RU2602421C1 - Способ определения температуры пористого слоя по изменениям показателя преломления при адсорбции - Google Patents
Способ определения температуры пористого слоя по изменениям показателя преломления при адсорбции Download PDFInfo
- Publication number
- RU2602421C1 RU2602421C1 RU2015139494/28A RU2015139494A RU2602421C1 RU 2602421 C1 RU2602421 C1 RU 2602421C1 RU 2015139494/28 A RU2015139494/28 A RU 2015139494/28A RU 2015139494 A RU2015139494 A RU 2015139494A RU 2602421 C1 RU2602421 C1 RU 2602421C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- temperature
- porous layer
- refractive index
- dependence
- porous
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 title claims description 22
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 43
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 7
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract description 2
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 239000002156 adsorbate Substances 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 description 1
- USPWUOFNOTUBAD-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4,5-pentafluoro-6-(trifluoromethyl)benzene Chemical compound FC1=C(F)C(F)=C(C(F)(F)F)C(F)=C1F USPWUOFNOTUBAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004341 Octafluorocyclobutane Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001187 ellipsometric porosimetry Methods 0.000 description 1
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- ZQBFAOFFOQMSGJ-UHFFFAOYSA-N hexafluorobenzene Chemical class FC1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F ZQBFAOFFOQMSGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N octafluorocyclobutane Chemical compound FC1(F)C(F)(F)C(F)(F)C1(F)F BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019407 octafluorocyclobutane Nutrition 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000002336 sorption--desorption measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/0003—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry for sensing the radiant heat transfer of samples, e.g. emittance meter
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области измерений температуры тонких поверхностных слоев, в частности пористого диэлектрического слоя в химической промышленности (катализ), при изготовлении оптических и химических сенсоров, а так же в процессе криогенного травления диэлектриков в технологии микроэлектроники. Заявлен бесконтактный способ измерения температуры пористого слоя, характеризующийся тем, что температура пористого слоя определяется по калибровочным графикам зависимости показателя преломления пористого слоя от температуры при постоянном давлении паров выбранных химических соединений, адсорбирующихся в пористом слое, рассчитанным на основе экспериментальных графиков зависимости показателя преломления пористого слоя от относительного давления летучих паров в этом слое при комнатной температуре. Технический результат - повышение точности получаемых результатов. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.
Description
Область техники
Изобретение относится к области измерений температуры тонких поверхностных слоев, в частности пористого диэлектрического слоя в химической промышленности (катализ), при изготовлении оптических и химических сенсоров, а так же при криогенном травлении в технологии микроэлектроники.
Уровень техники
Из предшествующего уровня техники известен способ определения температуры поверхности с помощью термохромных пленочных датчиков температуры, содержащий термохромный индикатор на жидкокристаллической пленке, оптически связанный с осветителем, включающим в себя источник света и конденсор, светофильтр с регулируемой длиной волны пропускания, блок управления светофильтром, многоэлементный фотоприемник, регистратор, соединенный с блоком управления светофильтром, объектив, расположенный между фотоприемником и термохромным индикатором и блок выделения максимума сигнала, входы которого соединены с фотоприемником, а выходы - с регистратором, а с целью повышения точности измерения, в него введены дополнительный фотоприемник, установленный после светофильтра с регулируемой длиной волны пропускания, и блок регулировки чувствительности многоэлементного фотоприемника, вход которого соединен с выходом дополнительного фотоприемника [1]. Недостатком этого способа является отсутствие низкотемпературных термохромных датчиков температуры и необходимость их нанесения на поверхность.
Также известно устройство бесконтактного измерения температуры, содержащее оптическую систему, на оптической оси которой расположен блок спектрального разложения, формирующий изображение спектра излучения на поверхности детектора, выход которого соединен с процессорным блоком, отличающееся тем, что детектор выполнен в виде матрицы приемников, границы которой превышают возможные перемещения границ изображения спектра излучения, а выход каждого из приемников через детектор соединен с соответствующим входом процессорного блока, выполненного с возможностью поиска максимального значения выходного сигнала приемника по матрице приемников, возможностью определения максимального значения производной выходных сигналов приемников по матрице приемников и возможностью вычисления температуры по отношению максимального значения производной выходных сигналов по матрице приемников к максимальному значению выходного сигнала приемника по матрице приемников с учетом коэффициента пропорциональности [2]. Этот способ предназначен для измерения нагретых поверхностей, вплоть до очень высоких температур. Недостатком этого способа является сложность, недостаточная точность, а в некоторых случаях и невозможность измерения криогенных температур.
Известен способ применения эллипсометрии для измерения температуры кремния в среде с быстрой термической обработкой. Эта методика основана на эллипсометрических измерениях показателя преломления кремния, а затем определения температуры пластины по известной температурной зависимости показателя преломления. С помощью компьютера, эллипсометрическая система выполняет insitu измерения на подложке тонких пленок в различных атмосферах, при температурах до 1450 K. В качестве источника света используется лазер [3]. Но данный метод не применим для измерения температуры диэлектриков, так как изменения оптических констант диэлектриков незначительны.
В микроэлектронной технологии в настоящее время решаются вопросы по интеграции low-k материалов с диэлектрической постоянной меньше чем 2.5 для суб-10 нм технологических норм. Однако их интеграция встречает значительные трудности, так как пористые low-k диэлектрики деградируют в процессах плазмохимического травления при формировании линий под металлизацию. Активные частицы плазмы диффундируют в поры и изменяют структуру стенки пор. В результате, low-k материал становится гидрофильным при обработке в плазме C6F6, C7F8, C4F8 и значение диэлектрической постоянной возрастает в связи с адсорбцией воды. Недавно изобретенный метод криогенного травления диэлектриков позволяет защитить стенки пор low-k диэлектрика от значительного повреждения их в процессе плазменного травления. Когда травление происходит при низких температурах, реагенты и продукты травления конденсируются в порах и защищают их от проникновения активных радикалов плазмы [4]. Важной проблемой является разработка стандартного подхода для определения истиной температуры пористого слоя. Образец, при травлении, охлаждается с одной стороны, и так как материал пористый, то в нем возникает большой градиент температур, что влечет за собой сложность измерения температуры пленки практическим методом. Используя результаты работ по эллипсометрической порометрии [5], мы можем получить графики зависимости показателя преломления пористого слоя от относительного давления при адсорбции/десорбции толуола или других паров в порах low-k диэлектрика при комнатной температуре.
Предлагается бесконтактный способ измерения температуры пористого слоя, характеризующийся тем, что температура пористого слоя определяется по калибровочным графикам зависимости показателя преломления пористого слоя от температуры при постоянном давлении паров выбранных химических соединений, адсорбирующихся в пористом слое, рассчитанным на основе экспериментальных графиков зависимости показателя преломления пористого слоя от относительного давления летучих паров в этом слое при комнатной температуре.
Цель изобретения
Целью настоящего предлагаемого изобретения является разработка способа измерения температуры пористого слоя на поверхности, используя расчетные зависимости показателя преломления пористого слоя от температуры при постоянном давлении паров, отвечающего современным требованиям по точности, чистоте и доступности в микроэлектронном производстве. Поставленная цель достигается в способе бесконтактного измерения температуры пористого слоя, характеризующемся тем, что температура пористого слоя определяется по калибровочным графикам зависимости показателя преломления пористого слоя от температуры при постоянном давлении паров выбранных химических соединений, адсорбирующихся в пористом слое, рассчитанным на основе экспериментальных графиков зависимости показателя преломления пористого слоя от относительного давления летучих паров в этом слое при комнатной температуре, в частности, выбранные химические вещества могут адсорбироваться в порах low-k диэлектриков на кремниевой подложке, кроме того, в качестве исходного графика зависимости показателя преломления от давления летучих паров может применяться график зависимости показателя преломления от относительного давления летучих паров при адсорбции толуола в пористом слое при комнатной температуре, а в качестве калибровочных графиков зависимости показателя преломления от температуры - графики зависимости показателя преломления от температуры C6F6, C7F8, C4F8.
Осуществление изобретения
Рассмотрим процесс определения температуры пористого слоя на конкретном примере. Исходными данными для определения температуры слоя является график зависимости показателя преломления от относительного давления летучих паров при адсорбции толуола (C7H8), полученный при комнатной температуре, а в результате расчетов будут получены графики зависимости показателя преломления от температуры при адсорбции соединений гексафторбензола (C6F6), октафтортолуола (C7F8) и октафторциклобутана (C4F8) для разных давлений. График зависимости показателя преломления пористого слоя от относительного давления летучих паров при адсорбции толуола измеряется для данного пористого слоя и является экспериментальной зависимостью, которая не может быть представлена в аналитическом виде, а только в виде таблицы или графика. Соответственно, калибровочные графики зависимости показателя преломления пористого слоя от температуры также будет получены в виде таблицы или графика.
На Фиг. 1 представлена зависимость показателя преломления пористого слоя от относительного давления летучих паров при адсорбции толуола в порах диэлектрической пленки на кремниевой подложке при комнатной температуре. Такая пористая пленка используется в современной микроэлектронике как low-k диэлектрик для изоляции проводников в сверхбольших интегральных схемах. Представленная зависимость является исходной для расчетов калибровочных графиков зависимости показателя преломления пористого слоя от температуры соединений C6F6, C7F8, C4F8.
Основой для такого расчета являются представления об адсорбции паров летучих жидкостей в пористых материалах [6]. Согласно этим представлениям, адсорбция в пористых материалах определяется размерами пор, молекулярными характеристиками адсорбирующейся жидкости (адсорбата), относительным давлением паров адсорбата (отношением текущего давления к давлению насыщенных паров адсорбата над плоской поверхностью) и температурой. При изменении относительного давления в пористом материале заполнены те поры, радиус мениска адсорбата в которых меньше радиуса Кельвина, который определяется уравнением:
Здесь Rk - радиус Кельвина, γ - поверхностное натяжение адсорбата, V - молекулярный объем, R - газовая постоянная, T - температура, P - текущее давление, Po - давление насыщенных паров адсорбата. Таким образом, для получения калибровочной зависимости показателя преломления от температуры необходимо на оси абсцисс поставить вместо относительного давления паров - температуру пористой пленки и перенормировать ось ординат, для получения соответствующего показателя преломления. Причем, необходимо вместо давления паров толуола поставить температуру пленки таким образом, чтобы в этой точке у них совпадал радиус Кельвина. То есть мы совмещаем точки на оси X в соответствии с уравнением:
В формуле (2) левая часть - это радиус Кельвина из экспериментальной зависимости, а правая - из калибровочной. Как видно из этой формулы, для пересчета нам надо знать зависимости от температуры поверхностного натяжения γ1(T1), молярного объема Vm1(T1) и давления паров P1(T1). Теперь, используя уравнение Антуана, мы можем рассчитать зависимость давления паров от температуры для интересующей нас области. Расчет плотности производится по формуле (3):
где ρ0 - постоянная плотность при температуре плавления Tmel. Температурный коэффициент α вычисляется по наклону прямой, полученной в результате интерполяции точек зависимости ρ(T) для известной области температур. Молярный объем получается из отношения (4):
Поверхностное натяжение можно посчитать с помощью (5):
где k - постоянный коэффициент, Tcrit - критическая температура. Таким образом, мы можем получить относительно значения давления для интересующих нас химических соединений, переписав формулу (2) в следующем виде:
где γ0, Vm0 - для толуола при T=25°C.
Для перенормировки оси ординат будем считать, что поляризуемость пористого слоя можно определить как сумму двух слагаемых - поляризуемости твердого каркаса, которая не меняется в процессе адсорбции, и изменяющейся поляризуемости объема пор при заполнении их адсорбатом. Если выразить поляризуемость через показатель преломления, то мы получаем уравнение, связывающее заполненный объем пор V и эффективный показатель преломления neff во время адсорбции:
где ns - показатель преломления пустой матрицы, nads - показатель преломления адсорбата.
Приравнивая заполненный объем пор для разных адсорбатов, мы получаем связь между эффективными показателями преломления в следующем виде:
Которое можно преобразовать так:
Обозначив правую часть уравнения (11) как A, получаем окончательное выражение для расчета neff2:
Таким образом, перенормируя ось X на графике зависимости показателя преломления пористого слоя от относительного давления летучих паров при адсорбции толуола в соответствии с формулой (6) для некоторого значения давления паров выбранного адсорбата, а ось Y в соответствии с формулой (10), мы получим калибровочные графики адсорбции для данного пористого слоя. По получившимся калибровочным графикам адсорбции можно определить температуру пористой пленки, то есть каждой величине показателя преломления будет соответствовать истинная температура пористого слоя, в котором происходит адсорбция.
Измерение температуры тонкого слоя пористого диэлектрика имеет большое значение для химической промышленности (катализ), при изготовлении оптических и химических сенсоров, а так же для других областей, где применяются пористые материалы. В частности, измерение температуры тонкого пористого слоя важно в процессе криогенного травления диэлектриков в технологии микроэлектроники.
Наибольший интерес для процессов криогенного травления в современной микроэлектронике представляет диапазон температур от -10°C до -150°C. На Фиг. 2-4 представлены расчетные графики зависимости показателя преломления пористого слоя от температуры при адсорбции C6F6, C7F8, C4F8 в пористых пленках на кремнии. Как видно из этих рисунков, указанный диапазон температур с запасом перекрывается калибровочными графиками адсорбции этих соединений.
Графические изображения, поясняющие сущность изобретения:
Фиг. 1 - График зависимости показателя преломления пористого слоя от относительного давления летучих паров при адсорбции толуола
Фиг. 2 - График зависимости показателя преломления пористого слоя от температуры при адсорбции C6F6 при разных значениях давления в камере
Фиг. 3 - График зависимости показателя преломления пористого слоя от температуры при адсорбции C7F8 при разных значениях давления в камере
Фиг. 4 - График зависимости показателя преломления пористого слоя от температуры при адсорбции C4F8 при разных значениях давления в камере.
Список литературы
[1] Свечников Сергей Васильевич, Каменской Александр Соломонович, Богданович Виктор Борисович, «Устройство для измерения температуры поверхности», патент RU №993048, 11.12.1977.
[2] Бодров Владимир Николаевич, Мельников Борис Сергеевич, Обидин Геннадий Иванович, «Устройство бесконтактного измерения температуры», патент RU №2213942, 10.10.2003.
[3] Y.J. Van der Meulen and N.С. Hien, J. Opt. Soc. Am., 64, 804, 1974.
[4] M.R. Baklanov, F. Iacopi, S. Vanhaelemeersch. PROTECTIVE TREATMENT FOR POROUS MATERIALS, patent US 8,540,890 B2, Sept 24, 2013.
[5] Mogilnikov K., Polovinkin V., Dultsev F., Baklanov M., “Determination of pore size distribution in thin films by ellipsometric porosimetry,” J. Vac. Sci. Tecnol. B, vol. 18, №3, pp. 1385-1391, 2000.
[6] Карнаухов А.П. “Адсорбция. Текстура дисперсных и пористых материалов”, Новосибирск, “Наука”, 1999.
Claims (3)
1. Бесконтактный способ измерения температуры пористого слоя, характеризующийся тем, что температура пористого слоя определяется по калибровочным графикам зависимости показателя преломления пористого слоя от температуры при постоянном давлении паров выбранных химических соединений, адсорбирующихся в пористом слое, рассчитанным на основе экспериментальных графиков зависимости показателя преломления пористого слоя от относительного давления летучих паров в этом слое при комнатной температуре.
2. Бесконтактный способ измерения температуры по п. 1, отличающийся тем, что выбранные химические вещества адсорбируются в порах low-k диэлектриков на кремниевой подложке.
3. Бесконтактный способ измерения температуры по п. 1, отличающийся тем, что в качестве исходного графика зависимости показателя преломления от относительного давления летучих паров применяется график зависимости показателя преломления от относительного давления при адсорбции толуола в пористом слое при комнатной температуре, а в качестве калибровочных графиков зависимости показателя преломления от температуры применяются графики зависимости показателя преломления от температуры C6F6, C7F8, C4F8.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015139494/28A RU2602421C1 (ru) | 2015-09-17 | 2015-09-17 | Способ определения температуры пористого слоя по изменениям показателя преломления при адсорбции |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015139494/28A RU2602421C1 (ru) | 2015-09-17 | 2015-09-17 | Способ определения температуры пористого слоя по изменениям показателя преломления при адсорбции |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2602421C1 true RU2602421C1 (ru) | 2016-11-20 |
Family
ID=57760065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2015139494/28A RU2602421C1 (ru) | 2015-09-17 | 2015-09-17 | Способ определения температуры пористого слоя по изменениям показателя преломления при адсорбции |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2602421C1 (ru) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2213942C1 (ru) * | 2002-12-27 | 2003-10-10 | Бодров Владимир Николаевич | Устройство бесконтактного измерения температуры |
| US20050148202A1 (en) * | 2002-06-20 | 2005-07-07 | Ludger Heiliger | Method for sealing porous materials during chip production and compounds therefor |
| US8540890B2 (en) * | 2011-11-15 | 2013-09-24 | Imec | Protective treatment for porous materials |
| US20150076109A1 (en) * | 2013-09-17 | 2015-03-19 | Imec Vzw | Protection of porous substrates before treatment |
-
2015
- 2015-09-17 RU RU2015139494/28A patent/RU2602421C1/ru active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050148202A1 (en) * | 2002-06-20 | 2005-07-07 | Ludger Heiliger | Method for sealing porous materials during chip production and compounds therefor |
| RU2213942C1 (ru) * | 2002-12-27 | 2003-10-10 | Бодров Владимир Николаевич | Устройство бесконтактного измерения температуры |
| US8540890B2 (en) * | 2011-11-15 | 2013-09-24 | Imec | Protective treatment for porous materials |
| US20150076109A1 (en) * | 2013-09-17 | 2015-03-19 | Imec Vzw | Protection of porous substrates before treatment |
Non-Patent Citations (1)
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Waxler et al. | Effect of pressure and temperature on the refractive indices of benzene, carbon tetrachloride, and water | |
| US10041873B2 (en) | Porosity measurement of semiconductor structures | |
| Gieseler et al. | Evaluation of tunable diode laser absorption spectroscopy for in‐process water vapor mass flux measurements during freeze drying | |
| Ortega | Densities and refractive indices of pure alcohols as a function of temperature | |
| EP1032816B1 (en) | Apparatus and method for determining porosity | |
| KR101656436B1 (ko) | 박막 웨이퍼의 막두께 분포 측정 방법 | |
| US6485872B1 (en) | Method and apparatus for measuring the composition and other properties of thin films utilizing infrared radiation | |
| US10281263B2 (en) | Critical dimension measurements with gaseous adsorption | |
| Brassé et al. | Optical constants of Titan aerosols and their tholins analogs: Experimental results and modeling/observational data | |
| US20170314912A1 (en) | Measurement Of Semiconductor Structures With Capillary Condensation | |
| US8248621B2 (en) | Method for optical characterisation | |
| Gauthier et al. | Gas thermal conductivity measurement using the three-omega method | |
| US10408775B2 (en) | Sensor arrangements and methods of operating a sensor arrangement | |
| RU2602421C1 (ru) | Способ определения температуры пористого слоя по изменениям показателя преломления при адсорбции | |
| Gaidukasov et al. | Application of the Tikhonov Regularization Method in Problems of Ellipsometic Porometry of Low-K Dielectrics | |
| JP5478022B2 (ja) | 温度依存性を補償する方法及び装置 | |
| Krzyżanowska et al. | Ellipsometric study of refractive index anisotropy in porous silicon | |
| Faoro et al. | Determination of the refractive index of liquids at cryogenic temperature | |
| US6605482B2 (en) | Process for monitoring the thickness of layers in a microelectronic device | |
| TW201602514A (zh) | 光學式膜厚量測方法 | |
| JP2007085857A (ja) | 表面プラズモン共鳴スペクトル測定装置におけるデータ校正方法 | |
| Hanisch et al. | Origin of optical anisotropy in planar polymer waveguides | |
| Khelifa | Effect of Measurement of Dew Point Temperature in Moist Air on the Absorption Line at 1392.53 nm of Water Vapor | |
| Gaidukasov et al. | Investigation of Gas Condensation in Pores of Nanoporous Dielectrics in Cryogenic Etching Conditions | |
| Özcan et al. | Simultaneous determination of the thickness and refractive index dispersion of dielectric films by the Paul wavelet transform |