RU2529865C2 - Device for application of homogeneous smooth thin films of different materials on solid substrates - Google Patents
Device for application of homogeneous smooth thin films of different materials on solid substrates Download PDFInfo
- Publication number
- RU2529865C2 RU2529865C2 RU2012144845/07A RU2012144845A RU2529865C2 RU 2529865 C2 RU2529865 C2 RU 2529865C2 RU 2012144845/07 A RU2012144845/07 A RU 2012144845/07A RU 2012144845 A RU2012144845 A RU 2012144845A RU 2529865 C2 RU2529865 C2 RU 2529865C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- target
- substrate
- thin films
- production
- different materials
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области технологии сверхпроводящих тонких пленок и может найти применение в производстве сверхпроводящих лент на основе высокотемпературных сверхпроводников для сверхпроводящих кабелей передачи электрической энергии, работающих при температуре жидкого азота.The invention relates to the field of technology of superconducting thin films and can find application in the production of superconducting tapes based on high-temperature superconductors for superconducting cables for the transmission of electrical energy operating at a temperature of liquid nitrogen.
Известен метод импульсного лазерного испарения [1], который применяется для напыления пленок различных материалов на твердые подложки, в частности высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП). Метод импульсного лазерного испарения обладает рядом преимуществ, которые особенно значительны при осаждении пленок сложного состава [2], таких как ВТСП Y-Ba-Cu-O и ему подобных. В работе [2] детально рассмотрены преимущества метода импульсного лазерного испарения, отметим важнейшие из них.The known method of pulsed laser evaporation [1], which is used for spraying films of various materials on solid substrates, in particular high-temperature superconductors (HTSC). The pulsed laser evaporation method has several advantages, which are especially significant during the deposition of films of complex composition [2], such as HTSC Y-Ba-Cu-O and the like. In [2], the advantages of the pulsed laser evaporation method were examined in detail; we note the most important of them.
Прежде всего, импульсное лазерное испарение применимо к широчайшему классу материалов, при этом импульсный характер процесса обеспечивает хороший перенос даже сложного химического состава мишени.First of all, pulsed laser evaporation is applicable to the widest class of materials, while the pulsed nature of the process ensures good transfer of even the complex chemical composition of the target.
Мишень не меняет своего агрегатного состояния, она не нуждается ни в тигле, ни в специальном охлаждении. Низкая температура мишени в процессе распыления и отсутствие необходимости в тигле обеспечивает чистоту получаемой пленки, это особенно важно в случае мишеней из химически активных материалов.The target does not change its state of aggregation; it does not need either a crucible or special cooling. The low temperature of the target during the sputtering process and the absence of the need for a crucible ensures the purity of the resulting film, this is especially important in the case of targets made of chemically active materials.
При импульсном лазерном испарении подложка обычно расположена перпендикулярно потоку распыленного вещества. Поэтому процесс испарения не связан непосредственно с атмосферой осаждения и может применяться в вакууме. Так как метод некритичен к атмосфере распыления, то он идеален для реактивного распыления, и в то же время может применяться в инертной атмосфере.In pulsed laser evaporation, the substrate is usually perpendicular to the flow of atomized material. Therefore, the evaporation process is not directly related to the deposition atmosphere and can be used in vacuum. Since the method is not critical to the atomization atmosphere, it is ideal for reactive atomization, and at the same time it can be used in an inert atmosphere.
Указанные особенности метода импульсного лазерного испарения приводят к тому, что необходимое для него вакуумное оборудование относительно несложно и позволяет в камерах небольшого объема использовать несколько мишеней одновременно или последовательно для получения многослойных структур.These features of the pulsed laser evaporation method lead to the fact that the vacuum equipment necessary for it is relatively simple and allows several targets to be used simultaneously or sequentially in small-volume chambers to obtain multilayer structures.
Метод весьма экономичен в расходе материала мишени. Это свойство особенно ценно при осаждении пленок из редких элементов или специального изотопного состава.The method is very economical in the consumption of target material. This property is especially valuable in the deposition of films from rare elements or a special isotopic composition.
Недостатком метода импульсного лазерного испарения является наличие в полученных пленках неоднородностей в виде включений размером от 0,05 до 10 мкм. Неоднородная, нерегулярная структура и неровная поверхность получаемых пленок ухудшает свойства пленок и делает их непригодными или ограниченно пригодными для целого ряда важных применений. Так, при осаждении ВТСП на длинномерные подложки включения нарушают однородность структуры пленки, вносят области с ослабленной сверхпроводимостью, в пленке возникают области с пониженным критическим током. Так как критический ток всей ленты определяется областью с самым низким значением по длине проводника, то это прямо ухудшает характеристики получаемых сверхпроводниковых лент как длинномерного проводника.A disadvantage of the pulsed laser evaporation method is the presence of inhomogeneities in the resulting films in the form of inclusions ranging in size from 0.05 to 10 μm. The inhomogeneous, irregular structure and uneven surface of the resulting films impairs the properties of the films and makes them unsuitable or limitedly suitable for a number of important applications. Thus, when HTSC is deposited on long inclusion substrates, the film structure is homogeneous, regions with weakened superconductivity are introduced, regions with a reduced critical current appear in the film. Since the critical current of the entire tape is determined by the region with the lowest value along the length of the conductor, this directly affects the characteristics of the resulting superconducting tapes as a long conductor.
Эти неоднородности образуются из-за того, что при импульсном испарении мишени под действием лазерного импульса большой мощности происходит не только испарение вещества, но и образование многочисленных мелких капель и твердых частиц. Они обычно попадают на подложку и делают ее поверхность неровной, а структуру неоднородной. Механизм образования этих капель в области распыления на поверхности мишени, по-видимому, различен для разных материалов и условий распыления и осаждения [2].These inhomogeneities are formed due to the fact that upon pulsed evaporation of a target under the influence of a high-power laser pulse, not only the evaporation of matter occurs, but also the formation of numerous small droplets and solid particles. They usually fall on the substrate and make its surface uneven and the structure inhomogeneous. The mechanism of the formation of these droplets in the sputtering region on the target surface is apparently different for different materials and the conditions of sputtering and deposition [2].
Для борьбы с осаждением капель применяют ряд методов. Наиболее близким к данному изобретению является метод фильтрации компонент потока испаряемого вещества по скоростям (скоростной фильтрации) [3-6].A number of methods are used to combat droplet deposition. Closest to this invention is a method of filtering the components of the flow of the evaporated substance by speed (high-speed filtration) [3-6].
Метод скоростной фильтрации основан на том, что крупные капли и фрагменты вещества мишени движутся от мишени гораздо медленнее газообразного вещества - полезной компоненты, из которой и осаждается собственно пленка. При этом специальный механический скоростной фильтр улавливает микроскопические твердые и жидкие частицы, генерируемые при испарении мишени [3, 4], пропуская при этом к подложке газообразное вещество. В отличие от других методов, это позволяет получать гладкие пленки в традиционной, гибкой в применении, «осевой» геометрии мишень-подложка. При этом возможно применение как эксимерного ультрафиолетового [5], так и более простого и дешевого твердотельного инфракрасного лазера [6].The method of high-speed filtration is based on the fact that large droplets and fragments of the target material move from the target much slower than the gaseous substance - a useful component, from which the film itself is deposited. In this case, a special mechanical high-speed filter captures microscopic solid and liquid particles generated during the evaporation of the target [3, 4], while passing a gaseous substance to the substrate. Unlike other methods, this allows one to obtain smooth films in the traditional, flexible in application, “axial” target-substrate geometry. In this case, it is possible to use both excimer ultraviolet [5] and a simpler and cheaper solid-state infrared laser [6].
Принцип работы скоростного фильтра показан на Фиг.1. При испарении мишени 1 под действием лазерного импульса частицы вылетают с мишени с разными скоростями и разделяются по времени пролета. Время пролета легких молекулярных частиц 2 с большой скоростью от мишени 1 к подложке 4 короче времени пролета более массивных капель 3, движущихся с меньшей скоростью, которые отсекаются быстрой механической заслонкой - скоростным фильтром 5.The principle of operation of the high-speed filter is shown in figure 1. When the
Однако конструкция такого скоростного фильтра не позволяет работать с длинномерными подложками в силу того, что область осаждения пленки необходимого состава весьма невелика - около 1 кв.см.However, the design of such a high-speed filter does not allow working with long-length substrates due to the fact that the region of deposition of the film of the required composition is very small - about 1 sq. Cm.
Задачей, решаемой предлагаемым изобретением, является создание устройства для нанесения однородных гладких тонких пленок различных материалов на длинномерные подложки, в частности, металлические ленты, что необходимо для изготовления сверхпроводящих кабелей.The problem solved by the invention is the creation of a device for applying homogeneous smooth thin films of various materials to long substrates, in particular metal strips, which is necessary for the manufacture of superconducting cables.
Поставленная задача решается следующим образом.The problem is solved as follows.
Предложено устройство для нанесения однородных гладких тонких пленок различных материалов на твердые подложки методом импульсного лазерного испарения. В состав устройства входят мощный импульсный лазер, обычная оптическая система, фокусирующая излучение на мишени, и вакуумная камера. В вакуумной камере расположены узел мишени, скоростной фильтр и узел подложки. Устройство отличается тем, что в качестве подложки использована длинномерная гибкая металлическая лента на катушке с механизмом протяжки, а скоростной фильтр выполнен в виде вращающегося диска с отверстием для прохождения испаренного вещества.A device is proposed for applying uniform smooth thin films of various materials to solid substrates by pulsed laser evaporation. The device includes a powerful pulsed laser, a conventional optical system that focuses radiation on a target, and a vacuum chamber. A target assembly, a high-speed filter, and a substrate assembly are located in the vacuum chamber. The device is characterized in that a long flexible metal tape on a reel with a pulling mechanism is used as a substrate, and a high-speed filter is made in the form of a rotating disk with an opening for the passage of the evaporated substance.
Кроме того, узел мишени выполнен с возможностью смены мишени в процессе нанесения пленки, что позволяет создавать многослойные структуры без вынесения подложки из вакуума на воздух.In addition, the target assembly is configured to change the target during film deposition, which allows the creation of multilayer structures without removing the substrate from the vacuum into the air.
Предлагаемая схема устройства показана на Фиг.2. На Фиг.2 показан узел мишени 1, узел подложки 5,6 с подложкой 4 и скоростной фильтр 7-11. Скоростной фильтр состоит из вращающегося диска 7 из алюминиевого сплава, установленного между мишенью 1 и подложкой 4 и устройства синхронизации 9,10,11. Этот диск имеет отверстие для прохода газообразного вещества 3 диаметром около 2,5 см на расстоянии 6 см от центра и вращается мотором 8 со скоростью до 500 оборотов в секунду. Форма диска, его размер и скорость вращения диска гарантируют удаление практически всех капель из потока вещества, испаряемого с мишени.The proposed device diagram is shown in Fig.2. Figure 2 shows the site of the
Устройство синхронизации состоит из миниатюрной лампы накаливания 9 и фотодиода 10, расположенных в вакуумной камере с противоположной от мишени стороны двигателя, и устройства задержки 11. Лампа накаливания и фотодиод установлены так, чтобы при прохождении отверстия в диске напротив лампы открывался путь свету к фотодиоду (Фиг.2). Импульсы фототока с фотодиода поступают в электронное устройство задержки 11, которое вырабатывает синхроимпульсы, запускающие лазер. Эти синхроимпульсы задержаны относительно сигнала с фотодиода так, чтобы в момент лазерного импульса отверстие в диске находилось перед мишенью.The synchronization device consists of a miniature incandescent lamp 9 and a photodiode 10 located in a vacuum chamber on the opposite side of the engine from the target, and a delay device 11. The incandescent lamp and photodiode are installed so that when a hole passes through the disk opposite the lamp, the light path to the photodiode opens (Fig. .2). The pulses of the photocurrent from the photodiode enter the electronic delay device 11, which generates clock pulses that trigger the laser. These clock pulses are delayed relative to the signal from the photodiode so that at the time of the laser pulse the hole in the disk is in front of the target.
В устройстве в качестве подложки 4 использована длинномерная гибкая металлическая лента. Так как при лазерном испарении область осаждения на подложку ограничена площадью около 10×10 кв.мм, то узел подложки обеспечивает последовательную по всей длине экспозицию ленты для нанесения пленки. Узел подложки состоит из нагревателя 5 и катушек 6 с механизмом протяжки ленты.The device as a
Лента 4 помещается в вакуумную камеру на подающей катушке, ее конец пропускается через зону осаждения и закрепляется в приемной катушке. При работе устройства при помощи механизма протяжки лента последовательно по всей длине пропускается через зону осаждения, в которой и происходит нанесение пленки. На Фиг.2 механизм протяжки не показан. Скорость протяжки определяется скоростью осаждения и необходимой толщиной пленки. В зоне осаждения расположен нагреватель 5, обеспечивающий температуру подложки (ленты) на уровне, оптимальном для осаждения требуемой пленки (для эпитаксиального роста обычно 700-900°С).The
В узел мишени входит устройство, обеспечивающее вращение мишени в процессе лазерного испарения. Вращение мишени необходимо для более полного использования поверхности мишени и обеспечения длительного времени работы устройства и большей длины получаемых лент.The target assembly includes a device that provides rotation of the target during laser evaporation. Rotation of the target is necessary for more complete use of the surface of the target and to ensure a long operating time of the device and a greater length of the resulting tapes.
В устройстве узел мишени обеспечивает также смену мишеней без остановки устройства и без вскрытия вакуумной камеры. Это позволяет наносить пленки различных материалов последовательно без вскрытия установки, так что поверхность пленки не подвергается действию атмосферного воздуха между осаждениями смежных слоев многослойной структуры.In the device, the target assembly also provides a change of targets without stopping the device and without opening the vacuum chamber. This allows films of various materials to be applied sequentially without opening the installation, so that the surface of the film is not exposed to atmospheric air between the depositions of adjacent layers of the multilayer structure.
Все компоненты устройства, показанные на Фиг.2, кроме устройства задержки 11, находятся внутри вакуумной камеры, обеспечивающей нанесение в вакууме или, при необходимости, при некотором давлении газа.All components of the device shown in FIG. 2, except for the delay device 11, are located inside the vacuum chamber, which ensures application in a vacuum or, if necessary, at a certain gas pressure.
В результате предлагаемое устройство способно наносить тонкие пленки различных материалов методом импульсного лазерного испарения, действие скоростного фильтра обеспечивает однородность и гладкость получаемых пленок, а узел мишени последовательно протягивает гибкую длинномерную подложку (металлическую ленту) для нанесения пленки последовательно по всей длине подложки. Таким образом, данное изобретение решает задачу нанесения однородных гладких тонких пленок различных материалов на длинномерные металлические подложки методом импульсного лазерного испарения.As a result, the proposed device is capable of applying thin films of various materials by pulsed laser evaporation, the action of a high-speed filter ensures uniformity and smoothness of the resulting films, and the target assembly sequentially stretches a flexible long-length substrate (metal tape) to apply the film sequentially along the entire length of the substrate. Thus, this invention solves the problem of applying homogeneous smooth thin films of various materials to long metal substrates by pulsed laser evaporation.
Список литературыBibliography
1. Н.М.Smith and A.F.Turner. Vacuum deposited thin films using a ruby laser. Appl. Opt, v.4, p.147 (1965).1. N.M.Smith and A.F. Turner. Vacuum deposited thin films using a ruby laser. Appl. Opt, v. 4, p. 147 (1965).
2. J.T.Chaung and H.Sankur, Growth of thin films by laser-induced evaporation. CRC Crit. Rev. Solid State Mater. Sci., v.15, p.63-109 (1988).2. J.T. Chung and H. Sankur, Growth of thin films by laser-induced evaporation. CRC Crit. Rev. Solid State Mater. Sci., V. 15, p. 63-109 (1988).
3. W.P.Barr. The production of low scattering dielectric mirrors using rotating vane particle filtration. J. Phys. E, v.2, p.2 (1969).3. W.P. Barr. The production of low scattering dielectric mirrors using rotating vane particle filtration. J. Phys. E, v. 2, p. 2 (1969).
4. D.Lubben, S.A.Barnett, K.Suzuki, S.Gorbatkin and J.E.Greene. Laser-induced plasmas for primary ion deposition of epitaxial Ge and Si films. J. Vac. Sci. Technol, v.3(4), p.968-973 (1985).4. D. Lubben, S. A. Barnett, K. Suzuki, S. Gorbatkin and J. E. Greene. Laser-induced plasmas for primary ion deposition of epitaxial Ge and Si films. J. Vac. Sci. Technol, v. 3 (4), p. 968-973 (1985).
5. E.V.Pechen, A.V.Varlashkin, S.I.Krasnosvobodtsev, B. Brunner and K.F.Renk. Pulsed-laser deposition of smooth high-Tc superconducting films using a synchronous velocity filter. Appl. Phys. Lett., v.66(17), p.2292-94 (1995).5. E.V. Pechen, A.V. Varlashkin, S. I. Krasnosvobodtsev, B. Brunner and K. F. Renk. Pulsed-laser deposition of smooth high-Tc superconducting films using a synchronous velocity filter. Appl. Phys. Lett., V. 66 (17), p. 2292-94 (1995).
6. E.V.Pechen, A.V.Varlashkin and A.I.Golovashkin. On-axis YAG:Nd3+ laser deposition of smooth high-Tc YBa2Cu3O7-δ films. Physica B, v.284-288, p.1025-1026 (2000).6. EVPechen, AVVarlashkin and AIGolovashkin. On-axis YAG: Nd 3+ laser deposition of smooth high-Tc YBa 2 Cu 3 O 7-δ films. Physica B, v. 284-288, p. 1025-1026 (2000).
7. А.В. Варлашкин, С.И. Красносвободцев, М.Л. Чухаркин, О.В. Снигирев, А.В. Цикунов, Н.П. Шабанова. Напыление гладких пленок ВТСП твердотельным АИГ:Nd3+ лазером. - ЖТФ, т.77(5), с.127-129 (2007).7. A.V. Varlashkin, S.I. Krasnosvobodtsev, M.L. Chukharkin, O.V. Snigirev, A.V. Tsikunov, N.P. Shabanova. The deposition of HTSC smooth films by a solid state AIG: Nd 3+ laser. - ZhTF, v.77 (5), p.127-129 (2007).
Claims (2)
включающее вакуумную камеру с расположенными в ней узлом мишени, скоростным фильтром и узлом подложек,
отличающееся тем, что
в качестве подложки использована длинномерная гибкая металлическая лента на катушке с механизмом протяжки,
скоростной фильтр выполнен в виде вращающегося диска с отверстием для прохождения испаренного вещества и снабжен устройством синхронизации лазера.1. A device for applying homogeneous smooth thin films of various materials on solid substrates by pulsed laser evaporation,
comprising a vacuum chamber with a target assembly located therein, a high-speed filter and a substrate assembly,
characterized in that
as a substrate used a long flexible metal tape on a reel with a pulling mechanism,
The high-speed filter is made in the form of a rotating disk with an opening for the passage of the evaporated substance and is equipped with a laser synchronization device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012144845/07A RU2529865C2 (en) | 2012-10-23 | 2012-10-23 | Device for application of homogeneous smooth thin films of different materials on solid substrates |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012144845/07A RU2529865C2 (en) | 2012-10-23 | 2012-10-23 | Device for application of homogeneous smooth thin films of different materials on solid substrates |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012144845A RU2012144845A (en) | 2014-04-27 |
| RU2529865C2 true RU2529865C2 (en) | 2014-10-10 |
Family
ID=50515252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012144845/07A RU2529865C2 (en) | 2012-10-23 | 2012-10-23 | Device for application of homogeneous smooth thin films of different materials on solid substrates |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2529865C2 (en) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5320881A (en) * | 1991-08-27 | 1994-06-14 | Northeastern University | Fabrication of ferrite films using laser deposition |
| RU2020025C1 (en) * | 1990-12-11 | 1994-09-30 | Киевское научно-производственное объединение по автоматизации и механизации технологии производства "Камет" | Line for production of castings in vacuum film molds |
| RU2030483C1 (en) * | 1987-07-15 | 1995-03-10 | Дзе Бок Груп, Инк. | Method for depositing films based on silicon oxide |
| RU2386732C1 (en) * | 2008-12-18 | 2010-04-20 | Закрытое акционерное общество "СуперОкс" | Method of obtaining two-sided superconductor of second generation |
-
2012
- 2012-10-23 RU RU2012144845/07A patent/RU2529865C2/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2030483C1 (en) * | 1987-07-15 | 1995-03-10 | Дзе Бок Груп, Инк. | Method for depositing films based on silicon oxide |
| RU2020025C1 (en) * | 1990-12-11 | 1994-09-30 | Киевское научно-производственное объединение по автоматизации и механизации технологии производства "Камет" | Line for production of castings in vacuum film molds |
| US5320881A (en) * | 1991-08-27 | 1994-06-14 | Northeastern University | Fabrication of ferrite films using laser deposition |
| RU2386732C1 (en) * | 2008-12-18 | 2010-04-20 | Закрытое акционерное общество "СуперОкс" | Method of obtaining two-sided superconductor of second generation |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2012144845A (en) | 2014-04-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE4340752C2 (en) | Device for producing a uniform thin film on a large substrate area using a laser | |
| Pechen et al. | Pulsed‐laser deposition of smooth high‐T c superconducting films using a synchronous velocity filter | |
| Jackson et al. | Oxide superconductor and magnetic metal thin film deposition by pulsed laser ablation: a review | |
| US5290761A (en) | Process for making oxide superconducting films by pulsed excimer laser ablation | |
| CN108179386B (en) | Pulse laser coating device | |
| Selinder et al. | Resputtering effects on the stoichiometry of YBa2Cu3O x thin films | |
| Morintale et al. | Thin films development by pulsed laser-assisted deposition | |
| CN108220888B (en) | Heating device suitable for pulse laser coating and pulse laser coating device thereof | |
| Rao | Pulsed laser deposition—Ablation mechanism and applications | |
| US7838061B2 (en) | Method and apparatus for fabricating high temperature superconducting film through auxiliary cluster beam spraying, and high temperature superconducting film fabricated using the method | |
| Lee et al. | Deposition angle‐dependent morphology of laser deposited YBa2Cu3O7 thin films | |
| RU2529865C2 (en) | Device for application of homogeneous smooth thin films of different materials on solid substrates | |
| US5264412A (en) | Laser ablation method for forming oxide superconducting thin films using a homogenized laser beam | |
| Christen et al. | Pulsed electron deposition of fluorine-based precursors for YBa2Cu3O7− x-coated conductors | |
| Venkatesan et al. | Laser processing of high-T/sub c/superconducting thin films | |
| Shrivastava | Deposition techniques for high-tc superconducting YBCO thin films | |
| Venkatesan | Pulsed-laser deposition of high-temperature superconducting thin films | |
| JPH04331795A (en) | Production of polycrystalline thin film | |
| Izumi et al. | Cumulative laser irradiation effects on ions in the plume of YBa2Cu3O7− δ and particulates at the film surface | |
| Varlashkin et al. | Deposition of smooth high-T c superconducting films with a solid-state YAG: Nd 3+ laser | |
| Wördenweber | Physical Vapor Thin-Film Deposition Techniques | |
| JP2588971B2 (en) | Laser deposition method and apparatus | |
| Bäuerle et al. | Thin-film formation by pulsed-laser deposition and laser-induced evaporation | |
| JP2013163847A (en) | Target for forming superconducting thin film and method for producing the same | |
| Lowndes | Growth of epitaxial thin films by pulsed laser ablation |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20151024 |