RU2578051C1 - Способ определения времени межуровневой релаксации электрона в полупроводниковых квантовых точках на основе гетероперехода первого рода - Google Patents
Способ определения времени межуровневой релаксации электрона в полупроводниковых квантовых точках на основе гетероперехода первого рода Download PDFInfo
- Publication number
- RU2578051C1 RU2578051C1 RU2014149789/28A RU2014149789A RU2578051C1 RU 2578051 C1 RU2578051 C1 RU 2578051C1 RU 2014149789/28 A RU2014149789/28 A RU 2014149789/28A RU 2014149789 A RU2014149789 A RU 2014149789A RU 2578051 C1 RU2578051 C1 RU 2578051C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- quantum dots
- electron
- time
- photosensitivity
- region
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Использование: для определения времени межуровневой релаксации электрона в полупроводниковых квантовых точках. Сущность изобретения заключается в том, что предлагаемый способ проводят в следующем порядке: измеряют спектры фоточувствительности в области поглощения квантовых точек диодных структур при различных температурах и/или напряжениях смещения на диодных структурах, по которым строят температурные и/или полевые зависимости фоточувствительности диодных структур, для всех величин температуры диодных структур и/или напряженности электрического поля в слое квантовых точек - параметров измерения указанной выше фоточувствительности и предполагаемого интервала величин времени межуровневой релаксации электрона τ32 получают температурные и/или полевые зависимости квантовой эффективности эмиссии η0 электронно-дырочных пар, после чего сравнивают логарифмы полученных величин квантовой эффективности эмиссии η0 и η1 с логарифмами построенных величин нормированной фоточувствительности диодных структур в области основного и первого возбужденного оптических переходов в квантовых точках во всем диапазоне указанных параметров измерения для каждой величины времени межуровневой релаксации электрона τ32 с выбранным шагом изменения этой величины в пределах предполагаемого интервала и по величине времени межуровневой релаксации электрона τ32, соответствующей минимальному расхождению сравниваемых величин, судят об искомом времени межуровневой релаксации электрона. Технический результат: обеспечение возможности создания эффективного косвенного способа определения времени межуровневой релаксации электрона в полупроводниковых квантовых точках. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.
Description
Изобретение относится к технологии определения базовых параметров полупроводниковых структур и может быть использовано для определения времени межуровневой релаксации электрона в полупроводниковых квантовых точках на основе гетероперехода первого рода, например в самоорганизованных квантовых точках InAs/GaAs.
Для определения времени межуровневой релаксации электрона в полупроводниковых квантовых точках известен прямой метод измерения, основанный на дифференциальной спектроскопии оптического пропускания с высоким временным разрешением (см., например, отчет по работе «Time-Resolved Electronic Relaxation Processes In Self-Organized Quantum Dots» на сайте в Интернет: www.dtic.mil/dtic/tr/fulltext/u2/a433758.pdf). Этот метод основан на pump-probe методике с использованием усложненного уникального дорогостоящего оборудования (включающего, например, фемтосекундный лазер) и является мало доступным.
Уровень техники в рассматриваемой области характеризуется отсутствием информационных источников, содержащих сведения о более технологичном и доступном (менее дорогостоящем) косвенном методе определения времени межуровневой релаксации электрона в полупроводниковых квантовых точках.
Технический результат заявляемого изобретения - создание эффективного косвенного способа определения времени межуровневой релаксации электрона в полупроводниковых квантовых точках при наличии в них дырок, не требующего использования сложного и малодоступного дорогостоящего измерительного оборудования за счет выявления новых диагностических возможностей экспериментально более простого метода фотоэлектрической спектроскопии полупроводниковых квантово-размерных гетеронаноструктур, основанного на применении такого стандартного оборудования, как монохроматор, оптический модулятор с частотой порядка 100 Гц, селективный усилитель сигнала и оптический криостат, в сочетании с возможностями метода компьютерного моделирования.
Кроме того, предлагаемое изобретение, представляющее собой первый новый косвенный способ определения времени межуровневой релаксации электрона в полупроводниковых квантовых точках, расширяет арсенал методов измерительной технологии в актуальной области квантово-размерных структур.
Для достижения указанного технического результата заявляемый способ определения времени межуровневой релаксации электрона в полупроводниковых квантовых точках на основе гетероперехода первого рода проводят в следующем порядке:
измеряют спектры фоточувствительности в области поглощения квантовых точек диодных структур при различных температурах и/или напряжениях смещения на диодных структурах, по которым строят температурные и/или полевые зависимости фоточувствительности диодных структур в области основного и первого возбужденного оптических переходов в квантовых точках, встроенных в указанные структуры, и нормируют построенные зависимости по участку насыщения в области высоких температур и/или напряженностей электрического поля,
для всех величин температуры диодных структур и/или напряженности электрического поля в слое квантовых точек - параметров измерения указанной выше фоточувствительности и предполагаемого интервала величин времени межуровневой релаксации электрона τ32 получают температурные и/или полевые зависимости квантовой эффективности эмиссии η0 электронно-дырочных пар, возникающих при фотогенерации в области основного оптического перехода, и квантовой эффективности эмиссии η1 электронно-дырочных пар, возникающих при фотогенерации в области первого возбужденного оптического перехода в упомянутых квантовых точках на основе использования следующих представляющих собой функцию от температуры диодных структур и напряженности электрического поля в слое квантовых точек выражений
где определяемые в соответствии с указанными ниже составными выражениями (8-15)
τrec - время рекомбинации электронно-дырочной пары;
τ1esc, τ2esc и τ3esc - результирующее эмиссионное время жизни, соответственно дырки, электрона в основном состоянии и электрона в первом возбужденном состоянии;
τ23 - время перехода электрона из основного состояния в возбужденное;
τ32 - время межуровневой релаксации электрона;
после чего сравнивают логарифмы полученных величин квантовой эффективности эмиссии η0 и η1 с логарифмами построенных величин нормированной фоточувствительности диодных структур в области основного и первого возбужденного оптических переходов в квантовых точках во всем диапазоне указанных параметров измерения для каждой величины времени межуровневой релаксации электрона τ32 с выбранным шагом изменения этой величины в пределах предполагаемого интервала
и по величине времени межуровневой релаксации электрона τ32, соответствующей минимальному расхождению сравниваемых величин, судят об искомом времени межуровневой релаксации электрона.
В частном случае при проведении изложенного выше способа в качестве диодных структур со встроенными квантовыми точками на основе гетероперехода первого рода используют структуры с диодом Шоттки, содержащие в области пространственного заряда слой квантовых точек InAs/GaAs.
А выполнение расчетных операций при проведении предлагаемого способа производят на основе использования метода компьютерного моделирования.
На фиг. 1 показана блок-схема экспериментальной установки для измерений спектров фоточувствительности в области поглощения квантовых точек диодных структур при различных температурах и/или напряжениях смещения на диодных структурах; на фиг. 2 - измеренный с помощью установки на фиг. 1 спектр фоточувствительности структуры с диодом Шоттки, содержащей в области пространственного заряда слой квантовых точек InAs/GaAs, при одной из температур (без напряжения смещения); на фиг. 3 - построенные температурные зависимости нормированной фоточувствительности структуры с диодом Шоттки, содержащей в области пространственного заряда слой квантовых точек InAs/GaAs в области основного и первого возбужденного оптических переходов в указанных квантовых точках; на фиг. 4 - графический результат сравнения логарифмов полученных величин квантовой эффективности эмиссии η0 и η1 с логарифмами нормированной построенной фоточувствительности диодных структур в области основного и первого возбужденного оптических переходов в квантовых точках во всем диапазоне температур измерения.
Экспериментальная установка для измерений спектров фоточувствительности в области поглощения квантовых точек диодных структур в примере выполнения способа содержит монохроматор 1 (Acton SpectraPro-500i), снабженный лампой накаливания 2, фокусирующими оптическими элементами - зеркалом 3 и линзой 4, и сопряженный с оптическим модулятором с оптопарой 5 (частота модуляции 130 Гц), селективный усилитель с синхронным детектированием сигнала 6 (Stanford Research Systems 810), оптический криостат 7, сопротивление нагрузки 8, регулируемый источник постоянного напряжения 9 и персональный компьютер 10.
Предлагаемый способ осуществляют следующим образом.
С помощью изложенной экспериментальной установки измеряют спектры фоточувствительности в области поглощения квантовых точек структуры с диодом Шоттки, содержащие в области пространственного заряда слой квантовых точек InAs/GaAs при различных температурах (а также при различных напряжениях смещения), см., например измеренный указанный спектр при одной из температур - при комнатной температуре на фиг. 2.
При этом образец 11 указанной структуры в виде пластинки с размерами 1×1 см с нанесенными на лицевую поверхность золотыми выпрямляющими контактами Шоттки и омическим оловянным контактом, выполненным к буферному слою и подложке методом электроискрового вжигания, размещают в оптическом криостате 7. С помощью прижимных контактов исследуемую диодную структуру включают в электрическую цепь, содержащую сопротивление нагрузки 8 и регулируемый источник постоянного напряжения 9. Переменный электрический сигнал, возникающий при освещении диодной структуры модулированным монохроматическим светом, снимают с нагрузочного сопротивления, усиливают селективным усилителем 6 с синхронным детектированием сигнала, оцифровывают аналого-цифровым преобразователем (на фиг. 1 не показан) и направляют в персональный компьютер 10. При построении спектров фоточувствительности величина измеряемого сигнала делится на спектральную зависимость падающего на образец света.
По измеренным спектрам строят температурные (а также полевые) зависимости фоточувствительности указанной структуры в области основного и первого возбужденного оптических переходов в квантовых точках, встроенных в данную структуру, и нормируют построенные зависимости по участку насыщения в области высоких температур (а также высоких напряженностей электрического поля), см., например, температурные зависимости нормированной фоточувствительности указанной структуры в области основного и первого возбужденного оптических переходов в указанных квантовых точках на фиг. 3.
Для всех величин температуры указанной структуры (а также напряженности электрического поля) и предполагаемого интервала величин времени межуровневой релаксации электрона τ32 (10-14-10-10 с) получают температурные (а также полевые) зависимости квантовой эффективности эмиссии η0 электронно-дырочных пар, возникающих при фотогенерации в области основного оптического перехода, и квантовой эффективности эмиссии η1 электронно-дырочных пар, возникающих при фотогенерации в области первого возбужденного оптического перехода в упомянутых квантовых точках на основе использования следующих представляющих собой функцию от температуры диодных структур и напряженности электрического поля в слое квантовых точек выражений (1 и 2), для расчета которых в свою очередь определяют входящие в них необходимые параметры по следующим составным выражениям (3-10).
При этом время r2esc определяют с помощью выражения
где 
- времена жизни электронов по отношению к термической надбарьерной эмиссии в матрицу, термической эмиссии в 2D-состояния смачивающего слоя, чисто туннельной эмиссии, термоактивированной туннельной эмиссии в матрицу через виртуальные состояния, соответственно. И времена τ1esc и τ3esc определяют аналогичным образом.
Времена 
и 
в выражении (3) определяют в соответствии со следующими выражениями
где Mc - число минимумов зоны проводимости; me, 
- эффективная масса электронов в материале матрицы GaAs и в смачивающем слое InAs; g0(g1) - вырождение пустого (заполненного) энергетического уровня; σn - сечение захвата электронов КТ; Eb - высота потенциального барьера в КТ; F - напряженность электрического поля в окрестности КТ; 
- дно нижней электронной подзоны в смачивающем слое.
А время 
в выражении (3) определяют в соответствии со следующим выражением
где m - число LO-фононов, вовлеченных в процесс эмиссии; 
- максимально возможное число фононов; Wm - статистический вес для m фононной моды; 
- энергия фонона. При этом статистический вес Wm определяют с помощью следующего выражения
где SHR - параметр Хуанга-Риса, Im - модифицированная функция Бесселя m порядка.
Высоту барьера Eb в электрическом поле F в выражениях (4 и 6) уменьшают на величину ΔE, которую определяют с помощью следующего выражения
где L - эффективная высота квантовой точки.
Время τ23 определяют с помощью следующего выражения
где ΔE10 - расстояние между уровнями размерного квантования электронов, а величины времени τ32 содержатся в предполагаемом интервале (10-14-10-10 с).
После чего логарифмы полученных величин квантовой эффективности эмиссии η0 электронно-дырочных пар, возникающих при фотогенерации в области основного оптического перехода и квантовой эффективности эмиссии η1 электронно-дырочных пар, возникающих при фотогенерации в области первого возбужденного оптического перехода в упомянутых квантовых точках, сравнивают методом компьютерного моделирования с логарифмами построенных величин нормированной фоточувствительности в области основного и первого возбужденного оптических переходов в квантовых точках при всех температурах (а также напряженностях электрического поля) измерения для каждой задаваемой величины τ32 с логарифмическим шагом изменения этой величины на уровне варьирования ее порядка в пределах указанного выше предполагаемого интервала этой величины до минимального расхождения сравниваемых логарифмов.
Графический результат изложенного сравнения при всех температурах измерения показан на фиг. 4, в соответствии с которым искомое время межуровневой релаксации электрона в квантовых точках InAs/GaAs, встроенных в структуру с диодом Шоттки, составляет порядка 10-12 с - время межуровневой релаксации электрона, которое соответствует минимальному расхождению кривых η0 и η1 и наборов точек логарифмов построенных величин нормированной фоточувствительности в области основного и первого возбужденного оптических переходов в квантовых точках.
Определенное изложенным образом время межуровневой релаксации электрона хорошо согласуется с порядком величины указанного времени, определяемой известным прямым методом (см., например время τ21 в таблице 1 в указанном выше отчете по работе «Time-Resolved Electronic Relaxation Processes In Self-Organized Quantum Dots»).
Предлагаемый способ применим для определения времени межуровневой релаксации электрона в широкой группе полупроводниковых квантовых точек, предпочтительно на основе следующих гетеропереходов первого рода: ZnSe/CdSe, ZnS/CdS, ZnTe/CdTe.
Вывод используемых выражений (1 и 2) основывается на решении системы пяти уравнений (1-5), описывающих изменение числа квантовых точек, находящихся в каждом из возможных состояний квантовой точки при низком уровне оптического возбуждения, указанных на с. 176 статьи Волковой Н.С. и др. «Эмиссия фотовозбужденных носителей из квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией». - Письма в ЖЭТФ, 2014, т. 100, в. 3, с. 175-180.
Таким образом, предлагаемый способ, представляя собой новый эффективный косвенный метод определения времени межуровневой релаксации электрона в полупроводниковых квантовых точках на основе гетероперехода первого рода, обеспечивает выполнение указанной актуальной задачи на основе использования более технологичного, простого и доступного по стоимости стандартного оборудования в сочетании с возможностями компьютерного моделирования со сниженной трудоемкостью расчетов в результате использования выражений (1 и 2).
Claims (3)
1. Способ определения времени межуровневой релаксации электрона в полупроводниковых квантовых точках на основе гетероперехода первого рода, характеризующийся тем, что предлагаемый способ проводят в следующем порядке:
измеряют спектры фоточувствительности в области поглощения квантовых точек диодных структур при различных температурах и/или напряжениях смещения на диодных структурах, по которым строят температурные и/или полевые зависимости фоточувствительности диодных структур в области основного и первого возбужденного оптических переходов в квантовых точках, встроенных в указанные структуры, и нормируют построенные зависимости по участку насыщения в области высоких температур и/или напряженностей электрического поля,
для всех величин температуры диодных структур и/или напряженности электрического поля в слое квантовых точек - параметров измерения указанной выше фоточувствительности и предполагаемого интервала величин времени межуровневой релаксации электрона τ32 получают температурные и/или полевые зависимости квантовой эффективности эмиссии η0 электронно-дырочных пар, возникающих при фотогенерации в области основного оптического перехода, и квантовой эффективности эмиссии η1 электронно-дырочных пар, возникающих при фотогенерации в области первого возбужденного оптического перехода в упомянутых квантовых точках на основе использования следующих представляющих собой функцию от температуры диодных структур и напряженности электрического поля в слое квантовых точек выражений
где определяемые в соответствии с указанными в описании изобретения составными выражениями (3-10)
τrec - время рекомбинации электронно-дырочной пары;
τ1esc, τ2esc и τ3esc - результирующее эмиссионное время жизни, соответственно дырки, электрона в основном состоянии и электрона в первом возбужденном состоянии;
τ23 - время перехода электрона из основного состояния в возбужденное;
τ32 - время межуровневой релаксации электрона;
после чего сравнивают логарифмы полученных величин квантовой эффективности эмиссии η0 и η1 с логарифмами построенных величин нормированной фоточувствительности диодных структур в области основного и первого возбужденного оптических переходов в квантовых точках во всем диапазоне указанных параметров измерения для каждой величины времени межуровневой релаксации электрона τ32 с выбранным шагом изменения этой величины в пределах предполагаемого интервала
и по величине времени межуровневой релаксации электрона τ32, соответствующей минимальному расхождению сравниваемых величин, судят об искомом времени межуровневой релаксации электрона.
измеряют спектры фоточувствительности в области поглощения квантовых точек диодных структур при различных температурах и/или напряжениях смещения на диодных структурах, по которым строят температурные и/или полевые зависимости фоточувствительности диодных структур в области основного и первого возбужденного оптических переходов в квантовых точках, встроенных в указанные структуры, и нормируют построенные зависимости по участку насыщения в области высоких температур и/или напряженностей электрического поля,
для всех величин температуры диодных структур и/или напряженности электрического поля в слое квантовых точек - параметров измерения указанной выше фоточувствительности и предполагаемого интервала величин времени межуровневой релаксации электрона τ32 получают температурные и/или полевые зависимости квантовой эффективности эмиссии η0 электронно-дырочных пар, возникающих при фотогенерации в области основного оптического перехода, и квантовой эффективности эмиссии η1 электронно-дырочных пар, возникающих при фотогенерации в области первого возбужденного оптического перехода в упомянутых квантовых точках на основе использования следующих представляющих собой функцию от температуры диодных структур и напряженности электрического поля в слое квантовых точек выражений
где определяемые в соответствии с указанными в описании изобретения составными выражениями (3-10)
τrec - время рекомбинации электронно-дырочной пары;
τ1esc, τ2esc и τ3esc - результирующее эмиссионное время жизни, соответственно дырки, электрона в основном состоянии и электрона в первом возбужденном состоянии;
τ23 - время перехода электрона из основного состояния в возбужденное;
τ32 - время межуровневой релаксации электрона;
после чего сравнивают логарифмы полученных величин квантовой эффективности эмиссии η0 и η1 с логарифмами построенных величин нормированной фоточувствительности диодных структур в области основного и первого возбужденного оптических переходов в квантовых точках во всем диапазоне указанных параметров измерения для каждой величины времени межуровневой релаксации электрона τ32 с выбранным шагом изменения этой величины в пределах предполагаемого интервала
и по величине времени межуровневой релаксации электрона τ32, соответствующей минимальному расхождению сравниваемых величин, судят об искомом времени межуровневой релаксации электрона.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве диодных структур со встроенными квантовыми точками на основе гетероперехода первого рода используют структуры с диодом Шоттки, содержащие в области пространственного заряда слой квантовых точек InAs/GaAs.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что выполнение расчетных операций при проведении предлагаемого способа производят на основе использования метода компьютерного моделирования.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2014149789/28A RU2578051C1 (ru) | 2014-12-09 | 2014-12-09 | Способ определения времени межуровневой релаксации электрона в полупроводниковых квантовых точках на основе гетероперехода первого рода |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2014149789/28A RU2578051C1 (ru) | 2014-12-09 | 2014-12-09 | Способ определения времени межуровневой релаксации электрона в полупроводниковых квантовых точках на основе гетероперехода первого рода |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2578051C1 true RU2578051C1 (ru) | 2016-03-20 |
Family
ID=55648146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2014149789/28A RU2578051C1 (ru) | 2014-12-09 | 2014-12-09 | Способ определения времени межуровневой релаксации электрона в полупроводниковых квантовых точках на основе гетероперехода первого рода |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2578051C1 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2622228C1 (ru) * | 2016-08-23 | 2017-06-13 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Способ определения степени влияния дефектообразования на рекомбинационное время жизни носителей в полупроводниковых квантовых точках на основе гетероперехода первого рода |
| RU2624604C1 (ru) * | 2016-03-24 | 2017-07-04 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН) | Способ определения степени релаксации барьерного слоя нитридной гетероструктуры |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1581138A1 (ru) * | 1988-05-20 | 1991-05-15 | Физико-технический институт низких температур АН УССР | Способ определени времени релаксации неравновесных возбуждений |
| RU2006987C1 (ru) * | 1991-06-28 | 1994-01-30 | Российский научно-исследовательский институт "Электростандарт" | Способ определения времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниковых пластинах |
| RU2486629C1 (ru) * | 2012-01-31 | 2013-06-27 | Закрытое Акционерное Общество "ТЕЛЕКОМ-СТВ" | Способ контроля времени жизни неосновных носителей заряда в слитках кремния |
| US8604447B2 (en) * | 2011-07-27 | 2013-12-10 | Kla-Tencor Corporation | Solar metrology methods and apparatus |
-
2014
- 2014-12-09 RU RU2014149789/28A patent/RU2578051C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1581138A1 (ru) * | 1988-05-20 | 1991-05-15 | Физико-технический институт низких температур АН УССР | Способ определени времени релаксации неравновесных возбуждений |
| RU2006987C1 (ru) * | 1991-06-28 | 1994-01-30 | Российский научно-исследовательский институт "Электростандарт" | Способ определения времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниковых пластинах |
| US8604447B2 (en) * | 2011-07-27 | 2013-12-10 | Kla-Tencor Corporation | Solar metrology methods and apparatus |
| RU2486629C1 (ru) * | 2012-01-31 | 2013-06-27 | Закрытое Акционерное Общество "ТЕЛЕКОМ-СТВ" | Способ контроля времени жизни неосновных носителей заряда в слитках кремния |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Волкова Н.С., Горшков А.П., Филатов Д.О., ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕМПЕРАТУРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ЗАВИСИМОСТЕЙ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ГЕТЕРОНАНОСТРУКТУР. С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ InAs/GaAs, Практикум., Нижегородский госуниверситет, Нижний Новгород, 2013. * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2624604C1 (ru) * | 2016-03-24 | 2017-07-04 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН) | Способ определения степени релаксации барьерного слоя нитридной гетероструктуры |
| RU2622228C1 (ru) * | 2016-08-23 | 2017-06-13 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Способ определения степени влияния дефектообразования на рекомбинационное время жизни носителей в полупроводниковых квантовых точках на основе гетероперехода первого рода |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Gerlach et al. | On the radiative recombination rate in silicon | |
| Savenije et al. | Quantifying charge‐carrier mobilities and recombination rates in metal halide perovskites from time‐resolved microwave photoconductivity measurements | |
| Tani et al. | Detection of terahertz radiation with low-temperature-grown GaAs-based photoconductive antenna using 1.55 μm probe | |
| CN107091822B (zh) | 双光源激发光致发光检测半导体缺陷的装置及其检测方法 | |
| RU2578051C1 (ru) | Способ определения времени межуровневой релаксации электрона в полупроводниковых квантовых точках на основе гетероперехода первого рода | |
| Dixit et al. | Effect of high dose γ-ray irradiation on GaAs pin photodetectors | |
| Beham et al. | Nonlinear ground-state absorption observed in a single quantum dot | |
| Dai et al. | Femtosecond hot-exciton emission in a ladder-type π-conjugated rigid-polymer nanowire | |
| Newman | Photoconductivity in Gold-Germanium Alloys | |
| JP2019012740A (ja) | 光誘起キャリアのバルクキャリアライフタイムの測定方法および測定装置 | |
| Prudaev et al. | Photoluminescence and terahertz generation in InGaN/GaN multiple quantum well light‐emitting diode heterostructures under laser excitation | |
| Hughes et al. | Room temperature operation of a quantum ratchet intermediate band solar cell | |
| Gaubas et al. | In situ characterization of radiation sensors based on GaN LED structure by pulsed capacitance technique and luminescence spectroscopy | |
| Mitsuno et al. | Activation process of GaAs NEA photocathode and its spectral sensitivity | |
| RU2622228C1 (ru) | Способ определения степени влияния дефектообразования на рекомбинационное время жизни носителей в полупроводниковых квантовых точках на основе гетероперехода первого рода | |
| Pellemans et al. | Effect of nonequilibrium LO phonons and hot electrons on far-infrared intraband absorption in n-type GaAs | |
| Ghosh et al. | Excitation mechanism of the Cr3+ luminescence center in SrTiO3 | |
| Hou et al. | Terahertz generation using implanted InGaAs photomixers and multi-wavelength quantum dot lasers | |
| Nguyen et al. | Mechanisms of luminescence in silicon photovoltaics | |
| Keune et al. | Time Behaviour of Exciton Formation and Laser Emission in Cd (SeS) Platelets | |
| Muellerleile | EQE Measurements in Mid-Infrared Superlattice Structures | |
| Rumyantsev et al. | Low frequency noise of light emitting diodes | |
| Altwaijry et al. | Broadband Auston-Type Photoconductive Field Sampling in Gallium Phosphide | |
| Ziegs et al. | Characterization of gallium arsenide phosphide light‐emitting diodes by photoluminescence | |
| Su et al. | Degenerate Pump–Probe Photoluminescence Study on Quantum Dots Operating in Linear Recombination Regime |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20191210 |