RU2537107C2 - Microwave amplifier - Google Patents
Microwave amplifier Download PDFInfo
- Publication number
- RU2537107C2 RU2537107C2 RU2013115804/08A RU2013115804A RU2537107C2 RU 2537107 C2 RU2537107 C2 RU 2537107C2 RU 2013115804/08 A RU2013115804/08 A RU 2013115804/08A RU 2013115804 A RU2013115804 A RU 2013115804A RU 2537107 C2 RU2537107 C2 RU 2537107C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- transmission line
- lines
- amplifier
- segment
- output
- Prior art date
Links
Images
Abstract
Description
Изобретение относится к электронной технике, а именно к усилителям СВЧ на полупроводниковых приборах, которые широко используются в электронной технике СВЧ, в частности радиоэлектронной бортовой аппаратуре.The invention relates to electronic equipment, in particular to microwave amplifiers on semiconductor devices, which are widely used in microwave electronic equipment, in particular electronic avionics.
Уровень коэффициента усиления в рабочей полосе частот, коэффициент стоячей волны напряжения (КСВН) на входе и выходе, неравномерность коэффициента усиления в рабочей полосе частот (разность между максимальным и минимальным его значениями) - одни из основных параметров усилителя СВЧ.The level of gain in the working frequency band, the coefficient of the standing voltage wave (VSWR) at the input and output, the unevenness of the gain in the working frequency band (the difference between the maximum and minimum values) are one of the main parameters of the microwave amplifier.
Известен многокаскадный сверхширокополосный усилитель сверхвысокой частоты (СВЧ), содержащий как минимум два аналогичных транзисторных усилительных каскада и межкаскадную согласующую цепь.Known multi-stage ultra-wideband ultra-high frequency (microwave) amplifier containing at least two similar transistor amplifier stages and an interstage matching circuit.
Усилитель СВЧ, с целью обеспечения абсолютной устойчивости усилителя и малой неравномерности коэффициента передачи в широком диапазоне частот, упрощения конструкции и уменьшения габаритных размеров, содержит четырехполюсник, содержащий первый резистор, первый вывод которого подключен к первому входу четырехполюсника, а второй вывод первого резистора подключен к точке соединения первых выводов второго и третьего резисторов, первого конденсатора и первой микрополосковой линии, второй вывод второго резистора подключен к корпусу, вторые выводы третьего резистора и первого конденсатора и первой микрополосковой линии соединены вместе и подключены к второму выходу четырехполюсника. Причем первый вход четырехполюсника является входом усилительного каскада и подключен к выводу базы транзистора, второй выход четырехполюсника подключен к выводу коллектора транзистора и является выходом усилительного каскада; межкаскадная согласующая цепь содержит второй отрезок микрополосковой линии, первый вывод которого является входом межкаскадной согласующей цепи, а второй вывод подключен к первому выводу второго конденсатора, а второй вывод второго конденсатора подключен к первому выводу третьего отрезка микрополосковой линии, второй вывод которого является выходом межкаскадной согласующей цепи. Причем второй и третий отрезки микрополосковых линий имеют равную длину и расположены параллельно друг другу, а второй конденсатор установлен в зазоре между вторым выводом второго отрезка микрополосковой линии и первым выводом третьего отрезка микрополосковой линии [1].The microwave amplifier, in order to ensure absolute stability of the amplifier and small unevenness of the transmission coefficient over a wide frequency range, simplify the design and reduce overall dimensions, contains a four-terminal device containing a first resistor, the first output of which is connected to the first input of the four-terminal device, and the second output of the first resistor is connected to a point connection of the first terminals of the second and third resistors, the first capacitor and the first microstrip line, the second terminal of the second resistor is connected to the housing, the second e findings of the third resistor and the first capacitor and the first microstrip line are connected together and connected to the second output of the quadripole. Moreover, the first input of the four-terminal is the input of the amplifier stage and is connected to the output of the base of the transistor, the second output of the four-terminal network is connected to the output of the collector of the transistor and is the output of the amplifier stage; the interstage matching circuit contains a second segment of the microstrip line, the first terminal of which is the input of the interstage matching circuit, and the second terminal is connected to the first terminal of the second capacitor, and the second terminal of the second capacitor is connected to the first terminal of the third segment of the microstrip, the second terminal of which is the output of the interstage matching circuit . Moreover, the second and third segments of microstrip lines are of equal length and are parallel to each other, and the second capacitor is installed in the gap between the second terminal of the second segment of the microstrip line and the first terminal of the third segment of the microstrip line [1].
Усилитель выполнен на биполярном транзисторе на основе полупроводникового материала кремния, который обладает низкой подвижностью электронов, а потому и большими величинами входного и выходного сопротивлений транзистора, что не позволяет существенно снизить величины КСВН на входе и выходе усилителя.The amplifier is made on a bipolar transistor based on a semiconductor material of silicon, which has low electron mobility, and therefore large input and output resistances of the transistor, which does not significantly reduce the VSWR values at the input and output of the amplifier.
Известен усилитель СВЧ, содержащий усилительную цепь из полевого транзистора, исток которого соединен с параллельно соединенными первым резистором и конденсатором, а сток соединен с вторым резистором, при этом свободный вывод параллельно соединенных первого резистора и конденсатора соединен с общим выводом источника питания, другой вывод которого соединен со свободным выводом второго резистора, а затвор полевого транзистора через конденсатор соединен с выводом для подключения входного сигнала.A known microwave amplifier containing an amplifying circuit of a field effect transistor, the source of which is connected to the first resistor and capacitor connected in parallel, and the drain is connected to the second resistor, while the free output of the first resistor and capacitor connected in parallel is connected to the common output of the power source, the other output of which is connected with the free output of the second resistor, and the gate of the field-effect transistor through a capacitor is connected to the output for connecting the input signal.
В данный усилитель СВЧ, с целью увеличения коэффициента усиления, введена вторая усилительная цепь, аналогичная первой и подключенная аналогичным путем к выводам общего источника питания, причем затворы полевых транзисторов у первой и второй усилительных цепей соединены, один вывод для подключения входного сигнала подключен к затворам транзисторов через конденсатор, общий для обеих усилительных цепей, а второй соединен с общим выводом источника питания, выход усилителя выполнен между стоками транзисторов.In this microwave amplifier, in order to increase the gain, a second amplifier circuit is introduced, similar to the first and connected in a similar way to the terminals of the common power source, and the field-effect transistor gates of the first and second amplifier circuits are connected, one terminal for connecting the input signal is connected to the transistor gates through a capacitor common to both amplification circuits, and the second connected to a common output of the power source, the output of the amplifier is made between the drains of the transistors.
В качестве полевых транзисторов использованы транзисторы с затворами в виде p-n переходов или барьеров Шотки с различными напряжениями отсечки каналов, или два транзистора типа металл-окисел-полупроводник с различными пороговыми напряжениями [2].As field-effect transistors, transistors with gates in the form of p-n junctions or Schottky barriers with different channel cut-off voltages, or two metal-oxide-semiconductor transistors with different threshold voltages [2], are used.
Данный усилитель СВЧ, по сравнению с предыдущим в результате того, что он выполнен на полевом транзисторе с барьером Шотки на полупроводниковом материале арсенида галлия, который имеет более высокую подвижность электронов по сравнению с полупроводниковым материалом кремнием, позволил снизить величины КСВН на входе и выходе усилителя.This microwave amplifier, compared with the previous one, as a result of the fact that it was made on a field effect transistor with a Schottky barrier on a gallium arsenide semiconductor material, which has a higher electron mobility compared to silicon semiconductor material, allowed to reduce the VSWR values at the input and output of the amplifier.
Однако наличие в усилителе сопротивлений приводит к снижению коэффициента усиления в рабочей полосе частот.However, the presence of resistance in the amplifier leads to a decrease in the gain in the working frequency band.
Известен усилитель СВЧ, содержащий две одинаковые линии передачи, одна - на входе, другая - на выходе, полевой транзистор с барьером Шотки, соединенный по схеме с общим истоком, источники постоянного напряжения питания, соединенные со стоком и истоком полевого транзистора с барьером Шотки каждый через индуктивность и блокировочный конденсатор [3 - прототип].A known microwave amplifier containing two identical transmission lines, one at the input, the other at the output, a field effect transistor with a Schottky barrier, connected according to the circuit with a common source, DC voltage sources connected to the drain and source of a field effect transistor with a Schottky barrier each inductance and blocking capacitor [3 - prototype].
В данном усилителе СВЧ по сравнению с предыдущим отсутствуют сопротивления, что обеспечивает увеличение коэффициента усиления.In this microwave amplifier compared to the previous one, there are no resistances, which provides an increase in the gain.
Однако наличие внутренних емкостей полевого транзистора с барьером Шотки приводит к существенному повышению коэффициентов стоячей волны напряжения на входе и выходе и неравномерности коэффициента усиления в рабочей полосе частот.However, the presence of internal capacitances of a field-effect transistor with a Schottky barrier leads to a significant increase in the coefficients of a standing voltage wave at the input and output and the unevenness of the gain in the working frequency band.
Техническим результатом заявленного изобретения является снижение коэффициентов стоячей волны напряжения на входе и выходе, снижение неравномерности коэффициента усиления в рабочей полосе частот и увеличение коэффициента усиления при сохранении ширины рабочей полосы частот.The technical result of the claimed invention is to reduce the coefficients of a standing wave of voltage at the input and output, reduce the unevenness of the gain in the working frequency band and increase the gain while maintaining the width of the working frequency band.
Указанный технический результат достигается заявленным усилителем СВЧ, содержащим две линии передачи с одинаковыми волновыми сопротивлениями, одна предназначена для входа сигнала СВЧ, другая - для выхода, полевой транзистор с барьером Шотки, на затвор которого подают сигнал СВЧ, на сток и затвор - постоянное напряжение питания от соответствующих источников при этом через соответствующие индуктивность и блокировочный конденсатор.The specified technical result is achieved by the claimed microwave amplifier, containing two transmission lines with the same wave impedances, one for the input of the microwave signal, the other for the output, a field effect transistor with a Schottky barrier, to the gate of which a microwave signal is supplied, to the drain and the gate - constant voltage from appropriate sources, through the corresponding inductance and blocking capacitor.
В усилитель СВЧ дополнительно введены два элемента линии передачи каждый из двух отрезков связанных линий, два отрезка линии передачи и конденсатор,Two elements of the transmission line are additionally introduced into the microwave amplifier, each of two segments of connected lines, two segments of the transmission line and a capacitor,
при этом каждый отрезок связанных линий и каждый отрезок линии передачи имеет ширину, равную ширине линии передачи на входе либо на выходе усилителя, а расстояние между двумя отрезками связанных линий передачи, равно четверти ширины,each segment of connected lines and each segment of a transmission line has a width equal to the width of the transmission line at the input or output of the amplifier, and the distance between two segments of connected transmission lines is a quarter of the width,
первый конец первого отрезка связанных линий первого элемента линии передачи соединен с одним концом конденсатора, другой конец конденсатора соединен со стоком полевого транзистора с барьером Шотки,the first end of the first segment of the connected lines of the first element of the transmission line is connected to one end of the capacitor, the other end of the capacitor is connected to the drain of the field effect transistor with a Schottky barrier,
второй конец второго отрезка связанных линий первого элемента линии передачи соединен с одним концом первого отрезка линии передачи,the second end of the second segment of the connected lines of the first element of the transmission line is connected to one end of the first segment of the transmission line,
первый конец первого отрезка связанных линий второго элемента линии передачи соединен с истоком полевого транзистора с барьером Шотки,the first end of the first segment of the connected lines of the second element of the transmission line is connected to the source of the field-effect transistor with a Schottky barrier,
второй конец второго отрезка связанных линий второго элемента линии передачи соединен с одним концом второго отрезка линии передачи,the second end of the second segment of the connected lines of the second element of the transmission line is connected to one end of the second segment of the transmission line,
другие концы первого и второго отрезков линии передачи соединены между собой и с линией передачи на выходе усилителя,the other ends of the first and second segments of the transmission line are connected to each other and to the transmission line at the output of the amplifier,
при этом второй конец первых отрезков связанных линий и первый конец вторых отрезков связанных линий соответственно первого и второго элементов линии передачи заземлены.the second end of the first segments of the connected lines and the first end of the second segments of the connected lines, respectively, of the first and second elements of the transmission line are grounded.
Раскрытие сущности изобретенияDisclosure of the invention
Совокупность существенных признаков заявленного усилителя СВЧ, а именно:The set of essential features of the claimed microwave amplifier, namely:
- введение в усилитель СВЧ дополнительно двух элементов линии передачи из двух отрезков связанных линий, двух отрезков линии передачи и конденсатора,- the introduction into the microwave amplifier of an additional two transmission line elements from two segments of connected lines, two segments of the transmission line and a capacitor,
- предложенное их выполнение с указанными размерами,- their proposed implementation with the indicated dimensions,
- предложенная связь каждого из них с линиями передачи на входе и выходе,- the proposed connection of each of them with transmission lines at the input and output,
- а также предложенное соединение всех элементов усилителя СВЧ позволит.- as well as the proposed connection of all elements of the microwave amplifier will allow.
Во-первых, разделить входной сигнал СВЧ с помощью полевого транзистора с барьером Шотки на два канала - стоковый и истоковый, что, вследствие параллельного соединения этих каналов, приводит к снижению величин входного и выходного сопротивлений полевого транзистора с барьером Шотки и, как следствие - снижение величины КСВН на входе и выходе усилителя и увеличение коэффициент усиления.Firstly, to divide the microwave input signal using a field-effect transistor with a Schottky barrier into two channels - the source and source ones, which, due to the parallel connection of these channels, leads to a decrease in the input and output resistances of the field-effect transistor with a Schottky barrier and, as a consequence, a decrease the value of the VSWR at the input and output of the amplifier and an increase in the gain.
Во-вторых, ослабить внешнюю связь по СВЧ между стоком и истоком полевого транзистора с барьером Шотки, и тем самым обеспечить развязку по СВЧ стока и истока на его выходе, уменьшить влияние их друг на друга, в том числе и влияния резонансного характера, и, как следствие - снижение неравномерности коэффициента усиления в рабочей полосе частот.Secondly, to weaken the external microwave connection between the drain and the source of the field effect transistor with the Schottky barrier, and thereby ensure isolation of the microwave drain and the source at its output, to reduce their influence on each other, including the influence of a resonant nature, and, as a result, a decrease in the unevenness of the gain in the working frequency band.
В-третьих, обеспечить возможность преобразования внутренних активных сопротивлений и емкостей полевого транзистора с барьером Шотки к его электродам через дополнительные элементы линии передачи из отрезков связанных линий, которые являясь многофункциональными элементами, трансформируют величину активных сопротивлений и емкостей полевого транзистора с барьером Шотки в оптимальные величины сопротивлений на выходе полевого транзистора с барьером Шотки и, как следствие - снижение величин КСВН на входе и выходе и увеличение коэффициента усиления.Thirdly, to provide the possibility of converting the internal active resistances and capacitances of a field-effect transistor with a Schottky barrier to its electrodes through additional transmission line elements from segments of connected lines, which are multifunctional elements, transform the magnitude of the active resistances and capacitances of a field-effect transistor with a Schottky barrier to optimal values of resistances at the output of a field-effect transistor with a Schottky barrier and, as a consequence, a decrease in the VSWR values at the input and output and an increase in the coefficient and the gain.
В-четвертых, предложенное соединение истока и стока полевого транзистора с барьером Шотки, развязка по постоянному току стока и заземление истока через первый отрезок связанных линий второго элемента линии передачи обеспечивает эффективное питание стока и истока от источников постоянного напряжения, и тем самым обеспечивает работу полевого транзистора в оптимальном режиме и, как следствие - увеличение коэффициента усиления.Fourth, the proposed connection of the source and drain of the field-effect transistor to the Schottky barrier, isolation of the direct current of the drain and grounding of the source through the first segment of the connected lines of the second element of the transmission line provides efficient power supply to the drain and source from constant voltage sources, and thereby ensures the operation of the field-effect transistor in the optimal mode and, as a consequence, an increase in the gain.
В-пятых, введение в каналы стока и истока дополнительных отрезков линии передачи обеспечит суммирование сигналов СВЧ, прошедших по этим каналам, в линии передачи на выходе, при котором фазы сигналов взаимно компенсируются, и, как следствие - снижение величины неравномерности коэффициента усиления в рабочей полосе частот.Fifth, the introduction of additional segments of the transmission line into the drain and source channels will ensure the summation of the microwave signals transmitted through these channels in the output line, at which the signal phases mutually cancel out, and, as a result, a decrease in the gain non-uniformity in the working band frequencies.
Более того, заявленные элементы и их соединение не влияют на крутизну полевого транзистора с барьером Шотки, которая определяется его вольтамперными характеристиками, и что, по крайней мере, может повысить коэффициента усиления.Moreover, the claimed elements and their connection do not affect the slope of the field-effect transistor with a Schottky barrier, which is determined by its current-voltage characteristics, and that, at least, can increase the gain.
Итак, заявленная совокупность существенных признаков реализует указанный технический результат, а именно снижение коэффициентов стоячей волны напряжения на входе и выходе, снижение неравномерности коэффициента усиления в рабочей полосе частот и увеличение коэффициента усиления при сохранении ширины рабочей полосы частот.So, the claimed set of essential features implements the specified technical result, namely, a reduction in the coefficients of a standing wave of voltage at the input and output, a decrease in the unevenness of the gain in the working frequency band and an increase in the gain while maintaining the width of the working frequency band.
Изобретение поясняется чертежами.The invention is illustrated by drawings.
На фиг.1. дана топология заявленного усилителя СВЧ, гдеIn figure 1. given the topology of the claimed microwave amplifier, where
- две линии передачи с одинаковыми волновыми сопротивлениями, одна предназначена для входа сигнала СВЧ - 1, другая - для выхода - 2,- two transmission lines with the same wave impedances, one for inputting a microwave signal - 1, the other for output - 2,
- полевой транзистор с барьером Шотки - 3,- field effect transistor with a Schottky barrier - 3,
- две индуктивности - 4 и 5 соответственно,- two inductances - 4 and 5, respectively,
- два блокировочных конденсатора - 6 и 7 соответственно,- two blocking capacitors - 6 and 7, respectively,
- первый и второй элементы линий передачи каждый из двух отрезков связанных линий 8, 9 и 10, 11 соответственно,- the first and second elements of the transmission lines each of two segments of the connected
- первый и второй отрезки линии передачи - 12 и 13 соответственно,- the first and second segments of the transmission line - 12 and 13, respectively,
- конденсатор - 14,- capacitor - 14,
- источники постоянного напряжения - 15 и 16 соответственно.- DC voltage sources - 15 and 16, respectively.
На фиг.2 дана электрическая схема заявленного усилителя СВЧ.Figure 2 shows the electrical circuit of the claimed microwave amplifier.
На фиг.3 дана зависимость коэффициента усиления от частоты в рабочей полосе частот.Figure 3 shows the dependence of the gain on the frequency in the working frequency band.
На фиг.4 даны зависимости КСВН от частоты на входе и выходе усилителя в рабочей полосе частот.Figure 4 shows the dependence of the VSWR on the frequency at the input and output of the amplifier in the working frequency band.
Пример конкретного выполнения заявленного усилителя СВЧ.An example of a specific implementation of the claimed microwave amplifier.
Усилитель СВЧ выполнен в монолитно интегральном исполнении на полупроводниковой подложке из арсенида галлия толщиной, равной 0,1 мм, с использованием классической тонкопленочной технологии.The microwave amplifier is made in integral integral design on a semiconductor substrate of gallium arsenide with a thickness of 0.1 mm, using classical thin-film technology.
Две линии передачи, предназначенные для входа 1 и для выхода 2 сигнала СВЧ выполнены с одинаковыми волновыми сопротивлениями, равными 50 Ом, что соответствует ширине проводников 0,08 мм.Two transmission lines designed for
Две индуктивности 4 и 5 выполнены в виде меандров шириной 0,02 мм и длиной 1,5 мм и 0,6 мм соответственно.Two
Два блокирующих конденсатора 6 и 7 выполнены на основе окиси кремния величиной, равной 10 пФ каждый.Two
Полевой транзистор с барьером Шотки 3 выполнен с длиной затвора, равной 0,4 мкм, шириной затвора, равной 300 мкм, одинаковыми длинами стока и истока, равными 20 мкм, имеет напряжение отсечки Uотс., равное -2,0 В.A field effect transistor with a
Два элемента линии передачи каждый из отрезков связанных линий 8, 9 и 10, 11 соответственно выполнены с шириной линий, равной 0,08 мм, расстоянием между двумя связанными линиями, равным 0,02 мм, и длинами 2,5 мм и 0,4 мм соответственно для первого и второго элемента.Two elements of the transmission line, each of the segments of the connected
Каждый из двух отрезков линий 12, 13 выполнен с шириной линий, равной 0,08 мм, и длинами 1,7 мм и 1,5 мм соответственно.Each of the two
При этомWherein
первый конец первого отрезка связанных линий 8 первого элемента линии передачи соединен с одним концом конденсатора 14, другой конец конденсатора соединен со стоком полевого транзистора с барьером Шотки 3,the first end of the first segment of connected
второй конец второго отрезка связанных линий 9 первого элемента линии передачи соединен с одним концом первого отрезка линии передачи 12,the second end of the second segment of the connected
первый конец первого отрезка связанных линий 10 второго элемента линии передачи соединен с истоком полевого транзистора с барьером Шотки 3,the first end of the first segment of the connected
второй конец второго отрезка связанных линий 11 второго элемента линии передачи соединен с одним концом второго отрезка линии передачи 13,the second end of the second segment of the
другие концы первого и второго отрезков линии передачи 12, 13 соединены между собой и с линией передачи на выходе усилителя 2,the other ends of the first and second segments of the
при этом второй конец первых отрезков связанных линий 8, 10 и первый конец вторых отрезков связанных линий 9, 11 соответственно первого и второго элементов линии передачи заземлены.the second end of the first segments of the
Заявленный усилитель СВЧ работает следующим образом.The claimed microwave amplifier operates as follows.
При подаче на затвор полевого транзистора с барьером Шотки 3 от источника постоянного напряжения 15 напряжения -0,1 В и переменного напряжения с частотой 8 ГГц с амплитудой 1 В (сигнала СВЧ), а на его сток напряжения 7 В от источника постоянного напряжения 16, через полевой транзистор с барьером Шотки 3 будет протекать постоянный и переменный токи.When applying to the gate of a field-effect transistor with a
Вследствие нелинейной вольтамперной характеристики полевого транзистора с барьером Шотки энергия постоянного напряжения будет преобразовываться в энергию переменного напряжения и добавляться к напряжению на входе усилителя СВЧ. В результате на выходе усилителя СВЧ переменное напряжение будет больше, чем напряжение на его входе, то есть произойдет усиление напряжения, и, следовательно, и усиление мощности СВЧ, поскольку мощность пропорциональна квадрату напряжения.Due to the non-linear current-voltage characteristic of a field-effect transistor with a Schottky barrier, DC voltage energy will be converted to AC voltage energy and added to the voltage at the input of the microwave amplifier. As a result, at the output of the microwave amplifier, the alternating voltage will be greater than the voltage at its input, that is, the voltage will amplify, and, consequently, the microwave power will be amplified, since the power is proportional to the square of the voltage.
Если изменять частоту входного сигнала СВЧ в пределах рабочей полосы частот, то процессы в усилителе СВЧ будут протекать подобно описанным выше и на этих частотах.If you change the frequency of the input microwave signal within the working frequency band, then the processes in the microwave amplifier will proceed similarly to those described above and at these frequencies.
На изготовленных образцах заявленного усилителя СВЧ были измерены зависимость величины коэффициента усиления и зависимости КСВН от частоты на входе и выходе усилителя в рабочей полосе частот в пределах от 8 ГГц до 12 ГГц.On the manufactured samples of the claimed microwave amplifier, the dependence of the gain and the VSWR dependence on the frequency at the input and output of the amplifier in the working frequency band in the range from 8 GHz to 12 GHz was measured.
Результаты представлены на фиг.3 и фиг.4.The results are presented in figure 3 and figure 4.
Из представленной зависимости от частоты коэффициента усиления в указанной рабочей полосе частот видно, чтоFrom the presented dependence on the frequency of the gain in the specified operating frequency band, it can be seen that
- уровень коэффициента усиления равен примерно 10 дБ,- the gain level is approximately 10 dB,
- неравномерность коэффициента усиления в полосе частот равна 0,5 дБ,- the unevenness of the gain in the frequency band is 0.5 dB,
- коэффициент стоячей волны напряжения на входе меньше 1,3, на выходе меньше 1,5.- the coefficient of a standing wave of voltage at the input is less than 1.3, at the output less than 1.5.
Таким образом, заявленный усилитель СВЧ позволит по сравнению с прототипом:Thus, the claimed microwave amplifier will allow, in comparison with the prototype:
- увеличить уровень коэффициента усиления в 1,2 раза,- increase the gain level by 1.2 times,
- уменьшить коэффициент стоячей волны напряжения в 1,3 раза,- reduce the coefficient of the standing voltage wave by 1.3 times,
- уменьшить неравномерность коэффициента усиления в 3 раза.- reduce the unevenness of the gain by 3 times.
Указанные преимущества усилителя СВЧ особенно актуальны при создании миниатюрных как отдельных изделий СВЧ, так и радиоэлектронных устройств СВЧ различного назначения и, особенно, в монолитном интегральном исполнении.The indicated advantages of a microwave amplifier are especially relevant when creating miniature both individual microwave products and microwave electronic devices for various purposes and, especially, in a monolithic integrated design.
Источники информацииInformation sources
1. Патент РФ №2296416, МПК H03F 3/19, 3/60, приоритет 2005.07.29, опубл. 2007.03.27.1. RF patent No. 2296416,
2. Патент РФ №2069448, МПК H03F 3/45, приоритет 1994.06.29, опубл. 1996.11.20.2. RF patent No. 2069448,
3. Научно-технический сборник. Электронная техника, серия 1, СВЧ-техника, выпуск 2 (486) 2005 г., с.52-53 - прототип.3. Scientific and technical collection. Electronic Technology,
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013115804/08A RU2537107C2 (en) | 2013-04-08 | 2013-04-08 | Microwave amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013115804/08A RU2537107C2 (en) | 2013-04-08 | 2013-04-08 | Microwave amplifier |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2013115804A RU2013115804A (en) | 2014-10-20 |
| RU2537107C2 true RU2537107C2 (en) | 2014-12-27 |
Family
ID=53287692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013115804/08A RU2537107C2 (en) | 2013-04-08 | 2013-04-08 | Microwave amplifier |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2537107C2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU167770U1 (en) * | 2016-05-24 | 2017-01-10 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина") | Microwave balanced amplifier |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2033686C1 (en) * | 1990-11-21 | 1995-04-20 | Сергей Георгиевич Тихомиров | Broad-band power amplifier |
| RU2069448C1 (en) * | 1994-06-29 | 1996-11-20 | Валерий Моисеевич Иоффе | Amplifier |
| US6163221A (en) * | 1998-04-24 | 2000-12-19 | Nec Corporation | High-frequency amplification device |
| EP1244210A2 (en) * | 2001-03-19 | 2002-09-25 | Alps Electric Co., Ltd. | Electronic circuit unit |
| RU2296416C1 (en) * | 2005-07-29 | 2007-03-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный московский завод "Салют" | Multistage super-broadband amplifier |
-
2013
- 2013-04-08 RU RU2013115804/08A patent/RU2537107C2/en active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2033686C1 (en) * | 1990-11-21 | 1995-04-20 | Сергей Георгиевич Тихомиров | Broad-band power amplifier |
| RU2069448C1 (en) * | 1994-06-29 | 1996-11-20 | Валерий Моисеевич Иоффе | Amplifier |
| US6163221A (en) * | 1998-04-24 | 2000-12-19 | Nec Corporation | High-frequency amplification device |
| EP1244210A2 (en) * | 2001-03-19 | 2002-09-25 | Alps Electric Co., Ltd. | Electronic circuit unit |
| RU2296416C1 (en) * | 2005-07-29 | 2007-03-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный московский завод "Салют" | Multistage super-broadband amplifier |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Электронная техника, серия 1, СВЧ-техника, вып.2 (486), 2005, с.52-53. * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU167770U1 (en) * | 2016-05-24 | 2017-01-10 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина") | Microwave balanced amplifier |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2013115804A (en) | 2014-10-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4206589B2 (en) | Distributed amplifier | |
| KR101697398B1 (en) | An input match network for a power circuit | |
| Kumar et al. | Distributed power amplifiers for RF and microwave communications | |
| US9685915B2 (en) | Amplification stage and wideband power amplifier | |
| CN104158497B (en) | Low noise amplifier | |
| Moloudi et al. | Broadband class-E power amplifier design using tunable output matching network | |
| CN104158503A (en) | X-waveband power amplifier based on GaN | |
| JP2643662B2 (en) | High power field effect transistor amplifier | |
| US9190269B2 (en) | Silicon-on-insulator high power amplifiers | |
| RU2394363C1 (en) | Microwave amplifier | |
| RU2537107C2 (en) | Microwave amplifier | |
| Kizilbey | Design of class-E GaN HEMT power amplifier using elliptic low pass matching network with 86% efficiency | |
| JP6837602B2 (en) | Distributed amplifier | |
| US9356564B1 (en) | Broadband linear amplifier architecture by combining two distributed amplifiers | |
| Choi et al. | High efficiency class-E tuned Doherty amplifier using GaN HEMT | |
| Fallahnejad et al. | Design and simulation of low noise amplifier at 10 GHz by using GaAs High Electron Mobility transistor | |
| Bassal et al. | GaN low noise amplifier design for WiMax applications | |
| RU2392734C1 (en) | Ultra-wideband microwave amplifier | |
| US9641156B1 (en) | Active circulator with cascode transistor | |
| Abounemra et al. | A high gain and high linear 0.25 μm GaN HEMT based monolithic integrated C-band low noise amplifier | |
| Kizilbey et al. | A new approach for the design of class-E GaN power amplifier with high efficiency | |
| Gecan et al. | Investigation of the practical output load impedance sensitivity of a 10 W GaN device subject to gate bias variation | |
| Sayginer et al. | 1–8 GHz high efficiency single-stage travelling wave power amplifier | |
| Kuroda et al. | High-efficiency GaN-HEMT class-F amplifier operating at 5.7 GHz | |
| US10056870B1 (en) | Balanced distributed power amplifier for monolithic microwave integrated circuit |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PC43 | Official registration of the transfer of the exclusive right without contract for inventions |
Effective date: 20160331 |