RU2601867C1 - Device for control over convergence of x-ray beam and method of making diffraction unit in said device (versions) - Google Patents
Device for control over convergence of x-ray beam and method of making diffraction unit in said device (versions) Download PDFInfo
- Publication number
- RU2601867C1 RU2601867C1 RU2015152952/07A RU2015152952A RU2601867C1 RU 2601867 C1 RU2601867 C1 RU 2601867C1 RU 2015152952/07 A RU2015152952/07 A RU 2015152952/07A RU 2015152952 A RU2015152952 A RU 2015152952A RU 2601867 C1 RU2601867 C1 RU 2601867C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- diffracting
- plate
- adhesive layer
- ray beam
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к рентгеновской оптике и может быть использовано в оборудовании для настройки коллимации и фокусировки рентгеновского излучения на основе управления кривизной рабочего профиля дифракционных элементов, например в рентгеновской микроскопии, рентгеновской спектроскопии, в дифрактометрах, а также в астрономии, физике, биологии, медицине и других областях.The invention relates to x-ray optics and can be used in equipment for adjusting the collimation and focusing of x-ray radiation based on controlling the curvature of the working profile of diffraction elements, for example, in x-ray microscopy, x-ray spectroscopy, in diffractometers, as well as in astronomy, physics, biology, medicine and others areas.
В оборудовании для коллимации или фокусировки рентгеновского пучка, обеспечивающем сходимость рентгеновского пучка в соответствии с условиями коллимации или фокусировки, необходима настройка сходимости рентгеновского пучка, которая связана с высокими требованиями к геометрической форме цилиндрического параболоида или эллипсоида по среднеквадратическому отклонению (RMS) их формы от заданной в зависимости от спектрального диапазона, которое, как правило, не должно превышать долей или нескольких ангстрем.In equipment for the collimation or focusing of an X-ray beam, which ensures the convergence of the X-ray beam in accordance with the conditions of collimation or focusing, it is necessary to adjust the convergence of the X-ray beam, which is associated with high demands on the geometric shape of a cylindrical paraboloid or ellipsoid according to the standard deviation (RMS) of their shape from the given in depending on the spectral range, which, as a rule, should not exceed fractions or several angstroms.
Одним из способов корректировки таких поверхностей является локальное ионно-пучковое травление и/или вакуумное напыление тонких пленок и в этом случае форма зеркальной поверхности исправляется в пределах субнанометровых отклонений (см. статью авторов Барышевой М.М. и др. «Прецизионная изображающая многослойная оптика для мягкого рентгеновского и экстремального ультрафиолетового диапазонов» - Успехи физических наук. 2012, т. 182, №7, с. 728-747), в связи с чем исправление указанных поверхностей усложнено и требует значительных материальных затрат.One way to correct such surfaces is local ion-beam etching and / or vacuum deposition of thin films and in this case the shape of the mirror surface is corrected within the limits of subnanometer deviations (see the article by M. Barysheva et al. “Precision imaging multilayer optics for soft X-ray and extreme ultraviolet ranges "- Uspekhi Fizicheskikh Nauk. 2012, v. 182, No. 7, pp. 728-747), and therefore the correction of these surfaces is complicated and requires significant material costs al.
Задачей предлагаемого изобретения является создание эффективной конструктивно-технологической базы настройки коллимации или фокусировки рентгеновского пучка, основанной на использовании брэгговского слоя в дифрагирующей кристаллической среде при управлении сходимостью рентгеновского пучка.The objective of the invention is the creation of an effective structural and technological base for adjusting the collimation or focusing of the x-ray beam, based on the use of the Bragg layer in a diffracting crystalline medium when controlling the convergence of the x-ray beam.
Дифрагирующая кристаллическая среда при этом сформирована в виде дифрагирующего элемента, закрепленного на подложке и имеющего рабочей профиль, задающий сходимость рентгеновского пучка в соответствии с условиями (требованиями) его коллимации или фокусировки.The diffracting crystalline medium is thus formed in the form of a diffracting element mounted on a substrate and having a working profile that sets the convergence of the x-ray beam in accordance with the conditions (requirements) of its collimation or focusing.
Уровень техники в области решений указанной задачи характеризуется ограниченными сведениями (являющимися предпосылками создания устройства для управления сходимостью рентгеновского пучка) о известном входящем в состав системы управления потоком рентгеновского излучения путем неоднородных (локальных) энергетических (световых) воздействий на дифракционную среду и подложку (см. изобретение «Способ управления потоком рентгеновского излучения и система для его осуществления» по патенту РФ №2278432, G21K 21/06, 2006) блоке корректировки профиля поверхности дифракционной среды в частном исполнении в виде кристаллической пластины Si и подложки, представляющей собой изогнутую под коллимацию или фокусировку упругую пластину, с усложняющими ее конструкцию встроенными в ней терморасширяющими элементами, распределенными вдоль нее, с контролируемым изменением температуры кристаллической пластины Si и подложки без раскрытия крепления кристаллической пластины Si к подложке (что существенно в связи с особенностями выполнения указанного крепления в предлагаемом изобретении), а также без указания в числе существенных признаков системы средства изменения температуры кристаллической пластины Si и подложки, из-за чего изложенных сведений, имеющих в отношении существенной части декларативный характер, недостаточно для корректного сравнения предлагаемого изобретения с указанным блоком корректировки профиля поверхности дифракционной среды.The prior art in the field of solving this problem is characterized by limited information (which are the prerequisites for creating a device for controlling the convergence of the X-ray beam) about the well-known X-ray flux control system by inhomogeneous (local) energy (light) effects on the diffraction medium and substrate (see the invention "A method for controlling the flow of x-ray radiation and a system for its implementation" according to the patent of the Russian Federation No. 2278432, G21K 21/06, 2006) block profile adjustment p the surface of a diffraction medium in a particular embodiment in the form of a Si crystalline plate and a substrate, which is an elastic plate bent for collimation or focusing, with its thermo-expanding elements integrated in it distributed along it, with a controlled temperature change of the Si crystal plate and substrate without opening the mount crystalline Si plate to the substrate (which is essential in connection with the features of the specified fastening in the present invention), as well as without indicating, among the essential features of the system, the means for changing the temperature of the Si crystalline plate and the substrate, which is why the above information, which has a declarative character with respect to the essential part, is not enough to correctly compare the present invention with the indicated block for adjusting the surface profile of the diffraction medium.
Поэтому выбрана форма изложения формулы и описания предлагаемого изобретения в отношении всех независимых пунктов формулы изобретения - без прототипа.Therefore, the selected form of the formula and description of the invention in relation to all independent claims is without prototype.
Технический результат от использования излагаемой ниже группы изобретений - разработка устройства для управления сходимостью рентгеновского пучка и технологическое решение изготовления дифракционного блока в его составе на уровне сочетания упрощения осуществления и расширения возможностей настройки коллимации или фокусировки рентгеновского пучка в результате увеличения диапазона угловых изменений сходимости дифрагированного рентгеновского пучка за счет управления сходимостью рентгеновского пучка путем изменения температуры дифракционного блока, изготовленного с рабочим профилем его дифрагирующего элемента, соответствующим условию коллимации или фокусировки рентгеновского пучка, и имеющего в своем составе дифрагирующий элемент, выполненный в виде дифрагирующей монокристаллической пластины, и подложки (без встроенных элементов в ней), предварительно склеенных между собой, и, соответственно путем настроечного изменения кривизны рабочего профиля дифрагирующей монокристаллической пластины в результате одновременного изгиба подложки, затвердевшего клеевого слоя и дифрагирующей монокристаллической пластины из-за разницы коэффициентов температурного расширения их материалов, и изготовления дифрагирующего блока путем приклеивания исходной плоской до приклеивания дифрагирующей монокристаллической пластины, с подобранными толщиной и формой, к исходной плоской до приклеивания подложке, с подобранными толщиной и формой, и их одновременного изгиба в процессе приклеивания при комнатной температуре в результате усадки клеевого слоя с образованием (в зависимости от подобранных исходных форм подложки и дифрагирующей монокристаллической пластины) соответствующего условию коллимации или фокусировки рабочего профиля дифрагирующей монокристаллической пластины или их одновременного изгиба в процессе приклеивания при температуре выше или ниже комнатной температуры в результате усадки клеевого слоя при его затвердевании с образованием промежуточного профиля дифрагирующей монокристаллической пластины, приближающегося к рабочему профилю этой пластины, соответствующему условию коллимации или фокусировки ренгеновского пучка, и последующего (доводочного) одновременного изгиба подложки, затвердевшего клеевого слоя и дифрагирующей монокристаллической пластины при доведении температуры (охлаждении или нагреве) подложки и приклеенной к ней дифрагирующей монокристаллической пластины после затвердения клеевого слоя от температуры проведения затвердевания клеевого слоя до комнатной температуры за счет разницы коэффициентов температурного расширения материалов этих составных частей изготавливаемого дифракционного блока и расширении при этом амплитудного интервала изменений кривизны изгиба формируемого профиля дифрагирующей монокристаллической пластины за счет дополнительного изгиба последней с образованием в результате соответствующего условию коллимации или фокусировки рабочего профиля дифрагирующей монокристаллической пластины.The technical result from the use of the group of inventions described below is the development of a device for controlling the x-ray beam convergence and the technological solution for manufacturing a diffraction block in its composition at the level of combining the simplification of implementation and expanding the ability to adjust collimation or focusing of the x-ray beam as a result of increasing the range of angular changes in the convergence of the diffracted x-ray beam beyond X-ray convergence control by changing temperature an diffraction unit made with a working profile of its diffracting element, corresponding to the condition of collimation or focusing of the X-ray beam, and incorporating a diffracting element made in the form of a diffracting single-crystal plate, and a substrate (without built-in elements in it) previously glued together, and , respectively, by adjusting the curvature of the working profile of the diffracting single-crystal plate as a result of the simultaneous bending of the hardened substrate layer and the diffracting single-crystal plate due to the difference in the coefficients of thermal expansion of their materials, and the manufacture of the diffracting unit by gluing the original flat before gluing the diffracting single-crystal plate, with the selected thickness and shape, to the original substrate before gluing, with the selected thickness and shape, and their simultaneous bending during gluing at room temperature as a result of shrinkage of the adhesive layer with the formation (depending on the selected initial forms m of the substrate and the diffracting single-crystal plate) corresponding to the condition of collimation or focusing of the working profile of the diffracting single-crystal plate or their simultaneous bending during gluing at a temperature above or below room temperature as a result of shrinkage of the adhesive layer during its hardening with the formation of an intermediate profile of a diffracting single-crystal plate approaching the working the profile of this plate corresponding to the condition of collimation or focusing of the X-ray and subsequent (lapping) simultaneous bending of the substrate, the hardened adhesive layer and the diffracting single-crystal plate when adjusting the temperature (cooling or heating) of the substrate and the diffracting single-crystal plate adhered to it after the adhesive layer has hardened from the temperature of the adhesive layer hardening to room temperature due to the difference the coefficients of thermal expansion of the materials of these components of the manufactured diffraction unit and the expansion of the amplitude interval of changes in the bending curvature of the formed profile of the diffracting single crystal plate due to the additional bending of the latter with the formation of a diffracting single crystal plate as a result of collimation or focusing of the working profile corresponding to the condition.
Для достижения указанного технического результата в устройстве для управления сходимостью рентгеновского пучка, содержащем дифракционный блок, состоящий из дифрагирующего элемента, закрепленного на подложке и имеющего рабочий профиль, соответствующий условию необходимой сходимости рентгеновского пучка, и средство изменения температуры дифракционного блока для корректировки кривизны рабочего профиля дифрагирующего элемента, приводящей к настройке требуемой сходимости рентгеновского пучка, для корректировки в расширенном амплитудном интервале изменений кривизны рабочего профиля дифрагирующего элемента при изменении температуры дифракционного блока дифрагирующий элемент выполнен в виде дифрагирующей монокристаллической пластины, которая приклеена к подложке, причем указанные подложка и пластина имеют толщины и исходные до приклеивания формы, подобранные для получения рабочего профиля дифрагирующего элемента - дифрагирующей монокристаллической пластины при одновременном изгибе подложки и дифрагирующей монокристаллической пластины в результате усадки клеевого слоя при его затвердевании, а дифракционный блок выполнен с возможностью корректировки кривизны рабочего профиля дифрагирующей монокристаллической пластины, приводящей к настройке требуемой сходимости рентгеновского пучка, за счет одновременного изгиба подложки, затвердевшего клеевого слоя и дифрагирующей монокристаллической пластины в результате изменения температуры дифракционного блока из-за разницы коэффициентов температурного расширения материалов указанных составных частей дифракционного блока.To achieve the specified technical result in the device for controlling the convergence of the X-ray beam, containing a diffraction unit consisting of a diffracting element mounted on a substrate and having a working profile corresponding to the condition for the necessary convergence of the X-ray beam, and means for changing the temperature of the diffraction block to adjust the curvature of the working profile of the diffracting element leading to the adjustment of the required convergence of the x-ray beam, for adjustment in the expanded amplitude during the range of changes in the curvature of the working profile of the diffracting element when the temperature of the diffraction unit changes, the diffracting element is made in the form of a single-crystal diffracting plate that is glued to the substrate, said substrate and the plate having thicknesses and the original shapes prior to gluing, selected to obtain a working profile of the diffracting element - diffracting single-crystal plates while bending the substrate and the diffracting single-crystal plate as a result of shrinkage to the left layer during its hardening, and the diffraction unit is configured to correct the curvature of the working profile of the diffracting single-crystal plate, leading to the adjustment of the required convergence of the x-ray beam due to the simultaneous bending of the substrate, the hardened adhesive layer and the diffracting single-crystal plate as a result of changes in the temperature of the diffraction block due to differences in the coefficients of thermal expansion of the materials of these components of the diffraction block.
В частных случаях выполнения предлагаемого устройства для управления сходимостью рентгеновского пучка входящая в состав дифракционного блока дифрагирующая монокристаллическая пластина, приклеенная к подложке, может иметь рабочий профиль, соответствующий условию коллимации или фокусировки рентгеновского пучка, дифрагирующая монокристаллическая пластина может быть изготовлена из кремния со средней плотностью дислокаций, не превышающей 104 см-2, а средство изменения температуры дифракционного блока может иметь исполнение, совмещенное со стабилизатором температуры дифракционного блока в виде элемента Пельтье с водоблоком, и может быть оснащено аппаратно-программным обеспечением управления его мощностью в соответствии с программным режимом настройки требуемой сходимости рентгеновского пучка.In particular cases of the implementation of the proposed device for controlling the x-ray convergence, the diffracting single-crystal plate adhered to the substrate, which is part of the diffraction unit, can have a working profile corresponding to the condition of collimation or focusing of the x-ray beam, the diffracting single-crystal plate can be made of silicon with an average dislocation density, not more than 10 4 cm -2, and means for changing the diffraction unit can have a temperature performance combined th from a Peltier element of the diffraction unit with vodoblokom temperature stabilizer, and can be equipped with hardware and software to manage its power in accordance with the program setting mode desired convergence x-ray beam.
Для достижения указанного выше общего технического результата в способе по первому варианту изготовления дифракционного блока в составе устройства по п. 1, включающем нанесение клеевого слоя на поверхность плоской подложки, наложение на него и закрепление на нем плоской дифрагирующей монокристаллической пластины в результате затвердевания клеевого слоя, подбирают толщины и исходные до приклеивания формы подложки и дифрагирующей монокристаллической пластины для получения рабочего профиля дифрагирующей монокристаллической пластины, соответствующего условию необходимой сходимости рентгеновского пучка, путем одновременного изгиба подложки и дифрагирующей монокристаллической пластины в результате усадки клеевого слоя при его затвердевании, а затвердевание клеевого слоя проводят при комнатной температуре.To achieve the above general technical result, in the method according to the first embodiment of manufacturing a diffraction unit as a part of the device according to
В частных случаях осуществления предлагаемого способа изготовления дифракционного блока по первому варианту в качестве материала клеевого слоя используют эпоксидную смолу ЭД-6 или фотополимер акрилатной группы ОКМ-2.In special cases, the implementation of the proposed method of manufacturing a diffraction unit according to the first embodiment, the material of the adhesive layer is ED-6 epoxy or OKM-2 acrylate photopolymer.
В уточняющих случаях проведения предлагаемого способа изготовления дифракционного блока по первому вариантуIn the clarifying cases of the proposed method for manufacturing a diffraction unit according to the first embodiment
на поверхность плоской кварцевой подложки, имеющей толщину 200 мкм и прямоугольную форму, наносят клеевой слой эпоксидной смолы ЭД-6 толщиной 150 мкм, накладывают на него используемую в качестве дифрагирующей монокристаллической пластины плоскую пластину Si (100), имеющую толщину 400 мкм и прямоугольную форму, и путем одновременного изгиба указанных подложки и пластины за счет усадки слоя эпоксидной смолы ЭД-6 при его затвердевании при комнатной температуре получают параболический рабочий профиль пластины Si с радиусом кривизны вдоль большей стороны прямоугольной подложки 14 м в центре профиля пластины Si, соответствующий условию коллимации рентгеновского пучка;On the surface of a flat quartz substrate having a thickness of 200 μm and a rectangular shape, an adhesive layer of epoxy resin ED-6 with a thickness of 150 μm is applied, a Si (100) flat plate having a thickness of 400 μm and a rectangular shape used as a diffracting single crystal plate is applied, and by simultaneous bending of the indicated substrate and plate due to shrinkage of the ED-6 epoxy layer when it solidifies at room temperature, a parabolic working profile of the Si plate with a radius of curvature along a greater orons of a rectangular substrate of 14 m in the center of the Si wafer profile, corresponding to the collimation condition of the X-ray beam;
или на поверхность плоской кварцевой подложки, имеющей толщину 200 мкм и форму в виде эллипса, наносят клеевой слой эпоксидной смолы ЭД-6 толщиной 150 мкм, накладывают на него используемую в качестве дифрагирующей монокристаллической пластины плоскую пластину Si (100), имеющую толщину 400 мкм и прямоугольную форму, и путем одновременного изгиба указанных подложки и пластины за счет усадки слоя эпоксидной смолы ЭД-6 при его затвердевании при комнатной температуре получают эллиптический рабочий профиль пластины Si с радиусом кривизны вдоль большей полуоси эллиптической подложки 6,3 м в центре профиля пластины Si, соответствующий условию фокусировки рентгеновского пучка;or on the surface of a flat quartz substrate having a thickness of 200 μm and an ellipse shape, an adhesive layer of epoxy resin ED-6 with a thickness of 150 μm is applied, a Si (100) flat plate having a thickness of 400 μm used as a diffracting single crystal plate is applied and a rectangular shape, and by simultaneously bending the indicated substrate and plate due to shrinkage of the ED-6 epoxy layer when it solidifies at room temperature, an elliptical working profile of the Si plate with a radius of curvature along a larger the axis of the elliptical substrate 6.3 m in the center of the Si wafer profile, corresponding to the focusing condition of the x-ray beam;
или на поверхность плоской кварцевой подложки, имеющей толщину 200 мкм и форму в виде эллипса, наносят клеевой слой эпоксидной смолы ЭД-6 толщиной 150 мкм, накладывают на него используемую в качестве дифрагирующей монокристаллической пластины плоскую пластину Si (100), имеющую толщину 400 мкм и форму в виде эллипса, и путем одновременного изгиба указанных подложки и пластины за счет усадки слоя эпоксидной смолы ЭД-6 при его затвердевании при комнатной температуре получают эллиптический рабочий профиль пластины Si с радиусом кривизны вдоль большей полуоси эллиптической подложки 6,8 м в центре профиля пластины Si, соответствующий условию фокусировки рентгеновского пучка.or on the surface of a flat quartz substrate having a thickness of 200 μm and an ellipse shape, an adhesive layer of epoxy resin ED-6 with a thickness of 150 μm is applied, a Si (100) flat plate having a thickness of 400 μm used as a diffracting single crystal plate is applied and an elliptical shape, and by simultaneously bending said substrate and plate due to shrinkage of the ED-6 epoxy layer when it solidifies at room temperature, an elliptical working profile of a Si plate with a radius of curvature along a larger the semiaxis of the elliptical substrate is 6.8 m in the center of the Si wafer profile, corresponding to the focusing condition of the X-ray beam.
Для достижения указанного выше общего технического результата в предлагаемом способе по второму варианту изготовления дифракционного блока в составе устройства по п. 1, включающем нанесение клеевого слоя на поверхность плоской подложки, наложение на него и закрепление на нем в результате затвердевания клеевого слоя плоской дифрагирующей монокристаллической пластины, подбирают толщины и исходные до приклеивания формы подложки и дифрагирующей монокристаллической пластины для получения промежуточного профиля дифрагирующей монокристаллической пластины, приближающегося к рабочему профилю этой пластины, соответствующему условию необходимой сходимости рентгеновского пучка, путем одновременного изгиба подложки и дифрагирующей монокристаллической пластины за счет усадки клеевого слоя при его затвердевании, а затвердевание клеевого слоя проводят при температуре, отличающейся от комнатной температуры на величину, обеспечивающую дополнительный изгиб дифрагирующей монокристаллической пластины для получения рабочего профиля дифрагирующей монокристаллической пластины путем одновременного изгиба подложки, затвердевшего клеевого слоя и дифрагирующей монокристаллической пластины за счет разницы коэффициентов температурного расширения материалов этих составных частей изготавливаемого дифракционного блока при доведении их температуры после затвердения клеевого слоя от температуры проведения указанного затвердевания до комнатной температуры.To achieve the above technical result in the proposed method according to the second embodiment of manufacturing a diffraction unit as a part of the device according to
В частных случаях осуществления предлагаемого способа изготовления дифракционного блока по второму варианту в качестве материала клеевого слоя используют эпоксидную смолу ЭД-6 или фотополимер акрилатной группы ОКМ-2 и затвердевание клеевого слоя эпоксидной смолы ЭД-6 проводят при температуре выше комнатной температуры в интервале до 35°С или ниже комнатной температуры в интервале до -15°С.In particular cases of the implementation of the proposed method for manufacturing the diffraction unit according to the second embodiment, the ED-6 epoxy resin or OKM-2 acrylate group photopolymer is used as the adhesive layer material, and the ED-6 epoxy adhesive hardens at temperatures above room temperature in the range up to 35 ° C or below room temperature in the range up to -15 ° C.
В уточняющих случаях проведения предлагаемого способа изготовления дифракционного блока по второму вариантуIn the clarifying cases of the proposed method for manufacturing a diffraction unit according to the second embodiment
на поверхность плоской кварцевой подложки, имеющей толщину 200 мкм и прямоугольную форму, наносят клеевой слой эпоксидной смолы ЭД-6 толщиной 150 мкм, накладывают на него используемую в качестве дифрагирующей монокристаллической пластины плоскую пластину Si (100), имеющую толщину 400 мкм и прямоугольную форму, и путем одновременного изгиба указанных подложки и пластины за счет усадки слоя эпоксидной смолы ЭД-6 при его затвердевании при 35°С и последующего одновременного изгиба указанных подложки, клеевого слоя и пластины за счет разницы коэффициентов температурного расширения их материалов при их охлаждении до комнатной температуры получают параболический рабочий профиль пластины Si с радиусом кривизны вдоль большей стороны прямоугольной подложки 11 м в центре профиля пластины Si, соответствующий условию коллимации рентгеновского пучка;On the surface of a flat quartz substrate having a thickness of 200 μm and a rectangular shape, an adhesive layer of epoxy resin ED-6 with a thickness of 150 μm is applied, a Si (100) flat plate having a thickness of 400 μm and a rectangular shape used as a diffracting single crystal plate is applied, and by simultaneously bending the specified substrate and plate due to shrinkage of the epoxy resin layer ED-6 when it hardens at 35 ° C and subsequent simultaneous bending of the specified substrate, adhesive layer and plate due to the difference in the coefficient For thermal expansion of their materials, when they are cooled to room temperature, they obtain a parabolic working profile of the Si wafer with a radius of curvature along the larger side of the rectangular substrate 11 m in the center of the wafer profile Si, corresponding to the condition of collimation of the x-ray beam;
или на поверхность плоской кварцевой подложки, имеющей толщину 200 мкм и прямоугольную форму, наносят клеевой слой эпоксидной смолы ЭД-6 толщиной 150 мкм, накладывают на него используемую в качестве дифрагирующей монокристаллической пластины плоскую пластину Si (100), имеющую толщину 400 мкм и прямоугольную форму, и путем одновременного изгиба указанных подложки и пластины за счет усадки слоя эпоксидной смолы ЭД-6 при его затвердевании при -15°С и последующего одновременного изгиба указанных подложки, клеевого слоя и пластины за счет разницы коэффициентов температурного расширения их материалов при их нагреве до комнатной температуры получают параболический рабочий профиль пластины Si с радиусом кривизны вдоль большей стороны прямоугольной подложки 30 м в центре профиля пластины Si, соответствующий условию коллимации рентгеновского пучка.or on the surface of a flat quartz substrate having a thickness of 200 μm and a rectangular shape, an adhesive layer of epoxy resin ED-6 with a thickness of 150 μm is applied, a Si (100) flat plate having a thickness of 400 μm and a rectangular shape used as a diffracting single crystal plate is applied , and by simultaneously bending the specified substrate and plate due to shrinkage of the ED-6 epoxy layer when it hardens at -15 ° C and subsequent simultaneous bending of the specified substrate, adhesive layer and plate due to the difference in coefficient The factors of thermal expansion of their materials when they are heated to room temperature give a parabolic working profile of the Si plate with a radius of curvature along the larger side of the rectangular substrate 30 m in the center of the profile of the Si plate, corresponding to the collimation condition of the X-ray beam.
Известное применение в качестве блока брэгговской дифрагирующей кристаллической среды (см. описание полезной модели «Устройство для формирования пространственно-модулированного рентгеновского пучка» по патенту РФ №155934, G21K 1/06, 2015) рабочего дискретного дифрагирующего монокристаллического слоя, закрепленного с помощью клеевого слоя на подложке, не противоречит критерию «изобретательский уровень» предлагаемого устройства для управления сходимостью рентгеновского пучка в связи с иным назначением - для формирования пространственно-модулированного рентгеновского пучка (не для настройки коллимации или фокусировки рентгеновского пучка) иного исполнения (с рабочей неизогнутой формой) данного блока дифрагирующей кристаллической среды, т.к. последний снабжен дополнительным средством регулирования его температуры, обеспечивающего восстановление плоской формы рабочего дискретного дифрагирующего монокристаллического слоя, представляющего собой массив упорядоченно расположенных на поверхности подложки монокристаллических островков, искривляемого из-за разницы коэффициентов температурного расширения материалов затвердевшего клеевого слоя и подложки и температур их нагрева в связи с пространственно-модулирующим тепловым воздействием на указанный рабочий слой, а сам блок дифрагирующей кристаллической среды при функционировании устройства для формирования пространственно-модулированного рентгеновского пучка имеет плоскую рабочую форму, с которой он и изготавливается.Known application as a block of the Bragg diffracting crystalline medium (see the description of the utility model “Device for the formation of a spatially modulated X-ray beam” according to the patent of the Russian Federation No. 155934,
На фиг. 1 схематически показано предлагаемое устройство для управления сходимостью рентгеновского пучка в частном исполнении; на фиг. 2 представлены подтверждающие работоспособность устройства на фиг. 1 экспериментальные изменения кривизны профиля пластины Si (100), закрепленной на кварцевой подложке клеевым слоем из эпоксидной смолы ЭД-6, в зависимости от температуры дифракционного блока, образованного указанными пластиной, клеевым слоем и подложкой; на фиг. 3, 4 и 5 - исходные формы кварцевой подложки и дифрагирующей монокристаллической пластины (см. фиг. 3а, 4а и 5а) и построенные методом компьютерного моделирования рабочие профили пластины Si (100) в составе трехслойной структуры дифракционного блока, получаемого с использованием эпоксидной смолы ЭД-6 по первому и второму вариантам предлагаемого способа, соответствующие условию коллимации (см. фиг. 3б-г) и фокусировки (см. фиг. 4б-г и 5б-г) рентгеновского пучка.In FIG. 1 schematically shows the proposed device for controlling the convergence of the x-ray beam in a private embodiment; in FIG. 2 presents confirming the operability of the device in FIG. 1 experimental changes in the curvature of the profile of a Si (100) wafer, mounted on a quartz substrate with an adhesive layer of epoxy resin ED-6, depending on the temperature of the diffraction block formed by the specified plate, adhesive layer and substrate; in FIG. 3, 4 and 5 are the initial forms of the quartz substrate and the diffracting single-crystal plate (see Figs. 3a, 4a, and 5a) and the working profiles of the Si (100) plate constructed by computer simulation as a part of the three-layer structure of the diffraction block obtained using ED epoxy -6 according to the first and second variants of the proposed method, corresponding to the condition of collimation (see Fig. 3b-d) and focusing (see Fig. 4b-d and 5b-d) of the x-ray beam.
Предлагаемое устройство для управления сходимостью рентгеновского пучка в настоящем примере выполнения (см. фиг. 1) содержит дифракционный блок, состоящий из дифрагирующего элемента, выполненного в виде дифрагирующей монокристаллической пластины Si (100) 1 (со средней плотностью дислокаций, не превышающей 104 см-2), приклеенной с помощью клеевого слоя 2 к кварцевой подложке 3 и имеющей параболический или эллиптический рабочий профиль, соответствующий условию коллимации или фокусировки рентгеновского пучка, и средство изменения температуры дифракционного блока, имеющее исполнение, совмещенное со стабилизатором температуры дифракционного блока в виде элемента Пельтье 4 с водоблоком 5, для температурной корректировки кривизны рабочего профиля пластины 1 (на фиг. 1 показана пластина 1, имеющая изогнутый под коллимацию или фокусировку рабочий профиль, визуально сливающийся с изображенной на этой фигуре плоской пластиной 1 и показанный после масштабного преобразования на фиг. 3б-г, 4б-г и 5б-г).The proposed device for controlling the convergence of the x-ray beam in the present exemplary embodiment (see Fig. 1) contains a diffraction unit consisting of a diffracting element made in the form of a diffracting single-crystal plate Si (100) 1 (with an average dislocation density not exceeding 10 4 cm - 2) adhered via the
Работа предлагаемого устройства основана на приводящей к настройке требуемой сходимости рентгеновского пучка корректировке кривизны профиля (сформированного предварительно под коллимацию или фокусировку в соответствии с излагаемым ниже способом изготовления дифракционного блока) слоя дифрагирующей кристаллической среды (пластины 1) за счет одновременного изгиба дифрагирующей монокристаллической пластины 1, затвердевшего клеевого слоя 2 и подложки 3 в результате изменения температуры дифракционного блока из-за разницы коэффициентов температурного расширения материалов указанных составных частей дифракционного блока.The operation of the proposed device is based on adjusting the required convergence of the x-ray beam to adjust the profile curvature (previously formed for collimation or focusing in accordance with the method for manufacturing the diffraction block described below) of the layer of the diffracting crystalline medium (plate 1) due to the simultaneous bending of the diffracting single-
При этом для программной настройки требуемой сходимости рентгеновского пучка средство изменения температуры дифракционного блока (см. фиг. 1) оснащено аппаратно-программным обеспечением управления его мощностью в виде подключенных к элементу Пельтье 4 модуля его управления 6 и к рентгеновской камере CCD 7 модуля 8 ее подключения к компьютеру, которые (модули 6 и 8) в свою очередь соединены с компьютером 9.Moreover, to program the required convergence of the X-ray beam, the means for changing the temperature of the diffraction unit (see Fig. 1) is equipped with hardware and software for controlling its power in the form of its
При этом компьютер 9 выполняет функции управления мощностью элемента Пельтье 4 на основе предварительной калибровки ожидаемых изменений кривизны рабочего профиля пластины 1 в зависимости от температуры дифракционного блока и проверки режима коллимации или фокусировки рентгеновского пучка с помощью рентгеновской камеры CCD 7 и модуля 8.In this case, the
Для подтверждения работоспособности предлагаемого устройства для управления сходимостью рентгеновского пучка получены экспериментальные изменения кривизны профиля монокристаллической пластины Si (100) 1 толщиной 430 мкм, закрепленной на кварцевой подложке 3 толщиной 180 мкм клеевым слоем 2 толщиной 100 мкм из эпоксидной смолы ЭД-6, в зависимости от температуры дифракционного блока, показывающие корректировку параболического рабочего профиля пластины 1 (см. фиг. 2), предварительно полученного при изготовлении указанного блока в результате усадки клеевого слоя 2 эпоксидной смолы ЭД-6 после ее затвердения при 25°С и соответствующий условию коллимации рентгеновского пучка (см. фиг. 2).To confirm the operability of the proposed device for controlling the x-ray convergence, experimental changes were obtained in the curvature of the profile of a single crystal Si (100) 1 plate 430 μm thick, mounted on a 180 μm
Профили (а) и (б) пластины 1, соответствующие температуре дифракционного блока 25°С и 32°С, представляют собой примеры профилей с радиусом кривизны, измеренным в центре рабочей поверхности пластины 1, соответственно 34 м и 11 м, и показывают возможность их изменения при настройке коллимации рентгеновского пучка с заданным шагом (например, с шагом 0,1°С, определяемым чувствительностью элемента Пельтье 4) регулирования температуры дифракционного блока (на фиг. 2 набор промежуточных профилей, полученный экспериментально с изменяемым радиусом кривизны этих профилей от 34 м до 11 м, не представлен).Profiles (a) and (b) of
Предлагаемый способ изготовления дифракционного блока в составе рассмотренного выше устройства для управления сходимостью рентгеновского пучка осуществляют следующим образом.The proposed method of manufacturing a diffraction block in the composition of the above device for controlling the convergence of the x-ray beam is as follows.
По первому варианту наносят клеевой слой 2 на поверхность плоской (в примере кварцевой) подложки 3, накладывают на него и закрепляют на нем в результате затвердевания при комнатной температуре клеевого слоя 2 (в примере - слоя эпоксидной смолы ЭД-6 толщиной 150 мкм) плоскую дифрагирующую монокристаллическую пластину 1 (в примере монокристаллическую пластину Si (100)).According to the first embodiment, the
При этом подложка 3 имеет подобранные толщину (в примере - 200 мкм) и исходную до приклеивания форму (прямоугольную см. на фиг. 3а или в виде эллипса см. на фиг. 4а и 5а) и пластина Si 1 имеет подобранные толщину (в примере - 400 мкм) и исходную до приклеивания форму (прямоугольную см. на фиг. 3а и 4а и в виде эллипса на фиг. 5а) для задания изгиба дифракционного блока при затвердевании клеевого слоя 2, обеспечивающего получение соответствующего условию коллимации или фокусировки рентгеновского пучка рабочего профиля (в примере, соответственно с радиусом кривизны вдоль оси X под коллимацию - 14 м на фиг. 36 или под фокусировку - 6,3 м на фиг. 4б и 6,8 м на фиг. 5б в центре профиля) пластины 1 путем одновременного изгиба подложки 3 и дифрагирующей монокристаллической пластины 1 за счет усадки клеевого слоя 2 при его затвердевании.In this case, the
В примерах осуществления предлагаемого способа изготовления дифракционного блока по обоим вариантам профиль пластины 1, получаемый при изготовлении дифракционного блока в соответствии с изложенными выше параметрами способа и показанный на фиг. 3, 4 и 5, строился методом компьютерного моделирования на основе использования программного комплекса FlexPDE, предназначенного для построения сценарных моделей решения дифференциальных уравнений методом конечных элементов (FlexPDE позволяет решать системы дифференциальных уравнений в частных производных) с проведением операций, необходимых для того, чтобы преобразовать описание системы дифференциальных уравнений в частных производных в модель для расчета методом конечных элементов, нахождением решения этой системы уравнений и представлением результатов в графической форме по решениям уравнения теплопроводности и упругости в трехслойной структуре.In embodiments of the proposed method for manufacturing a diffraction block according to both variants, the profile of the
А расчет кривизны поверхности монокристаллической пластины Si 1, приклеенной к подложке 3 в составе формируемого дифракционного блока, проводился с использованием формулы аналитического расчета изменения радиуса кривизны в зависимости от температуры дифракционного блока:And the calculation of the surface curvature of the single
- где ρ - радиус кривизны, ΔT - изменение температуры, Ei - модуль Юнга i-го слоя, a i - толщина i-го слоя, si=a iEi (сокращенная запись произведения указанных величин), a i - коэффициент теплового расширения i-го слоя, I - момент инерции относительно горизонтальной оси проходящей через центр тяжести (см. статью англ. яз. авторов М. Vasudevan and Wjohnson «On multi-metal thermostats». - Appl. sci. Res. Section B, 1961, Vol. 9, p. 420-430).- where ρ is the radius of curvature, ΔT is the temperature change, E i is the Young's modulus of the i-th layer, a i is the thickness of the i-th layer, s i = a i E i (abbreviated notation of the product of these quantities), a i is the coefficient thermal expansion of the ith layer, I is the moment of inertia relative to the horizontal axis passing through the center of gravity (see article by English authors M. Vasudevan and Wjohnson "On multi-metal thermostats". - Appl. sci. Res. Section B, 1961, Vol. 9, p. 420-430).
Расчеты методом программной оценки и использованием формулы (1) в целом совпадали.Calculations by the method of program evaluation and using formula (1) generally coincided.
Так при осуществлении предлагаемого способа изготовления дифракционного блока по первому варианту (при комнатной температуре затвердевания клеевого слоя 2 и изложенных выше параметрах способа и размерах исходных прямоугольных подложки 3 - 34×18 мм и пластины 1 - 20×12 мм и имеющих исходные формы эллипса подложки 3-е полуосями 17 мм и 9 мм и пластины 1-е полуосями 10 мм и 6 мм)So, when implementing the proposed method for manufacturing a diffraction block according to the first embodiment (at room temperature, the
при исходных прямоугольных формах подложки 3 и пластины 1 и комнатной температуре затвердевания зависимость Z(X) (2) на фиг. 3в описывается параболой с радиусом кривизны (в центре поверхности пластины 1) 14 м, с коэффициентом корреляции R2=1; зависимость Z(Y) (2) на фиг. 3г описывается параболой с радиусом кривизны (в центре поверхности пластины 1) 12 м, с коэффициентом корреляции R2=1;with the initial rectangular shapes of the
при исходных форме подложки 3 в виде эллипса и прямоугольной форме пластины 1 и комнатной температуре затвердевания зависимость Z(X) на фиг. 4в описывается дугой эллипса с полуосями 16 мм и 45 мм и с радиусом кривизны (в центре поверхности пластины 1) 6,3 м, с коэффициентом корреляции R2=0,9998; зависимость Z(Y) на фиг. 4г описывается дугой эллипса с полуосями 60 мм и 27 мм, с радиусом кривизны (в центре поверхности пластины 1) 15 м, с коэффициентом корреляции R2=0,9987;with the initial shape of the
при исходных формах подложки 3 и пластины 1 в виде эллипса и комнатной температуре затвердевания зависимость Z(X) на фиг. 5в описывается дугой эллипса с полуосями 18 мм и 49 мм и с радиусом кривизны (в центре поверхности пластины 1) 6,8 м, с коэффициентом корреляции R2=0,9985; зависимость Z(Y) на фиг. 5г описывается дугой эллипса с полуосями 9 мм и 16 мм, с радиусом кривизны (в центре поверхности пластины 1) 3,8 м, с коэффициентом корреляции R2=0,9989.with the initial forms of the
По второму варианту наносят клеевой слой 2 на поверхность плоской (в примере кварцевой) подложки 3, накладывают на него и закрепляют на нем в результате затвердевания при 35°С или -15°С клеевого слоя 2 (в примере - эпоксидной смолой ЭД-6 толщиной 150 мкм) плоскую дифрагирующую монокристаллическую пластину 1 (в примере монокристаллическую пластину Si (100)).In the second embodiment, the
Подложка 3 имеет подобранные толщину (в примере - 200 мкм) и исходную до приклеивания форму (прямоугольную см. на фиг. 3а) и пластина Si 1 имеет подобранные толщину (в примере - 400 мкм) и исходную до приклеивания форму (прямоугольную см. на фиг. 3а) для задания одновременного изгиба подложки 3 и пластины 1 в процессе приклеивания при температуре выше или ниже комнатной температуры в результате усадки клеевого слоя 2 при его затвердевании с образованием промежуточного профиля пластины 1 (на фигурах не показан), приближающегося к рабочему профилю этой пластины, соответствующему условию коллимации или фокусировки рентгеновского пучка, и последующего (доводочного) одновременного изгиба подложки 3, затвердевшего клеевого слоя 2 и пластины 1 при доведении температуры (охлаждении или нагреве) подложки 3 и приклеенной к ней пластины 1 после затвердения клеевого слоя 2 от температуры проведения затвердевания клеевого слоя (35°С или -15°С) до комнатной температуры за счет разницы коэффициентов температурного расширения материалов этих составных частей изготавливаемого дифракционного блока и расширении при этом амплитудного интервала изменений кривизны изгиба формируемого профиля пластины 1 за счет дополнительного изгиба последней с образованием в результате соответствующего условию коллимации или фокусировки ее (подобного рабочему профилю пластины 1, показанному на фиг. 3б) рабочего профиля (в примере для коллимации с радиусом кривизны 11 м при температуре затвердевания 35°С и 30 м при температуре затвердевания -15°С в центре профиля) пластины 1.The
Причем при осуществлении предлагаемого способа изготовления дифракционного блока по второму варианту (при температуре затвердевания 35°С или -15°С клеевого слоя 2 и изложенных выше параметрах способа)Moreover, when implementing the proposed method for manufacturing a diffraction block according to the second embodiment (at a hardening temperature of 35 ° C or -15 ° C of the
при исходных прямоугольных формах подложки 3 и пластины 1 и температуре затвердевания 35°С зависимость Z(X) (1) на фиг. 3в описывается параболой с радиусом кривизны (в центре поверхности пластины 1) 11 м, с коэффициентом корреляции R2=1; зависимость Z(Y) (1) на фиг. 3г описывается параболой с радиусом кривизны (в центре поверхности пластины 1) 11 м, с коэффициентом корреляции R2=1;for the initial rectangular shapes of the
при исходных прямоугольных формах подложки 3 и пластины 1 и температуре затвердевания -15°С зависимость Z(X) (3) на фиг. 3в описывается параболой с радиусом кривизны (в центре поверхности пластины 1) 30 м, с коэффициентом корреляции R2=1; зависимость Z(Y) (3) на фиг. 3г описывается параболой с радиусом кривизны (в центре поверхности пластины 1) 19 м, с коэффициентом корреляции R2=1.with the initial rectangular shapes of the
Для обоснования достижения технического результата от использования предлагаемого устройства проведены успешные экспериментальные исследования, в которых в качестве материала дифрагирующей монокристаллической пластины 1 и клеевого слоя 2 были задействованы германий (Ge) и фотополимер акрилатной группы ОКМ-2, соответственно. Представленные в настоящем описании изобретения данные моделирования получены как оптимальные после моделирования с использованием других форм (трапециевидных, круглых, треугольных) подложки 3 и пластины 1.To substantiate the achievement of the technical result from the use of the proposed device, successful experimental studies were carried out in which germanium (Ge) and the OKM-2 acrylate photopolymer were used as the material of the diffracting single-
В настоящее время предлагаемое устройство для управления сходимостью рентгеновского пучка тестируется на рентгеновском дифрактометре D8 Discover. Работа над технологией изготовления дифракционного блока в составе предлагаемого устройства проводится в рамках развития тематики НИР «Управляемая рентгеновская оптика».Currently, the proposed device for controlling the convergence of the x-ray beam is tested on an X-ray diffractometer D8 Discover. Work on the manufacturing technology of the diffraction unit as part of the proposed device is carried out as part of the development of the research subject “Controlled X-ray Optics”.
Claims (15)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015152952/07A RU2601867C1 (en) | 2015-12-09 | 2015-12-09 | Device for control over convergence of x-ray beam and method of making diffraction unit in said device (versions) |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015152952/07A RU2601867C1 (en) | 2015-12-09 | 2015-12-09 | Device for control over convergence of x-ray beam and method of making diffraction unit in said device (versions) |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2601867C1 true RU2601867C1 (en) | 2016-11-10 |
Family
ID=57277942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2015152952/07A RU2601867C1 (en) | 2015-12-09 | 2015-12-09 | Device for control over convergence of x-ray beam and method of making diffraction unit in said device (versions) |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2601867C1 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2636261C1 (en) * | 2016-11-11 | 2017-11-22 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Diffraction unit for controlling convergence of x-ray beam |
| RU175213U1 (en) * | 2017-08-03 | 2017-12-01 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Device for controlling the convergence of the x-ray beam with its adjustment |
| RU175420U1 (en) * | 2017-08-03 | 2017-12-05 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | X-ray convergence control device |
| RU2678430C1 (en) * | 2018-04-25 | 2019-01-29 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | X-ray beam convergence control method |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2278432C2 (en) * | 2004-04-06 | 2006-06-20 | Владимир Николаевич Трушин | Method and system for controlling x-ray flux |
| WO2009113726A2 (en) * | 2008-03-13 | 2009-09-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Phase grating used for x-ray phase imaging, imaging apparatus for x-ray phase contrast image using phase grating, and x-ray computed tomography system |
-
2015
- 2015-12-09 RU RU2015152952/07A patent/RU2601867C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2278432C2 (en) * | 2004-04-06 | 2006-06-20 | Владимир Николаевич Трушин | Method and system for controlling x-ray flux |
| WO2009113726A2 (en) * | 2008-03-13 | 2009-09-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Phase grating used for x-ray phase imaging, imaging apparatus for x-ray phase contrast image using phase grating, and x-ray computed tomography system |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2636261C1 (en) * | 2016-11-11 | 2017-11-22 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Diffraction unit for controlling convergence of x-ray beam |
| RU175213U1 (en) * | 2017-08-03 | 2017-12-01 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Device for controlling the convergence of the x-ray beam with its adjustment |
| RU175420U1 (en) * | 2017-08-03 | 2017-12-05 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | X-ray convergence control device |
| RU2678430C1 (en) * | 2018-04-25 | 2019-01-29 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | X-ray beam convergence control method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2601867C1 (en) | Device for control over convergence of x-ray beam and method of making diffraction unit in said device (versions) | |
| EP2977795B1 (en) | Production method for manufacturing a curved grating | |
| JP2013530517A (en) | EUV lithographic mirror substrate and manufacturing method thereof | |
| JP2006139276A (en) | Curved optical device and method of fabrication | |
| JP6288688B2 (en) | Method for manufacturing blazed concave diffraction grating | |
| Zhang et al. | Next generation astronomical x-ray optics: high angular resolution, light weight, and low production cost | |
| JP5756982B2 (en) | X-ray focusing method, reflecting surface shape control mirror device, and manufacturing method of reflecting surface shape control mirror | |
| Chan et al. | Reflective coating for lightweight x-ray optics | |
| RU2636261C1 (en) | Diffraction unit for controlling convergence of x-ray beam | |
| RU175213U1 (en) | Device for controlling the convergence of the x-ray beam with its adjustment | |
| US20140049804A1 (en) | Mirror device | |
| Pareschi et al. | IXO glass mirrors development in Europe | |
| Camattari et al. | Highly reproducible quasi-mosaic crystals as optical components for a Laue lens | |
| RU2678430C1 (en) | X-ray beam convergence control method | |
| Riveros et al. | Fabrication of monocrystalline silicon x-ray mirrors | |
| CN117192770A (en) | Beam shaping super-surface device and preparation method thereof | |
| JP4532324B2 (en) | Workpiece manufacturing method | |
| RU2719395C1 (en) | Method of controlling working surface curvature of a single-crystal plate of a diffraction unit which provides collimation of an x-ray beam | |
| RU175420U1 (en) | X-ray convergence control device | |
| Spiga et al. | Active shape correction of a thin glass/plastic x-ray mirror | |
| Gribko et al. | On controlling the surface curvature of diffraction components | |
| Gribko et al. | The Influence of the Form of a Curvature Regulator Substrate on the Curvature of the Profile of X-ray Optics Elements | |
| US10534152B2 (en) | Method for producing an optical element comprising micro-optical structures, arrangement and membrane unit | |
| Reid et al. | Generation-X mirror technology development plan and the development of adjustable x-ray optics | |
| Doel et al. | Large thin adaptive x-ray mirrors |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20191210 |