RU2610040C1 - Monocrystalline metal probe for scanning devices - Google Patents
Monocrystalline metal probe for scanning devices Download PDFInfo
- Publication number
- RU2610040C1 RU2610040C1 RU2015148839A RU2015148839A RU2610040C1 RU 2610040 C1 RU2610040 C1 RU 2610040C1 RU 2015148839 A RU2015148839 A RU 2015148839A RU 2015148839 A RU2015148839 A RU 2015148839A RU 2610040 C1 RU2610040 C1 RU 2610040C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- cantilever
- probe
- layer
- metal
- holder
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q70/00—General aspects of SPM probes, their manufacture or their related instrumentation, insofar as they are not specially adapted to a single SPM technique covered by group G01Q60/00
- G01Q70/08—Probe characteristics
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y35/00—Methods or apparatus for measurement or analysis of nanostructures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
- C30B29/62—Whiskers or needles
Abstract
Description
ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИFIELD OF TECHNOLOGY
Изобретение относится к области изготовления микромеханических устройств, а именно к способам формирования зондов сканирующих зондовых микроскопов и их конструкциям, в частности кантилеверов, состоящих из консоли и иглы.The invention relates to the field of manufacture of micromechanical devices, and in particular to methods of forming probes of scanning probe microscopes and their designs, in particular cantilevers, consisting of a console and a needle.
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИBACKGROUND
Сканирующие зондовые приборы (СЗП) в состоянии давать изображения поверхностей твердых тел с высоким пространственным разрешением. Известно использование углеродных нанотрубок, "посаженных" на такие зонды. Однако положение нанотрубок на зондах неуправляемо из-за случайности и многочисленности актов зародышеобразования.Scanning probe devices (SZP) are able to give images of the surfaces of solids with high spatial resolution. It is known to use carbon nanotubes "planted" on such probes. However, the position of the nanotubes on the probes is uncontrollable due to the randomness and multiplicity of nucleation events.
СЗП могут быть использованы для исследования магнитных объектов с высокими разрешением и чувствительностью. Зонды для таких инструментов изготовляют из немагнитного материала (например, кремния), покрытого магнитным материалом (например, железом, кобальтом и др.). Однако и форма, и структура используемых в этих работах покрытий не оптимальны для обеспечения высоких разрешений и чувствительности.FFP can be used to study magnetic objects with high resolution and sensitivity. Probes for such instruments are made of non-magnetic material (for example, silicon) coated with magnetic material (for example, iron, cobalt, etc.). However, both the shape and structure of the coatings used in these studies are not optimal for ensuring high resolutions and sensitivity.
СЗП для измерений электрической емкости используют кремниевые острийные зонды. Однако и форма острий, и состав емкость образующих материалов не оптимальны для высокой чувствительности этих приборов.FFP for silicon capacitance measurements use silicon point probes. However, both the shape of the tips and the composition of the capacity of the forming materials are not optimal for the high sensitivity of these devices.
Известны СЗП-зонды с боковыми остриями для исследований профилей элементов поверхности. Однако эти зонды пригодны только для исследований поверхностей, имеющих сравнительно простые формы, например канавки с вертикальными стенками. Между тем, существует много примеров, когда приходится исследовать поверхности со сложными формами (например, биологические макромолекулы) или с грубым рельефом.Known SZP probes with lateral tips for studies of profiles of surface elements. However, these probes are only suitable for studies of surfaces having relatively simple shapes, for example grooves with vertical walls. Meanwhile, there are many examples when it is necessary to study surfaces with complex shapes (for example, biological macromolecules) or with a rough relief.
Существуют проблемы с исследованиями распределения химических сил на поверхностях твердых тел.There are problems with studies of the distribution of chemical forces on the surfaces of solids.
Сегодня присутствующие на рынке зонды изготовлены из двух используемых в полупроводниковой промышленности материалов - кремния и нитрида кремния. Применяются известные технологии из арсенала литографических работ. Иногда для целей доработки качества зондов используются приемы, не изменяющие принципиально характер создания острий.Today, the probes on the market are made of two materials used in the semiconductor industry - silicon and silicon nitride. Well-known technologies from the arsenal of lithographic works are applied. Sometimes, for the purpose of improving the quality of the probes, techniques are used that do not fundamentally change the nature of the creation of the tips.
В настоящее время наибольшее число исследований связано с проблемой формирования тонких эпитаксиальных слоев металла на полупроводниках с высоким совершенством структуры. Существует весьма ограниченный набор комбинаций «металл-полупроводник», который позволяет реализовать эпитаксиальный рост металлической пленки на полупроводниковой подложке (http://cyberleninka.ru/article/n/poluchenie-plenok-sosi2-si-100-i-analiz-ih-morfologii-i-stehiometrii-metodami-molekulyarno-luchevoy-tverdofaznoy-i-reaktivnoy-epitaksii#ixzz3In8NcMfD).Currently, the largest number of studies is associated with the problem of the formation of thin epitaxial metal layers on semiconductors with high structural perfection. There is a very limited set of metal-semiconductor combinations that allows epitaxial growth of a metal film on a semiconductor substrate (http://cyberleninka.ru/article/n/poluchenie-plenok-sosi2-si-100-i-analiz-ih- morfologii-i-stehiometrii-metodami-molekulyarno-luchevoy-tverdofaznoy-i-reaktivnoy-epitaksii # ixzz3In8NcMfD).
В уровне техники известна модификация кантилевера (US 5811017 A, дата публикации 22.09.1998), при изготовлении которого на выращенную нанотрубку наносят вспомогательный верхний металлический слой для повышения отражающей способности обратной стороны левера. Недостаток данного технического решения, как и большинства других методов изготовления кантилеверов, состоит в том, что формирование держателя, левера и самого зонда проводится в сложном технологическом цикле. Это сильно ограничивает возможности создания зондов.In the prior art, a modification of the cantilever is known (US 5811017 A, publication date 09/22/1998), in the manufacture of which an auxiliary upper metal layer is applied to the grown nanotube to increase the reflectivity of the back side of the lever. The disadvantage of this technical solution, like most other methods of manufacturing cantilevers, is that the formation of the holder, lever and the probe itself is carried out in a complex technological cycle. This greatly limits the ability to create probes.
Также известна методика нанесения металлического покрытия на существующий нановискер для улучшения его функциональности (EP 2290137 A1, дата публикации 02.03.2011). Металлический слой нанесен с лицевой стороны на поверхность иного материала для целей выполнения другой функции, в отличие от предыдущего технического решения, - проводимости зонда. Получаемый металлический наконечник, основная часть которого изготовлена из нитрида кремния, эпитаксиален тонкому слою-подложке для роста. Используемый вариант создания пленки - осаждение из паровой (газовой) фазы.Also known is the technique of applying a metal coating to an existing nanovisker to improve its functionality (EP 2290137 A1, publication date 02.03.2011). The metal layer is applied on the front side to the surface of a different material for the purpose of performing a different function, in contrast to the previous technical solution, the conductivity of the probe. The resulting metal tip, the bulk of which is made of silicon nitride, is epitaxial to a thin layer-substrate for growth. The option used to create the film is vapor deposition (gas).
Недостатком таких решений, направленных на простое напыление металла на кремниевый зонд, является потеря технических характеристик: ухудшение разрешения, так как вершина острия становится толстой/массивной, и снижение надежности такого покрытия. Поэтому зонды с напылением металла служат мало.The disadvantage of such solutions aimed at the simple deposition of metal on a silicon probe is the loss of technical characteristics: a decrease in resolution, since the tip of the tip becomes thick / massive, and a decrease in the reliability of such a coating. Therefore, metal-coated probes serve little.
В уровне технике также известна конструкция кантилевера, а также способ его изготовления (US 6458206 B1, дата публикации 01.10.2002). Тонкий верхний слой кантилевера выполнен из кремния с ориентацией (100), а на свободной части размещен монокристаллический зонд, полученный путем химического травления материала указанного тонкого слоя.The cantilever design as well as the method of its manufacture are also known in the prior art (US 6458206 B1, publication date 01.10.2002). The thin upper layer of the cantilever is made of silicon with an orientation of (100), and a single-crystal probe obtained by chemical etching of the material of the specified thin layer is placed on the free part.
Наиболее близким по технической сущности является зонд (RU 2240623 C2, дата публикации 20.11.2004), тонкий верхний слой которого выполнен из кремния с ориентацией (111), на свободной части которого размещен монокристаллический зонд, полученный путем эпитаксиального роста из материала указанного тонкого слоя.The closest in technical essence is the probe (RU 2240623 C2, publication date 11/20/2004), the thin upper layer of which is made of silicon with the (111) orientation, on the free part of which there is a single-crystal probe obtained by epitaxial growth from the material of the specified thin layer.
В отличие от традиционных технологий, где острие создается за счет процедуры травления, то есть удаления части ненужного материала (минимум степеней свободы для технологов-производителей), предлагаемая технология наиболее близкого аналога основывается на методе управляемого роста монокристалла при максимуме степеней свободы для поиска конструкционных решений.Unlike traditional technologies, where the tip is created by etching, that is, removing part of unnecessary material (minimum degrees of freedom for manufacturing technologists), the proposed technology of the closest analogue is based on the method of controlled single crystal growth with maximum degrees of freedom to search for structural solutions.
В технических решениях аналогов создание самого зонда отделено от создания держателя («подставки») и левера. В технологии наиболее близкого аналога создание зонда не зависит от процессов создания держателя и левера, что повышает надежность и долговечность зонда.In technical solutions of analogues, the creation of the probe itself is separated from the creation of the holder (“stand”) and the lever. In the technology of the closest analogue, the creation of the probe does not depend on the processes of creating the holder and lever, which increases the reliability and durability of the probe.
РАСКРЫТИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯSUMMARY OF THE INVENTION
Задачей, на которое направлено изобретение, является создание новой конструкции зонда для использования в сканирующей зондовой микроскопии, сформированного на кантилевере, позволяющей реализовать в одном зонде сразу две важные характеристики: получить морфологию поверхности с учетом распределения участков с электрической проводимостью. Используя полученное распределение проводимости, можно многократно увеличить разрешение объекта в определенных таким образом локализациях участков с электрической проводимостью.The task to which the invention is directed is to create a new probe design for use in scanning probe microscopy formed on a cantilever that allows two important characteristics to be realized in one probe at once: to obtain surface morphology taking into account the distribution of areas with electrical conductivity. Using the obtained distribution of conductivity, it is possible to repeatedly increase the resolution of the object in the localizations of areas with electrical conductivity determined in this way.
Технический результат, достигаемый при использовании изобретения, заключается в обеспечении проводимости зонда при одновременном улучшении разрешения и повышении надежности зонда.The technical result achieved by using the invention is to ensure the conductivity of the probe while improving resolution and increasing the reliability of the probe.
Технический результат достигается за счет того, что зонд для сканирующих приборов содержит кантилевер на массивном держателе и монолитный с кантилевером ус, расположенный на свободной части кантилевера, при этом кантилевер выполнен из металлического монокристаллического слоя, а ус эпитаксиален указанному слою.The technical result is achieved due to the fact that the probe for scanning devices contains a cantilever on a massive holder and a monolithic with a cantilever mustache located on the free part of the cantilever, while the cantilever is made of a single-crystal metal layer, and the mustache is epitaxial to the specified layer.
В одном из вариантов осуществления материалом массивного держателя является кристаллический или аморфный материал.In one embodiment, the implementation of the material of the massive holder is a crystalline or amorphous material.
В одном из вариантов осуществления ус получен путем эпитаксиального роста из материала указанного слоя.In one embodiment, the whisker is obtained by epitaxial growth from the material of said layer.
В одном из вариантов осуществления по меньшей мере часть кантилевера выполнена на держателе непосредственно или опосредованно через тонкий слой.In one embodiment, at least a portion of the cantilever is provided on the holder directly or indirectly through a thin layer.
В одном из вариантов осуществления тыльная сторона свободной части кантилевера содержит дополнительное функциональное покрытие.In one embodiment, the back of the free portion of the cantilever comprises an additional functional coating.
При этом термин «эпитаксиальность» в широко используемой литературе означает «выращенность эпитаксиально». Однако более поздняя трактовка этого термина допускает его использование и когда острие/ус вытравлен из массива материала.Moreover, the term "epitaxiality" in the widely used literature means "growing epitaxially." However, a later interpretation of this term allows its use when the tip / mustache is etched from an array of material.
В данной заявке термин «эпитаксиальный ус» рассматривается как совпадающий/продолжающий кристаллографическое строение подложки.In this application, the term "epitaxial whisker" is considered as a matching / continuing crystallographic structure of the substrate.
Заявляемое изобретение имеет преимущество в конструкции с использованием металлического верхнего слоя для последующего роста уса перед имеющимися конструкциями зонда с нанесением металлического слоя на уже выращенную нанотрубку.The claimed invention has an advantage in the design using a metal top layer for subsequent whisker growth over existing probe designs with a metal layer applied to an already grown nanotube.
В данном техническом решении подложкой для роста уса является не верхний металлический слой, как в аналогах, а самостоятельная свободная часть металлического монокристаллического кантилевера, несущая функцию изгиба, что повышает надежность и долговечность зонда.In this technical solution, the substrate for the growth of the whisker is not the upper metal layer, as in the analogs, but an independent free part of the single-crystal metal cantilever, which has a bending function, which increases the reliability and durability of the probe.
Принципиальным отличием конструкции от наиболее близкого аналога является непосредственное использование в качестве верхнего слоя другого материала, а именно металла, что позволит обеспечить проводимость зонда.The fundamental difference between the design and the closest analogue is the direct use of another material, namely metal, as the top layer, which will ensure the conductivity of the probe.
Дополнительное преимущество конструкции кантилевера, используемого в настоящем изобретении, состоит в повышении отражающей способности лазерного излучения, которое используется в сканирующей зондовой микроскопии для реализации обратной связи системой контроля сканирующей зондовой микроскопии и напрямую влияет на качество соотношения сигнал/шум за счет того, что самостоятельная свободная часть кантилевера является монокристаллической и металлической, в том числе и ее обратная сторона.An additional advantage of the cantilever design used in the present invention is to increase the reflectivity of laser radiation, which is used in scanning probe microscopy to implement feedback from the scanning probe microscopy control system and directly affects the signal-to-noise ratio due to the fact that the independent free part The cantilever is single-crystal and metal, including its reverse side.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
Сущность заявляемого технического решения поясняется следующими чертежами.The essence of the proposed technical solution is illustrated by the following drawings.
На фиг. 1 приведена схема конструкции металлического монокристаллического зонда для сканирующих приборов.In FIG. 1 shows a design diagram of a metal single crystal probe for scanning devices.
ОСУЩЕСТВЛЕНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯDETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Настоящее изобретение основано на зонде из металлического уса, изготовленного из металлических монокристаллических нитевидных кристаллов (вискеры), которые выращивают из пара в соответствии с процессом пар-жидкость-кристалл (ПЖК).The present invention is based on a metal whisker probe made from single-crystal metal whiskers (whiskers) that are grown from steam in accordance with a steam-liquid-crystal (VLC) process.
Значимая особенность технологии выращивания заключается в том, что сначала создают слой на поверхности кремния или иного массивного материала. Далее, из этого слоя создают две детали: первую часть, непосредственно контактирующую и держащуюся на массивном слое кремния или другого материала, и вторую часть (левер/тонкую балку). Потом на этом левере (его конце) создают острие. Создается оно путем размещения растворителя на конце балки в конкретном месте, и через механизм роста, известный как CVD, растят эпитаксиально подложке (леверу). Механизм роста аналогичен механизму, описанному в наиболее близком аналоге. В одном из вариантов осуществления ус получен путем эпитаксиального роста из материала указанного слоя.A significant feature of the growing technology is that they first create a layer on the surface of silicon or other massive material. Further, two parts are created from this layer: the first part, directly contacting and supported on a massive layer of silicon or other material, and the second part (lever / thin beam). Then on this lever (its end) create a spearhead. It is created by placing the solvent at the end of the beam at a specific location, and growing epitaxially to the substrate (lever) through a growth mechanism known as CVD. The growth mechanism is similar to the mechanism described in the closest analogue. In one embodiment, the whisker is obtained by epitaxial growth from the material of said layer.
Таким образом, конструкция монокристаллического металлического зонда для сканирующих приборов выполнена следующим образом: тонкий верхний слой материала (металлический монокристаллический слой) (101) размещен непосредственно или опосредовано через тонкий слой (102) иного материала на массивном держателе (103). Массивный держатель (103) может быть выполнен из кристаллического (например, кремния) или аморфного (например, стекла) материала.Thus, the design of a single-crystal metal probe for scanning devices is as follows: a thin upper layer of material (a metal single-crystal layer) (101) is placed directly or indirectly through a thin layer (102) of another material on a massive holder (103). The massive holder (103) may be made of crystalline (e.g., silicon) or amorphous (e.g., glass) material.
В качестве материалов верхнего слоя в предлагаемом изобретении используются любые металлы с ориентацией (111).As the materials of the upper layer in the present invention, any metals with an orientation of (111) are used.
Тонкий слой (102) - аморфный слой любого материала, в случае выполнения массивного держателя из кремния, обеспечивающего пассивирование поверхности кремниевой подложки от образования химических соединений кремния с металлом (силицидов).A thin layer (102) is an amorphous layer of any material, in the case of a massive silicon holder, providing passivation of the surface of the silicon substrate from the formation of chemical compounds of silicon with metal (silicides).
Свободная часть (104) тонкого верхнего слоя (101), которая является и свободной частью кантилевера, представляет собой лепесток/балку, на конце которой размещен ус (105), который может быть заострен и иметь вид острия (конуса) или цилиндра.The free part (104) of the thin upper layer (101), which is also the free part of the cantilever, is a petal / beam, at the end of which there is a whisker (105), which can be pointed and look like a point (cone) or cylinder.
Тыльная сторона лепестка/балки может иметь дополнительное тонкопленочное функциональное прозрачное покрытие (106) другого материала толщиной порядка 10-20 нм. Данное функциональное покрытие является технологическим элементом при создании верхнего тонкого металлического слоя (101).The back side of the petal / beam may have an additional thin-film functional transparent coating (106) of another material with a thickness of about 10-20 nm. This functional coating is a technological element in creating the upper thin metal layer (101).
Толщина данного слоя ничтожна в сравнении с отражающими слоями, напыляемыми на поверхность традиционных зондов, поэтому результат сигнал/шум будет лучше по сравнению с аналогами.The thickness of this layer is negligible in comparison with the reflective layers sprayed onto the surface of traditional probes, so the signal-to-noise result will be better in comparison with analogues.
Claims (5)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015148839A RU2610040C1 (en) | 2015-11-13 | 2015-11-13 | Monocrystalline metal probe for scanning devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015148839A RU2610040C1 (en) | 2015-11-13 | 2015-11-13 | Monocrystalline metal probe for scanning devices |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2610040C1 true RU2610040C1 (en) | 2017-02-07 |
Family
ID=58457713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2015148839A RU2610040C1 (en) | 2015-11-13 | 2015-11-13 | Monocrystalline metal probe for scanning devices |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2610040C1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2759415C1 (en) * | 2020-12-20 | 2021-11-12 | СканСенс ГмбХ | Cantilever with silicon needle of complex shape |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5255258A (en) * | 1987-09-24 | 1993-10-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Microprobe, preparation thereof and electronic device by use of said microprobe |
| RU2240623C2 (en) * | 1999-05-31 | 2004-11-20 | Гиваргизов Евгений Инвиевич | Point structures, devices built around them, and their manufacturing methods |
| JP2009031038A (en) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Ritsumeikan | Probe, etching mask for forming probe and probe manufacturing method using etching mask |
| US8539611B1 (en) * | 2012-07-02 | 2013-09-17 | International Business Machines Corporation | Scanned probe microscopy (SPM) probe having angled tip |
-
2015
- 2015-11-13 RU RU2015148839A patent/RU2610040C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5255258A (en) * | 1987-09-24 | 1993-10-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Microprobe, preparation thereof and electronic device by use of said microprobe |
| RU2240623C2 (en) * | 1999-05-31 | 2004-11-20 | Гиваргизов Евгений Инвиевич | Point structures, devices built around them, and their manufacturing methods |
| JP2009031038A (en) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Ritsumeikan | Probe, etching mask for forming probe and probe manufacturing method using etching mask |
| US8539611B1 (en) * | 2012-07-02 | 2013-09-17 | International Business Machines Corporation | Scanned probe microscopy (SPM) probe having angled tip |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2759415C1 (en) * | 2020-12-20 | 2021-11-12 | СканСенс ГмбХ | Cantilever with silicon needle of complex shape |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101438355B (en) | Monolithic high aspect ratio nano-size scanning probe microscope (SPM) tip formed by nanowire growth | |
| US8920723B2 (en) | Sample support structure and methods | |
| US5581083A (en) | Method for fabricating a sensor on a probe tip used for atomic force microscopy and the like | |
| Grow et al. | Silicon nitride cantilevers with oxidation-sharpened silicon tips for atomic force microscopy | |
| JP2003307483A (en) | Scanning probe system with spring probe | |
| US8397555B1 (en) | Scanning probe devices | |
| Sakamoto et al. | Alignment of Ge three-dimensional islands on faceted Si (001) surfaces | |
| US7408366B2 (en) | Probe tips and method of making same | |
| Arend et al. | Site selective growth of heteroepitaxial diamond nanoislands containing single SiV centers | |
| RU2610040C1 (en) | Monocrystalline metal probe for scanning devices | |
| CN104749400A (en) | Scanning probe and manufacture method thereof | |
| Tang et al. | Maskless micro/nanofabrication on GaAs surface by friction-induced selective etching | |
| Wistrela et al. | Impact of the substrate dependent polarity distribution in c-axis oriented AlN thin films on the etching behaviour and the piezoelectric properties | |
| KR20010003182A (en) | Fabrication method of SPM probe tips using P+ silicon cantilevers realized in <110>bulk silicon wafer | |
| Hantschel et al. | Overcoated diamond tips for nanometer-scale semiconductor device characterization | |
| RU2240623C2 (en) | Point structures, devices built around them, and their manufacturing methods | |
| JPH06305898A (en) | Single crystal tip structure and its formation | |
| Torkhov et al. | Atomic force microscopy study of the potential distribution over a locally metallized n-GaAs surface | |
| RU2759415C1 (en) | Cantilever with silicon needle of complex shape | |
| US20170184631A1 (en) | Probe device for scanning probe microscopes and method of manufacture thereof | |
| Hantschel et al. | Diamond Probes Technology | |
| Stiegler | Infrared spectroscopic near-field microscopy of nanoparticles and semiconductor nanowires | |
| RU2340963C2 (en) | Method of composite cantilever production for scanning probe microscope | |
| JPH05203444A (en) | Manufacture of cantilever for interatomic force microscope | |
| CN100370579C (en) | Method for forming quantum point |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20181114 |