RU2519440C1 - Трансимпедансный преобразователь сигналов лавинных фотодиодов и кремниевых фотоумножителей - Google Patents

Трансимпедансный преобразователь сигналов лавинных фотодиодов и кремниевых фотоумножителей Download PDF

Info

Publication number
RU2519440C1
RU2519440C1 RU2012151329/08A RU2012151329A RU2519440C1 RU 2519440 C1 RU2519440 C1 RU 2519440C1 RU 2012151329/08 A RU2012151329/08 A RU 2012151329/08A RU 2012151329 A RU2012151329 A RU 2012151329A RU 2519440 C1 RU2519440 C1 RU 2519440C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
output
transistor
input
collector
emitter
Prior art date
Application number
RU2012151329/08A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2012151329A (ru
Inventor
Николай Николаевич Прокопенко
Олег Владимирович Дворников
Петр Сергеевич Будяков
Анна Витальевна Бугакова
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС")
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") filed Critical Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС")
Priority to RU2012151329/08A priority Critical patent/RU2519440C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2519440C1 publication Critical patent/RU2519440C1/ru
Publication of RU2012151329A publication Critical patent/RU2012151329A/ru

Links

Images

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в системах обработки оптической информации, датчиках оптических излучений малой интенсивности, измерителях оптических сигналов в физике высоких энергий и т.п. Техническим результатом является повышение диапазона рабочих частот. Трансимпедансный преобразователь сигналов лавинных фотодиодов и кремниевых фотоумножителей содержит токовый источник сигнала (1), соединенный с токовым входом устройства (2) и эмиттером входного транзистора (3), токостабилизирующий двухполюсник (4), включенный между эмиттером входного транзистора (3) и первой (5) шиной источника питания, источник первого (6) вспомогательного напряжения, соединенный с базой входного транзистора (3), источник второго (7) вспомогательного напряжения, соединенный с базой выходного транзистора (8), эмиттер которого подключен к коллектору входного транзистора (3), двухполюсник коллекторной нагрузки (9), включенный между коллектором выходного транзистора (8) и второй (10) шиной источника питания, буферный усилитель (11), вход которого соединен с коллектором выходного транзистора (8), а выход является выходом устройства (12). Выход устройства (12) соединен с эмиттером выходного транзистора 8 через корректирующий конденсатор (13). 5 ил.

Description

Предлагаемое изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в системах обработки оптической информации, датчиках оптических излучений малой интенсивности, измерителях оптических сигналов в физике высоких энергий и т.п.
Оптическое излучение (ОИ) включает спектры ультрафиолетовых, видимых и инфракрасных диапазонов. Оно может регистрироваться различными типами фотоприемников, среди которых наиболее часто применяются фотодиоды и кремниевые фотоумножители, реагирующие, как правило, на определенный спектр излучений. Рассматриваемое устройство относится к таким типам преобразователей сигналов.
В задачах выделения оптических сигналов сегодня широко используются преобразователи токов лавинных фотодиодов и кремниевых фотоумножителей на основе каскадов с низким входным сопротивлением - трансимпедансных усилителей (схем с общей базой, каскодных усилителей и т.д.) [1-10]. Для уменьшения уровня собственных шумов таких преобразователей применяется параллельное включение 10-50 элементарных транзисторов [11], образующих входную каскодную структуру. Однако при таком построении микросхем существенно сужается диапазон рабочих частот, что связано, в основном, с эквивалентными паразитными емкостями большого числа (10-50) параллельно включенных транзисторов - их емкостями на подложку и емкостями коллектор-база. В этой связи весьма актуальной является задача построения преобразователей сигналов лавинных фотодиодов и кремниевых фотоумножителей, которые обладают более широким диапазоном рабочих частот при сохранении малого уровня шумов, обусловленными входными транзисторами.
Ближайшим прототипом заявляемого устройства является преобразователь сигналов лавинных фотодиодов и кремниевых фотоумножителей, представленный в монографии «Элементная база радиационно-стойких информационно-измерительных систем / Н.Н.Прокопенко, О.В.Дворников, С.Г.Крутчинский; под общ. ред. д.т.н. проф. Н.Н.Прокопенко - Шахты: ФГБОУ ВПО «ЮРГУЭС», 2011. - С.22, рис.1.12». Он содержит токовый источник сигнала 1, соединенный с токовым входом устройства 2 и эмиттером входного транзистора 3, токостабилизирующий двухполюсник 4, включенный между эмиттером входного транзистора 3 и первой 5 шиной источника питания, источник первого 6 вспомогательного напряжения, соединенный с базой входного транзистора 3, источник второго 7 вспомогательного напряжения, соединенный с базой выходного транзистора 8, эмиттер которого подключен к коллектору входного транзистора 3, двухполюсник коллекторной нагрузки 9, включенный между коллектором выходного транзистора 8 и второй 10 шиной источника питания, буферный усилитель 11, вход которого соединен с коллектором выходного транзистора 8, а выход является выходом устройства 12.
Существенный недостаток известного трансимпедансного преобразователя сигналов лавинных фотодиодов и кремниевых фотоумножителей - прототипа состоит в том, что он обладает недостаточно широким диапазоном рабочих частот, что ограничивает его применение в быстродействующих приемниках оптического излучения.
Основная задача предлагаемого изобретения состоит в повышении диапазона рабочих частот, который определяется верхней граничной частотой fв устройства (по уровню -3дБ).
Поставленная задача решается тем, что в преобразователе сигналов лавинных фотодиодов и кремниевых фотоумножителей фиг.1, содержащем токовый источник сигнала 1, соединенный с токовым входом устройства 2 и эмиттером входного транзистора 3, токостабилизирующий двухполюсник 4, включенный между эмиттером входного транзистора 3 и первой 5 шиной источника питания, источник первого 6 вспомогательного напряжения, соединенный с базой входного транзистора 3, источник второго 7 вспомогательного напряжения, соединенный с базой выходного транзистора 8, эмиттер которого подключен к коллектору входного транзистора 3, двухполюсник коллекторной нагрузки 9, включенный между коллектором выходного транзистора 8 и второй 10 шиной источника питания, буферный усилитель 11, вход которого соединен с коллектором выходного транзистора 8, а выход является выходом устройства 12, предусмотрены новые элементы и связи - выход устройства 12 соединен с эмиттером выходного транзистора 8 через корректирующий конденсатор 13.
На фиг.1 приведен входной каскад серийно выпускаемой микросхемы Ampl 1-18 [11].
На фиг.2 представлена функциональная схема трансимпедансного преобразователя сигналов (ТПС) лавинных фотодиодов и кремниевых фотоумножителей, соответствующая фиг.1.
На фиг.3 приведена предлагаемая схема трансимпедансного преобразователя сигналов лавинных фотодиодов и кремниевых фотоумножителей.
На фиг.4 показана эквивалентная схема входного каскада трансимпедансного преобразователя сигналов лавинных фотодиодов и кремниевых фотоумножителей в среде PSpice на моделях интегральных транзисторов «АБМК» (Транзисторы: npn GC1E, pnp JFpnp, abmk l.4 (ОАО ″МНИПИ″).
На фиг.5 представлены ЛАЧХ входного каскада фиг.4 при различных значениях емкости корректирующего конденсатора С1=С13.
Трансимпедансный преобразователь сигналов лавинных фотодиодов и кремниевых фотоумножителей содержит токовый источник сигнала 1, соединенный с токовым входом устройства 2 и эмиттером входного транзистора 3, токостабилизирующий двухполюсник 4, включенный между эмиттером входного транзистора 3 и первой 5 шиной источника питания, источник первого 6 вспомогательного напряжения, соединенный с базой входного транзистора 3, источник второго 7 вспомогательного напряжения, соединенный с базой выходного транзистора 8, эмиттер которого подключен к коллектору входного транзистора 3, двухполюсник коллекторной нагрузки 9, включенный между коллектором выходного транзистора 8 и второй 10 шиной источника питания, буферный усилитель 11, вход которого соединен с коллектором выходного транзистора 8, а выход является выходом устройства 12. Выход устройства 12 соединен с эмиттером выходного транзистора 8 через корректирующий конденсатор 13.
Рассмотрим работу схемы трансимпедансного преобразователя сигналов - прототипа фиг.2.
Постоянная времени τв, определяющая верхнюю граничную частоту коэффициента преобразования R(jω) входного тока (iвх) в выходное напряжение Uвых=U12, определяется с учетом формул:
R ( j ω ) = R 9 1 + j ω τ в Σ = U ˙ в ы х ( j ω ) I ˙ в ы х ( j ω ) ( 1 )
Figure 00000001
τ в Σ R 9 ( C 14 + C 15 ) ( 2 )
Figure 00000002
где С14, С15 - паразитные емкости на подложку (С14) и емкости коллектор-база (C15) m=10÷50 параллельно включенных элементарных транзисторов в структуре выходного транзистора 8.
Как следствие, верхняя граничная частота ТПС фиг.2 в уравнении его частотной зависимости R(jω) (1) определяется выражением
f в = 1 2 π τ в Σ ( 3 )
Figure 00000003
В связи с тем, что число элементарных транзисторов в элементе 8, определяющих fв устройства, достаточно велико, диапазон рабочих частот ТПС фиг.2 получается небольшим.
В предлагаемом ТПС фиг.3 эквивалентная емкость СэфΣ на входе буферного усилителя 11 уменьшается и, как следствие, f в *
Figure 00000004
повышается в 7-10 раз. Можно показать, что эквивалентная емкость в коллекторной цепи транзистора 8:
C э ф . Σ ( C 14 + C 15 ) ( 1 α 8 K у 11 ) ( 4 )
Figure 00000005
где Ку11 ≈ 1 - коэффициент передачи по напряжению буферного усилителя 11.
Как следствие, верхняя граничная частота ТПС фиг.3
f в * = 1 R 9 ( C 14 + C 15 ) ( 1 α 8 K у 11 ) ( 5 )
Figure 00000006
При этом выигрыш по f в *
Figure 00000007
по сравнению с fв схемы фиг.2 достигает значений
N в = f в * f в 1 1 α 8 K у 11 1 ( 6 )
Figure 00000008
где fв - верхняя граничная частота ТПС-прототипа фиг.2, определяемая формулой (3).
Результаты моделирования схемы фиг.3 подтверждают эффект увеличения верхней граничной частоты в заявляемом ТПС - введение новых элементов и связей между ними расширяет диапазон рабочих частот трансимпедансного преобразователя фиг.3 в 7-10 раз.
Таким образом, предлагаемое схемотехническое решение трансимпедансного преобразователя сигналов лавинных фотодиодов и кремниевых фотоумножителей характеризуется более высоким быстродействием.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Патент US 6.590.455fig.1.
2. Патент US 6.069.534 fig.6.
3. Патент US 6.801.084.
4. Патент US 6.218.905.
5. Патент US 6.639.477 fig.3В.
6. Патент US 6.809.594 fig.1.
7. Патент US 5.714.909 fig.2.
8. Патент US 7.042.295.
9. Патент US 4.511.857 fig.3.
10. Патент US 5.345.073 fig.3.
11. Элементная база радиационно-стойких информационно-измерительных систем: монография / Н.Н.Прокопенко, О.В.Дворников, С.Г.Крутчинский; под общ. ред. д.т.н. проф. Н.Н.Прокопенко;
ФГБОУ ВПО «Южно-Рос. гос. ун-т. экономики и сервиса». - Шахты:
ФГБОУ ВПО «ЮРГУЭС», 2011. - С.22, рис.1.12.

Claims (1)

  1. Трансимпедансный преобразователь сигналов лавинных фотодиодов и кремниевых фотоумножителей, содержащий токовый источник сигнала (1), соединенный с токовым входом устройства (2) и эмиттером входного транзистора (3), токостабилизирующий двухполюсник (4), включенный между эмиттером входного транзистора (3) и первой (5) шиной источника питания, источник первого (6) вспомогательного напряжения, соединенный с базой входного транзистора (3), источник второго (7) вспомогательного напряжения, соединенный с базой выходного транзистора (8), эмиттер которого подключен к коллектору входного транзистора (3), двухполюсник коллекторной нагрузки (9), включенный между коллектором выходного транзистора (8) и второй (10) шиной источника питания, буферный усилитель (11), вход которого соединен с коллектором выходного транзистора (8), а выход является выходом устройства (12), отличающийся тем, что выход устройства (12) соединен с эмиттером выходного транзистора 8 через корректирующий конденсатор (13).
RU2012151329/08A 2012-11-29 2012-11-29 Трансимпедансный преобразователь сигналов лавинных фотодиодов и кремниевых фотоумножителей RU2519440C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012151329/08A RU2519440C1 (ru) 2012-11-29 2012-11-29 Трансимпедансный преобразователь сигналов лавинных фотодиодов и кремниевых фотоумножителей

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012151329/08A RU2519440C1 (ru) 2012-11-29 2012-11-29 Трансимпедансный преобразователь сигналов лавинных фотодиодов и кремниевых фотоумножителей

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2519440C1 true RU2519440C1 (ru) 2014-06-10
RU2012151329A RU2012151329A (ru) 2014-06-10

Family

ID=51213994

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012151329/08A RU2519440C1 (ru) 2012-11-29 2012-11-29 Трансимпедансный преобразователь сигналов лавинных фотодиодов и кремниевых фотоумножителей

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2519440C1 (ru)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0607702B1 (en) * 1993-01-21 2002-03-13 National Semiconductor Corporation A variable equalization amplifier
UA23999U (en) * 2007-02-26 2007-06-11 Univ Vinnytsia Nat Tech Direct current amplifier
RU2307456C1 (ru) * 2006-03-01 2007-09-27 ГОУ ВПО "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ЮРГУЭС) Выходной каскад быстродействующего операционного усилителя
RU2421888C1 (ru) * 2010-05-11 2011-06-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") Дифференциальный усилитель

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0607702B1 (en) * 1993-01-21 2002-03-13 National Semiconductor Corporation A variable equalization amplifier
RU2307456C1 (ru) * 2006-03-01 2007-09-27 ГОУ ВПО "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ЮРГУЭС) Выходной каскад быстродействующего операционного усилителя
UA23999U (en) * 2007-02-26 2007-06-11 Univ Vinnytsia Nat Tech Direct current amplifier
RU2421888C1 (ru) * 2010-05-11 2011-06-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") Дифференциальный усилитель

Also Published As

Publication number Publication date
RU2012151329A (ru) 2014-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Arnaud et al. Nanowatt, sub-nS OTAs, with sub-10-mV input offset, using series-parallel current mirrors
RU2688225C1 (ru) Дифференциальный усилитель на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
CN104702289A (zh) 逐次逼近型模数转换器及其比较器输入管的电容补偿电路
JP2014090257A (ja) 半導体装置
RU2566963C1 (ru) Дифференциальный входной каскад быстродействующего операционного усилителя для кмоп-техпроцессов
RU2677401C1 (ru) Биполярно-полевой буферный усилитель
Baschirotto et al. A fast and low noise charge sensitive preamplifier in 90 nm CMOS technology
RU2684489C1 (ru) Буферный усилитель на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы при низких температурах
JP6467924B2 (ja) 増幅回路
RU2519440C1 (ru) Трансимпедансный преобразователь сигналов лавинных фотодиодов и кремниевых фотоумножителей
RU2523947C1 (ru) Выходной каскад усилителя мощности на основе комплементарных транзисторов
RU2390910C1 (ru) Быстродействующий буферный усилитель
RU2568317C1 (ru) Широкополосная цепь смещения статического уровня в транзисторных каскадах усиления и преобразования сигналов
RU2658818C1 (ru) Дифференциальный преобразователь "напряжение-ток" с широким диапазоном линейной работы
RU2321159C1 (ru) Каскодный дифференциальный усилитель
RU2286005C2 (ru) Широкополосный усилитель
CN113779916A (zh) 电荷灵敏前置放大器结构及设计方法
RU2421888C1 (ru) Дифференциальный усилитель
RU2474953C1 (ru) Дифференциальный усилитель с расширенным диапазоном изменения входного синфазного сигнала
RU2595923C1 (ru) Быстродействующий операционный усилитель на основе "перегнутого" каскода
RU2396698C1 (ru) Дифференциальный усилитель
RU2319289C1 (ru) Двухтактный дифференциальный усилитель
RU2595926C1 (ru) Биполярно-полевой операционный усилитель
RU2421881C1 (ru) Дифференциальный усилитель
RU2459348C1 (ru) Операционный усилитель с цепью коррекции коэффициента усиления

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20141130