RU2554253C2 - Method of recycling wastes of semiconductive gallium compounds - Google Patents

Method of recycling wastes of semiconductive gallium compounds Download PDF

Info

Publication number
RU2554253C2
RU2554253C2 RU2014121134/02A RU2014121134A RU2554253C2 RU 2554253 C2 RU2554253 C2 RU 2554253C2 RU 2014121134/02 A RU2014121134/02 A RU 2014121134/02A RU 2014121134 A RU2014121134 A RU 2014121134A RU 2554253 C2 RU2554253 C2 RU 2554253C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
gallium
cake
solution
temperature
leached
Prior art date
Application number
RU2014121134/02A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2014121134A (en
Inventor
Виталий Евгеньевич Дьяков
Original Assignee
Виталий Евгеньевич Дьяков
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Виталий Евгеньевич Дьяков filed Critical Виталий Евгеньевич Дьяков
Priority to RU2014121134/02A priority Critical patent/RU2554253C2/en
Publication of RU2014121134A publication Critical patent/RU2014121134A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2554253C2 publication Critical patent/RU2554253C2/en

Links

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P10/00—Technologies related to metal processing
    • Y02P10/20—Recycling

Landscapes

  • Processing Of Solid Wastes (AREA)
  • Water Treatment By Electricity Or Magnetism (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)

Abstract

FIELD: chemistry.
SUBSTANCE: wastes are mixed with saltpetre and soda in ratio 1:(1-1.25):(1-1.25), theoretically required for oxidation reaction. After that, heating is performed first to 200-300°C, with further, after an hour, heating to temperature 460-500°C. Cake is cooled, crushed and leached in water at temperature 20-30°C, arsenous solution is separated, and gallium cake is leached in 13-19% alkali solution at temperature 60-80°C. Filtered from insoluble residue solution is cooled to 15°C and admixture of sodium phosphate is filtered; gallium solution is supplied to electrolysis.
EFFECT: elimination of harmful emissions, reduction of gallium oxide sublimation and reduction of gallium output into circulating industrial product.
1 tbl, 1 ex

Description

Предлагаемый способ относится к металлургии редких металлов, в частности к способам получения галлия из отходов, содержащих полупроводниковые соединения галлия.The proposed method relates to the metallurgy of rare metals, in particular to methods for producing gallium from waste containing semiconductor gallium compounds.

Известен способ переработки отходов полупроводниковых соединений галлия [1] термической обработкой смеси, содержащей GaP:CaO:Ca3(PO4)2 при соотношении 1:(1,2-1,7):(0,3-0,7), в окислительной атмосфере, которая осуществляется подачей кислорода с расходом 8-15 л/мин в течение 10-60 минут. Последующее выщелачивание галлия из спека проводят раствором щелочи с концентрацией 200 г/л. Отделение фосфора проводят в виде фосфата кальция, а полученный щелочной раствор, содержащий галлий направляют на электролиз или цементацию. Недостаток способа в том, что с осадком фосфата кальция теряется до 10% галлия.A known method of processing waste semiconductor compounds of gallium [1] by heat treatment of a mixture containing GaP: CaO: Ca 3 (PO 4 ) 2 with a ratio of 1: (1.2-1.7) :( 0.3-0.7), in an oxidizing atmosphere, which is carried out by supplying oxygen with a flow rate of 8-15 l / min for 10-60 minutes. Subsequent leaching of gallium from the cake is carried out with an alkali solution with a concentration of 200 g / l. The separation of phosphorus is carried out in the form of calcium phosphate, and the resulting alkaline solution containing gallium is sent to electrolysis or cementation. The disadvantage of this method is that with a precipitate of calcium phosphate, up to 10% gallium is lost.

Известен и принят за прототип способ [2] переработки отходов полупроводниковых соединений галлия нагревом до температуры 340-450°C смеси отходов с гидроксидом натрия, твердым окислителем NaNO3 и замедлителем-разрыхлителем в соотношении, равном (1-1,5):(0,75-1,5):(0,75-1,5):(0,5-2). Полученный спек выщелачивают в воде, а после добавления в раствор 130-190 г/л щелочи осаждают примеси Р, As в виде фосфата и арсената натрия в виде фосфатного кека. Галлий извлекают из раствора электролизом.Known and adopted as a prototype method [2] for processing waste semiconductor compounds of gallium by heating to a temperature of 340-450 ° C a mixture of waste with sodium hydroxide, a solid oxidizer NaNO 3 and a moderator-baking powder in a ratio equal to (1-1.5) :( 0 , 75-1.5) :( 0.75-1.5) :( 0.5-2). The obtained cake is leached in water, and after adding 130-190 g / l of alkali to the solution, P, As impurities are precipitated in the form of phosphate and sodium arsenate in the form of phosphate cake. Gallium is recovered from the solution by electrolysis.

Недостаток известного способа в том, что при плавке со щелочью образуются летучий ядовитый фосфид PH3. В ряде плавок при спекании имеют место потери галлия с возгоном летучего низшего окисла Ga2O.The disadvantage of this method is that when melted with alkali, volatile poisonous phosphide PH 3 is formed . In a number of melts during sintering, gallium is lost with the sublimation of the volatile lower oxide Ga 2 O.

Это объясняется тем, что отходы галлия имеют разнообразный состав или содержит преимущественно фосфида галлия или преимущественно арсенида галлия. Некоторые отходы содержат кремний или карбид алюминия. Некоторые партии отходов после вакуумно-термической переработки кроме арсенида и фосфида галлия содержат мелкодисперсный металлический галлий. Дозировка реагентов по весу иногда приводит к недостатку селитры, иногда к избытку едкой щелочи. Оставшаяся в спеке щелочь создает концентрацию более 5 г/л Na2O, что не позволяет разделить арсенат натрия и галлат натрия. Арсенат натрия переходит в галлиевый раствор и при электролизе снижает выход по току. В то же время остатка щелочи недостаточно для полного растворения окиси галлия и часть галлия остается в нерастворимом остатке от выщелачивания спека. Нерастворимый остаток возвращается в оборот, снижая производительность. При достаточном расходе селитры арсенид или фосфид галлия окисляется до высшей окисленности нелетучей формы Ga2O3. При недостатке селитры образуется летучий низший окисел Ga2O. При спекании в присутствии едкой щелочи фосфид галлия взаимодействует с образованием ядовитого фосфида водорода, о чем свидетельствуют неожиданные вспышки.This is because gallium waste has a diverse composition or contains mainly gallium phosphide or mainly gallium arsenide. Some wastes contain silicon or aluminum carbide. Some waste lots after vacuum-thermal processing, in addition to gallium arsenide and phosphide, contain finely divided metallic gallium. The dosage of reagents by weight sometimes leads to a lack of nitrate, sometimes to an excess of caustic alkali. The alkali remaining in the cake creates a concentration of more than 5 g / l Na 2 O, which does not allow the separation of sodium arsenate and sodium gallate. Sodium arsenate passes into a gallium solution and, upon electrolysis, reduces the current efficiency. At the same time, the alkali residue is insufficient for the complete dissolution of gallium oxide and part of the gallium remains in the insoluble residue from the leaching of cake. Insoluble residue returns to circulation, reducing productivity. With a sufficient consumption of nitrate, gallium arsenide or phosphide is oxidized to the higher oxidation of the nonvolatile form of Ga 2 O 3 . With a lack of nitrate, a volatile lower oxide Ga 2 O is formed. When sintering in the presence of caustic alkali, gallium phosphide interacts with the formation of toxic hydrogen phosphide, as evidenced by unexpected outbreaks.

Недостатки известного способа устраняются тем, что сырье смешивают с селитрой и содой в соотношении 1:(1-1,25):(1-1,25) от теоретически необходимых по реакции, нагревают сначала до 200-300°C, а затем через час нагревают до температуры 460-500°C. Спек охлаждают, измельчают и выщелачивают в воде при температуре 20-30°C, отделяют мышьяковистый раствор, а галлиевый кек выщелачивают в 13-19% растворе щелочи при температуре 60-80°C. Отфильтрованный от нерастворимого остатка раствор охлаждают до 15°C и отфильтровывают примесь фосфата натрия, а галлиевый раствор направляют на электролиз.The disadvantages of this method are eliminated by the fact that the raw materials are mixed with nitrate and soda in a ratio of 1: (1-1.25) :( 1-1.25) from the theoretically necessary by reaction, first they are heated to 200-300 ° C, and then through an hour is heated to a temperature of 460-500 ° C. The cake is cooled, crushed and leached in water at a temperature of 20-30 ° C, arsenic solution is separated, and gallium cake is leached in a 13-19% alkali solution at a temperature of 60-80 ° C. The solution filtered from the insoluble residue is cooled to 15 ° C and an admixture of sodium phosphate is filtered off, and the gallium solution is sent to electrolysis.

Технический результат изобретения выражается в снижении оборотного нерастворимого остатка выщелачивания, влияющего на производительность, и снижении вредных выбросов.The technical result of the invention is expressed in the reduction of the circulating insoluble leach residue, which affects productivity, and the reduction of harmful emissions.

Технический результат предлагаемого способа достигается тем, что сырье смешивают с селитрой и содой в соотношении 1:(1:1,25):(1-1,25) от теоретически необходимых по реакции и нагревают до 200-300°C. В отсутствии едкой щелочи в шихте устраняется образование вредных горючих газов PH3. Кроме того, отсутствие едкой щелочи в спеке позволяет провести водное выщелачивание от арсената натрия. Повышенный расход селитры ускоряет окисление галлия до Ga2O3, сокращая стадию образования Ga2O. Для образования галлата натрия увеличен расход соды. По окончании реакций через час спек нагревается до температуры 460-550°C для разрушения возможных остатков нитрита натрия. Спек после охлаждения измельчается, подвергается выщелачиванию в воде при температуре 20-30°C, для преимущественного растворения основной массы арсената натрия NaAsO4 с минимальным переводом Na2GaO3 в раствор. После отделения раствора арсената мышьяка кек выщелачивают в 13-19% растворе едкого натрия при температуре 60-70°C и отделяют нерастворимый остаток. Отфильтованный раствор охлаждают до 15°C и отделяют выпавший осадок примесей фосфата натрия с арсенатом натрия в виде фосфатного кека. Из очищенного раствора осаждают галлий электролизом.The technical result of the proposed method is achieved by the fact that the raw materials are mixed with nitrate and soda in a ratio of 1: (1: 1.25) :( 1-1.25) from theoretically necessary by reaction and heated to 200-300 ° C. In the absence of caustic alkali in the mixture, the formation of harmful combustible gases PH 3 is eliminated. In addition, the absence of caustic alkali in the cake allows water leaching from sodium arsenate. Increased nitrate consumption accelerates the oxidation of gallium to Ga 2 O 3 , reducing the stage of formation of Ga 2 O. For the formation of sodium gallate, the consumption of soda is increased. At the end of the reaction, after an hour, the cake is heated to a temperature of 460-550 ° C to destroy possible residues of sodium nitrite. After cooling, the cake is ground, leached in water at a temperature of 20-30 ° C, for the predominant dissolution of the bulk of sodium arsenate NaAsO 4 with a minimum transfer of Na 2 GaO 3 into the solution. After separation of the arsenic arsenate solution, the cake is leached in a 13-19% sodium hydroxide solution at a temperature of 60-70 ° C and the insoluble residue is separated. The filtered solution is cooled to 15 ° C and the precipitated precipitate of sodium phosphate impurities with sodium arsenate is separated in the form of a phosphate cake. Gallium is precipitated from the purified solution by electrolysis.

Сущность способа заключается в следующем.The essence of the method is as follows.

Сырье смешивают с селитрой и содой в весовом соотношении 1:(1:1,25):(1-1,25) от теоретически необходимых по реакциям:The raw materials are mixed with nitrate and soda in a weight ratio of 1: (1: 1.25) :( 1-1.25) of the theoretically necessary reactions:

Figure 00000001
Figure 00000001

Figure 00000002
Figure 00000002

Figure 00000003
Figure 00000003

В зависимости от состава сырья расход реагентов по этим реакциям составляет:Depending on the composition of the feed, the reagent consumption for these reactions is:

Figure 00000004
Figure 00000004

Figure 00000005
Figure 00000005

Шихту вначале нагревают до 200-300°C, не превышая температуру до окисления галлия до Ga2O3, так как промежуточная фаза Ga2O возгоняется при 508°C.The mixture is first heated to 200-300 ° C, not exceeding the temperature until gallium is oxidized to Ga 2 O 3 , since the intermediate Ga 2 O phase is sublimated at 508 ° C.

При снижении расхода селитры менее (1:1) увеличивается возгон Ga2O и неполное разложение арсенида и увеличивается выход галлия в нерастворимый остаток.With a decrease in nitrate consumption less than (1: 1), the sublimation of Ga 2 O and incomplete decomposition of arsenide increase and the yield of gallium into an insoluble residue increases.

При увеличении расхода селитры более (1:1,25) увеличивается избыток нитрита натрия, который может неполностью разрушиться перегревом спека до 460-550°C и впоследствии снизится выход галлия в металл при электролизе.With an increase in the consumption of nitrate more (1: 1.25), the excess of sodium nitrite increases, which may not be completely destroyed by overheating of the cake to 460-550 ° C and subsequently the yield of gallium into the metal during electrolysis will decrease.

При расходе соды менее 1:1 происходит неполное связывание окиси галлия в растворимый галлат натрия и повышается выход галлия в нерастворимый остаток.When soda consumption is less than 1: 1, incomplete binding of gallium oxide to soluble sodium gallate occurs and the yield of gallium to an insoluble residue increases.

Спек (содержащий NaGaO2, Na3AsO4, Na3PO4) охлаждают, измельчают и выщелачивают в воде (содержание щелочи менее 1%) при температуре 20-30°C для преимущественного выщелачивания арсената мышьяка NaAsO4 и избытка неразложившегося NaNO2.Sinter (containing NaGaO 2 , Na 3 AsO 4 , Na 3 PO 4 ) is cooled, crushed and leached in water (alkali content less than 1%) at a temperature of 20-30 ° C to preferentially leach arsenate of arsenic NaAsO 4 and excess undecomposed NaNO 2 .

Раствор арсената натрия направляется на утилизацию мышьяка с известью. Отфильтрованный кек галлийсодержащий выщелачивают в 13-19% растворе едкого натрия при температуре 60-75°C для более полного выщелачивания галлия и отделяют нерастворимый остаток, являющийся оборотным полупродуктом. Отфильтрованные галлиевые растворы охлаждают до температуры ниже 15°C. При этом фосфат натрия и арсенат натрия при высокой концентрации щелочи высаливается в осадок и его отфильтровывают как фосфатный кек. Осветленный раствор галлата натрия направляется на электролиз.The sodium arsenate solution is sent to utilize arsenic with lime. The filtered gallium-containing cake is leached in a 13-19% sodium hydroxide solution at a temperature of 60-75 ° C for a more complete leaching of gallium and the insoluble residue, which is a working intermediate, is separated. The filtered gallium solutions are cooled to a temperature below 15 ° C. In this case, sodium phosphate and sodium arsenate at a high concentration of alkali are salted out and precipitated out as phosphate cake. The clarified sodium gallate solution is sent to electrolysis.

Предложенный способ иллюстрируется следующими примерами.The proposed method is illustrated by the following examples.

Пример 1. Навеску 100 г сырья отходов фосфида и арсенида галлия, содержащего 62% Ga; 17% As; 20,5% измельченной до крупности 0,5-2 мм, смешивают с 121 г селитры и 130 г соды помещают в стальной тигель и нагревают до температуры 200°C. Через час спек нагревается до температуры 460-550°C. Образование фосфида водорода не отмечено. Потери галлия при спекании 0,12%. Спек после охлаждения измельчается, подвергается выщелачиванию в воде при температуре 20-30°C. Мышьяковистый раствор с содержанием 0,5 г\л Na2O отфильтровывают. Выход арсената в раствор 80%. Полученный кек выщелачивают в 13-19% растворе едкого натрия при температуре 60-70°C. Пульпу отфильтровывают для отделения нерастворимого остатка. Выход галлия в оборотный нерастворимый остаток 0,55%. Отфильтрованный раствор охлаждают до 15°C и отделяют выпавший осадок примесей фосфата натрия в виде фосфатного кека. Выход галлия в фосфатный кек 0,44%. Полученный галлатно-щелочной раствор, содержащий 61 г/л Ga; 16,3 г/л P; 0,25 г/л As подвергают электролизу для выделение металлического галлия.Example 1. A portion of 100 g of raw waste phosphide and gallium arsenide containing 62% Ga; 17% As; 20.5% crushed to a particle size of 0.5-2 mm, mixed with 121 g of saltpeter and 130 g of soda are placed in a steel crucible and heated to a temperature of 200 ° C. After an hour, the cake is heated to a temperature of 460-550 ° C. The formation of hydrogen phosphide is not observed. Loss of gallium during sintering 0.12%. After cooling, the cake is crushed, leached in water at a temperature of 20-30 ° C. An arsenic solution with a content of 0.5 g / l Na 2 O is filtered off. The yield of arsenate in a solution of 80%. The resulting cake is leached in a 13-19% sodium hydroxide solution at a temperature of 60-70 ° C. The pulp is filtered to separate the insoluble residue. The output of gallium in the circulating insoluble residue of 0.55%. The filtered solution is cooled to 15 ° C and the precipitated precipitate of sodium phosphate impurities in the form of a phosphate cake is separated. The output of gallium in phosphate cake 0.44%. The resulting gallate-alkaline solution containing 61 g / l Ga; 16.3 g / l P; 0.25 g / l As is electrolyzed to isolate gallium metal.

В таблице приведены данные по другим примерам осуществления способа в зависимости от условий проведения, а также пример по прототипу.The table shows data on other examples of the method, depending on the conditions, as well as an example of a prototype.

В приведенных примерах предложенного способа в отличие от прототипа плавка проводилась без выделения вспышек фосфористого водорода и со значительно меньшим возгоном окиси галлия. В опытах 5, 6 с запредельным расходом реагентов в сравнении с 1-3 имеет повышенный выход галлия в нерастворимый остаток.In the above examples of the proposed method, in contrast to the prototype, melting was carried out without the release of outbreaks of phosphorous hydrogen and with a significantly smaller sublimation of gallium oxide. In experiments 5, 6 with a prohibitive consumption of reagents, in comparison with 1-3, there is an increased yield of gallium into an insoluble residue.

Figure 00000006
Figure 00000006

Технический результат предлагаемого способа в том, что устраняются вредные выбросы, снижается возгон окиси галлия и снижается выход галлия в оборотный промпродукт. Признаки переработки спека в сочетании создают дополнительные свойства по обеспечению снижения выхода галлия в оборотный промпродукт.The technical result of the proposed method is that harmful emissions are eliminated, the sublimation of gallium oxide is reduced, and the yield of gallium in the recycled intermediate product is reduced. The signs of the processing of cake mix in combination create additional properties to ensure a decrease in the yield of gallium in the recycled intermediate product.

Источники информацииInformation sources

1. Химия и технология редких и рассеянных элементов. Под ред. чл.-корр. АН СССР К.А. Большакова, Ч.1. М.: Высшая школа, 1976, с.255.1. Chemistry and technology of rare and trace elements. Ed. Corr. USSR Academy of Sciences K.A. Bolshakova, Part 1. M.: Higher School, 1976, p. 255.

2. Пат. России №2201465, М.кл. C22B 58/00 - Способ переработки отходов полупроводниковых соединений галлия. Букин В.И.; Игумнов М.С.; Резник A.M.; Бельский А.А.; Дугельный А.П.; Дьяков В.Е.; Андреев Ю.И.2. Pat. Russia №2201465, M.cl. C22B 58/00 - Method for processing waste semiconductor compounds of gallium. Bukin V.I .; Igumnov M.S .; Resnik A.M .; Belsky A.A .; Dugelny A.P .; Dyakov V.E .; Andreev Yu.I.

Claims (1)

Способ переработки отходов полупроводниковых соединений галлия, включающий термическую обработку спеканием смеси отходов с окислителем, выщелачивание спека, отделение мышьяка и фосфора от раствора путем осаждения и выделение галлия из раствора электролизом, отличающийся тем, что перед спеканием отходы смешивают с окислителем в виде селитры и содой с соотношением 1:(1:1,25):(1-1,25), теоретически необходимым для реакции окисления, термическую обработку ведут сначала до температуры 200-300°C, а затем через час до 460-550°C, с последующим охлаждением и измельчением спека, выщелачивание спека ведут в воде при температуре 20-30°C для выщелачивания и отделения арсената натрия, а галлиевый кек выщелачивают в 13-19% щелочи при температуре 60-80°C, полученный раствор охлаждают до 15°C и после отделения кека в виде примесей фосфата натрия и арсената натрия выделяют металлический галлий электролизом. A method of processing waste semiconductor compounds of gallium, including heat treatment by sintering a mixture of waste with an oxidizing agent, leaching cake, separating arsenic and phosphorus from the solution by precipitation and separating gallium from the solution by electrolysis, characterized in that before the sintering, the waste is mixed with an oxidizing agent in the form of nitrate and soda with ratio 1: (1: 1.25) :( 1-1.25), theoretically necessary for the oxidation reaction, the heat treatment is carried out first to a temperature of 200-300 ° C, and then after an hour to 460-550 ° C, followed by cooling by grinding the cake, cake is leached in water at a temperature of 20-30 ° C to leach and separate sodium arsenate, and gallium cake is leached in 13-19% alkali at a temperature of 60-80 ° C, the resulting solution is cooled to 15 ° C and after separation cake in the form of impurities of sodium phosphate and sodium arsenate emit metallic gallium by electrolysis.
RU2014121134/02A 2014-05-23 2014-05-23 Method of recycling wastes of semiconductive gallium compounds RU2554253C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2014121134/02A RU2554253C2 (en) 2014-05-23 2014-05-23 Method of recycling wastes of semiconductive gallium compounds

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2014121134/02A RU2554253C2 (en) 2014-05-23 2014-05-23 Method of recycling wastes of semiconductive gallium compounds

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2014121134A RU2014121134A (en) 2014-08-27
RU2554253C2 true RU2554253C2 (en) 2015-06-27

Family

ID=51456165

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014121134/02A RU2554253C2 (en) 2014-05-23 2014-05-23 Method of recycling wastes of semiconductive gallium compounds

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2554253C2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2635585C2 (en) * 2016-12-07 2017-11-14 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" Method for extracting gallium from powder gallium-containing wastes

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4728505A (en) * 1985-12-23 1988-03-01 Mitsui Aluminium Co., Ltd. Process for producing gallium-containing solution from the aluminum smelting dust
EP0271845A1 (en) * 1986-12-12 1988-06-22 Mitsubishi Kinzoku Kabushiki Kaisha Process for recovering gallium trichloride from gallium-containing waste
RU2201465C2 (en) * 1997-12-11 2003-03-27 Зао "Нок - Рем" Method of processing wastes of semiconductor gallium compounds
RU2237740C1 (en) * 2003-02-07 2004-10-10 Открытое акционерное общество "Всероссийский алюминиево-магниевый институт" Method of recovering gallium from solid gallium-containing materials

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4728505A (en) * 1985-12-23 1988-03-01 Mitsui Aluminium Co., Ltd. Process for producing gallium-containing solution from the aluminum smelting dust
EP0271845A1 (en) * 1986-12-12 1988-06-22 Mitsubishi Kinzoku Kabushiki Kaisha Process for recovering gallium trichloride from gallium-containing waste
RU2201465C2 (en) * 1997-12-11 2003-03-27 Зао "Нок - Рем" Method of processing wastes of semiconductor gallium compounds
RU2237740C1 (en) * 2003-02-07 2004-10-10 Открытое акционерное общество "Всероссийский алюминиево-магниевый институт" Method of recovering gallium from solid gallium-containing materials

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2635585C2 (en) * 2016-12-07 2017-11-14 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" Method for extracting gallium from powder gallium-containing wastes

Also Published As

Publication number Publication date
RU2014121134A (en) 2014-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Peelman et al. Leaching of rare earth elements: review of past and present technologies
KR102090348B1 (en) System and method for rare earths extraction
EP3290534B1 (en) Alkaline and acid pressure oxidation of precious metal-containing materials
JP2009167095A (en) High purity zinc oxide powder, high purity zinc oxide target and high purity zinc oxide thin film
US10011890B2 (en) Sodium tungstate production method
CN110240122B (en) Method for one-step detoxification and sulfur recovery of arsenic sulfide slag
AU2013204508B2 (en) Method for leaching gold from gold ore containing pyrite
JP2022514634A (en) Process for metal recovery from multi-metal nodules
RU2554253C2 (en) Method of recycling wastes of semiconductive gallium compounds
CA1057506A (en) Method of producing metallic lead and silver from their sulfides
JP5062111B2 (en) Method for producing high-purity arsenous acid aqueous solution from copper-free slime
JPH09315819A (en) Method for recovering arsenic from sulfide containing arsenic and production of calcium arsenate
JP2015134954A (en) Method for treating antimony-containing material discharged from tin smelting process
WO2019113652A1 (en) Improved zinc oxide process
WO2022119565A1 (en) A lithium extraction process and apparatus
AU2013100641A4 (en) Pretreated gold ore
AU2015234654B2 (en) Method for pre-treating gold ore
RU2201465C2 (en) Method of processing wastes of semiconductor gallium compounds
AU2013100642A4 (en) Method of pretreating gold ore
AU2013100677A4 (en) Method of pretreating gold ore
RU2654407C1 (en) Method for processing sulfide concentrates containing noble metals
US292605A (en) Art of extracting gold by means of alkaline sulphides
US2121887A (en) Method of sulphating an ore material
JP2006097108A (en) METHOD FOR RECOVERING In FROM InP SCRAP
RU2636775C2 (en) Two-fold hardness gold-bearing concentrates processing method