional material, the thickness d, nm, the film of additional material and the thickness b, nm, the film of the basic material satisfying the relations:
а электрические контакты нанесены на противолежащие периферийные области поверхности пленки дополнительного материала.and electrical contacts are applied to opposite peripheral regions of the surface of the film of additional material.
Предлагаемое техническое решение поясняется чертежом, гдеThe proposed technical solution is illustrated in the drawing, where
на фиг. 1 показан настоящий ТЭЭ в вертикальном сечении;in FIG. 1 shows a real TEE in a vertical section;
на фиг. 2 изображена ТЭБ, состоящая из многих отдельных ТЭЭ, в вертикальном сечении.in FIG. Figure 2 shows a fuel cell, consisting of many individual fuel cells, in a vertical section.
Настоящий термоэлектрический элемент 1 включает (см. фиг. 1) две пленки основного материала 2 в виде углеродного материала с sp3 гибридизацией атомных связей, между которыми расположена пленка дополнительного материала 3 в виде углеродного материала с sp2 гибридизацией связей. На противолежащие периферийные области поверхности пленки дополнительного материала 2 нанесены электрические контакты 4, 5. Один из контактов 3 или 4 является горячим, а другой холодным. Толщина d, нм, пленки дополнительного материала 3 и толщина b, нм, пленки основного материала 2 удовлетворяет приведенным выше соотношениям (1), (2).The present
Изображенная на фиг. 2 термоэлектрическая батарея включает подложку 6 в виде пластины из материалов, выбираемых из требований технологии изготовления, на которой расположены стопкой термоэлектрические элементы 1.Depicted in FIG. 2, the thermoelectric battery includes a
Настоящий ТЭЭ изготовляют путем нанесения методом химического осаждения в вакууме - методом CVD - сначала пленку основного материала 2 в виде углеродного материала с sp3 гибридизацией атомных связей. Затем на пленку основного материала 2 тем же методом наносят пленку дополнительного материала 3 в виде углеродного материала с sp2 гибридизацией связей. Контакты 4, 5 из материалов, выбираемых из требований технологии изготовления и обеспечивающие электрическую связь с дополнительным материалом 3, наносят на периферийные области поверхности дополнительного материала 3. Контакты 4, 5 могут иметь вертикальный размер, выбираемый из требований технологии изготовления, и должны обеспечивать возможность дальнейшего вывода на шины выводов контактов 4, 5. Порядок нанесения контактов 4, 5 выбирают из требований технологии изготовления. Затем наносят пленку основного материала 2, покрывающий дополнительный материал 3 и контакты 4, 5.This TEE is produced by applying a chemical vapor deposition method in a vacuum — by CVD — first a film of the
Для создания ТЭБ сначала изготавливают на подложке 6 ТЭЭ 1. Затем на пленку основного материала 2, покрывающую пленку дополнительного материала 3 и контакты в уже созданном ТЭЭ 1, наносят следующую пленку дополнительного материала 3. Затем на пленку, нанесенную, как указано выше, дополнительного материала 3 наносят контакты 4, 5 и затем поверх пленку основного материала 2. Этот процесс повторяют столько раз, сколько нужно для создания требуемой термоэлектрической батареи.To create a fuel cell, first a
Настоящий ТЭЭ 1 начинает работать при приложении разности температур между контактами 4 и 5. Если охлаждается контакт 5 и/или прилегающая к нему область дополнительного материала 3, а нагревается контакт 4 и/или прилегающая к нему область дополнительного материала 3, то во внешней цепи между контактами 4-5 будет протекать электрический ток. ТЭЭ 1 при этом работает в режиме термоэлектрического генератора. Если по внешней цепи пропускать электрический ток, направленный от контакта 4 к контакту 5, то контакт 5 и прилегающая к нему область дополнительного материала 3 станут холоднее, чем они были до пропускания тока. ТЭЭ 1 при этом работает в режиме термоэлектрического холодильника.This
Примеры конкретного исполненияExamples of specific performance
Пример 1. Был создан ТЭЭ согласно формуле изобретения. На подложку (пластину из кремния) наносили методом CVD пленку основного материала - углеродного материала с sp3 гибридизацией атомных связей (алмазоподобную пленку) толщиной b=80 нм. Затем на основной материал наносили методом CVD пленку дополнительного материала - углеродного материала с sp2 гибридизацией связей (графитоподобную пленку) толщиной d=40 нм. Пленки лежат в параллельных плоскостях. На пленку из дополнительного материала методом CVD нанесли вторую пленку основного материала толщиной b=80 нм. На одну периферийную область поверхности пленки дополнительного материала наносили один контакт, на противолежащую периферийную область поверхности пленки дополнительного материала наносили второй контакт. При этом были выдержаны соотношения d=40 нм и b/d=2. Контакты обеспечивали электрическую связь с дополнительным материалом за счет того, что они состояли из подслоя хрома толщиной 1 нм и слоя золота толщиной 30 нм поверх него. Далее контакты были выведены на шины. В результате была достигнута эффективность термоэлектрического преобразования Z=0,1 K-1 (при Т=77 K), что по оценке авторов всего в 2 раза меньше, чем в прототипе, при значительном упрощении изготовления. Упрощение состоит в том, что не требовалось изготовления канавок. Технология изготовления канавок требует сложного литографического оборудования. Еще одно упрощение состояло в том, что не требовалось размещения контакта на дне канавки. В настоящее время не существует стандартного оборудования и технологии, обеспечивающих выполнение такой операции.Example 1. A TEE was created according to the claims. A CVD film of the main material — a carbon material with sp 3 hybridization of atomic bonds (diamond-like film) with a thickness of b = 80 nm — was applied on a substrate (silicon wafer) by CVD. Then, a CVD film of an additional material — a carbon material with sp 2 hybridization of bonds (graphite-like film) with a thickness of d = 40 nm — was applied to the main material by CVD. Films lie in parallel planes. A second film of the base material with a thickness of b = 80 nm was applied to the film of additional material by CVD. One contact was applied to one peripheral region of the surface of the film of additional material; a second contact was applied to the opposite peripheral region of the surface of the film of additional material. In this case, the ratios d = 40 nm and b / d = 2 were maintained. The contacts provided electrical connection with additional material due to the fact that they consisted of a
Пример 2. Во втором варианте исполнения размеры структуры термоэлемента составляли d=20 нм, а соотношение b/d=10. Все остальные параметры оставались те же, что в примере 1. Полученная величина Z=0,044 K-1, что несколько меньше, чем в прототипе, при сильном упрощении изготовления.Example 2. In the second embodiment, the dimensions of the thermocouple structure were d = 20 nm, and the ratio b / d = 10. All other parameters remained the same as in example 1. The resulting value Z = 0,044 K- 1 , which is slightly less than in the prototype, with a strong simplification of manufacture.
Использование настоящей конструкции позволяет преодолеть недостатки ТЭЭ-прототипа, которыми являются технологическая трудность создания канавок необходимых размеров и трудность размещения в них дополнительного материала и электрических контактов к дополнительному материалу. Решена задача разработки такого ТЭЭ, который бы имел более простую в изготовлении конструкцию и при этом сохранял высокий коэффициент полезного действия, а также обеспечивает миниатюризацию устройства, т.к. нанометровые толщины пленок дополнительного материала и менее чем микрометрические расстояния между слоями дополнительного материала позволяют создавать из таких ТЭЭ мини-ТЭБ, удовлетворяющие требованиям пользователей.Using this design allows you to overcome the disadvantages of the TEE prototype, which are the technological difficulty of creating grooves of the required size and the difficulty of placing additional material and electrical contacts to the additional material in them. The problem of developing such a TEC that would have a simpler design to manufacture and at the same time maintain a high efficiency, and also provides miniaturization of the device, has been solved. the nanometer film thicknesses of the additional material and less than micrometric distances between the layers of the additional material make it possible to create mini-TEBs from such TEEs that satisfy user requirements.
Claims (4)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2016146445A RU2628676C1 (en) | 2016-11-25 | 2016-11-25 | Thermoelectric element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2016146445A RU2628676C1 (en) | 2016-11-25 | 2016-11-25 | Thermoelectric element |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2628676C1 true RU2628676C1 (en) | 2017-08-21 |
Family
ID=59744779
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2016146445A RU2628676C1 (en) | 2016-11-25 | 2016-11-25 | Thermoelectric element |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2628676C1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU180604U1 (en) * | 2017-12-14 | 2018-06-19 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | THERMOELECTRIC ELEMENT |
RU202800U1 (en) * | 2020-09-03 | 2021-03-09 | Владимир Рамазанович Мухаметшин | THERMOELECTRIC GENERATOR |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2010396C1 (en) * | 1993-04-12 | 1994-03-30 | Николай Степанович Лидоренко | Thermocouple, battery of thermocouples and process of their manufacture |
US6670539B2 (en) * | 2001-05-16 | 2003-12-30 | Delphi Technologies, Inc. | Enhanced thermoelectric power in bismuth nanocomposites |
BY7007C1 (en) * | 2002-03-05 | 2005-06-30 | ||
RU2376681C1 (en) * | 2008-10-06 | 2009-12-20 | Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН | Thermoelectric cell |
RU102851U1 (en) * | 2010-10-04 | 2011-03-10 | Общество с ограниченной ответственностью "Эс эм Эс - Тензо" | DEVICE FOR COOLING ELECTRONICS |
RU2457583C2 (en) * | 2008-02-29 | 2012-07-27 | Сименс Акциенгезелльшафт | Thermoelectric nanocomposite, method of making nanocomposite and use of nanocomposite |
US9070824B2 (en) * | 2011-12-30 | 2015-06-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Heterogeneous laminate including graphene, and thermoelectric material, thermoelectric module, and thermoelectric apparatus including the heterogeneous laminate |
-
2016
- 2016-11-25 RU RU2016146445A patent/RU2628676C1/en active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2010396C1 (en) * | 1993-04-12 | 1994-03-30 | Николай Степанович Лидоренко | Thermocouple, battery of thermocouples and process of their manufacture |
US6670539B2 (en) * | 2001-05-16 | 2003-12-30 | Delphi Technologies, Inc. | Enhanced thermoelectric power in bismuth nanocomposites |
BY7007C1 (en) * | 2002-03-05 | 2005-06-30 | ||
RU2457583C2 (en) * | 2008-02-29 | 2012-07-27 | Сименс Акциенгезелльшафт | Thermoelectric nanocomposite, method of making nanocomposite and use of nanocomposite |
RU2376681C1 (en) * | 2008-10-06 | 2009-12-20 | Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН | Thermoelectric cell |
RU102851U1 (en) * | 2010-10-04 | 2011-03-10 | Общество с ограниченной ответственностью "Эс эм Эс - Тензо" | DEVICE FOR COOLING ELECTRONICS |
US9070824B2 (en) * | 2011-12-30 | 2015-06-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Heterogeneous laminate including graphene, and thermoelectric material, thermoelectric module, and thermoelectric apparatus including the heterogeneous laminate |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU180604U1 (en) * | 2017-12-14 | 2018-06-19 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | THERMOELECTRIC ELEMENT |
RU202800U1 (en) * | 2020-09-03 | 2021-03-09 | Владимир Рамазанович Мухаметшин | THERMOELECTRIC GENERATOR |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10305014B2 (en) | Methods and devices for controlling thermal conductivity and thermoelectric power of semiconductor nanowires | |
US8569740B2 (en) | High efficiency thermoelectric materials and devices | |
US8044293B2 (en) | High performance thermoelectric nanocomposite device | |
US20050150535A1 (en) | Method for forming a thin-film thermoelectric device including a phonon-blocking thermal conductor | |
US20050150539A1 (en) | Monolithic thin-film thermoelectric device including complementary thermoelectric materials | |
US20210343921A1 (en) | Metallic junction thermoelectric generator | |
WO2005069390A1 (en) | Thermoelectric devices | |
JP5282598B2 (en) | Method for manufacturing thermoelectric conversion element | |
JP2004515926A (en) | Thermoelectric device | |
JP2004515925A (en) | Enhanced interface thermoelectric cooler | |
US20120145209A1 (en) | Thermoelectric element and thermoelectric module including the same | |
CN103872236B (en) | Thermoelectric thin film structure | |
US20050150536A1 (en) | Method for forming a monolithic thin-film thermoelectric device including complementary thermoelectric materials | |
RU2628676C1 (en) | Thermoelectric element | |
KR102022429B1 (en) | Cooling thermoelectric moudule and method of manufacturing method of the same | |
RU2376681C1 (en) | Thermoelectric cell | |
RU180604U1 (en) | THERMOELECTRIC ELEMENT | |
Bakulin et al. | Thermoelectric Peltier micromodules processed by thin-film technology | |
US20140332048A1 (en) | Thermoelectric device | |
US20120024335A1 (en) | Multi-layered thermoelectric device and method of manufacturing the same | |
JP2018113330A (en) | Thermoelectric conversion element and method for manufacturing the same | |
WO2012120572A1 (en) | Electricity generation method using thermoelectric generation element, thermoelectric generation element and manufacturing method thereof, and thermoelectric generation device | |
KR20210020461A (en) | Nanowire Thermoelectric device having a 3-Dimensional Stacked Nanowire and Method of Manufacturing the same | |
TWI744717B (en) | Thermoelectric power generating device and manufacturing method thereof | |
WO2023248840A1 (en) | Thermoelectric conversion module, thermoelectric conversion device, power generation method, and heat transmission method |