RU2528746C2 - Nanotechnological complex based on ionic and probe technologies - Google Patents

Nanotechnological complex based on ionic and probe technologies Download PDF

Info

Publication number
RU2528746C2
RU2528746C2 RU2010128741/28A RU2010128741A RU2528746C2 RU 2528746 C2 RU2528746 C2 RU 2528746C2 RU 2010128741/28 A RU2010128741/28 A RU 2010128741/28A RU 2010128741 A RU2010128741 A RU 2010128741A RU 2528746 C2 RU2528746 C2 RU 2528746C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
module
ion
ability
distribution chamber
substrate carriers
Prior art date
Application number
RU2010128741/28A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2010128741A (en
Inventor
Виктор Александрович Быков
Андрей Викторович Быков
Владимир Валерьевич Котов
Original Assignee
Закрытое Акционерное Общество "Нанотехнология Мдт"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Закрытое Акционерное Общество "Нанотехнология Мдт" filed Critical Закрытое Акционерное Общество "Нанотехнология Мдт"
Priority to RU2010128741/28A priority Critical patent/RU2528746C2/en
Publication of RU2010128741A publication Critical patent/RU2010128741A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2528746C2 publication Critical patent/RU2528746C2/en

Links

Landscapes

  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

FIELD: nanotechnology.
SUBSTANCE: use: of new products nanoelectronics for a closed cycle of production. The essence of the invention consists in that in nanotechnology complex based on ion and probe technologies, comprising a distribution chamber with pumping means, in which there is a central robot-distributor with the ability of axial rotation, comprising a grip of substrate carriers, at that the distribution chamber comprises flanges by means of which it is connected to the loading chamber and the module of ion implantation, the grip of substrate carriers has the ability of interaction with the loading chamber and the module of ion implantation, the measuring module is integrated, comprising a scanning probe microscope and a module of ion beams with a system of gas injectors, and they are connected to the flanges of the distribution chamber and have an ability to interact with the grip of substrate carriers. The technical result: providing an ability to vary the technological routes and enhance the functional capabilities of the distribution chamber and have an ability to interact with the grip of substrate carriers.
EFFECT: implementation extends the functional capabilities of the nanotechnology complex.
5 cl, 1 dwg

Description

Изобретение относится к нанотехнологическому оборудованию и предназначено для замкнутого цикла производства новых изделий наноэлектроники.The invention relates to nanotechnological equipment and is intended for a closed cycle of production of new nanoelectronics products.

Известен нанотехнологический комплекс, включающий вакуумную камеру с методиками молекулярно-лучевой эпитаксии, ионной имплантации и измерения [1].Known nanotechnological complex, including a vacuum chamber with methods of molecular beam epitaxy, ion implantation and measurement [1].

Этот комплекс представляет собой лабораторную установку, не предназначенную для массового выпуска изделий наноэлектроники. Взаимовлияние методик резко ограничивает ее функциональные возможности.This complex is a laboratory installation, not intended for mass production of nanoelectronics products. The mutual influence of the methods sharply limits its functionality.

Известен также нанотехнологический комплекс, содержащий модули молекулярно-лучевой эпитаксии, ионной имплантации и измерения, линейно расположенные друг относительно друга [2].Also known nanotechnological complex containing modules of molecular beam epitaxy, ion implantation and measurement, linearly located relative to each other [2].

Данная конфигурация модуля жестко привязана к определенной последовательности операций, что ограничивает его функциональные возможности.This configuration of the module is rigidly tied to a certain sequence of operations, which limits its functionality.

Известен также сверхвысоковакуумный эпитаксиально-литографический комплекс, включающий камеру загрузки, модуль молекулярно-лучевой эпитаксии, модуль ионной имплантации, транспортную систему с захватом носителей подложек и средства откачки [3].Also known is an ultrahigh vacuum epitaxial lithographic complex including a loading chamber, a molecular beam epitaxy module, an ion implantation module, a transport system with capture of substrate carriers and pumping means [3].

Этот комплекс, как и предыдущий, имеет жесткую конфигурацию. Кроме этого он не имеет возможности наращивания методик. Это ограничивает его функциональные возможности из-за отсутствия варьирования технологическими маршрутами.This complex, like the previous one, has a rigid configuration. In addition, he does not have the ability to build up methods. This limits its functionality due to the lack of variation of technological routes.

Известен также нанотехнологический комплекс на основе эпитаксиальных и ионных технологий, включающий распределительную камеру со средствами откачки, в которой расположен центральный робот распределитель с возможностью осевого вращения, содержащий захват носителей подложек, при этом распределительная камера содержит фланцы, которыми она соединена с камерой загрузки, модулем молекулярно-лучевой эпитаксии и модулем ионной имплантации, причем захват носителей подложек имеет возможность взаимодействия с камерой загрузки, модулем молекулярно-лучевой эпитаксии и модулем ионной имплантации [4].A nanotechnological complex based on epitaxial and ionic technologies is also known, including a distribution chamber with pumping means, in which a central robot is located, with axial rotation, which includes gripping substrate carriers, while the distribution chamber contains flanges by which it is connected to the loading chamber, a molecular module radiation epitaxy and an ion implantation module, the capture of substrate carriers being able to interact with a loading chamber, a mole ulyarno beam epitaxy and ion implantation unit [4].

Недостатки этого комплекса заключаются в ограниченном числе методик, что сужает его функциональные возможности.The disadvantages of this complex are a limited number of techniques, which narrows its functionality.

Данный комплекс выбран в качестве прототипа предложенного решения.This complex is selected as a prototype of the proposed solution.

Технический результат изобретения заключается в расширении функциональных возможностей комплекса.The technical result of the invention is to expand the functionality of the complex.

Указанный технический результат достигается тем, что в нанотехнологический комплекс на основе ионных технологий, включающий распределительную камеру со средствами откачки, в которой расположен центральный робот распределитель с возможностью осевого вращения, содержащий захват носителей подложек, при этом распределительная камера содержит фланцы, которыми она соединена с камерой загрузки и модулем ионной имплантации, причем захват носителей подложек имеет возможность взаимодействия с камерой загрузки и модулем ионной имплантации, введен измерительный модуль, включающий сканирующий зондовый микроскоп (СЗМ) и модуль ионных пучков с системой газовых инжекторов, при этом они соединены с фланцами распределительной камеры и имеют возможность взаимодействия с захватом носителей подложек.The specified technical result is achieved by the fact that in the nanotechnological complex based on ionic technologies, including a distribution chamber with pumping means, in which a central robot is located a distributor with the possibility of axial rotation, containing capture of substrate carriers, while the distribution chamber contains flanges by which it is connected to the camera loading and the ion implantation module, and the capture of substrate carriers has the ability to interact with the loading chamber and the ion implantation module, is led measuring module comprising a scanning probe microscope (SPM), and a module system with ion beams of gas injectors, while they are connected to the distribution chamber and flanges have the opportunity to interact with the capture media substrates.

Существует вариант, в котором в устройство введен модуль переворота, при этом он соединен с фланцем распределительной камеры и имеет возможность взаимодействия с захватом носителей подложек.There is an option in which a flip module is introduced into the device, while it is connected to the flange of the distribution chamber and has the ability to interact with the capture of substrate carriers.

Существует также вариант, в котором в устройство введен модуль локального воздействия с блоком локального воздействия, выполненным в виде блока ионной модификации или сканирующего зондового микроскопа с системой газовых инжекторов, при этом они соединены с фланцами распределительной камеры и имеют возможность взаимодействия с захватом носителей подложек.There is also an option in which a local exposure module is introduced with a local exposure block made in the form of an ion modification block or a scanning probe microscope with a system of gas injectors, while they are connected to the flanges of the distribution chamber and have the ability to interact with the capture of substrate carriers.

Нанотехнологический комплекс на основе ионных и зондовых технологий (фиг.1) содержит распределительную камеру 1 с центральным роботом распределителем 2, содержащим захват 3 носителей подложек 4, и фланцами 5.The nanotechnological complex based on ion and probe technologies (Fig. 1) contains a distribution chamber 1 with a central robot, a distributor 2, containing a capture of 3 substrate carriers 4, and flanges 5.

В одном из вариантов исполнения распределительная камера 1 через фланцы 5 состыкована с камерой загрузки 6, с модулем ионных пучков с системой газовых инжекторов 7, включающим первый технологический блок 8 и газовый блок 9, с модулем ионной имплантации 10, включающим второй технологический блок 11, и с модулем переворота подложек 12. В общем виде ионные технологические блоки описаны в [5]. Распределительная камера 1, камера загрузки 6, модуль ионных пучков 7, модуль ионной имплантации 10 и модуль переворота подложек 12 соединены со средствами откачки и установлены на каркасах (не показаны). Между модулями 6, 7, 10, 12 и распределительной камерой 1 установлены вакуумные затворы 13.In one embodiment, the distribution chamber 1 is connected via flanges 5 to the loading chamber 6, with an ion beam module with a gas injector system 7 including a first process unit 8 and a gas unit 9, with an ion implantation module 10 including a second process unit 11, and with a module for the revolution of the substrates 12. In general, ionic technological units are described in [5]. The distribution chamber 1, the loading chamber 6, the ion beam module 7, the ion implantation module 10 and the substrate overturn module 12 are connected to the pumping means and mounted on frames (not shown). Between the modules 6, 7, 10, 12 and the distribution chamber 1 is installed a vacuum shutter 13.

Следует заметить, что фланцы 5 могут быть расположены попарно друг напротив друга. Может быть и другое расположение фланцев 5 (не показано). Этих фланцев может быть также больше, чем указано на фиг.1.It should be noted that the flanges 5 can be arranged in pairs opposite each other. There may be another arrangement of flanges 5 (not shown). These flanges may also be larger than indicated in figure 1.

Принципиально отличительным от прототипа модулем является измерительный модуль 16. В качестве измерительного модуля 16 используют модуль, содержащий сканирующий зондовый микроскоп 17, а также, например, сканирующий электронный микроскоп (СЭМ) 18, датчик вторичных электродов 19 и оптический микроскоп 20. Модуль 16 может включать и камеру сменных зондов (не показана). Модуль 16 должен быть снабжен средствами откачки (не показаны).A fundamentally distinctive module from the prototype is a measuring module 16. As a measuring module 16, a module containing a scanning probe microscope 17, as well as, for example, a scanning electron microscope (SEM) 18, a secondary electrode sensor 19, and an optical microscope 20 are used. Module 16 may include and interchangeable probe chamber (not shown). Module 16 should be equipped with pumping facilities (not shown).

В модулях 7, 10 и 16 может быть расположен двух- или трехкоординатный стол 21 для размещения на нем подложек. В модулях 7 и 9 стол 21 не показан. Модули 7, 9 и 16 могут быть установлены на системах активной виброзащиты (не показано).In modules 7, 10 and 16, a two- or three-coordinate table 21 can be located for placing substrates on it. In modules 7 and 9, table 21 is not shown. Modules 7, 9 and 16 can be installed on active vibration protection systems (not shown).

Подробно СЗМ с системой виброзащиты и камерой сменных зондов описаны в [6, 7, 8, 9, 10, 11, 12].The SPM with vibration protection system and interchangeable probe camera are described in detail in [6, 7, 8, 9, 10, 11, 12].

Возможен вариант, в котором нанотехнологический комплекс снабжен модулем локального воздействия 25 с блоком локального воздействия 26. В качестве этого блока может использоваться блок ионной модификации (резки) или сканирующий зондовый микроскоп с системой газовых инжекторов. Модуль 25 может быть установлен на системе активной виброзащиты и содержать двух- или трехкоординатный стол (не показаны).A variant is possible in which the nanotechnological complex is equipped with a local exposure module 25 with a local exposure block 26. As this block, an ion modification (cutting) block or a scanning probe microscope with a system of gas injectors can be used. Module 25 can be installed on an active vibration protection system and contain a two- or three-coordinate table (not shown).

Следует заметить, что комплекс может содержать дополнительные фланцы 5 (не показаны), к которым может быть подсоединено дополнительное оборудование. Расположение модулей 6, 7, 10, 12, 16 и 25 относительно друг друга может быть иным, чем на фиг.1. Все модули могут содержать вакуумные манипуляторы (не показаны).It should be noted that the complex may contain additional flanges 5 (not shown), to which additional equipment can be connected. The location of the modules 6, 7, 10, 12, 16 and 25 relative to each other may be different than in figure 1. All modules may contain vacuum manipulators (not shown).

Камера загрузки 6 может содержать фланец быстрой загрузки и кассету для хранения подложек.The loading chamber 6 may include a quick loading flange and a cassette for storing substrates.

В модуле ионных пучков с системой газовых инжекторов 7 в качестве первого технологического блока 8 может использоваться ионная колонна Canton 31 plus [13] с разрешением не хуже 10 нм. В качестве газового блока 9 можно использовать Gas Injection System V4/0 with 5 reservoirs [13], формирующий потоки Н20, XeF2, фенантрена, W(CO)6, соединений платины, R2SiO. Кроме этого блок 8 может состоять из ионной колонны Canion 31 plus, сканирующего электронного микроскопа ECLIPSE [13] с разрешением не хуже 15 нм и системой вторичной ионной масс-спектрометрии (ВИМС) EQS300 [14].In the ion beam module with a system of gas injectors 7, the Canton 31 plus ion column [13] with a resolution of no worse than 10 nm can be used as the first process unit 8. As the gas block 9, you can use the Gas Injection System V4 / 0 with 5 reservoirs [13], which forms streams of H20, XeF2, phenanthrene, W (CO) 6, platinum compounds, R2SiO. In addition, block 8 can consist of a Canion 31 plus ion column, an ECLIPSE scanning electron microscope [13] with a resolution of at least 15 nm and an EQS300 secondary ion mass spectrometry (SIMS) system [14].

В модуле ионной имплантации 10 в качестве второго технологического блока 11 может использоваться ионная колонна Canion 31 XU [13] с разрешением не хуже 15 нм. Колонна содержит фильтр Вина, который позволяет выделять ионы нужного типа из смешанного источника колонны. Кроме этого блок 11 может состоять из ионной колонны Canion 31 XU, сканирующего электронного микроскопа ECLIPSE [13] с разрешением не хуже 15 нм и системой вторичной ионной масс-спектрометрии (ВИМС) EQS300 [14].In the ion implantation module 10, a Canion 31 XU ion column [13] with a resolution of at least 15 nm can be used as the second process unit 11. The column contains a Wine filter, which allows you to select the desired type of ions from the mixed source of the column. In addition, block 11 may consist of a Canion 31 XU ion column, an ECLIPSE scanning electron microscope [13] with a resolution of at least 15 nm and an EQS300 secondary ion mass spectrometry (SIMS) system [14].

Модуль переворота 12 может содержать манипулятор, имеющего возможность захвата носителя подложки и его вращения.The flip module 12 may include a manipulator having the ability to capture the substrate carrier and rotate it.

В измерительном модуле 16 в качестве СЭМ 18 может использоваться микроскоп ECLIPSE [13].In the measuring module 16, an ECLIPSE microscope [13] can be used as an SEM 18.

При использовании в качестве блока 26 СЗМ с системой газовых инжекторов в качестве сканирующего зондового микроскопа используют СЗМ из модуля 16, а в качестве газового блока блок из модуля 7.When using SPM as a block 26 with a system of gas injectors, SPM from module 16 is used as a scanning probe microscope, and a block from module 7 is used as a gas block.

При использовании в качестве блока 26 блока ионной модификации (резки) он может содержать колонну Canion 31 plus, колонну ECLIPSE и ВИМС EQS3000.When used as a block 26 of the ion modification (cutting) block, it may contain a Canion 31 plus column, an ECLIPSE column and SIMS EQS3000.

Нанотехнологический комплекс работает следующим образом.Nanotechnological complex works as follows.

Подложки закрепляют в носителях 4 и устанавливают, например, в кассету (не показана), расположенную в камере загрузки 6. После этого камеру загрузки 6 закрывают и манипулятором перемещают кассету в положение, обеспечивающее сопряжение носителя 4 с захватом 3 робота распределения 2. Далее производят откачку камеры загрузки 6, открытие затвора 13 и подачу захвата 3 робота 2 в камеру 6.The substrates are fixed in the carriers 4 and installed, for example, in a cassette (not shown) located in the loading chamber 6. After this, the loading chamber 6 is closed and the cassette is moved by the manipulator to the position that the media 4 is coupled to the capture 3 of the distribution robot 2. Next, pump loading chamber 6, opening the shutter 13 and feeding the capture 3 of the robot 2 into the chamber 6.

Процесс состыковки захвата 3 с носителем 4 контролируют через оптически прозрачное окно в камере 6, после чего переносят носитель 4 в распределительную камеру 1, закрывают затвор 13 и поворачивают робот 2 в требуемом направлении.The process of docking the capture 3 with the carrier 4 is controlled through an optically transparent window in the chamber 6, after which the carrier 4 is transferred to the distribution chamber 1, the shutter 13 is closed and the robot 2 is turned in the desired direction.

Следует заметить, что последовательность операций может быть несколько иной. Например, перемещение кассеты в камере загрузки 6 может быть осуществлено после ее откачки и т.п. Подробно выполнение роботов, кассет, механизмов перемещений, носителей подложек и процессы их захвата см. в [6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 15].It should be noted that the sequence of operations may be slightly different. For example, the movement of the cartridge in the loading chamber 6 can be carried out after pumping it out, etc. For details on the implementation of robots, cartridges, movement mechanisms, substrate carriers, and processes for their capture, see [6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 15].

Дальнейшая последовательность операций зависит от технологического маршрута изготовления продукции.The further sequence of operations depends on the technological route of production.

Для согласования расположения поверхностей подложек в различных модулях можно осуществлять переворот подложек в модуле 12.To coordinate the location of the surfaces of the substrates in various modules, it is possible to flip the substrates in the module 12.

Вариант создания новых изделий может заключаться в формировании в модуле 10 каталитических зон, например, никеля на подложке при помощи локального ионного разложения металлоорганики. После этого в модуле 7 в определенных местах на подложке можно формировать нанотрубки (см., например, [16,17]).An option to create new products may consist in the formation in the module 10 of the catalytic zones, for example, Nickel on the substrate using local ionic decomposition of organometallics. After that, in module 7, at certain places on the substrate, nanotubes can be formed (see, for example, [16, 17]).

Используя координатно-связанные зоны нанотрубок, можно изготавливать нанотранзисторы, экраны мониторов, радиаторы с высокой теплоотдачей и т.д.Using the coordinate-related zones of nanotubes, it is possible to produce nanotransistors, monitor screens, radiators with high heat transfer, etc.

Помимо описанных технологических операций в модуле 7 может осуществляться газофазное химическое осаждение и газовое травление подложек, инициированное ионным пучком. При этом размеры модифицированных зон могут соответствовать размерам сфокусированных ионных пучков.In addition to the described technological operations in module 7, gas-phase chemical deposition and gas etching of substrates initiated by an ion beam can be carried out. Moreover, the sizes of the modified zones may correspond to the sizes of focused ion beams.

Помимо описанного, в модуле 10 может осуществлять локальная имплантация ионов: AuSi, AuGe, CoNd, CoGe, ErNi, NiB, BPt и др. Это осуществляется выделением нужного типа ионов фильтром Вина.In addition to the described, in module 10 can carry out local implantation of ions: AuSi, AuGe, CoNd, CoGe, ErNi, NiB, BPt, etc. This is carried out by isolating the desired type of ions by a Wien filter.

В модуле 7 под воздействием ионного луча может происходить локальное травление углерода при наличии паров воды:*" локальное травление Si, SiO2, Si3N4, а также осаждение углерода, вольфрама, платины и диэлектриков.In module 7, under the influence of an ion beam, local etching of carbon can occur in the presence of water vapor: * "local etching of Si, SiO2, Si3N4, as well as the deposition of carbon, tungsten, platinum and dielectrics.

В измерительном модуле 16 может происходить аттестация сформированных структур, а также их модификация посредством СЗМ 17 с одновременным наблюдением этого процесса сканирующим электронным микроскопом 18. Первичная установка подложек может контролироваться оптическим микроскопом 20.In the measuring module 16, certification of the formed structures can take place, as well as their modification by SPM 17 with the simultaneous observation of this process by a scanning electron microscope 18. The initial installation of the substrates can be controlled by an optical microscope 20.

Блок 26, выполненный в виде блока ионной модификации, может осуществлять прямую резку материалов для изготовления наноэлектромеханических систем. Блок 26, выполненный в виде СЗМ с системой газовых инжекторов, позволяет формировать наноэлементы под зондом при подачи газовой смеси в зону его взаимодействия с подложкой.Block 26, made in the form of an ion modification block, can carry out direct cutting of materials for the manufacture of nanoelectromechanical systems. Block 26, made in the form of an SPM with a system of gas injectors, allows the formation of nanoelements under the probe when the gas mixture is fed into the zone of its interaction with the substrate.

Помимо указанного, с использованием этого комплекса можно изготавливать интегральные схемы наноэлектроники на кристаллах алмаза, квантовые приборы на основе эффекта Джозефсона на самоорганизованных периодических структурах и т.п.In addition to the indicated, using this complex it is possible to produce integrated circuits of nanoelectronics on diamond crystals, quantum devices based on the Josephson effect on self-organized periodic structures, etc.

Введение в нанотехнологический комплекс измерительного модуля, включающего сканирующий зондовый микроскоп, и модуля ионных пучков с системой газовых инжекторов, а также модуля переворота и модуля локального воздействия, которые при этом соединены с фланцами распределительной камеры и имеют возможность взаимодействия с захватом носителей подложек, расширяет функциональные возможности комплекса.The introduction into the nanotechnological complex of a measuring module, including a scanning probe microscope, and an ion beam module with a system of gas injectors, as well as a flip module and a local exposure module, which are connected to the flanges of the distribution chamber and have the ability to interact with the capture of substrate carriers, expands the functionality complex.

ЛИТЕРАТУРАLITERATURE

1. Патент JP 5203406, G01B 7/34, 1993 г.1. Patent JP 5203406, G01B 7/34, 1993

2. Патент RU 2308782, H01J 37/26, 2006 г.2. Patent RU 2308782, H01J 37/26, 2006.

3. Сверхвысоковакуумный эпитаксиально - литографический комплекс. В.Д. Белов и др. Третий всесоюзный семинар «Микролитография», Черноголовка, 1990 г., с.131 - 132.3. Ultrahigh vacuum epitaxial - lithographic complex. V.D. Belov et al. Third All-Union Seminar "Microlithography", Chernogolovka, 1990, pp. 131 - 132.

4. Патент RU 2390070, H01L 21/20, 2010.4. Patent RU 2390070, H01L 21/20, 2010.

5. О.С.Моряков. «Элионная обработка». - М.: Высшая школа, 125 с., 1990 г.5. O.S. Moryakov. "Elion processing." - M.: Higher School, 125 p., 1990.

6. Information ofOmicron. Multi - mode UHV Scanning Probe Microscope, p.1,2.6. Information ofOmicron. Multi - mode UHV Scanning Probe Microscope, p. 1,2.

7. Патент RU 2158454, H01J 37/26, 2000 г.7. Patent RU 2158454, H01J 37/26, 2000.

8. Патент ЕР 0899561, G01N 27/00,1999 г.8. Patent EP 0899561, G01N 27 / 00.1999.

9. Виброзащитный стол MOD-1. Каталог фирмы Halsyonics.9. Vibration protection table MOD-1. Halsyonics catalog.

10. Information of Park Scientific Instr. Auto Probe UHV. Scanning probe10. Information of Park Scientific Instr. Auto Probe UHV. Scanning probe

Microscope, 1994. 11.3ондовая микроскопия для биологии и медицины. В.А.Быков и др.,Microscope, 1994. 11.3 Probe Microscopy for Biology and Medicine. V.A. Bykov et al.,

Сенсорные системы, т.12, №1, с.99 - 121, 1998 г.Sensor systems, vol. 12, No. 1, pp. 99 - 121, 1998

12. Сканирующая туннельная и атомносиловая микроскопия в электрохимии поверхности. Данилов А.И. Успехи химии, 64 (8), 1995 г., с.818-833.12. Scanning tunneling and atomic force microscopy in surface electrochemistry. Danilov A.I. Advances in Chemistry, 64 (8), 1995, p. 818-833.

13. Каталог фирмы Orsay Physics.13. The catalog of the company Orsay Physics.

14. Каталог фирмы Hiden Analitical Ltd.14. Catalog of the company Hiden Analitical Ltd.

15. Патент RU2163343, H01J 37/28. 2000 г.15. Patent RU2163343, H01J 37/28. 2000 year

16. Углеродные нанотрубки обогнали лучшие прототипы кремниевых транзисторов, http://itnens.com.na.16. Carbon nanotubes have overtaken the best prototypes of silicon transistors, http://itnens.com.na.

17. И.В. Золотухин, Углеродные нанотрубки., 1999 г., www.pereplet.ru.17. I.V. Zolotukhin, Carbon Nanotubes., 1999, www.pereplet.ru.

Claims (5)

1. Нанотехнологический комплекс на основе ионных и зондовых технологий, включающий распределительную камеру со средствами откачки, в которой расположен центральный робот распределитель с возможностью осевого вращения, содержащий захват носителей подложек, при этом распределительная камера содержит фланцы, которыми она соединена с камерой загрузки и модулем ионной имплантации, причем захват носителей подложек имеет возможность взаимодействия с камерой загрузки и модулем ионной имплантации, отличающийся тем, что в него введен измерительный модуль, включающий сканирующий зондовый микроскоп, и модуль ионных пучков с системой газовых инжекторов, при этом они соединены с фланцами распределительной камеры и имеют возможность взаимодействия с захватом носителей подложек.1. Nanotechnological complex based on ion and probe technologies, including a distribution chamber with pumping means, in which there is a central robot, an axial rotation distributor containing a capture of substrate carriers, wherein the distribution chamber contains flanges by which it is connected to the loading chamber and the ion module implantation, and the capture of substrate carriers has the ability to interact with the loading chamber and the ion implantation module, characterized in that it measures flax module comprising a scanning probe microscope, and a module system with ion beams of gas injectors, while they are connected to the distribution chamber and flanges have the opportunity to interact with the capture media substrates. 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что в него введен модуль переворота, при этом он соединен с фланцем распределительной камеры и имеет возможность взаимодействия с захватом носителей подложек.2. The device according to claim 1, characterized in that a flip module is inserted into it, while it is connected to the flange of the distribution chamber and has the ability to interact with the capture of substrate carriers. 3. Устройство по п.1, отличающееся тем, что в него введен модуль локального воздействия с блоком локального воздействия, при этом он соединен с фланцем распределительной камеры и имеет возможность взаимодействия с захватом носителей подложек.3. The device according to claim 1, characterized in that a local exposure module with a local exposure block is inserted in it, while it is connected to the flange of the distribution chamber and has the ability to interact with the capture of substrate carriers. 4. Устройство по п.3, отличающееся тем, что блок локального воздействия выполнен в виде блока ионной модификации.4. The device according to claim 3, characterized in that the local exposure unit is made in the form of an ion modification unit. 5. Устройство по п.3, отличающееся тем, что блок локального воздействия выполнен в виде сканирующего зондового микроскопа с системой газовых инжекторов. 5. The device according to claim 3, characterized in that the local exposure unit is made in the form of a scanning probe microscope with a system of gas injectors.
RU2010128741/28A 2010-07-13 2010-07-13 Nanotechnological complex based on ionic and probe technologies RU2528746C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010128741/28A RU2528746C2 (en) 2010-07-13 2010-07-13 Nanotechnological complex based on ionic and probe technologies

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010128741/28A RU2528746C2 (en) 2010-07-13 2010-07-13 Nanotechnological complex based on ionic and probe technologies

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010128741A RU2010128741A (en) 2012-01-20
RU2528746C2 true RU2528746C2 (en) 2014-09-20

Family

ID=45785216

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010128741/28A RU2528746C2 (en) 2010-07-13 2010-07-13 Nanotechnological complex based on ionic and probe technologies

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2528746C2 (en)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5157256A (en) * 1991-08-08 1992-10-20 Burleigh Instruments Inc. System for exchanging samples and electrode tip units in a surface probe microscope
RU2158454C1 (en) * 1999-04-22 2000-10-27 Зао "Нт-Мдт" Superhigh-vacuum transport system for probe scanning microscopes
RU2169440C2 (en) * 1999-04-22 2001-06-20 Зао "Нт-Мдт" Heating device for scanning sonde microscopes
RU2308782C1 (en) * 2006-05-06 2007-10-20 ЗАО "Нанотехнология-МДТ" Nanoelectronic complex
RU2390070C2 (en) * 2007-11-12 2010-05-20 ЗАО "Нанотехнология-МДТ" Nanotechnological complex based on epitaxial and ion technologies

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5157256A (en) * 1991-08-08 1992-10-20 Burleigh Instruments Inc. System for exchanging samples and electrode tip units in a surface probe microscope
RU2158454C1 (en) * 1999-04-22 2000-10-27 Зао "Нт-Мдт" Superhigh-vacuum transport system for probe scanning microscopes
RU2169440C2 (en) * 1999-04-22 2001-06-20 Зао "Нт-Мдт" Heating device for scanning sonde microscopes
RU2308782C1 (en) * 2006-05-06 2007-10-20 ЗАО "Нанотехнология-МДТ" Nanoelectronic complex
RU2390070C2 (en) * 2007-11-12 2010-05-20 ЗАО "Нанотехнология-МДТ" Nanotechnological complex based on epitaxial and ion technologies

Also Published As

Publication number Publication date
RU2010128741A (en) 2012-01-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8349143B2 (en) Shadow masks for patterned deposition on substrates
US8268532B2 (en) Method for forming microscopic structures on a substrate
US7538333B1 (en) Contactless charge measurement of product wafers and control of corona generation and deposition
US11287754B2 (en) Mask blank for lithography and method of manufacturing the same
Lungerich et al. A singular molecule-to-molecule transformation on video: the bottom-up synthesis of fullerene C60 from truxene derivative C60H30
RU2528746C2 (en) Nanotechnological complex based on ionic and probe technologies
RU2390070C2 (en) Nanotechnological complex based on epitaxial and ion technologies
RU2308782C1 (en) Nanoelectronic complex
Bernal et al. Destructive processing of silicon carbide grains: experimental insights into the formation of interstellar fullerenes and carbon nanotubes
Yoshigoe et al. In situ synchrotron radiation photoelectron spectroscopy study of the oxidation of the Ge (100)-2× 1 surface by supersonic molecular oxygen beams
US20230350301A1 (en) Method and apparatus for forming a patterned layer of material
Vollnhals Exploring Electron Beam Induced Surface Activation for the Fabrication of well-defined Nanostructures: On the Role of Catalytic Processes, Substrates and Precursors.
US7008862B2 (en) Regular array of microscopic structures on a substrate and devices incorporating same
US20120284882A1 (en) Prototyping Station for Atomic Force Microscope-Assisted Deposition of Nanostructures
Brahlek Atomic scale engineering of topological materials
Principe et al. Atomic Layer Deposition and Vapor Deposited SAMS in a CrossBeam FIB-SEM Platform: A Path To Advanced Materials Synthesis
Tsamo et al. Growth Mechanisms of GaN/GaAs Nanostructures by Droplet Epitaxy Explained by Complementary Experiments and Simulations
RU2522776C2 (en) Nanotechnological complex
Mudiyans Fundamental Surface Properties and Gas-Surface Interactions of Two-Dimensional Materials
JP3639840B2 (en) Manufacturing method of ultrafine periodic structure
Dunk et al. Recent advances in fullerene science
Hamer Fabrication and Characterisation of Air-Sensitive InSe based Heterostructure Devices
Kuraitis Application of in Situ and Ex Situ Characterization of Atomic Layer Deposition Processes for Gallium Phosphide and Sodium Fluoride
Garg Study of photoluminescence from amorphous and crystalline silicon nanoparticles synthesized using a non-thermal plasma
Schuler Design and implementation of a monochromatic high harmonic generation light source at 100 kHz and its application to time-and angle-resolved photoelectron spectroscopy on Bi2Se3

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20160714