RU2533010C2 - Method of producing planar condenser of extended capacity - Google Patents
Method of producing planar condenser of extended capacity Download PDFInfo
- Publication number
- RU2533010C2 RU2533010C2 RU2012125214/07A RU2012125214A RU2533010C2 RU 2533010 C2 RU2533010 C2 RU 2533010C2 RU 2012125214/07 A RU2012125214/07 A RU 2012125214/07A RU 2012125214 A RU2012125214 A RU 2012125214A RU 2533010 C2 RU2533010 C2 RU 2533010C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- conductive
- developed surface
- conductive layer
- Prior art date
Links
Images
Abstract
Description
Областями применения изобретения являются микро- и наноэлеткроника, где используются кратковременные и комбинированные источники тока. В частности, изобретение может быть использовано в качестве накопителя энергии, например в качестве источников бесперебойного питания, компонентов силовых импульсных устройств, пассивных компонентов полупроводниковых интегральных схем и в других приборах, где существует необходимость быстродействующего источника энергии.The fields of application of the invention are micro- and nanoelectronic, where short-term and combined current sources are used. In particular, the invention can be used as an energy storage device, for example, as uninterruptible power supplies, components of pulse power devices, passive components of semiconductor integrated circuits, and in other devices where there is a need for a fast-acting energy source.
Планарный конденсатор повышенной емкости, в отличие от обычного плоского электрического конденсатора, обладает очень высоким значением электрической емкости при малых размерах. Большая емкость достигается за счет повышения эффективной площади обкладок и уменьшения эффективного расстояния между ними до нескольких нанометров. В большинстве представленных на рынке конденсаторов повышенной емкости обкладки выполнены из материалов, обладающих высокой удельной площадью.An increased capacity planar capacitor, unlike a conventional planar electric capacitor, has a very high electric capacitance at small sizes. Large capacity is achieved by increasing the effective area of the plates and reducing the effective distance between them to a few nanometers. In most capacitors of increased capacity on the market, the plates are made of materials with a high specific area.
Ионистор или конденсатор повышенной емкости с двойным электрическим слоем - это электрохимический конденсатор, энергия в котором хранится электростатически с помощью обратного поглощения ионов электролита активным материалом, являющимся электрохимически стабильным и имеющим большую площадь удельной поверхности, доступной для химических реакций [1]. В настоящее время емкость ионисторов достигает порядка 900-3000 Ф. Однако на сегодняшний день такие суперконденсаторы имеют низкие пробивные напряжения.An ionistor or a capacitor of increased capacity with a double electric layer is an electrochemical capacitor, the energy in which is stored electrostatically using the reverse absorption of electrolyte ions by an active material that is electrochemically stable and has a large specific surface area available for chemical reactions [1]. Currently, the capacitance of ionistors reaches about 900-3000 F. However, today such supercapacitors have low breakdown voltages.
Один из путей решения этой проблемы - это использование в основе материала электродов углеродные наноструктуры, которые имеют развитую поверхность, и разработка электролита с высокой диэлектрической проницаемостью [2].One way to solve this problem is to use carbon nanostructures, which have a developed surface, as the basis of the electrode material, and the development of an electrolyte with high dielectric constant [2].
Наиболее близким техническим решением к предлагаемому изобретению является способ изготовления конденсатора повышенной емкости, включающий формирование первого электрода путем осаждения слоя профилированного материла, который имеет высокую удельную поверхность, окисление поверхности профилированного материала, в результате чего возникает тонкий диэлектрический слой естественного оксида, и осаждение проводящего материала второго электрода конденсатора так, что он заполняет неровности профилированного материала, покрытого диэлектрическим слоем своего оксида [3].The closest technical solution to the present invention is a method of manufacturing a capacitor of increased capacity, comprising forming the first electrode by depositing a layer of profiled material that has a high specific surface, oxidizing the surface of the profiled material, resulting in a thin dielectric layer of natural oxide, and deposition of a conductive material of the second the capacitor electrode so that it fills the irregularities of the profiled material coated with dielectric ctric layer of its oxide [3].
Недостатками способа является то, что в качестве материала диэлектрического слоя может выступать только естественный оксид профилированного материала, который может обладать относительно невысокой диэлектрической проницаемостью, и пробивное напряжение конденсатора, получаемого с помощью данного способа, является низким из-за высокой напряженности электрического поля на вершинах неровностей профилированного материала электродов с развитой удельной поверхностью по сравнению с плоским электродом.The disadvantages of the method is that the material of the dielectric layer can be only natural oxide of the profiled material, which may have a relatively low dielectric constant, and the breakdown voltage of the capacitor obtained using this method is low due to the high electric field strength at the tops of irregularities profiled material of electrodes with a developed specific surface in comparison with a flat electrode.
Задача настоящего изобретения - увеличение пробивного напряжения, увеличение емкости, а следовательно и удельной мощности планарного конденсатора повышенной емкости.The objective of the present invention is to increase the breakdown voltage, increase the capacitance, and therefore the specific power of a planar capacitor of increased capacity.
Для достижения поставленной задачи в способе изготовления планарного конденсатора повышенной емкости, включающем создание первого электрода путем формирования проводящего слоя с развитой поверхностью на проводящей электродной основе, формирование однородного по толщине тонкого диэлектрического слоя, повторяющего рельеф поверхности проводящего слоя с развитой поверхностью, и создание второго электрода путем заполнения пустот проводящим материалом между неровностями первого электрода, покрытого диэлектрическим слоем, формирование проводящего слоя с развитой поверхностью формируется из материала, имеющего анизотропию проводимости электрического тока такую, что в горизонтальном направлении электрическая проводимость выше электрической проводимости в вертикальном направлении.To achieve the task in a method for manufacturing a planar capacitor of increased capacitance, which includes creating a first electrode by forming a conductive layer with a developed surface on a conductive electrode base, forming a thin dielectric layer uniform in thickness, repeating the surface relief of a conductive layer with a developed surface, and creating a second electrode by filling voids with conductive material between the irregularities of the first electrode coated with a dielectric layer is formed th conductive layer with a developed surface is formed of a material having an electric current conductivity anisotropy such that the horizontal electric conductivity higher electrical conductivity in the vertical direction.
Проводящий слой с развитой поверхностью представляет собой углеродную наноструктуру в виде столбиков, который формируется плазмостимулированным химическим осаждением из газовой фазы. Проводящий слой с развитой поверхностью содержит металлические или интерметаллические нанокластеры, с целью понижения удельного сопротивления проводящего материала. Однородный по толщине тонкий диэлектрический слой формируется атомно-слоевым осаждением. Материал диэлектрического слоя выбирается из группы Al2O3, ZrO2, HfO2, TiO2, цирконат-титанат свинца. Второй электрод, состоящий из проводящего материала, формируется электрохимическим осаждением. Перед электрохимическим осаждением проводящего материала второго электрода производится формирование адгезионно-смачивающего слоя поверх тонкого диэлектрического слоя. Материал адгезионного-смачивающего слоя содержит элемент из группы Ti, Zr, Hf, Та, W, Cr, V.The conductive layer with a developed surface is a carbon nanostructure in the form of columns, which is formed by plasma-stimulated chemical vapor deposition. A conductive layer with a developed surface contains metal or intermetallic nanoclusters, in order to reduce the resistivity of the conductive material. A thin dielectric layer of uniform thickness is formed by atomic layer deposition. The material of the dielectric layer is selected from the group Al 2 O 3 , ZrO 2 , HfO 2 , TiO 2 , lead zirconate-titanate. The second electrode, consisting of a conductive material, is formed by electrochemical deposition. Before electrochemical deposition of the conductive material of the second electrode, an adhesive-wetting layer is formed over a thin dielectric layer. The material of the adhesive-wetting layer contains an element from the group Ti, Zr, Hf, Ta, W, Cr, V.
Таким образом, отличительными признаками изобретения является то, что проводящий слой первого электрода с развитой поверхностью формируется из материала, имеющего анизотропию проводимости электрического тока такую, что в горизонтальном направлении электрическая проводимость выше электрической проводимости в вертикальном направлении.Thus, the distinguishing features of the invention is that the conductive layer of the first electrode with a developed surface is formed from a material having an anisotropy of electrical current conductivity such that in the horizontal direction, electrical conductivity is higher than electrical conductivity in the vertical direction.
Совокупность отличительных признаков позволяет достичь поставленную задачу и устранить недостатки прототипа, обеспечивая увеличение пробивного напряжения и удельной мощности конденсатора повышенной емкости.The combination of distinctive features allows us to achieve the task and eliminate the disadvantages of the prototype, providing an increase in breakdown voltage and specific power of a capacitor of increased capacity.
Известно, что электрическая проводимость монокристаллов графита анизотропна, в направлении, параллельном базисной плоскости, близка к металлической, в перпендикулярном - в сотни раз меньше. В этой связи целесообразно в качестве проводящего слоя с развитой поверхностью формировать углеродную наноструктуру в виде столбиков, которая имеет анизотропию проводимости электрического тока такую, что в горизонтальном направлении электрическая проводимость выше электрической проводимости в вертикальном направлении.It is known that the electrical conductivity of single crystals of graphite is anisotropic, in the direction parallel to the basal plane, close to metal, in the perpendicular - hundreds of times less. In this regard, it is advisable to form a carbon nanostructure in the form of columns as a conductive layer with a developed surface, which has an anisotropy of electric current conductivity such that in the horizontal direction the electrical conductivity is higher than the electrical conductivity in the vertical direction.
Таким образом, отличительным признаком изобретения является то, что проводящий слой с развитой поверхностью представляет собой углеродную наноструктуру в виде столбиков.Thus, a hallmark of the invention is that the conductive layer with a developed surface is a carbon nanostructure in the form of columns.
Химическое осаждение из газовой фазы (ХОГФ) является распространенным синтезом углеродных наноструктур [4, 5], поскольку обеспечивает управляемый рост с заданными размерами формами углеродных наноструктур.Chemical vapor deposition (CVD) is a common synthesis of carbon nanostructures [4, 5], because it provides controlled growth with given sizes by forms of carbon nanostructures.
Предпочтительно процесс роста углеродной структуры осуществлять химическим осаждением из газовой фазы, стимулированным плазмой. Известно, что традиционный процесс ХОГФ углеродных наноструктур происходит при достаточно высоких температурах порядка 600-700°С. Однако для некоторых технологий, и в частности для технологии интегральных схем, такие температуры не приемлемы, поскольку вызывают деградацию элементов полупроводниковых приборов, сформированных на предыдущих операциях технологического цикла изготовления ИС. Стимуляция плазмой ХОГФ позволяет снизить температуру процесса формирования углеродных наноструктур на 100-300°С [6].Preferably, the carbon structure growth process is carried out by plasma-assisted chemical vapor deposition. It is known that the traditional process of CVD carbon nanostructures occurs at fairly high temperatures of the order of 600-700 ° C. However, for some technologies, and in particular for integrated circuit technology, such temperatures are not acceptable, since they cause degradation of elements of semiconductor devices formed in previous operations of the technological cycle of manufacturing ICs. Plasma stimulation of CHOF reduces the temperature of the process of formation of carbon nanostructures by 100-300 ° C [6].
Понизить удельное сопротивление материала необходимо с точки зрения минимизации потерь энергии планарного конденсататора повышенной емкости, можно это осуществить за счет введения вовнутрь развитой наноструктуры металлических или интерметаллических нанокластеров с низким удельным сопротивлением.It is necessary to lower the specific resistance of the material from the point of view of minimizing the energy loss of a planar capacitor of increased capacity, this can be done by introducing into the developed nanostructure metal or intermetallic nanoclusters with low resistivity.
С целью увеличения проводимости слоя с развитой поверхностью целесообразно металлические или интерметаллические нанокластеры формировать ионно-плазменным распылением одновременно с плазмостимулированным химическим осаждением из газовой фазы проводящего слоя с развитой поверхностью для помещения металлических или интерметаллических нанокластеров вонутрь слоя с развитой поверхностью.In order to increase the conductivity of a layer with a developed surface, it is advisable to form metal or intermetallic nanoclusters by ion-plasma spraying simultaneously with plasma-stimulated chemical deposition from the gas phase of a conducting layer with a developed surface to place metal or intermetallic nanoclusters inside the layer with a developed surface.
Атомно-слоевое осаждение используется для формирования сверхтонких и конформных тонкопленочных диэлектрический слоев. Технология атомно-слоевого осаждения заключается в выполнении последовательных самоограниченных поверхностных реакций, позволяющих контролировать рост пленок в монослойном или субмонослойном режиме. Достоинством технологии атомно-слоевого осаждения в том, что формируемые слои не имеют дефектов и пор, что позволяет использовать его для формирования сверхтонких диффузионно-барьерных и изоляционных слоев на поверхностях со сложным рельефом.Atomic layer deposition is used to form ultra-thin and conformal thin-film dielectric layers. The technology of atomic layer deposition consists in performing sequential self-limited surface reactions, which make it possible to control film growth in a monolayer or submonolayer mode. The advantage of atomic layer deposition technology is that the formed layers have no defects and pores, which allows it to be used to form ultrathin diffusion barrier and insulating layers on surfaces with complex relief.
Электрохимическое осаждение является технологически простым и дешевым процессом нанесения металлических пленок, осуществляемым при комнатных температурах и позволяющим заполнять пустоты между неровностями слоя с развитой поверхностью.Electrochemical deposition is a technologically simple and cheap process of applying metal films, carried out at room temperature and allows you to fill the voids between the irregularities of the layer with a developed surface.
С целью повышения адгезии предпочтительно проводящий материал второго электрода осаждать поверх адгезионного слоя.In order to increase adhesion, it is preferable to deposit a conductive material of the second electrode over the adhesive layer.
Желательно, чтобы материал адгезионного слоя содержал элемент из группы Ti, Zr, Hf, Та, W, Cr, V, поскольку указанные элементы и их сплавы хорошо известны и используются в качестве адгезионных слоев.It is desirable that the material of the adhesive layer contains an element from the group Ti, Zr, Hf, Ta, W, Cr, V, since these elements and their alloys are well known and are used as adhesive layers.
Целесообразно в качестве материала диэлектрического слоя использовать такие материалы, как ZrO2, HfO2, TiO2, цирконат-титанат свинца, поскольку они имеют высокую диэлектрическую проницаемость, а следовательно обеспечат высокую удельную емкость суперконденсатора.It is advisable to use materials such as ZrO 2 , HfO 2 , TiO 2 , lead zirconate-titanate as the material of the dielectric layer, since they have a high dielectric constant and therefore provide a high specific capacitance of the supercapacitor.
На фиг.1-3 приведены этапы предлагаемого способа изготовления суперконденсатора.Figure 1-3 shows the steps of the proposed method of manufacturing a supercapacitor.
На фиг.1 представлен разрез структуры после формирования первого электрода путем формирования проводящего слоя 1 с развитой поверхностью, неровности которого обладают анизотропией проводимости электрического тока такой, что в горизонтальном направлении электрическая проводимость выше электрической проводимости в вертикальном направлении, на проводящей электродной основе 2.Figure 1 shows a section of the structure after the formation of the first electrode by forming a
На фиг.2 представлен разрез структуры после процесса формирования однородного по толщине тонкого диэлектрического слоя 3, повторяющего рельеф поверхности проводящего слоя с развитой поверхностьюFigure 2 presents a section of the structure after the process of forming a uniform thickness of a thin
На фиг.3 представлен разрез структуры после проведения процесса формирования второго электрода 4 путем заполнения пустот проводящим материалом между неровностями первого электрода, покрытого диэлектрическим слоем.Figure 3 presents a section of the structure after the process of forming the second electrode 4 by filling voids with conductive material between the irregularities of the first electrode coated with a dielectric layer.
На фиг.4 показана фотография углеродной наноструктуры, которая является проводящим слоем 1 с развитой поверхностью, неровности которого хорошо проводят электрический ток в горизонтальном направлении и плохо в вертикальном.Figure 4 shows a photograph of a carbon nanostructure, which is a
Проведенные патентные исследования показали, что совокупность признаков предлагаемого изобретения является новой, что доказывает новизну способа изготовления планарного конденсатора повышенной емкости. Кроме того, патентные исследования показали, что в литературе отсутствуют данные, оказывающие влияние отличительных признаков заявляемого изобретения на достижение технического результата, что подтверждает изобретательский уровень предлагаемого способа.Patent studies have shown that the set of features of the invention is new, which proves the novelty of the method of manufacturing a planar capacitor of high capacity. In addition, patent studies have shown that there are no data in the literature that influence the distinguishing features of the claimed invention to achieve a technical result, which confirms the inventive step of the proposed method.
Пример 1. В качестве электродной основы суперконденсатора использована алюминиевая фольга. С помощью плазмостимулированного метода химического осаждения из газовой фазы формируются первый электрод в виде углеродных наностолбиков, высота которых порядка 300 нм, расстояние между наностолбиками составляет 30 нм. Измерение сопротивления данной углеродной структуры показало анизотропию данного свойства: вдоль столбика - 165 Ом*м, в поперечном направлении столбика - 25 мОм*м. На полученном проводящем слое с развитой поверхностью с помощью метода атомно-слоевого осаждения формируется тонкий диэлектрический слой Al2O3 толщиной 20 нанометров. Используя метод импульсного электрохимического осаждения, происходит создание второго электрода путем осаждения слоя Cu толщиной 500 нм.Example 1. As the electrode base of the supercapacitor used aluminum foil. Using the plasma-stimulated method of chemical deposition from the gas phase, the first electrode is formed in the form of carbon nanostubes, whose height is about 300 nm, the distance between the nanostubes is 30 nm. The measurement of the resistance of this carbon structure showed the anisotropy of this property: along the column - 165 Ohm * m, in the transverse direction of the column - 25 mOhm * m. A thin dielectric layer of Al 2 O 3 with a thickness of 20 nanometers is formed on the obtained conductive layer with a developed surface using the atomic layer deposition method. Using the pulsed electrochemical deposition method, a second electrode is created by depositing a 500 nm thick Cu layer.
Пример 2. В качестве электродной основы суперконденсатора использована кремниевая подложка с нанесенным на нее проводящим слоем меди. С помощью плазмостимулированного метода химического осаждения из газовой фазы формируется первый электрод в виде углеродные наностолбиков, высота которых порядка 300 нм, расстояние между наностолбиками составляет 30 нм. Измерение сопротивления данной углеродной структуры показало анизотропию данного свойства: вдоль столбика - 165 Ом*м, в поперечном направлении столбика - 25 мОм*м. На полученном проводящем слое с развитой поверхностью с помощью метода атомно-слоевого осаждения формируется тонкий диэлектрический слой Al2O3 толщиной 20 нанометров. Используя метод магнетронного нанесения в одном процессе, производится формирование адгезионного слоя поверх тонкого диэлектрического слоя Ti толщиной 10 нм, затем происходит создание второго электрода путем нанесения слоя Cu толщиной 500 нм.Example 2. As the electrode base of the supercapacitor, a silicon substrate with a conductive copper layer deposited on it is used. Using the plasma-stimulated method of chemical deposition from the gas phase, the first electrode is formed in the form of carbon nanostubes, the height of which is about 300 nm, the distance between the nanostubes is 30 nm. The measurement of the resistance of this carbon structure showed the anisotropy of this property: along the column - 165 Ohm * m, in the transverse direction of the column - 25 mOhm * m. A thin dielectric layer of Al 2 O 3 with a thickness of 20 nanometers is formed on the obtained conductive layer with a developed surface using the atomic layer deposition method. Using the method of magnetron deposition in one process, an adhesive layer is formed on top of a thin dielectric Ti layer 10 nm thick, then a second electrode is created by applying a Cu layer 500 nm thick.
Преимущества использования конденсаторов повышенной емкости в качестве источников энергии перед обычными аккумуляторами хорошо известны: значительно меньшее время, требуемое на перезарядку (от нескольких секунд до нескольких минут), на порядки большее количество выдерживаемых циклов заряда-разряда, высокая плотность энергии, низкая себестоимость, больший срок службы, экологичность, возможность работы в экстремальных условиях.The advantages of using high-capacity capacitors as energy sources over conventional batteries are well known: significantly less time required for recharging (from several seconds to several minutes), orders of magnitude more withstand charge-discharge cycles, high energy density, low cost, longer life service, environmental friendliness, the ability to work in extreme conditions.
Источники информацииInformation sources
1. Р.Кютз, М.Карлен. Принципы и применения электрохимических конденсаторов. Электрохим. 45, 2483 (2000).1. R. Kutz, M. Carlen. Principles and applications of electrochemical capacitors. Electrochem. 45, 2483 (2000).
2. Ф.Симон, Я.Гогости. Материалы для электрохимических конденсаторов. Естест. Мат.7, 825 (2008).2. F. Simon, J. Gogosti. Materials for electrochemical capacitors. Eat. Mat. 7, 825 (2008).
3. Патент США №7605048 - прототип.3. US patent No. 7605048 - prototype.
4. П.Н.Дьячков. Углеродные нанотрубки: строение, свойства, применения. - М.: Бином, 2006. - 293 с.4. P.N.Dyachkov. Carbon nanotubes: structure, properties, applications. - M .: Binom, 2006 .-- 293 p.
5. Э.Г.Раков. Нанотрубки и фуллерены. - М.: Университетская книга. Логос, 2006. - 376 с.5. E.G. Rakov. Nanotubes and fullerenes. - M .: University book. Logos, 2006 .-- 376 p.
6. Д.Г.Громов, С.А.Гаврилов, С.В.Дубков. Формирование углеродных наноструктур плазмостимулированным осаждением из газовой фазы на постоянном токе. Международная конференция Микро- и Наноэлектроники 2009. МООИФ. 7521 (2010).6. D.G. Gromov, S.A. Gavrilov, S.V. Dubkov. The formation of carbon nanostructures by plasma-stimulated direct current vapor deposition. International Conference of Micro and Nanoelectronics 2009. MOOIF. 7521 (2010).
Claims (11)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012125214/07A RU2533010C2 (en) | 2012-06-19 | 2012-06-19 | Method of producing planar condenser of extended capacity |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012125214/07A RU2533010C2 (en) | 2012-06-19 | 2012-06-19 | Method of producing planar condenser of extended capacity |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012125214A RU2012125214A (en) | 2013-12-27 |
| RU2533010C2 true RU2533010C2 (en) | 2014-11-20 |
Family
ID=49785732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012125214/07A RU2533010C2 (en) | 2012-06-19 | 2012-06-19 | Method of producing planar condenser of extended capacity |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2533010C2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2645731C1 (en) * | 2016-09-30 | 2018-02-28 | Владимир Иванович Галко | Planar condenser |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008040706A1 (en) * | 2006-10-04 | 2008-04-10 | Nxp B.V. | Mim capacitor |
| US7605048B2 (en) * | 2007-04-06 | 2009-10-20 | Kemet Electronics Corporation | Method for forming a capacitor having a copper electrode and a high surface area aluminum inner layer |
| RU2421847C1 (en) * | 2010-03-16 | 2011-06-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (МИЭТ) | Method of making interconnections for semiconductor device |
| RU2444078C1 (en) * | 2010-12-23 | 2012-02-27 | Общество с ограниченной ответственностью "БАРГАН ТЕХНОЛОДЖИ" (ООО "БТЕХ") | Method to manufacture laminate nanostructure for double-plate capacitors |
-
2012
- 2012-06-19 RU RU2012125214/07A patent/RU2533010C2/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008040706A1 (en) * | 2006-10-04 | 2008-04-10 | Nxp B.V. | Mim capacitor |
| US7605048B2 (en) * | 2007-04-06 | 2009-10-20 | Kemet Electronics Corporation | Method for forming a capacitor having a copper electrode and a high surface area aluminum inner layer |
| RU2421847C1 (en) * | 2010-03-16 | 2011-06-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (МИЭТ) | Method of making interconnections for semiconductor device |
| RU2444078C1 (en) * | 2010-12-23 | 2012-02-27 | Общество с ограниченной ответственностью "БАРГАН ТЕХНОЛОДЖИ" (ООО "БТЕХ") | Method to manufacture laminate nanostructure for double-plate capacitors |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2645731C1 (en) * | 2016-09-30 | 2018-02-28 | Владимир Иванович Галко | Planar condenser |
| WO2018063035A3 (en) * | 2016-09-30 | 2018-07-12 | ГАЛКО, Владимир Иванович | Planar capacitor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2012125214A (en) | 2013-12-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Ortaboy et al. | MnO x-decorated carbonized porous silicon nanowire electrodes for high performance supercapacitors | |
| Si et al. | On chip, all solid-state and flexible micro-supercapacitors with high performance based on MnO x/Au multilayers | |
| JP5743353B2 (en) | Charge storage device, method of manufacturing charge storage device, mobile electronic device, and microelectronic device | |
| TWI601330B (en) | Electrode material and energy storage apparatus | |
| TWI523052B (en) | Method of increasing an energy density and an achievable power output of an energy storage device | |
| US9496090B2 (en) | Method of making graphene electrolytic capacitors | |
| WO2010050484A1 (en) | Composite electrode for electricity storage device, method for producing same and electricity storage device | |
| US11664172B2 (en) | Performance of capacitors | |
| JP4940362B1 (en) | Electrode foil for solid electrolytic capacitors | |
| Wei et al. | Low-cost and high-productivity three-dimensional nanocapacitors based on stand-up ZnO nanowires for energy storage | |
| TW201423789A (en) | Nanomachined structures for porous electrochemical capacitors | |
| CN102176378A (en) | Flexible-substrate-based solid super capacitor and manufacturing method thereof | |
| Li et al. | Three-dimensional AlZnO/Al 2 O 3/AlZnO nanocapacitor arrays on Si substrate for energy storage | |
| US20150016022A1 (en) | Multi-layered graphene films, energy storage devices using multi-layered graphene films as electrodes, and methods of manufacturing multi-layered graphene films and energy storage devices | |
| US20210074477A1 (en) | Integrated energy storage component | |
| CN104272484A (en) | Coated structured surfaces | |
| CN109637809B (en) | Ceramic energy storage capacitor and preparation method thereof | |
| Iglesias et al. | Development of electrostatic supercapacitors by atomic layer deposition on nanoporous anodic aluminum oxides for energy harvesting applications | |
| CN102623174B (en) | Method for preparing high energy density capacitor | |
| Zhao et al. | Nickel nanopore arrays as promising current collectors for constructing solid-state supercapacitors with ultrahigh rate performance | |
| RU2533010C2 (en) | Method of producing planar condenser of extended capacity | |
| Zhang et al. | Transparent nanotubular capacitors based on transplanted anodic aluminum oxide templates | |
| Fiorentino et al. | 3D solid-state supercapacitors obtained by ALD coating of high-density carbon nanotubes bundles | |
| RU2528010C2 (en) | Solid-state multi-component oxide-based supercapacitor | |
| Kim et al. | Electrical properties in high-k HfO2 capacitors with an equivalent oxide thickness of 9 Å on Ru metal electrode |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20140815 |