RU2547758C1 - Ampoule for crystal growing under micro gravitation - Google Patents
Ampoule for crystal growing under micro gravitation Download PDFInfo
- Publication number
- RU2547758C1 RU2547758C1 RU2014105414/05A RU2014105414A RU2547758C1 RU 2547758 C1 RU2547758 C1 RU 2547758C1 RU 2014105414/05 A RU2014105414/05 A RU 2014105414/05A RU 2014105414 A RU2014105414 A RU 2014105414A RU 2547758 C1 RU2547758 C1 RU 2547758C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- ampoule
- graphite
- quartz
- crucible
- graphite inserts
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
Выращивание кристаллов в условиях микрогравитации - важное направление в быстро развивающемся космическом материаловедении.Crystal growth under microgravity conditions is an important direction in the rapidly developing space materials science.
Предлагаемое изобретение относится к технологическому оборудованию, предназначенному для выращивания кристаллов моноселенида галлия в условиях микрогравитации.The present invention relates to technological equipment intended for growing crystals of gallium monoselenide under microgravity conditions.
Кристаллы GaSe широко используются в нелинейной оптике, а также могут применяться для создания детекторов ядерных частиц, фотоприемников, устройств поляризационной оптики. Выращивание кристаллов GaSe в условиях микрогравитации открывает широкие перспективы для дальнейшего повышения качества материала.GaSe crystals are widely used in nonlinear optics, and can also be used to create nuclear particle detectors, photodetectors, and polarization optics devices. The growth of GaSe crystals under microgravity conditions opens up wide prospects for further improving the quality of the material.
Наиболее близким к заявляемому по своей технической сущности устройству является ампула для выращивания кристаллов GaSb в условиях микрогравитации (Carlos R. Lopez, Jerey R. Mileham, Reza Abbaschian. Microgravity growth of GaSb single crystals by the liquid encapsulated melt zone (LEMZ) technique. Journal of Crystal Growth 200 (1999) 1-12.) - прототип. Ампула состоит из герметичного корпуса и тигля, выполненных из кварцевого стекла, в котором размещаются загрузка GaSb, инкапсулированная в оболочку из смеси солей NaCl и KCl. Осевые и радиальные положения кристалла фиксируются молибденовыми штифтами в графитовых вставках. Использование конструкции-прототипа в качестве ампулы для выращивания кристаллов GaSe невозможно из-за следующих недостатков: а) температура плавления оболочки существенно ниже температуры плавления GaSe, поэтому оболочка из смеси солей NaCl и KCl непригодна для использования в качестве материала тигля для выращивания монокристаллов селенида галлия; б) фиксация загрузки в графитовых вставках может привести к загрязнению расплава ионами железа, содержащимися в графите в качестве примеси; в) при достижении температуры расплава GaSe (1100°C) в процессе выращивания молибденовые штифты начнут химически взаимодействовать с графитовыми вставками, что приведет к разрушению конструкции; г) отсутствие демпфирующего элемента, замедляющего осевые перемещения кварцевого тигля при вибрациях ампулы в процессе полета, а также компенсирующего различие линейного расширения графита и кварцевого стекла с ростом температуры, может привести к разрушению ампулы.The closest device to the claimed technical essence is an ampoule for growing GaSb crystals under microgravity conditions (Carlos R. Lopez, Jerey R. Mileham, Reza Abbaschian. Microgravity growth of GaSb single crystals by the liquid encapsulated melt zone (LEMZ) technique. Journal of Crystal Growth 200 (1999) 1-12.) - prototype. The ampoule consists of a sealed enclosure and a crucible made of quartz glass, in which a GaSb load is placed, encapsulated in a shell of a mixture of NaCl and KCl salts. The axial and radial positions of the crystal are fixed by molybdenum pins in graphite inserts. Using the prototype design as an ampoule for growing GaSe crystals is impossible due to the following disadvantages: a) the melting temperature of the shell is significantly lower than the melting temperature of GaSe, therefore, the shell of a mixture of NaCl and KCl salts is unsuitable for use as a crucible material for growing gallium selenide single crystals; b) fixing the load in graphite inserts can lead to contamination of the melt with iron ions contained in graphite as an impurity; c) when the GaSe melt temperature (1100 ° C) is reached during the growing process, molybdenum pins will begin to chemically interact with graphite inserts, which will lead to structural failure; d) the absence of a damping element that slows down the axial movements of the quartz crucible during ampoule vibrations during the flight, as well as compensating for the difference in the linear expansion of graphite and quartz glass with increasing temperature, can lead to destruction of the ampoule.
Задачей предлагаемого устройства является создание ампулы для выращивания кристаллов GaSe в условиях микрогравитации.The objective of the proposed device is to create an ampoule for growing GaSe crystals in microgravity.
Заявляемая в качестве изобретения ампула для выращивания кристаллов GaSe в условиях микрогравитации лишена недостатков прототипа. Технический результат достигается тем, что ампула для выращивания кристаллов в условиях микрогравитации, содержащая герметичный корпус из кварцевого стекла и коаксиально размещенный в нем герметичный кварцевый тигель с загрузкой и графитовые вставки, при этом загрузка селенида галлия помещается непосредственно во внутренний объем кварцевого тигля, а графитовые вставки размещены снаружи по обе стороны тигля, между корпусом ампулы и одной из графитовых вставок установлен демпфирующий элемент из углеграфитового войлока.The inventive ampoule for growing GaSe crystals in microgravity is devoid of the disadvantages of the prototype. The technical result is achieved in that the ampoule for growing crystals under microgravity conditions contains a sealed case made of quartz glass and a hermetically sealed quartz crucible with loading and graphite inserts, while the load of gallium selenide is placed directly in the inner volume of the quartz crucible, and graphite inserts placed outside on both sides of the crucible; between the ampoule body and one of the graphite inserts, a damping element made of carbon-graphite felt is installed.
Конструкция ампулы представлена на фиг.1а и фиг.1б, где 1 - корпус ампулы, 2 - углеграфитовый войлок, 3 и 7 - графитовые вставки, 4 - кварцевый тигель, 5 - загрузка GaSe, 6 и 8 - герметизирующие кварцевые пробки.The ampoule design is shown in FIGS. 1a and 1b, where 1 is the ampoule body, 2 is carbon-graphite felt, 3 and 7 are graphite inserts, 4 is a quartz crucible, 5 is a GaSe charge, 6 and 8 are quartz sealing tubes.
Сборка ампулы, представленной на фиг.1а, осуществляется следующим образом: в корпусе ампулы 1 последовательно размещаются: демпфирующая шайба из углеграфитового войлока 2, графитовая вставка 3, кварцевый тигель 4 с загрузкой поликристаллического GaSe 5 и пустого пространства, оставленного с учетом коэффициента объемного расширения GaSe при плавлении; тигель 4 вакуумируется и герметично запаивается кварцевой пробкой 6; далее следуют: графитовая вставка 7; затем ампула вакуумируется и герметично запаивается кварцевой пробкой 8.The assembly of the ampoule shown in Fig. 1a is carried out as follows: in the casing of the
Сборка ампулы, представленной на фиг.1б, осуществляется следующим образом: в корпусе ампулы 1 последовательно размещаются: графитовая вставка 3, кварцевый тигель 4 с загрузкой поликристаллического GaSe 5 и пустого пространства, оставленного с учетом коэффициента объемного расширения GaSe при плавлении; тигель 4 вакуумируется и герметично запаивается кварцевой пробкой 6; далее следуют: графитовая вставка 7 и демпфирующая шайба из углеграфитового войлока 2; затем ампула вакуумируется и герметично запаивается кварцевой пробкой 8.The assembly of the ampoule shown in Fig. 1b is carried out as follows: in the
Два варианта последовательности сборки ампулы отличается между собой расположением демпфирующей шайбы из углеграфитового войлока 2: на фиг.1а она расположена перед графитовой вставкой 3, а на фиг.1б - размещается после графитовой вставки 7. Такое расположение демпфирующей шайбы из углеграфитового войлока не влияет на технический результат изобретения и дает возможность углеграфитовому войлоку замедлять осевые перемещения кварцевого тигля при вибрациях ампулы в процессе полета, а также компенсировать различие линейного расширения графита и кварцевого стекла с ростом температуры.Two variants of the ampoule assembly sequence differ in the arrangement of the damping washer from carbon-graphite felt 2: in Fig. 1a, it is located in front of the
Назначение элементов ампулы. Кварцевый тигель 4 задает геометрию кристалла и, как следствие, геометрию оптического элемента в поперечном сечении (для селенида галлия механическая обработка затруднена, т.к. кристаллы имеют ярко выраженную слоистую структуру и легко деформируются в определенных кристаллографических направлениях, поэтому получение оптических элементов достигается исключительно скалыванием по спайности). Количество селенида галлия, загружаемого в кварцевый тигель, рассчитывают с учетом объемного расширения материала при фазовом переходе, чтобы при плавлении расплав не разорвал кварцевый тигель изнутри. Графитовые вставки 3 и 7 служат для уменьшения радиального градиента температурного поля в растущем кристалле (осевой градиент задается нагревателем технологической установки). Кварцевая пробка 6 выполнена в форме стакана и служит для уменьшения теплового потока к загрузке селенида галлия при запайке кварцевого тигля. Форма пробки 8 выбрана исходя из конструктивных особенностей технологической установки.The appointment of the elements of the ampoule. The
Готовая к работе ампула размещается в технологической установке, отправляемой на околоземную орбиту. На борту космического аппарата включают нагреватель технологической установки, обеспечивающий расплавление исходного поликристаллического слитка. После этого начинается процесс кристаллизации путем перемещения с заданной скоростью фронта кристаллизации. После завершения процесса кристаллизации ампулу охлаждают и извлекают из технологической установки.A ready-to-use ampoule is placed in a processing unit sent to Earth orbit. On board the spacecraft include a heater of the technological installation, providing melting of the original polycrystalline ingot. After this, the crystallization process begins by moving with a given speed of the crystallization front. After completion of the crystallization process, the ampoule is cooled and removed from the processing unit.
Ампула для выращивания кристаллов успешно прошла динамические и ресурсные испытания, а также наземную отработку космических экспериментов в «НИИ стартовых комплексов имени В.П. Бармина».The ampoule for growing crystals has successfully passed dynamic and resource tests, as well as ground-based testing of space experiments at the V.P. Barmina. "
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2014105414/05A RU2547758C1 (en) | 2014-02-13 | 2014-02-13 | Ampoule for crystal growing under micro gravitation |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2014105414/05A RU2547758C1 (en) | 2014-02-13 | 2014-02-13 | Ampoule for crystal growing under micro gravitation |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2547758C1 true RU2547758C1 (en) | 2015-04-10 |
Family
ID=53296459
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2014105414/05A RU2547758C1 (en) | 2014-02-13 | 2014-02-13 | Ampoule for crystal growing under micro gravitation |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2547758C1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107344129A (en) * | 2017-08-31 | 2017-11-14 | 中国科学院金属研究所 | A kind of universal sample ampoules for space-orbit Experiment of Material Science |
RU2732334C1 (en) * | 2020-02-26 | 2020-09-15 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) | Axial unloaded compensator |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5023058A (en) * | 1990-01-30 | 1991-06-11 | Grumman Aerospace Corporation | Ampoule for crystal-growing furnace |
-
2014
- 2014-02-13 RU RU2014105414/05A patent/RU2547758C1/en active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5023058A (en) * | 1990-01-30 | 1991-06-11 | Grumman Aerospace Corporation | Ampoule for crystal-growing furnace |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
ПОД РЕД. Л.СТЕГА, Космическая технология, Москва, Издательство "Мир", 1980, стр.179-182. . * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107344129A (en) * | 2017-08-31 | 2017-11-14 | 中国科学院金属研究所 | A kind of universal sample ampoules for space-orbit Experiment of Material Science |
CN107344129B (en) * | 2017-08-31 | 2022-07-22 | 中国科学院金属研究所 | Universal sample ampoule for space on-orbit material scientific experiment |
RU2732334C1 (en) * | 2020-02-26 | 2020-09-15 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) | Axial unloaded compensator |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Eyer et al. | Floating zone growth of silicon under microgravity in a sounding rocket | |
Cröll et al. | Floating-zone and floating-solution-zone growth of GaSb under microgravity | |
RU2547758C1 (en) | Ampoule for crystal growing under micro gravitation | |
Dold et al. | Modification of fluid flow and heat transport in vertical Bridgman configurations by rotating magnetic fields | |
TWI644853B (en) | SEMIMETAL COMPOUND OF Pt AND METHOD FOR MAKING THE SAME | |
KR20130017908A (en) | Apparatus of ingot growing and method of the same | |
Balbaşı et al. | CdZnTe bulk crystal growth and temperature modeling studies at METU-CGL | |
Arivanandhan et al. | Bulk growth of InGaSb alloy semiconductor under terrestrial conditions: a preliminary study for microgravity experiments at ISS | |
Avetissov et al. | Modeling of axial vibrational control technique for CdTe VGF crystal growth under controlled cadmium partial pressure | |
Kim et al. | Numerical Analysis for Impurity Effects on Diffusive-convection Flow Fields by Physical Vapor Transport under Terrestrial and Microgravity Conditions: Applications to Mercurous Chloride | |
Bliss | Evolution and application of the Kyropoulos crystal growth method | |
Sorgenfrei et al. | Growth and Characterization of Doped Ge Crystals under µg and 1 G to Investigate the Influence of Different Convection Types | |
RU2555481C1 (en) | Unit for growth of sapphire monocrystals by kyropoulos method | |
Rupp et al. | Growth of GaAs single crystals by the floating zone technique under microgravity | |
Cröll et al. | Floating‐zone growth of GaAs under microgravity during the D2‐mission | |
US8956455B2 (en) | Seed crystal holder for growing single crystal from melt | |
WILCOX | Floating zone melting of electronic materials in space | |
Kozhemyakin | Crystal Growth of Bi x Sb1–x Solid Solutions with an Ultrasound Presence in Two Orthogonal Directions | |
Gray et al. | Interface and facet control during Czochralski growth of (111) InSb crystals for cost reduction and yield improvement of IR focal plane array substrates | |
Serebryakov et al. | Comparative studies of the features of the formation of impurity heterogeneity in GaSb: Te crystals in the case of directed crystallization under space and ground conditions | |
RU2732334C1 (en) | Axial unloaded compensator | |
Redden et al. | Development of THM crystal growth technology to produce commercial terrestrial semiconductors and to aid microgravity experimental design | |
Pastor et al. | Studies in crystal growth from the melt of KDP and ADP | |
Yin et al. | Melt Growth of Semiconductor Crystals Under Microgravity | |
Saghir et al. | Float-zone crystal growth of CdGeAs2 in microgravity: numerical simulation and experiment |