RU2617149C2 - Способ электрометрического измерения производной химического потенциала по температуре и устройство для его осуществления - Google Patents
Способ электрометрического измерения производной химического потенциала по температуре и устройство для его осуществления Download PDFInfo
- Publication number
- RU2617149C2 RU2617149C2 RU2015112418A RU2015112418A RU2617149C2 RU 2617149 C2 RU2617149 C2 RU 2617149C2 RU 2015112418 A RU2015112418 A RU 2015112418A RU 2015112418 A RU2015112418 A RU 2015112418A RU 2617149 C2 RU2617149 C2 RU 2617149C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- sample
- temperature
- container
- measurement
- derivative
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N25/00—Investigating or analyzing materials by the use of thermal means
- G01N25/20—Investigating or analyzing materials by the use of thermal means by investigating the development of heat, i.e. calorimetry, e.g. by measuring specific heat, by measuring thermal conductivity
- G01N25/48—Investigating or analyzing materials by the use of thermal means by investigating the development of heat, i.e. calorimetry, e.g. by measuring specific heat, by measuring thermal conductivity on solution, sorption, or a chemical reaction not involving combustion or catalytic oxidation
- G01N25/4806—Details not adapted to a particular type of sample
- G01N25/4826—Details not adapted to a particular type of sample concerning the heating or cooling arrangements
- G01N25/4833—Details not adapted to a particular type of sample concerning the heating or cooling arrangements specially adapted for temperature scanning
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N25/00—Investigating or analyzing materials by the use of thermal means
- G01N25/20—Investigating or analyzing materials by the use of thermal means by investigating the development of heat, i.e. calorimetry, e.g. by measuring specific heat, by measuring thermal conductivity
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/14—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of an electrically-heated body in dependence upon change of temperature
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Pathology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области электрометрического анализа химического потенциала μ c помощью модуляции температуры T и может быть использовано для исследования характеристик имеющихся и для конструирования новых элементов наноэлектроники. Предложен способ измерения ∂μ/∂T, который позволяет измерить ∂S/∂n в двумерных системах с изменяемой концентрацией n. В изобретении используется модуляция температуры структуры, изготовленной на поверхности исследуемого образца, и электрически эквивалентной плоскому конденсатору, одной из обкладок которого является исследуемое вещество, и последующее измерение возникающего тока перезарядки структуры. При этом структура (образец) размещается в экранирующем внешние электрические поля и теплопроводящем контейнере, обеспечивающем однородность температуры по площади образца. В случае если исследуемое вещество является двумерной системой с перестраиваемой концентрацией носителей заряда, то дополнительным результатом измерений является определение энтропии системы. Технический результат – повышение точности и достоверности измерения химического потенциала и энтропии. 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 3 ил.
Description
Изобретение относится к области электрометрического анализа химического потенциала с помощью модуляции температуры.
Из существующего уровня техники известен способ определения энтропии калориметрическим методом (Y. Kraftmakher, Modulation Calorimetry: Theory and applications. Springer-Verlag Berlin Heidenberg, 2004), в котором измеряется теплоемкость c=T∂S/∂T и интегрируется по температуре.
Недостатком АС-калориметрии является необходимость интегрирования от нуля температур, что экспериментально трудно достижимо. Кроме того, существенным недостатком является низкая чувствительность способа, особенно в случае двумерных или слоистых систем. При измерении теплоемкости таких систем с двумерным электронным газом неизбежен значительный вклад теплоемкости подложки или кристаллической решетки в измеряемую теплоемкость образца.
Известен также патент США №5439291 на «Способ и устройство для АС дифференциального термического анализа» (опубл. 08.08.1995), в котором используется модуляция температуры образца для определения тепловых свойств образца.
Недостатком данного изобретения являются его применимость только к объемным материалам (а не к двумерным системам носителей зарядов) и полуколичественный (не абсолютный) характер измеряемой величины, которой является удельная теплоемкость T∂S/∂T.
Задача, решаемая изобретением, - измерение производной химического потенциала по температуре ∂μ/∂T в двумерных системах носителей зарядов или в поверхностном слое трехмерных систем с изменяемой концентрацией n носителей заряда. Данное изобретение позволяет определить, в частности, производную от энтропии по концентрации ∂S/∂n.
Принципиальное отличие предлагаемых способа и устройства заключается в том, что на поверхности образца исследуемого вещества создается структура типа плоского конденсатора, ток перезарядки которой при модуляции температуры измеряется вместо разности температур образца и криостата. Это дает возможность измерять вклад в термодинамические свойства вещества только от электронов (в общем случае от носителей зарядов) без вклада кристаллической решетки. В двумерных системах данный способ является единственным, дающим возможность абсолютного измерения изменений энтропии. Поэтому данное устройство и способ можно использовать для исследования характеристик имеющихся и для конструирования новых элементов наноэлектроники.
В предложенном способе электрометрического измерения производной химического потенциала по температуре осуществляют следующие операции:
- создают на поверхности образца структуру типа плоского конденсатора,
- модулируют температуру образца, помещенного в теплопроводящий контейнер, путем подачи изменяющегося во времени напряжения на нагреватель контейнера;
- детектируют ток перезарядки полученной структуры;
- определяют производную химического потенциала по температуре по продетектированному току перезарядки.
В частности, при наличии двумерной системы носителей зарядов в образце, по продетектированному току перезарядки определяют производную энтропии носителей заряда по их концентрации.
Особенность данного способа состоит в том, что детектирование тока перезарядки проводят на удвоенной частоте модуляции изменяющегося по времени напряжения путем синхронного детектирования с использованием независимо измеряемого мгновенного значения температуры образца в качестве опорного сигнала.
Предложенное устройство для осуществления такого способа содержит:
- структуру типа плоского конденсатора, созданную на поверхности образца;
- теплопроводящий контейнер, находящийся в тепловой связи с криостатом и предназначенный для размещения образца исследуемого вещества;
- нагреватель, соединенный с контейнером и запитываемый источником изменяющегося по времени напряжения для обеспечения модуляции температуры образца;
- измеритель тока перезарядки структуры.
Устройство может содержать дополнительно соединенный с контейнером измеритель температуры, сигнал с которого предназначен для использования в качестве опорного в измерителе тока перезарядки, выполненном в виде синхронного детектора, работающего на удвоенной частоте модуляции изменяющегося по времени напряжения.
В частности, тепловая связь контейнера с криостатом осуществляется с помощью теплообменного газа либо с помощью теплопроводного материала.
Приложенные чертежи иллюстрируют настоящее изобретение.
На Фиг. 1 представлена схема камеры образцов.
На Фиг. 2 условно показана схема измерений по настоящему способу.
На Фиг. 3 приведены графики измеренной энтропии на один электрон (∂S/∂n) в зависимости от напряжения на затворе Si-МДП структуры для образца Si-UW2 на разных частотах при температуре Т=2,6 К.
В конкретном примере, показанном на Фиг. 1, образец 1 представляет собой двумерный слой электронов в кремниевой структуре МДП. На его поверхности (верхней на Фиг. 1) создают структуру 2 типа плоского конденсатора, соединенную золотыми проволочками 3 с распаечной площадкой 4. Образец 1 вместе с распаечной площадкой 4, а также термометром 5 приклеены изнутри к нижней части теплопроводящего контейнера 7 (именуемого в некоторых случаях держателем и представляющего собой в данном примере медную камеру диаметром 14 мм и высотой 4 мм) с помощью теплопроводящего клея 8.
В качестве термометра для определения температуры камеры использовались AuFe/Au термопары или термосопротивление на основе RuO2. Сопротивление RuO2 измеряли на повышенной частоте (~1000 Гц), а затем его модуляция определялась отдельным узкополосным усилителем с синхронным детектором. Время установления теплового равновесия медной камеры при температуре 4,2 К составляет порядка 10-3 с. Время установления равновесия монокристаллической кремниевой подложки имеет тот же порядок 10-3 с.
Для нагревания камеры 7 использовался проволочный нагреватель 9, соприкасающийся с камерой 7 снаружи. Согласно настоящему изобретению нагревание осуществляют путем подачи изменяющегося во времени напряжения на нагреватель 9, за счет чего происходит модуляция температуры образца 1, помещенного в теплопроводящий контейнер 7. Эта модуляция температуры обеспечивается подачей на нагреватель 9 переменного тока i=iocos(2πtƒ/2) с частотой ƒ/2. Тогда тепловая мощность W модулируется на удвоенной частоте ƒ (обычно ƒ=0,5 Гц): 
.
Ссылочными позициями 6 и 10 на Фиг. 1 обозначены манганиновые провода диаметром 0,02 мм и длиной порядка 10 см, сводящие к минимуму тепловой поток на образце 1 и термометре 5. Когда контейнер 7 с приклеенными образцом 1 и термометром 5 помещен в теплообменный газ 4Не, время установления теплового равновесия увеличивается из-за ограниченной теплопроводности клея 8. Время термализации термометра 5 на основе RuO2 превосходит время термализации образца 1 и медного контейнера 7 из-за керамического корпуса термометра.
На Фиг. 2 показана условная схема измерений по настоящему способу. Массивный контейнер 7 (держатель) способствует достижению теплового равновесия всех компонентов внутри него за период модуляции температуры, осуществляемой с помощью нагревателя 9 и контролируемой термометром 5. Охлаждение контейнера 7 происходит за счет тепловой связи с холодной ванной, что условно обозначено ссылочной позицией 11. На Фиг. 2 показаны электрод 12 затвора, слой 13 оксида кремния, сильно легированная область 14 и собственно кремний 15 (МДП-структура). Измерения выполняются с использованием прецизионного источника 16 напряжения и фемтоамперметра 17, последовательно включенных между электродом 12 и сильно легированной областью 14 образца 1, образующих структуру 2. Напряжение Vg от источника 16 суммируется с напряжением VAC модуляции (не показано) в суммирующем усилителе и усиливается усилителем с обратной связью, которая в данном случае образована сопротивлением 10 ГОм и емкостью 10 пФ и подключена к другому входу этого усилителя вместе с выходом от исследуемого образца с заземленным омическим контактом.
Для оценки времени установления равновесия в эксперименте измеряется ∂μ/∂T в зависимости от концентрации электронов при различных частотах модуляции. На Фиг. 3 в правом верхнем углу представлен график зависимости температуры ΔT модуляции от частоты. На низких частотах (ниже 1 Гц) образец 1 и термометр 5 имеют одинаковую температуру ΔT модуляции. При увеличении частоты тепловая связь термометра 5 с образцом 1 становится слишком слабой и температуры ΔT для образца 1 и термометра 5 становятся различными. На основном графике Фиг. 3 приведены результаты измерения энтропии на один электрон (∂n/∂T) в зависимости от концентрации n электронов (изменяемой напряжением на затворе МДП-структуры) для образца Si-UW2 на разных частотах ƒ при Т=2,6 К и нулевом магнитном поле В=0.
При условии, что время установления теплового равновесия держателя 7 образца и самого образца 1 гораздо меньше, чем 1/ƒ, можно феноменологически описать систему как резервуар, имеющий слабую тепловую связь (ссылочная позиция 11 на Фиг. 2) с холодной ванной. Модулированный нагрев вызывает как увеличение температуры держателя 7, так и модуляцию его температуры. Для частот ниже 1 Гц измеренный ток, пропорциональный ∂μ/∂T, не зависит от частоты. Важной проблемой для низкотемпературных измерений в двумерных («плоскостных») системах является обеспечение теплового равновесия электронов с кристаллической решеткой. Однако эта проблема существенна только при сверхнизких температурах. При проведении экспериментов при Т>2,5 К электронный перегрев отсутствует. Термализация электронной системы с решеткой является очень эффективной, ее скорость ~к/Cel~3×107 с-1 при температуре 3 К, где к≈2×10-5 Вт/К см2 - скорость релаксации энергии, измеренная для аналогичных образцов кремниевых МДП-структур в работе О. Prus, М. Reznikov, U. Sivan, V.M. Pudalov; Cooling of Electrons in a Silicon Inversion Layer; Phys. Rev. Lett. 88, 016801, (2002), a Cel≈7×10-13 Дж/К см2 - удельная теплоемкость 2D электронов в (100) кремниевых МДП-структурах при 3 К. Таким образом, температура электронов может отличаться от температуры держателя только из-за возможного перегрева внешними радиочастотными помехами. Во избежание подобных паразитных эффектов высокочастотные помехи в данной экспериментальной установке были отфильтрованы. В отдельном эксперименте с помощью измерений электрического сопротивления было проверено, что в аналогичной схеме нет признаков перегрева электронов (время сбоя фазы при понижении температуры растет пропорционально 1/T без насыщения, и амплитуда осцилляций Шубникова-де Гааза растет при понижении температуры до 1,5 К). Конечно, самым прямым способом измерения температуры двумерного электронного газа было бы использовать в качестве термометра сопротивление самого образца. Однако экспериментально добавление дополнительных измерительных петель для образца сильно увеличивает уровень шума и существенно затрудняет измерение токов порядка фемтоампер.
Для большинства измерений была выбрана частота модуляции ƒ=0,624 Гц в качестве компромисса между уровнем шума, возможностью достижения низких температур и возможностью получения низких электронных плотностей. В описываемом эксперименте самая низкая используемая температура без модуляции составляла 2 К. С увеличением амплитуды модуляции температуры средняя температура растет. Амплитуда модуляции температуры определяет чувствительность измерений. Была выбрана амплитуда модуляции, равная 0,05 К, для которой минимальная достижимая температура составляла 2,4 К. Для возможности проведения измерений в режиме с низкими электронными плотностями, при которых сопротивление МДП-структуры возрастает, частота ƒ модуляции была ограничена временем перезарядки МДП-структуры ƒ<1/(2πRC0), где R - сопротивление 2DEG (двумерный электронный газ) и контактов, а С0 - геометрическая емкость.
С электрической точки зрения температура в данном измерении является просто внешним параметром; она ничем не отличается от, например, магнитного поля В. Процедура измерения ∂μ/∂Т в режиме изолятора (2πƒRC0~1) описана в работе М. Reznikov, A.Yu. Kuntsevich, N. Teneh, and V.M. Pudalov, Pis'ma ZhETF 92, 518 (2010) [JETP Lett. 92, 470 (2010)] для случая модуляции магнитного поля. Для учета сдвига фаз нужно измерить комплексную емкость на той же частоте, что и сигнал. Такая же процедура применяется здесь и позволяет выполнять измерения в режиме изолятора (R~1 ГОм, n~3×1011 см-2).
Образец 1 и массивный медный держатель 7 образца находятся в тепловом контакте с проволочным нагревателем, который изменяет их температуру в соответствии с законом T(t)=T0+ΔTcos(2πƒt), где ƒ - частота, a ΔT - амплитуда модуляции (Фиг. 2). Как T0, так и ΔT измеряются с помощью термометра 5, прикрепленного к камере 7 образца. Модуляция температуры образца изменяет химический потенциал и, следовательно, вызывает возникновение токов перезарядки структуры.
Таким образом, ∂μ/∂Т непосредственно определяется в эксперименте из измеряемого тока перезарядки, равного:
Здесь С0 обозначает емкость между электродом 12 затвора и двумерным электронным слоем.
Когда внешний параметр модулируется, переменный ток IAC течет через цепь обратной связи (Фиг. 3) усилителя 19 тока и вызывает на его выходе переменное напряжение VOUT= -IACZFB, где ZFB=RFB/(1+i2πƒCFBRFB). Выходное напряжение VOUT измеряется усилителем с синхронным детектором. Напряжение на затворе устанавливается внешним источником 16 напряжения через суммирующий усилитель 18. Значение емкости С0 образца 1 измеряется in situ при подаче на вход переменного напряжения VAC. Это напряжение переменного тока на входе суммирующего усилителя 18 вызывает ток IAC=-2πƒC0VAC через обратную связь.
Для сопоставления данного способа с известным методом АС-калориметрии можно поместить образец 1 в магнитное поле. Предложенный способ позволяет измерить ∂S/∂n, в то время как АС-калориметрия измеряет удельную теплоемкость T ∂S/∂T. Оба метода, однако, позволяют оценить изменение энтропии. В режиме квантующих магнитных полей, когда энтропия осциллирует при изменении поля, можно интегрировать как ∂S/∂n, так и ∂S/∂T, и рассчитать соответствующие изменения в энтропии между соседними максимумами и минимумами. Таким путем можно сравнивать наименьшую амплитуду осцилляций энтропии, которую удается зарегистрировать каждым конкретным способом.
Измерения методом АС-калориметрии проводились в работе J.K. Wang, J.H. Campbell, D.C. Tsui, A.Y. Cho; Heat capacity of the two-dimensional electron gas in GaAs/AlxGal-xAs multiple-quantum-well structures; Phys. Rev. B, 38, 6174, (1988), с гетероструктурой, содержащей 75 квантовых ям GaAs с концентрацией электронов 8,8×1011 см-2 и подвижностью 10 м2/Вс. Оба эти параметра сопоставимы с использовавшимся в тестовых измерениях образцом GaAs (одиночный переход) и в том же диапазоне температур (1,7-4,6 К). Суммарная площадь квантовых ям в указанной работе J.K. Wang et al была в 50 раз больше площади использованного тестового образца, а наименьшие квантовые осцилляции наблюдались при факторе заполнения уровней Ландау ν=12 в магнитном поле 3 Т (Тесла).
В проведенных тестовых измерениях с одиночным гетеропереходом GaAs при температуре 2,5 К в том же поле 3 Т наблюдались огромные осцилляции, отчетливо видные при уменьшении поля до 1 Т, где они имели в 50 раз меньшую амплитуду. Это означает, что предложенный способ имеет в 50×50=2500 раз лучшую чувствительность на единицу площади, чем АС-калориметрия.
Примечательно, что измеряемая данным способом величина (∂S/∂n) связана только с носителями заряда в образце и не зависит от теплоемкости решетки или подложки.
Claims (15)
1. Способ электрометрического измерения производной химического потенциала по температуре, в котором:
- создают на поверхности упомянутого образца структуру типа плоского конденсатора,
- модулируют температуру упомянутого образца, помещенного в теплопроводящий контейнер, путем подачи изменяющегося во времени напряжения на нагреватель упомянутого контейнера;
- детектируют ток перезарядки упомянутой структуры;
- определяют упомянутую производную химического потенциала по температуре по продетектированному току перезарядки.
2. Способ по п. 1, в котором при наличии двумерной системы носителей зарядов в упомянутом образце по упомянутому продетектированному току перезарядки определяют производную энтропии носителей заряда по их концентрации.
3. Способ по п. 1 или 2, в котором упомянутое детектирование тока перезарядки проводят на удвоенной частоте модуляции упомянутого изменяющегося по времени напряжения путем синхронного детектирования с использованием независимо измеряемого мгновенного значения температуры упомянутого образца в качестве опорного сигнала.
4. Устройство для осуществления способа по п. 1, содержащее:
- структуру типа плоского конденсатора, созданную на поверхности упомянутого образца;
- теплопроводящий контейнер, находящийся в тепловой связи с криостатом и предназначенный для размещения упомянутого образца исследуемого вещества;
- нагреватель, соединенный с упомянутым контейнером и запитываемый источником изменяющегося по времени напряжения для обеспечения модуляции температуры упомянутого образца;
- измеритель тока перезарядки упомянутой структуры.
5. Устройство по п. 4, содержащее дополнительно соединенный с упомянутым контейнером измеритель температуры, сигнал с которого предназначен для использования в качестве опорного в упомянутом измерителе тока перезарядки, выполненном в виде синхронного детектора, работающего на удвоенной частоте модуляции упомянутого изменяющегося по времени напряжения.
6. Устройство по п. 4, в котором упомянутая тепловая связь упомянутого контейнера с упомянутым криостатом осуществляется с помощью теплообменного газа.
7. Устройство по п. 4, в котором упомянутая тепловая связь упомянутого контейнера с упомянутым криостатом осуществляется с помощью теплопроводного материала.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015112418A RU2617149C2 (ru) | 2015-04-06 | 2015-04-06 | Способ электрометрического измерения производной химического потенциала по температуре и устройство для его осуществления |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015112418A RU2617149C2 (ru) | 2015-04-06 | 2015-04-06 | Способ электрометрического измерения производной химического потенциала по температуре и устройство для его осуществления |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2015112418A RU2015112418A (ru) | 2016-10-27 |
| RU2617149C2 true RU2617149C2 (ru) | 2017-04-21 |
Family
ID=57216089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2015112418A RU2617149C2 (ru) | 2015-04-06 | 2015-04-06 | Способ электрометрического измерения производной химического потенциала по температуре и устройство для его осуществления |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2617149C2 (ru) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU800845A1 (ru) * | 1978-11-29 | 1981-01-30 | Киевский Технологический Институтпищевой Промышленности | Устройство дл определени тепло-физичЕСКиХ ХАРАКТЕРиСТиК МАТЕРиАлОВ |
| US5439291A (en) * | 1992-03-02 | 1995-08-08 | Ta Instruments, Inc. | Method and apparatus for AC Differential thermal analysis |
| WO2014043508A1 (en) * | 2012-09-13 | 2014-03-20 | Nevada Nanotech Systems, Inc. | Molecular thermal analysis using micro electro-mechanical sensor devices |
| RU2515351C1 (ru) * | 2012-11-22 | 2014-05-10 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом"-Госкорпорация "Росатом" | Установка для механических и теплофизических испытаний образца из токопроводящего материала при импульсном нагреве |
| RU2522665C2 (ru) * | 2012-07-30 | 2014-07-20 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом"-Госкорпорация "Росатом" | Установка для теплофизических испытаний образца из токопроводящего материала при импульсном нагреве |
-
2015
- 2015-04-06 RU RU2015112418A patent/RU2617149C2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU800845A1 (ru) * | 1978-11-29 | 1981-01-30 | Киевский Технологический Институтпищевой Промышленности | Устройство дл определени тепло-физичЕСКиХ ХАРАКТЕРиСТиК МАТЕРиАлОВ |
| US5439291A (en) * | 1992-03-02 | 1995-08-08 | Ta Instruments, Inc. | Method and apparatus for AC Differential thermal analysis |
| US5439291C1 (en) * | 1992-03-02 | 2002-04-16 | Ta Instr Inc | Method and apparatus for ac differential thermal analysis |
| RU2522665C2 (ru) * | 2012-07-30 | 2014-07-20 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом"-Госкорпорация "Росатом" | Установка для теплофизических испытаний образца из токопроводящего материала при импульсном нагреве |
| WO2014043508A1 (en) * | 2012-09-13 | 2014-03-20 | Nevada Nanotech Systems, Inc. | Molecular thermal analysis using micro electro-mechanical sensor devices |
| RU2515351C1 (ru) * | 2012-11-22 | 2014-05-10 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом"-Госкорпорация "Росатом" | Установка для механических и теплофизических испытаний образца из токопроводящего материала при импульсном нагреве |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| REZNIKOV M., KUNTSEVICH A. YU., TENEH N., PUDALOV V.M., THERMODINAMIC MAGNETIZATION OF TWO-DIMENTIONAL ELECTRON GAS MEASURED OVER WIDE RANGE OF DENSITIES, ПИСАМА В ЖЭТФ, 92(7), 2010, с.518-522. * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2015112418A (ru) | 2016-10-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Jachalke et al. | How to measure the pyroelectric coefficient? | |
| Liu et al. | Metal-insulator transition in SrTiO 3-x thin films induced by frozen-out carriers | |
| Mokashi et al. | Critical behavior of a strongly interacting 2D electron system | |
| Perlstein et al. | Single‐Crystal Studies of Electrical Conductivity, Seebeck Effect, and Hall Voltage in Sodium Vanadium Bronze and a Crystal‐Field Model of Electron Transport | |
| Gray | Tunneling from metal to semiconductors | |
| Wang et al. | Heat capacity of the two-dimensional electron gas in GaAs/Al x Ga 1− x As multiple-quantum-well structures | |
| JP5107183B2 (ja) | テラヘルツ光検出装置とその検出方法 | |
| US9536758B1 (en) | Time-varying frequency powered semiconductor substrate heat source | |
| Matthews et al. | Thermally driven ballistic rectifier | |
| US10088439B2 (en) | Thermophysical property measurement method and thermophysical property measurement apparatus | |
| Reznikov et al. | Thermodynamic magnetization of two-dimensional electron gas measured over wide range of densities | |
| Kardakova et al. | Relaxation of the resistive superconducting state in boron-doped diamond films | |
| Samani et al. | Microkelvin electronics on a pulse-tube cryostat with a gate Coulomb-blockade thermometer | |
| RU2617149C2 (ru) | Способ электрометрического измерения производной химического потенциала по температуре и устройство для его осуществления | |
| Anderson et al. | Magneto-Thermoelectric Transport in Graphene Quantum Dot with Strong Correlations | |
| Casas et al. | Direct observation of surface-state thermal oscillations in SmB 6 oscillators | |
| Kenny et al. | Bias-induced nonlinearities in the dc I-V characteristics of neutron-transmutation-doped germanium at liquid− 4 He temperatures | |
| Boyer et al. | Analysis of data obtained using the thermal-step method on a MOS structure—an electrostatic approach | |
| Zimbovskaya et al. | Thermally induced charge current through long molecules | |
| US3080520A (en) | Resonant microwave cavity structure | |
| Chowdhury et al. | Scope of electron transport studies by thermally stimulated discharge current measurement | |
| Kleinbaum et al. | Thermopower-based hot electron thermometry of helium surface states at 1.6 K | |
| Menzi et al. | Core-as-a-Sensor: Ferrite DC-Resistance-Based Core Temperature Measurement of Magnetics | |
| Riha et al. | Heat flow, transport and fluctuations in etched semiconductor quantum wire structures | |
| JP3706911B2 (ja) | 熱容量スペクトロスコピーと誘電率の同時測定装置と測定方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FZ9A | Application not withdrawn (correction of the notice of withdrawal) |
Effective date: 20161214 |
|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20180407 |