RU2549536C1 - Dc gas-discharge display panel control method - Google Patents
Dc gas-discharge display panel control method Download PDFInfo
- Publication number
- RU2549536C1 RU2549536C1 RU2013153690/07A RU2013153690A RU2549536C1 RU 2549536 C1 RU2549536 C1 RU 2549536C1 RU 2013153690/07 A RU2013153690/07 A RU 2013153690/07A RU 2013153690 A RU2013153690 A RU 2013153690A RU 2549536 C1 RU2549536 C1 RU 2549536C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- mercury
- isu
- gas
- discharge
- cathodes
- Prior art date
Links
Images
Abstract
Description
Изобретение относится к области приборов тлеющего разряда с холодным катодом, в частности к газоразрядным индикаторным панелям (ГИЛ) постоянного тока и методам их управления.The invention relates to the field of glow discharge devices with a cold cathode, in particular to gas discharge display panels (GIL) of direct current and methods for controlling them.
Одна из основных проблем, возникающих при разработке и эксплуатации данного типа ГИП, заключается в необходимости обеспечения их срока службы на уровне 5-10 тыс часов, что достигается, в основном, путем снижения скорости распыления поверхности катодов ячеек ГИП в газовом разряде.One of the main problems arising in the development and operation of this type of ISU is the need to ensure their service life at the level of 5-10 thousand hours, which is achieved mainly by reducing the spraying speed of the surface of the cathodes of the ISU cells in a gas discharge.
Известен способ управления ГИП постоянного тока, заключающийся в возбуждении и поддержании разряда в ячейках, заполненных инертным газом (см. патент США №4599076, кл. H01j 9/38, 1986).A known method of controlling the ISU of direct current, which consists in exciting and maintaining a discharge in cells filled with an inert gas (see US patent No. 4599076, CL H01j 9/38, 1986).
Указанный способ не обеспечивает требуемого срока службы ГИП из-за интенсивного разрушения поверхности катода в газовом разряде.The specified method does not provide the required service life of the ISU due to the intense destruction of the cathode surface in a gas discharge.
Известен способ управления ГИП постоянного тока, заключающийся в возбуждении и поддержании разряда в ее ячейках, заполненных смесью инертных газов с парами ртути (см. патент США №2991387, кл. H01j 9/38, 1961). Присутствие в газовом наполнении ГИП паров ртути приводит к образованию на поверхности катодов ячеек ртутного покрытия, защищающего ее от разрушения в газовом разряде, и, как следствие, к увеличению срока службы приборов.A known method of controlling the ISU of direct current, which consists in exciting and maintaining a discharge in its cells filled with a mixture of inert gases with mercury vapor (see US patent No. 2991387, class H01j 9/38, 1961). The presence of mercury vapor in the HIP gas filling leads to the formation of mercury coating cells on the surface of the cathodes, which protects it from destruction in a gas discharge, and, as a result, to an increase in the service life of devices.
При управлении ГИП, согласно указанному способу, затруднено обеспечение однородного содержания паров ртути в ячейках ГИП, что приводит к разбросу их эксплуатационных параметров.When managing the ISU, according to the specified method, it is difficult to ensure a uniform content of mercury vapor in the ISU cells, which leads to a spread in their operational parameters.
Наиболее близким способом того же назначения к заявляемому объекту по совокупности признаков является способ управления ГИП постоянного тока, заключающийся в нагреве ГИП, возбуждении и поддержании разряда в ее ячейках, заполненных смесью инертных газов с парами ртути (см. патент США №2967965, кл. H01j 9/38, 1961 - прототип).The closest method of the same purpose to the claimed object according to the totality of features is a method of controlling an HIP of direct current, which consists in heating the HIP, exciting and maintaining a discharge in its cells filled with a mixture of inert gases with mercury vapor (see US patent No. 2967965, class H01j 9/38, 1961 - prototype).
К причинам, препятствующим достижению требуемого технического результата при использовании известного способа, принятого за прототип, относится то, что в этом способе несмотря на эксплуатацию ГИП при повышенной температуре (~100°C) не достигаются условия полного покрытия поверхности катодов ячеек однородным слоем ртути - эта температура не соответствует оптимальной. Поэтому в процессе управления ГИП указанным способом происходит разрушение поверхности катодов ячеек в газовом разряде, возбуждаемом, например, в смесях с высоким содержанием ксенона, и ограничивается, таким образом, их долговечность.The reasons that impede the achievement of the required technical result when using the known method adopted for the prototype include the fact that in this method, despite the operation of the ISU at an elevated temperature (~ 100 ° C), the conditions for the complete coating of the cell cathode surface with a uniform mercury layer are not achieved - this the temperature is not optimal. Therefore, in the process of controlling the ISU in this way, the surface of the cell cathodes is destroyed in a gas discharge excited, for example, in mixtures with a high xenon content, and thus their durability is limited.
Задачей данного изобретения является разработка способа управления ГИП постоянного тока, позволяющего повысить ее долговечность путем создания в ячейках ГИП в процессе работы условий, обеспечивающих образование сплошного ртутного покрытия на поверхности катодов.The objective of the invention is to develop a method for controlling the HIP of direct current, which allows to increase its durability by creating in the HIP cells during operation conditions that ensure the formation of a continuous mercury coating on the surface of the cathodes.
Данный технический результат достигается при осуществлении изобретения тем, что в известном способе управления ГИП постоянного тока, заключающемся в нагреве ГИП, возбуждении и поддержании разряда в ее ячейках, заполненных смесью инертных газов с парами ртути, нагрев производят до температуры, равной 0,7-1,0 от температуры, соответствующей началу роста напряжения поддержания разряда.This technical result is achieved during the implementation of the invention by the fact that in the known method of controlling the HIP of direct current, which consists in heating the HIP, exciting and maintaining the discharge in its cells filled with a mixture of inert gases with mercury vapor, the heating is carried out to a temperature of 0.7-1 , 0 from the temperature corresponding to the beginning of the growth of the voltage supporting the discharge.
Вышеизложенный технический результат достигается за счет выбора оптимальной температуры эксплуатации приборов, при которой на поверхности катодов ячеек ГИП формируется сплошное ртутное покрытие. Экранировка поверхности катодов от воздействия газового разряда слоем ртути обеспечивает требуемый ресурс работы приборов.The above technical result is achieved by choosing the optimal operating temperature of the devices, at which a continuous mercury coating is formed on the surface of the cathodes of the ISU cells. Screening the surface of the cathodes from the action of a gas discharge with a layer of mercury provides the required life of the devices.
Таким образом, сопоставительный анализ предложенного технического решения и уровня техники позволил установить, что заявленное изобретение соответствует требованию «новизна» и «изобретательский уровень» по действующему законодательству.Thus, a comparative analysis of the proposed technical solution and the prior art made it possible to establish that the claimed invention meets the requirements of "novelty" and "inventive step" under current law.
Предложенный способ управления ГИП поясняется фиг.1-2, на которых представлены зависимости напряжения поддержания разряда (Uпр) в ячейках ГИП, в газовом наполнении которых присутствуют пары ртути.The proposed method for controlling the ISU is illustrated in FIGS. 1-2, which show the dependences of the discharge sustaining voltage (U CR ) in the ISU cells, in the gas filling of which mercury vapor is present.
Способ управления ГИП заключается в следующем. Изготовленные по общепринятой технологии ГИП, в газовом наполнении которых содержатся пары ртути, нагревают до температуры 0,7-1,0 от температуры, соответствующей началу роста Uпр, и поддерживают ее во время эксплуатации приборов. При этом достигается образование на поверхности катодов ячеек ГИП сплошного ртутного покрытия, защищающего ее от разрушения в газовом разряде. Обеспечение требуемой температуры осуществляют нагревательными элементами, размещенными внутри объема или на внешней поверхности ГИП.The method of managing the ISU is as follows. The ISUs made according to the generally accepted technology, in the gas filling of which contain mercury vapor, are heated to a temperature of 0.7-1.0 from the temperature corresponding to the beginning of growth U pr , and support it during the operation of the devices. In this case, the formation of a continuous mercury coating on the surface of the cathode cells of the ISU, which protects it from destruction in a gas discharge, is achieved. Ensuring the required temperature is carried out by heating elements located inside the volume or on the external surface of the ISU.
При реализации известных способов управления ГИП (например, прототип) в ее газовое наполнение вводятся пары ртути, которые оказывают влияние на характеристики ГИП, в том числе и на долговечность. Это влияние вызвано двумя типами взаимосвязанных явлений, происходящими в объеме газоразрядного промежутка и на поверхности холодных катодов ячеек ГИП.When implementing well-known methods of controlling ISUs (for example, a prototype), mercury vapor is introduced into its gas filling, which affects the characteristics of ISUs, including their durability. This effect is caused by two types of interconnected phenomena occurring in the volume of the gas-discharge gap and on the surface of the cold cathodes of the ISU cells.
Наличие паров ртути изменяет коэффициент объемной ионизации (α) инертных газов, используемых для поддержания разряда в ГИП, вследствие реакции Пеннинга между метастабильными атомами газов и атомами ртути, а также ионизации последних прямым электронным ударом. При этом состав ионного потока, бомбардирующего поверхность катодов ячеек ГИП, обогащается ионами ртути, что приводит к изменению коэффициента вторичной ионно-электроной эмиссии (γ). На установившиеся значения α и γ влияют состав газового наполнения, материал катодов и температура ГИП.The presence of mercury vapor changes the coefficient of volume ionization (α) of inert gases used to maintain the discharge in the ISU due to the Penning reaction between metastable gas atoms and mercury atoms, as well as ionization of the latter by direct electron impact. In this case, the composition of the ion flux bombarding the surface of the cathodes of the HIP cells is enriched with mercury ions, which leads to a change in the coefficient of secondary ion-electron emission (γ). The steady-state values of α and γ are affected by the composition of the gas filling, the cathode material, and the ISU temperature.
При низкой концентрации паров ртути (10-2-10-1%) в чистых инертных газах преобладает рост α - Uпр уменьшается. Начиная с определенной критической концентрации паров ртути (критической температуры приборов Tкр), соответствующей началу роста Uпр, в ионной составляющей тока, поступающего на поверхность катодов ячеек ГИП, начинают превалировать ионы ртути. Замена ионов инертных газов на ионы ртути приводит к уменьшению γ - Uпр независимо от газового наполнения приборов возрастает. Значение Tкр однозначно связано с эффективностью процессов ионизации атомов ртути.At a low concentration of mercury vapor (10 -2 -10 -1 -1 %) in pure inert gases, an increase in α - U pr prevails. Since certain critical concentrations of mercury vapor (the critical temperature T cr devices) corresponding to the beginning of growth U pr in the ionic component of the current supplied to the surface of the cathodes ISU cells begin to prevail mercury ions. Replacing inert gas ions with mercury ions leads to a decrease in γ - U ol, regardless of the gas filling of the devices increases. The value of T cr is unambiguously related to the efficiency of the ionization of mercury atoms.
В смесях инертных газов рост Uпр становится заметным, когда ионизационные процессы, вызванные присутствием в объеме приборов паров ртути, начинают преобладать над ионизационными процессами между исходными газовыми компонентами - фиг.1-2.In mixtures of inert gases, the increase in U pr becomes noticeable when the ionization processes caused by the presence of mercury vapor in the instrument volume begin to prevail over the ionization processes between the initial gas components - Fig.1-2.
Кривые 1-2 на фиг.1 получены для ГИП, наполненных смесью Ne+(1-2%)Ar при суммарном давлении 4·104 Па. В них использовались катоды толщиной ~40 мкм, выполненные из никельсодержащей пасты, межэлектродный зазор составлял 100 мкм, ток номинальной эксплуатации одной ячейки - 200 мкА. Кривая 3 на фиг.1 получена на ГИП с катодами из поликристаллического никеля (наполнение Ne + 1% Ar). Фиг.2 контролировалась на ГИП, наполненных смесью газов 30% He + 45% Ne + 25% Xe при суммарном давлении 1,33·104 Па. В них использовались катоды из титана, покрытого слоем алюминия, межэлектродный зазор составлял 350 мкм, ток номинальной эксплуатации одной ячейки - 1,2 мА.Curves 1-2 in Fig. 1 were obtained for ISUs filled with a mixture of Ne + (1-2%) Ar at a total pressure of 4 · 10 4 Pa. They used cathodes ~ 40 μm thick made of nickel-containing paste, the interelectrode gap was 100 μm, and the rated current of one cell was 200 μA. Curve 3 in Fig. 1 was obtained on an ISU with polycrystalline nickel cathodes (filling Ne + 1% Ar). Figure 2 was monitored for ISUs filled with a gas mixture of 30% He + 45% Ne + 25% Xe at a total pressure of 1.33 · 10 4 Pa. They used cathodes made of titanium coated with a layer of aluminum, the interelectrode gap was 350 μm, and the rated current of one cell was 1.2 mA.
При введении паров ртути в неон-аргоновую смесь, кроме основной реакции ПеннингаWith the introduction of mercury vapor in a neon-argon mixture, in addition to the main Penning reaction
возникают дополнительные ионизационные процессы:additional ionization processes occur:
По мере увеличения содержания ртути в приборах последовательно подавляются реакции (1-3) - из спектра излучения разряда исчезают характерные линии атомов и ионов инертных газов, а излучение соответствующих линий ртути становится преобладающим.As the mercury content in the devices increases, reactions (1-3) are successively suppressed - the characteristic lines of atoms and ions of inert gases disappear from the spectrum of the discharge radiation, and the radiation of the corresponding mercury lines becomes predominant.
При использовании газовых смесей с бо′льшим содержанием аргона Tкр возрастает (фиг.1: кривая 1 - 1% Ar, кривая 2 - 2% Ar). В этом случае для подавления процесса (2) требуется, соответственно, и бо′льшая концентрация паров ртути. Переход к смесям He+Ne+Xe не влияет на общие закономерности наблюдаемых явлений. Однако, из-за того, что сечение Пеннинг-процесса у смеси Ne+Хе превышает соответствующее сечение для смеси Ne+Ar, Tкр возрастает (фиг.2).When using gas mixtures with a higher content of Cr increases argon T (1: Curve 1 - 1% Ar, curve 2 - 2% Ar). In this case, to suppress process (2), a higher concentration of mercury vapor is required, respectively. The transition to He + Ne + Xe mixtures does not affect the general laws of the observed phenomena. However, due to the fact that the cross section of the Penning process for the Ne + Xe mixture exceeds the corresponding cross section for the Ne + Ar mixture, T cr increases (Fig. 2).
Характер поведения Uпр в области температур, меньших Tкр, для пеннинговских смесей инертных газов менее однозначен. Критичность значений Uпр к материалу катода ячеек ГИП (фиг.1) невозможно объяснить изменениями только α. Эти факты свидетельствуют о существовании еще одного механизма воздействия паров ртути на параметры ячеек ГИП. Таким механизмом является адсорбция атомов ртути на поверхности катодов, приводящая к изменению ее вторично-эмиссионных свойств. Диапазон и направление данных изменений зависят от соотношения эмиссионных свойств материала катодов ячеек ГИП и ртути, а также от степени заполнения поверхности катодов адсорбированными атомами ртути (θ). Суммарный коэффициент вторичной ионно-электронной эмиссии поверхности катодов ячеек ГИП определяется в этом случае формулой:The behavior of U pr in the temperature range lower than T cr , for Penning mixtures of inert gases is less clear. The criticality of U pr values to the cathode material of the ISU cells (Fig. 1) cannot be explained by changes in only α. These facts indicate the existence of another mechanism of the effect of mercury vapor on the parameters of the ISU cells. Such a mechanism is the adsorption of mercury atoms on the surface of the cathodes, leading to a change in its secondary emission properties. The range and direction of these changes depend on the ratio of the emission properties of the cathode material of the ISU and mercury cells, as well as on the degree of filling of the cathode surface with adsorbed mercury atoms (θ). The total coefficient of secondary ion-electron emission of the surface of the cathodes of the ISU cells is determined in this case by the formula:
где γ1 и γ2 - коэффициенты вторичной ионно-электронной эмиссии ртути и поверхности катодов соответственно.where γ 1 and γ 2 are the coefficients of the secondary ion-electron emission of mercury and the surface of the cathodes, respectively.
Если эмиссионные параметры поверхности катодов и ртути близки, то γ и Uпр остаются неизменными во всем исследуемом температурном интервале. Это наблюдается, например, для ГИП с катодом из поликристаллического никеля - кривая 3 на фиг.1 (работа выхода никеля и ртути составляют 4,5 эВ). Если же эмиссионные параметры отличаются, то Uпр претерпевает заметные изменения - кривые 1-2 на фиг.1 (работа выхода толстопленочных никельсодержащих катодов равна 5-6 эВ).If the emission parameters of the surface of the cathodes and mercury are close, then γ and U ol remain unchanged in the entire investigated temperature range. This is observed, for example, for an ISU with a polycrystalline nickel cathode — curve 3 in FIG. 1 (the work function of nickel and mercury is 4.5 eV). If the emission parameters are different, then U pr undergoes noticeable changes - curves 1-2 in figure 1 (the work function of thick-film nickel-containing cathodes is 5-6 eV).
Значение θ определяется двумя конкурирующими процессами: поступлением атомов и ионов ртути из объема газоразрядного промежутка ГИП на поверхность катодов и распылением ртутного покрытия ионной бомбардировкой. Первый процесс способствует увеличению θ - по мере нагрева приборов Uпр уменьшается (фиг.1-2). Второй приводит к ликвидации ртутного покрытия - первоначально существующая температурная зависимость Uпр становится менее выраженной.The value of θ is determined by two competing processes: the influx of atoms and ions of mercury from the volume of the gas-discharge gap of the HIP to the surface of the cathodes and the spraying of the mercury coating by ion bombardment. The first process contributes to an increase in θ - as the devices heat up, U ol decreases (Fig.1-2). The second leads to the elimination of the mercury coating - the initially existing temperature dependence of U pr becomes less pronounced.
Таким образом, влияние паров ртути на характеристики разряда ячеек ГИП, в наполнении которых присутствуют пары ртути, определяется совместным влиянием трех механизмов.Thus, the effect of mercury vapor on the discharge characteristics of the ISU cells, in the filling of which mercury vapor is present, is determined by the combined influence of three mechanisms.
Первый механизм обусловлен воздействием паров ртути на интенсивность процессов объемной ионизации газового наполнения ячеек ГИП. В чистых инертных газах он приводит к увеличению α за счет Пеннинг-процесса между метастабильными атомами данного инертного газа и атомами ртути и, как следствие, к соответствующему снижению Uпр.The first mechanism is due to the effect of mercury vapor on the intensity of the processes of volumetric ionization of gas filling of the ISU cells. In pure inert gases, it leads to an increase in α due to the Penning process between the metastable atoms of a given inert gas and mercury atoms and, as a consequence, to a corresponding decrease in U pr
В смесях газов при температурах, меньших Tкр, влияние указанного механизма несущественно: тенденцию к увеличению α, связанную с присутствием в них паров ртути, компенсирует снижение вклада в поддержание разряда реакции Пеннинга между атомами инертного газа.In gas mixtures at temperatures lower than T cr , the effect of this mechanism is insignificant: the tendency toward an increase in α associated with the presence of mercury vapor in them compensates for the decrease in the contribution to the maintenance of the discharge of the Penning reaction between inert gas atoms.
Второй механизм связан с изменением вторично-эмиссионных свойств катодов ячеек ГИП. Он также проявляется при температурах, меньших Tкр, при которых на поверхности катодов формируется ртутное покрытие. Если работа выхода поверхности катодов превышает работу выхода ртути, то при увеличении θ происходит снижение Uпр.The second mechanism is associated with a change in the secondary emission properties of the cathodes of the ISU cells. It also manifests itself at temperatures lower than T cr , at which a mercury coating forms on the surface of the cathodes. If the work function of the surface of the cathodes exceeds the work function of mercury, then with an increase in θ, U pr decreases.
Третий механизм вызван изменением состава ионов, бомбардирующих поверхность катодов ячеек ТИП. Он реализуется при температурах, бо′льших Tкр, - в этом случае на поверхность катодов поступают преимущественно ионы ртути. В результате уменьшается γ и независимо от газового наполнения приборов увеличивается Uпр.The third mechanism is caused by a change in the composition of the ions bombarding the surface of the cathodes of TIP cells. It is realized at temperatures higher than T cr , in which case mainly mercury ions enter the cathode surface. As a result, γ decreases, and regardless of the gas filling of the devices, U ave increases.
В интервале температур от 20°C до Tкр на поверхности катодов ячеек ГИП образуется ртутное покрытие. Оно защищает поверхность катодов ячеек ГИП от разрушения в разряде и выравнивает их вторично-эмиссионные свойства.In the temperature range from 20 ° C to T cr , a mercury coating forms on the surface of the cathodes of the ISU cells. It protects the surface of the cathodes of the ISU cells from destruction in the discharge and evens out their secondary emission properties.
Результаты контроля температурных зависимостей Uпр ГИП, например, с никельсодержащими катодами (фиг.1, кривые 1-2) позволяют предположить, что формируемое покрытие имеет тонкопленочную природу.The results of monitoring the temperature dependences of U pr GUI, for example, with nickel-containing cathodes (Fig. 1, curves 1-2) suggest that the formed coating has a thin-film nature.
При температуре, близкой к Tкр, значение Uпр ячеек ГИП равно Uпр, контролируемому в диодных конструкциях с катодами из ртути. Данный факт свидетельствует об образовании на поверхности катодов ячеек ГИП сплошного ртутного покрытия, обладающего свойствами объемного материала. Снижение температуры ГИП приводит к изменению состояния ртутного покрытия - оно переходит в островковую фазу. При этом уменьшается θ и, как следствие, возрастает Uпр.At a temperature close to T cr, the value of U is equal to pr cells ISU U pr controlled in diode structures with cathodes of mercury. This fact indicates the formation of a continuous mercury coating with bulk material properties on the surface of the cathodes of the ISU cells. A decrease in the temperature of the ISU leads to a change in the state of the mercury coating — it passes into the insular phase. In this case, θ decreases and, as a result, U ave increases.
Получение максимального положительного эффекта возможно в случае поддержания температуры ГИП, равной 0,7-1,0 от Tкр. При температуре, меньшей 0,7 Tкр, нарушается однородность ртутного покрытия катодов ячеек ГИП и снижается долговечность приборов. При температурах, бо′льших Tкр, в ионном потоке, поступающем на поверхность катодов, превалируют ионы ртути, что приводит к ликвидации ртутного покрытия и разрушению поверхности катодов.Getting the maximum positive effect is possible in the case of maintaining the temperature of the ISU equal to 0.7-1.0 from T cr . At a temperature lower than 0.7 T cr , the uniformity of the mercury coating of the cathodes of the ISU cells is violated and the durability of the devices is reduced. At temperatures higher than T cr , mercury ions prevail in the ion stream entering the cathode surface, which leads to the elimination of the mercury coating and the destruction of the cathode surface.
Реализация предлагаемого способа осуществлялась на ГИП с катодами, выполненными из никельсодержащей пасты. Для различного газового наполнения ГИП контролировались зависимости долговечности приборов от их температуры: 1 - Ne; 2 - (Ne + 1% Ar); 3 - (Ne + 5% Ar).Implementation of the proposed method was carried out on the ISU with cathodes made of nickel-containing paste. For various gas filling of the ISU, the dependences of the durability of devices on their temperature were monitored: 1 - Ne; 2 - (Ne + 1% Ar); 3 - (Ne + 5% Ar).
Долговечность ГИП определялась по времени, в течение которого интенсивность излучения разряда, фиксируемая со стороны анода, уменьшается на 25%. Результаты испытаний приведены в таблице.The durability of the ISU was determined by the time during which the intensity of the discharge radiation recorded from the side of the anode decreases by 25%. The test results are shown in the table.
Из анализа полученных экспериментальных данных следует, что по мере роста температуры ГИП до Tкр их долговечность увеличивается (для неона составляет 75°C, смеси Ne + 1% Ar - 90°C, смеси Ne + 3% Ar - 115°C). Оптимальный температурный диапазон работы ГИП составляет 0,7-1,0 от Tкр. В этом случае срок службы ГИП возрастает по сравнению с общепринятым температурным режимом их эксплуатации (30-40°C) в 1,5-2,0 раза.From the analysis of the obtained experimental data, it follows that as the temperature of the HIP increases to T cr, their durability increases (for neon, it is 75 ° C, for a mixture of Ne + 1% Ar - 90 ° C, for a mixture of Ne + 3% Ar - 115 ° C). The optimal temperature range of the operation of the ISU is 0.7-1.0 from T cr . In this case, the service life of the ISU increases in comparison with the generally accepted temperature regime of their operation (30-40 ° C) by 1.5-2.0 times.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013153690/07A RU2549536C1 (en) | 2013-12-03 | 2013-12-03 | Dc gas-discharge display panel control method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013153690/07A RU2549536C1 (en) | 2013-12-03 | 2013-12-03 | Dc gas-discharge display panel control method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2549536C1 true RU2549536C1 (en) | 2015-04-27 |
Family
ID=53289781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013153690/07A RU2549536C1 (en) | 2013-12-03 | 2013-12-03 | Dc gas-discharge display panel control method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2549536C1 (en) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2967965A (en) * | 1958-06-02 | 1961-01-10 | Rca Corp | Luminous display panel |
| SU576622A1 (en) * | 1976-06-01 | 1977-10-15 | Kuznetsov Oleg V | Method of ageing gas-discharge indicating panel |
| US4060749A (en) * | 1975-09-17 | 1977-11-29 | Hitachi, Ltd. | Flat discharge display panel having positive column discharge and auxiliary anode electrodes |
| US4599076A (en) * | 1984-04-19 | 1986-07-08 | Sony Corporation | Method of producing discharge display device |
-
2013
- 2013-12-03 RU RU2013153690/07A patent/RU2549536C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2967965A (en) * | 1958-06-02 | 1961-01-10 | Rca Corp | Luminous display panel |
| US4060749A (en) * | 1975-09-17 | 1977-11-29 | Hitachi, Ltd. | Flat discharge display panel having positive column discharge and auxiliary anode electrodes |
| SU576622A1 (en) * | 1976-06-01 | 1977-10-15 | Kuznetsov Oleg V | Method of ageing gas-discharge indicating panel |
| US4599076A (en) * | 1984-04-19 | 1986-07-08 | Sony Corporation | Method of producing discharge display device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2243737C (en) | Lighting system | |
| JP4698077B2 (en) | Plasma display panel and manufacturing method thereof | |
| Filippetto et al. | Cesium telluride cathodes for the next generation of high-average current high-brightness photoinjectors | |
| JP5347345B2 (en) | Process for producing conductive mayenite type compound | |
| JP2014003022A (en) | Method for extending ion source life and improving ion source performance during carbon implantation | |
| RU2549536C1 (en) | Dc gas-discharge display panel control method | |
| Gaertner et al. | Life-limiting mechanisms in Ba-oxide, Ba-dispenser and Ba-Scandate cathodes | |
| Zhao et al. | Evolutions of repetitively pulsed positive streamer discharge in electronegative gas mixtures at high pressure | |
| CN101794704B (en) | Discharge lamp | |
| KR20070060124A (en) | Protective film-forming method and protective film-forming apparatus | |
| Park et al. | Effects of MgO thin film thickness and deposition rate on the lifetime of ac plasma display panel | |
| KR101509312B1 (en) | Compositions for extending ion source life and improving ion source performance during carbon implantation | |
| Chmielak et al. | Diagnostic of vacuum on the basis of the dielectric strength | |
| RU2448197C1 (en) | Application method of transparent electrically conducting coating | |
| Togawa et al. | CeB6 electron gun for the soft X-ray FEL project at SPring-8 | |
| Alberts et al. | Hollow cathode effect in cold cathode fluorescent lamps: a review | |
| DE102009014425B4 (en) | deuterium lamp | |
| Walter et al. | Initial anode optimization for a compact sealed tube vircator | |
| JP2003045373A (en) | High pressure discharge lamp | |
| KR20110099648A (en) | Plasma display panel and method for manufacturing thereof | |
| Lisovskiy et al. | Structure and properties of glow discharge in argon with hollow cathode | |
| US8710742B2 (en) | Metal halide lamps with fast run-up and methods of operating the same | |
| KR100945120B1 (en) | Plasma display panel | |
| Albertoni et al. | Experimental Characterization of LaB6 Hollow Cathode for Low-Power Hall Effect Thrusters | |
| Lenef et al. | Arc spot formation on cold cathodes in high-intensity discharge lamps |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20161204 |