RU2568217C2 - Способ получения массивов наноразмерных нитевидных кристаллов кремния с управляемой поверхностной плотностью - Google Patents
Способ получения массивов наноразмерных нитевидных кристаллов кремния с управляемой поверхностной плотностью Download PDFInfo
- Publication number
- RU2568217C2 RU2568217C2 RU2013111227/05A RU2013111227A RU2568217C2 RU 2568217 C2 RU2568217 C2 RU 2568217C2 RU 2013111227/05 A RU2013111227/05 A RU 2013111227/05A RU 2013111227 A RU2013111227 A RU 2013111227A RU 2568217 C2 RU2568217 C2 RU 2568217C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- colloidal solution
- arrays
- filamentary
- obtaining
- silicon
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых наноматериалов. Способ получения массивов наноразмерных нитевидных кристаллов кремния включает подготовку ростовой кремниевой подложки путем нанесения на ее поверхность нанодисперсных частиц катализатора конденсацией микрокапель коллоидного раствора и помещением подготовленной пластины в ростовую печь с последующим выращиванием нитевидных нанокристаллов, при этом на коллоидный раствор воздействуют ультразвуком, причем мощность ультразвукового генератора задают в пределах от 30 до 55 Вт, а температуру раствора поддерживают в интервале от 273 K до 370 K. Изобретение обеспечивает возможность получения на поверхности подложки массивов нитевидных нанокристаллов кремния с управляемой поверхностной плотностью без применения высокотехнологичного оборудования. 3 пр.
Description
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых наноструктурированных материалов, предназначено для управляемого выращивания на кремниевых подложках массивов нитевидных нанокристаллов кремния с контролируемой поверхностной плотностью методом газотранспортных химических реакций.
Известен способ получения регулярных систем наноразмерных нитевидных кристаллов кремния [1], использующий в своей основе технологию импринт-литографии и позволяющий получать нитевидные нанокристаллы диаметрами менее 100 нм. Недостатком способа является непригодность его для получения нитевидных кристаллов с диаметрами значительно менее 25 нм, по причине ограниченности разрешения данной технологии при формировании отдельных элементов (в данном случае окон). Другими недостатками являются необходимость применения дорогостоящего прецизионного оборудования и применения последовательности сложных и трудоемких подготовительных технологических операций.
Наиболее близким техническим решением, выбранным нами в качестве прототипа, является способ создания регулярно-упорядоченных систем наноразмерных нитевидных кристаллов [2]. Недостатками способа являются невозможность управления поверхностной плотностью, большой разброс по диметрам выращиваемых кристаллов (5-30%) и невозможность обеспечить идентичность размеров капель коллоидного раствора.
Изобретение направлено на получение на поверхности ростовой подложки массивов нитевидных наноразмерных кристаллов с управляемой поверхностной плотностью.
Это достигается тем, что перед помещением кремниевой пластины в ростовую печь и выращиванием на ней нитевидных нанокристаллов, на пластину наносят катализатор путем конденсации микрокапель коллоидного раствора, при этом на коллоидный раствор воздействуют ультразвуком, причем мощность ультразвукового генератора задают в пределах от 30 до 55 Вт, а температуру раствора поддерживают в интервале от 273 K до 370 K.
Способ получения массивов нитевидных нанокристаллов с управляемой поверхностной плотностью осуществляется следующим способом. Ростовую кремниевую пластину с предварительно очищенной подготовленной поверхностью закрепляют над свободной поверхностью коллоидного раствора, состоящего из наночастиц катализатора и жидкого растворителя, причем тип растворителя, материал катализатора и соотношение концентраций наночастицы катализатора - растворитель устанавливают заранее, с учетом поставленной задачи. Под воздействием ультразвука (УЗ) над поверхностью коллоидного раствора образуется пар, в микрокаплях которого содержатся наночастицы катализатора. Попадая в более холодную зону над пластиной, пар конденсируется на поверхности ростовой пластины в виде микрокапель. Далее кремниевая пластина извлекается, помещается в кварцевый реактор, продуваемый водородом, и нагревается до температуры выращивания нитевидных нанокристаллов. В среде газообразного водорода подают питающий материал и производят выращивание нитевидных нанокристаллов.
Применение ультразвукового воздействия на коллоидный раствор определяется тем, что нанодисперсные частицы катализатора, входящие в состав коллоидного раствора, в силу своих наноскопических размеров обладают повышенной физико-химической активностью, склонностью к коагуляции, образованию комков. Применение УЗ позволяет избежать указанных негативных явлений. УЗ обеспечивает непрерывное перемешивание раствора и разрушение комков, не позволяя частицам выделяться из раствора под влиянием седиментационных явлений. Кроме этого воздействие УЗ на коллоидный раствор выполняет еще одну важную роль: интенсифицирует образование пара над свободной поверхностью раствора.
Мощность У3-генератора, задаваемая в пределах от 30 до 55 Вт, определяется тем, что при более низких чем 30 Вт значениях происходит образование осадка на дне рабочей ванны с коллоидным раствором, и получить необходимую поверхностную плотность расположения частиц на пластине не удается. При большем чем 55 Вт значении мощности происходит чрезмерное образование пара, подложка очень быстро покрывается конденсатом и, как следствие, процесс нанесения наночастиц становится неуправляемым.
Интервал температур раствора от 273 K до 370 K определяется тем, что при температурах ниже 273 К образование пара над свободной поверхностью коллоидного раствора практически прекращается. И получение микрокапель на ростовой пластине становится практически невозможным. А при температурах выше 370 K происходит чрезмерное образование пара, что приводит к невозможности управления процессом.
Использование предлагаемого способа позволяет упростить процесс нанесения наночастиц катализатора на поверхность кремниевой пластины и обеспечить синтез массивов нитевидных нанокристаллов с управляемой поверхностной плотностью на ростовых подложках.
Примеры осуществления способа.
Пример 1.
В качестве подложки для нанесения каталитических наночастиц применялись пластины монокристаллического кремния ориентации {111} типа ЭКБД. В качестве источника наночастиц металла-катализатора использовался нанопорошок никеля чистотой 99,99% со средними диаметрами отдельных частиц от 20 до 80 нм.
Для обработки коллоидного раствора ультразвуком использовалась ультразвуковая ванна типа «ULTRASONIC CLEANER CT-400D». В качестве растворителя применялась дистиллированная вода.
Нанесение нанодисперсных частиц металла-катализатора на ростовую подложку осуществлялось следующим образом. Ростовую подложку (кремниевую пластину) с отмытой и обезжиренной в спиртовом растворе поверхностью закрепляли над ванной с коллоидным раствором. Для создания коллоидного раствора необходимой концентрации, производили взвешивание навески нанопорошка металла-катализатора на аналитических весах марки WA-31. Затем коллоидный раствор нагревали до температуры 300 K, подвергали воздействию УЗ в течении 60 с при мощности генератора в 30 Вт. Под воздействием УЗ над свободной поверхностью коллоидного раствора возникал пар, в микрокаплях которого содержались наночастицы наносимого на подложку металла-катализатора. Попадая в более холодную зону, пар конденсировался на поверхности подложки в виде микрокапель. Затем подложки помещались в сушильный шкаф до полного удаления жидкости.
Подготовленные подложки помещались в ростовую печь. В течение 10-20 минут в потоке водорода при температуре 1173-1373 K осуществляли сплавление металлических наночастиц с материалом ростовой подложки, при этом формировались нанокапли расплава Ni-Si. Затем в газовую фазу подавали тетрахлорид кремния при мольном соотношении MSiC14/MH2=0.008 и выращивали нитевидные нанокристаллы. Время выращивания составляло от 10 до 15 минут, в зависимости от необходимой высоты нанокристаллов. Поверхностная плотность выращенных массивов нитевидных нанокристаллов составила 1,21×106 мм-2. Полученные нитевидные кристаллы имели диаметр 30±1 нм и длину ~150 нм.
Пример 2
Нанесение наночастиц металла-катализатора на поверхность ростовой подложки осуществлялось аналогично примеру 1, но в качестве подложки применяли пластины монокристаллического кремния ориентации {111} типа ЭКЭС, источником наночастиц металла-катализатора служил нанопорошок меди, чистотой 99,99% со средними диаметрами отдельных частиц от 10 до 50 нм, а коллоидный раствор подвергали воздействию УЗ в течение 100 с при мощности генератора в 40 Вт; температура коллоидного раствора составляла 320 K. Поверхностная плотность выращенных массивов нитевидных нанокристаллов составила 4,41×106 мм-2. Кристаллы имели диаметр 20±1 нм и длину ~100 нм.
Пример 3
Нанесение наночастиц металла-катализатора на поверхность ростовой подложки осуществляли аналогично примеру 1, но коллоидный раствор подвергали воздействию УЗ при мощности генератора в 50 Вт, температура коллоидного раствора составляла 350 K. Поверхностная плотность выращенных массивов нитевидных нанокристаллов составила 2,21×107 мм-2.
Список использованных источников
1. Патент РФ №2336224, МПК6 С30В 029/62, 025/00/ В.А. Небольсин, А.А. Щетинин, А.И. Дунаев, М.А. Завалишин.
2. Gudiksen M.S., Lieber СМ. Diameter-selective synthesis of semiconduktor nanowires // J. Am. Chem. Soc; (Communication); 2000; 122 (36); pp. 8801-8802.
Claims (1)
- Способ получения массивов наноразмерных нитевидных кристаллов кремния с управляемой поверхностной плотностью, включающий подготовку ростовой подложки путем нанесения на ее поверхность нанодисперсных частиц катализатора конденсацией микрокапель коллоидного раствора и помещением подготовленной пластины в ростовую печь с последующим выращиванием нитевидных нанокристаллов, отличающийся тем, что на коллоидный раствор воздействуют ультразвуком, причем мощность ультразвукового генератора задают в пределах от 30 до 55 Вт, а температуру раствора поддерживают в интервале от 273 K до 370 K.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2013111227/05A RU2568217C2 (ru) | 2013-03-12 | 2013-03-12 | Способ получения массивов наноразмерных нитевидных кристаллов кремния с управляемой поверхностной плотностью |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2013111227/05A RU2568217C2 (ru) | 2013-03-12 | 2013-03-12 | Способ получения массивов наноразмерных нитевидных кристаллов кремния с управляемой поверхностной плотностью |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2013111227A RU2013111227A (ru) | 2014-09-20 |
RU2568217C2 true RU2568217C2 (ru) | 2015-11-10 |
Family
ID=51583504
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2013111227/05A RU2568217C2 (ru) | 2013-03-12 | 2013-03-12 | Способ получения массивов наноразмерных нитевидных кристаллов кремния с управляемой поверхностной плотностью |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2568217C2 (ru) |
-
2013
- 2013-03-12 RU RU2013111227/05A patent/RU2568217C2/ru not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
MARK S. GUDIKSEN et al, Diameter-Selective Synthesis of Semiconductor Nanowires, "J. Am. Chem. Soc.", 2000, 122, 8801-8802;RU 2456230 C2, 20.07.2012;US 20120021554 A1, 26.01.2012;NAGSEN P. MESHRAM et al, Silicon nanowire growth on glass substrates using hot wire chemical vapor deposition, "Thin Solid Films", 2011, Vol.519, No.14, p.p.4609-4612 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2013111227A (ru) | 2014-09-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Pan et al. | Molten gallium as a catalyst for the large-scale growth of highly aligned silica nanowires | |
Zhang et al. | A simple method to synthesize nanowires | |
Wang et al. | Density-controlled growth of aligned ZnO nanowires sharing a common contact: a simple, low-cost, and mask-free technique for large-scale applications | |
Cao et al. | Ultra‐thin trigonal selenium nanoribbons developed from series‐wound beads | |
KR100741243B1 (ko) | 금속 나노닷들을 포함하는 나노 와이어 및 그의 제조방법 | |
CN101550531B (zh) | 硅纳米结构的制备方法 | |
Zhang et al. | Shape-controlled synthesis of ZnO nano-and micro-structures | |
KR20040030666A (ko) | 유기 액체에 의한 고배향 정렬 카본 나노튜브의 합성 방법및 그 합성 장치 | |
US20080102019A1 (en) | Method and apparatus for synthesizing carbon nanotubes using ultrasonic evaporation | |
Jiang et al. | Synthesis of ultralong carbon nanotubes with ultrahigh yields | |
Shen et al. | Morphology-controlled synthesis of ZnO nanostructures by a simple round-to-round metal vapor deposition route | |
Park et al. | Effect of electric bias on the deposition behavior of ZnO nanostructures in the chemical vapor deposition process | |
CN104966666B (zh) | 一种氮化物纳米线的制作方法 | |
Zhang et al. | Catalyst-Assisted Vapor− Liquid− Solid Growth of Single-Crystal Ga2O3 Nanobelts | |
Zhao et al. | Growth of well-aligned carbon nanotubes with different shapes | |
JP5364904B2 (ja) | カーボンナノファイバー集合体の製造方法 | |
He et al. | Novel chemical-vapor deposition technique for the synthesis of high-quality single-crystal nanowires and nanotubes | |
RU2568217C2 (ru) | Способ получения массивов наноразмерных нитевидных кристаллов кремния с управляемой поверхностной плотностью | |
Zhang et al. | Fabrication of semiconductor CdS hierarchical nanostructures | |
Bai et al. | Nucleation and growth of boron nanowires on diamond particles | |
Zhang et al. | Molten Pb as a catalyst for large-scale growth of highly aligned silicon oxide nanowires | |
Kämpken et al. | Directed deposition of silicon nanowires using neopentasilane as precursor and gold as catalyst | |
Wei et al. | Large-scale synthesis of wide band gap semiconductor nanostructures by microwave method | |
Jeon et al. | Synthesis of gallium-catalyzed silicon nanowires by hydrogen radical-assisted deposition method | |
Ishiyama et al. | Silicon nanowires grown by metal-catalyst-free VLS process |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
HE9A | Changing address for correspondence with an applicant | ||
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20151204 |