RU2517802C1 - Radiation detector - Google Patents
Radiation detector Download PDFInfo
- Publication number
- RU2517802C1 RU2517802C1 RU2012149899/28A RU2012149899A RU2517802C1 RU 2517802 C1 RU2517802 C1 RU 2517802C1 RU 2012149899/28 A RU2012149899/28 A RU 2012149899/28A RU 2012149899 A RU2012149899 A RU 2012149899A RU 2517802 C1 RU2517802 C1 RU 2517802C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- base
- semiconductor
- absorbing
- contact elements
- narrow
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области низкоразмерной нанотехнологии и высокодисперсным материалам и может быть использовано при изготовлении детекторов электромагнитного излучения, преимущественно оптического, с наноструктрированным поглощающим (фоточувствительным) слоем.The invention relates to the field of low-dimensional nanotechnology and highly dispersed materials and can be used in the manufacture of electromagnetic radiation detectors, mainly optical, with a nanostructured absorbing (photosensitive) layer.
Одномерные позиционно-чувствительные датчики обычно имеют активную поверхность в форме узкой полоски и позволяют определить положение светового пятна, перемещающегося вдоль полоски фоточувствительной поверхности. Фототок, генерируемый в месте падения светового пятна, разделяется на две токовые компоненты. Их распределение позволяет определить местоположение светового пятна на полоске датчика [А. Самарин. Позиционно-чувствительные фотодатчики. //Электронные компоненты. 2003, №7, с.103-108.]. Основной недостаток таких устройств состоит в том, что весь световой поток дает вклад в датчике. Следовательно, любой свет, который попадает в плоскость детектора (в том числе и солнечный фоновый свет), будет вносить ошибку в измерения.One-dimensional position-sensitive sensors usually have an active surface in the form of a narrow strip and allow you to determine the position of the light spot moving along the strip of the photosensitive surface. The photocurrent generated at the point of incidence of the light spot is divided into two current components. Their distribution allows you to determine the location of the light spot on the strip of the sensor [A. Samarin. Position-sensitive photosensors. //Electronic components. 2003, No. 7, pp. 103-108.]. The main disadvantage of such devices is that the entire luminous flux contributes to the sensor. Therefore, any light that enters the plane of the detector (including sunlight) will introduce an error into the measurement.
В настоящем изобретении предлагается в качестве детектора оптического излучения использовать массив полупроводниковых пространсвенно-упорядоченных кристаллических наногетероструктур Ge/тонкий слой ZnSe(1-x)Sx/Ge в порах анодного оксида алюминия. Преимуществом использования матриц анодного оксида алюминия в качестве темплатов является возможность точно контролировать пространственное расположение и размеры наноструктур, которые задаются пространственным расположеним, диамером пор, а также толщиной пленки пористого оксида.The present invention proposes to use an array of semiconductor spatially ordered crystalline Ge nanoheterostructures / thin layer of ZnSe (1-x) S x / Ge in the pores of anodic alumina as an optical radiation detector. The advantage of using anodic alumina matrices as templates is the ability to precisely control the spatial arrangement and sizes of nanostructures, which are determined by the spatial arrangement, pore diameter, and also the thickness of the porous oxide film.
Известны массивы пространственно-упорядоченных наночастиц полупроводников (по патенту RU2460166), которые получают осаждением нескольких слоев на пористой матрице. На сформированной полупроводниковой наногетероструктуре, с двух сторон, наносят проводящую основу в виде пленки. Таким образом, формируются наногетероструктуры, которые могут использоваться для изготовления фотодетекторов со сверхвысоким (порядка 100 нм) пространственным разрешением.Arrays of spatially ordered nanoparticles of semiconductors (patent RU2460166) are known, which are obtained by depositing several layers on a porous matrix. On the formed semiconductor nanoheterostructure, a conductive base in the form of a film is applied on both sides. Thus, nanoheterostructures are formed, which can be used for the manufacture of photodetectors with ultrahigh (about 100 nm) spatial resolution.
Детектор по заявке WO2010135439 включает нановолоски, сформированные в матрице оксида алюминия. После удаления матрицы нановолоски соединятся с электродами (с шагом 5-30 мкм). Изменение напряжения на нановолосках при поглощении света усиливается. Массив таких устройств может быть использован для измерения света на плоскости. В предложенном нами детекторе матрица пористого оксида алюминия выполняет роль носителя наноструктур.The detector of WO2010135439 includes nanowires formed in an alumina matrix. After removing the matrix, the nanowires will connect to the electrodes (in increments of 5-30 μm). The change in voltage across the nanowire when absorbing light is amplified. An array of such devices can be used to measure light on a plane. In our proposed detector, the matrix of porous alumina plays the role of a carrier of nanostructures.
Использование известных прецизионных фотодетекторов связано со следующими проблемами. Например, мощность, доступная для этих устройств, зависит от размера области обнаружения таким образом, что масштабирование устройства до меньшего размера приводит к снижению выходной мощности. Обнаружение светового пятна малого размера затруднено при использовании фотодетекторов большого размера. Ток, генерируемый в таком случае, сложно измерить, выделить помехи. Детектор по заявке US20110139964 (выбран в качестве прототипа) для повышения точности позиционирования пучка света использует структуру, образованную на изолирующей подложке из кремния и диоксида кремния. Поглощающие оптические сигналы зоны формируются из кремния и соединены с отдельными электрическими контактами.The use of known precision photodetectors is associated with the following problems. For example, the power available for these devices depends on the size of the detection area so that scaling the device to a smaller size reduces the output power. Detection of a light spot of a small size is difficult when using large photodetectors. The current generated in this case is difficult to measure, to distinguish interference. The detector according to the application US20110139964 (selected as a prototype) uses a structure formed on an insulating substrate of silicon and silicon dioxide to increase the accuracy of positioning of the light beam. The zone absorbing optical signals are formed of silicon and are connected to separate electrical contacts.
Его недостатком является то, что, вследствие фиксированного состава промежуточного слоя поглощающего слоя, сужается диапазон рабочих длин волн. Это значит, что детектор с определенным составом промежуточного слоя будет наиболее эффективно работать только при какой-либо одной длине волны падающего света.Its disadvantage is that, due to the fixed composition of the intermediate layer of the absorbing layer, the range of operating wavelengths narrows. This means that a detector with a certain composition of the intermediate layer will most effectively work only at any one wavelength of incident light.
Технической задачей изобретения является повышение точности позиционирования устройств, в которых реализуются сверхмалые перемещения: сканирующих атомно-силовых и туннельных микроскопов, микро- и наноэдьюкаторы и другие. Кроме того, достигается высокая точность фиксации перемещения.An object of the invention is to increase the accuracy of positioning of devices in which extremely small displacements are realized: scanning atomic force and tunneling microscopes, micro and nano eductors, and others. In addition, high accuracy of movement fixation is achieved.
Технический результат достигается в детекторе излучения, снабженном прозрачными контактами и контактами основы, между которыми расположен массив наногетероструктурных элементов, образованных донорными полупроводниковыми слоями, между которыми расположен поглощающий полупроводниковый слой.The technical result is achieved in a radiation detector equipped with transparent contacts and base contacts, between which there is an array of nanoheterostructural elements formed by donor semiconductor layers, between which an absorbing semiconductor layer is located.
Массив наногетероструктурных элементов образован в порах матрицы оксида алюминия с диаметром пор от 40 до 150 нм. Донорные полупроводниковые слои и поглощающий полупроводниковый слой образуют структуру узкозонный полупроводник/широкозонный полупроводник/узкозонный полупроводник. Донорные полупроводниковые слои выполнены из Ge, поглощающий полупроводниковый слой выполнен из ZnSe(1-x)Sx. В качестве контактов основы используется никель, или серебро, или оксид индия-олова, в качестве прозрачных контактов используется пленка оксидов индия-олова. В качестве основы используют подложку из Si. Расстояние между контактами основы составляет от 1 до 10 мкм.An array of nanoheterostructural elements is formed in the pores of an alumina matrix with a pore diameter of 40 to 150 nm. Donor semiconductor layers and an absorbing semiconductor layer form a narrow-gap semiconductor / wide-gap semiconductor / narrow-gap semiconductor structure. Donor semiconductor layers are made of Ge, the absorbing semiconductor layer is made of ZnSe (1-x) S x . Nickel, or silver, or indium tin oxide is used as the base contacts; a film of indium tin oxides is used as transparent contacts. As a base, a Si substrate is used. The distance between the contacts of the base is from 1 to 10 microns.
Основным элементом гетероструктур различного типа является гетеропереход (контакт двух различных по химическому составу полупроводников, при котором кристаллическая решетка одного материала без нарушения периодичности переходит в решетку другого материала). До «приведения в контакт» двух полупроводников потенциальная энергия электронов в них разная из-за разной термодинамической работы выхода. При «соприкосновении» двух полупроводников, как и в случае обычного p-n-перехода, электроны начнут «переходить» из полупроводника с меньшей работой выхода в полупроводник с большей. Это будет происходить до тех пор, пока диффузионный ток не будет скомпенсирован дрейфовым током носителей заряда под воздействием поля, созданным избыточными носителями. Из-за различия электронного сродства в контактирующих полупроводниках формируется разрыв зоны проводимости и разрыв валентной зоны.The main element of heterostructures of various types is the heterojunction (the contact of two semiconductors of different chemical composition, in which the crystal lattice of one material passes into the lattice of another material without violation of periodicity). Before “bringing into contact” of two semiconductors, the potential energy of electrons in them is different due to different thermodynamic work function. When two semiconductors “touch”, as in the case of the usual p-n junction, electrons will begin to “transition” from a semiconductor with a lower work function to a semiconductor with a larger one. This will occur until the diffusion current is compensated by the drift current of the charge carriers under the influence of the field created by the excess carriers. Due to the difference in electron affinity in the contacting semiconductors, a gap in the conduction band and a gap in the valence band are formed.
В гетероструктрах существует возможность формировать дно зоны проводимости Ec и потолок валентной зоны Ev независимо, так как общую разность Eg=Ec-Ev можно варьировать. В случае гетероструктуры типа узкозонный полупроводник/широкозонный полупроводник/узкозонный полупроводник энергетическая диаграмма зон будет выглядеть, как изображено на фиг.4. Если в эту диаграмму добавить поглощение слоем с большей шириной запрещенной зоны фотонов с определенной длиной волны, то количество носителей заряда на границе раздела узкозонный полупроводник/широкозонный полупроводник увеличится, при этом количество дополнительно инжектированных носителей будет пропорционально интенсивности светового излучения. Эти процессы можно легко зарегистрировать и использовать для детектирования светового излучения.In heterostructures, it is possible to form the bottom of the conduction band Ec and the ceiling of the valence band Ev independently, since the total difference Eg = Ec-Ev can be varied. In the case of a narrow-gap semiconductor / wide-gap semiconductor / narrow-gap semiconductor heterostructure, the energy band diagram will look like that shown in FIG. 4. If we add to this diagram absorption by a layer with a greater photon forbidden gap with a certain wavelength, then the number of charge carriers at the narrow-gap semiconductor / wide-gap semiconductor interface will increase, while the number of additionally injected carriers will be proportional to the intensity of light radiation. These processes can be easily recorded and used to detect light radiation.
Ширина запрещенной зоны для соединений типа ZnSxSe(1-x) зависит от x [A. Ben Fredj, M. Debbichi, M. Said. Influence of the composition fluctuation and the disorder on the bowing band gap in semiconductor materials //Microelectronics Journal, 38 (2007), 860-870]. Следовательно, можно получать наногетероструктуры типа Ge/тонкий слой ZnSx1Se(1-x1)/Ge/тонкий слой ZnSx2Se(1-x2) с различным значением x, и, как следствие, регулируемой зонной структурой. Поскольку параметры оптического поглощения зависят от ширины запрещенной зоны, то слой с одной шириной запрещенной зоны может пропускать излучение с какой-либо длиной волны, при этом оно может быть поглощено на слое с шириной запрещенной зоны, соответствующей данной длине волны падающего излучения. Это открывает возможность использования таких гетероструктур в качестве чувствительных элементов для устройств фоторегистрации объектов.The band gap for compounds of the ZnS x Se (1-x) type depends on x [A. Ben Fredj, M. Debbichi, M. Said. Influence of the composition fluctuation and the disorder on the bowing band gap in semiconductor materials // Microelectronics Journal, 38 (2007), 860-870]. Therefore, it is possible to obtain nanoheterostructures of the Ge type / ZnS x1 Se (1-x1) thin layer / Ge / ZnS x2 Se (1-x2) thin layer with a different x value and, as a result, an adjustable band structure. Since the optical absorption parameters depend on the band gap, a layer with one band gap can transmit radiation with any wavelength, while it can be absorbed on a layer with a band gap corresponding to a given incident radiation wavelength. This opens up the possibility of using such heterostructures as sensitive elements for photo-recording devices of objects.
При увеличении количества слоев в гетероструктуре, а тем более если последующие слои широкозонного полупроводника будут отличаться по величине Eg, то каждый из таких слоев будет отвечать за поглощение квантов света с определенной длиной волны. И в случае разнесения отдельных поглощающих элементов в пространстве можно создавать детекторы излучения с пространственным разрешением и селекцией по длинам волн регистрируемого излучения.With an increase in the number of layers in the heterostructure, and even more so if the subsequent layers of the wide-gap semiconductor will differ in the value of Eg, then each of these layers will be responsible for the absorption of light quanta with a certain wavelength. And in the case of separation of individual absorbing elements in space, it is possible to create radiation detectors with spatial resolution and selection according to the wavelengths of the detected radiation.
В настоящем изобретении предлагается использовать наногетероструктуры - гетероструктуры с характерными размерами элементов от 40 до 150 нм, которые внедрены в матрицу пористого оксида алюминия, выступающего в роли их носителя. Их можно изготовить несколькими способами, но наиболее эффективными из них являются такие недорогие и эффективные, как термическое напыление в условиях сверхвысокого вакуума и электрохимическое осаждение.The present invention proposes to use nanoheterostructures — heterostructures with characteristic sizes of elements from 40 to 150 nm, which are embedded in a matrix of porous alumina acting as their carrier. They can be made in several ways, but the most effective of them are such inexpensive and effective as thermal spraying in ultra-high vacuum and electrochemical deposition.
Изобретение поясняется рисунками:The invention is illustrated by drawings:
фиг. 1 - схема детектора;FIG. 1 is a detector circuit;
фиг. 2 - пористая матрица с наногетероструктурами;FIG. 2 - porous matrix with nanoheterostructures;
фиг. 3 - СЭМ-изображение скола образца наногетероструктуры в матрице оксида алюминия с диаметром пор 100 нм;FIG. 3 - SEM image of a cleaved sample of a nanoheterostructure in an alumina matrix with a pore diameter of 100 nm;
фиг. 4 - схема многослойной структуры типа узкозонный полупроводник/широкозонный полупроводник/узкозонный полупроводник.FIG. 4 is a diagram of a multilayer narrow-band semiconductor / wide-gap semiconductor / narrow-gap semiconductor type structure.
Детектор излучения снабжен прозрачными контактами 1 (электрод смещения) и контактами основы 2, между которыми расположен массив наногетероструктурных элементов, образованных донорными полупроводниковыми слоями 3, между которыми расположен поглощающий полупроводниковый слой 4.The radiation detector is equipped with transparent contacts 1 (bias electrode) and
Массив наногетероструктурных элементов образован в порах матрицы 5 оксида алюминия с диаметром пор от 40 до 150 нм (фиг. 2).An array of nanoheterostructural elements is formed in the pores of the
Донорные полупроводниковые слои 3 и поглощающий полупроводниковый слой 4 образуют структуру узкозонный полупроводник/широкозонный полупроводник/узкозонный полупроводник.
Донорные полупроводниковые слои 3 выполнены из Ge, поглощающий полупроводниковый слой 4 выполнен из ZnSe(1-x)Sx. В качестве контактов основы 2 используется никель, или серебро, или оксид индия-олова.
В качестве прозрачных контактов 1 используется пленка оксидов индия-олова. Прозрачный проводящий слой (состава 10%SnO2:90%In2O3), находящийся на верхней поверхности детектора, имеет очень хорошую стойкость к механическим и окислительным воздействиям, что позволяет защитить устройство от атмосферных воздействий.As
В качестве основы 6 используют подложку из Si или Ge.As the
Расстояние между контактами основы 2 составляет от 1 до 10 мкм. Использование набора электродов (контактов основы) с указанным расстоянием позволяет повысить точность детектирования.The distance between the contacts of the
Детектор изготавливают следующим образом.The detector is made as follows.
Полупроводниковые наногетероструктуры Ge/тонкий слой ZnSe(1-x)Sx/Ge (донорный слой/поглощающий слой/донорный слой) c составом по x от 0 до 1 с шагом Δx=0,1 могут быть получены методами термического напыления в условиях сверхвысокого (не более 10-7 Па) вакуума и электрохимического синтеза, а также их комбинацией. Геометрическая анизотропия наногетероструктур, их химический состав, стехиометрия тройного соединения и структурное состояние контролируются как условиями напыления (расстояние от испарителя до темплата может варьироваться от 10 до 20 см, температура темплата может контролируемо меняться от - 150 до 150°С) и условиями электрохимического синтеза (концентрации исходных растворов, выбор электрохимического потенциала).Semiconductor nanoheterostructures Ge / thin ZnSe (1-x) S x / Ge layer (donor layer / absorption layer / donor layer) with x composition from 0 to 1 in increments of Δx = 0.1 can be obtained by thermal spraying under ultrahigh (not more than 10 -7 Pa) vacuum and electrochemical synthesis, as well as their combination. The geometric anisotropy of the nanoheterostructures, their chemical composition, stoichiometry of the ternary compound and the structural state are controlled as sputtering conditions (the distance from the evaporator to the template can vary from 10 to 20 cm, the temperature of the template can be controlled from - 150 to 150 ° C) and the conditions of electrochemical synthesis ( concentration of initial solutions, choice of electrochemical potential).
Существенным отличием этих методов является то, что при термическом напылении рост пленки происходит путем запыления поры. То есть к окончанию процесса напыления поры оказываются закупорены с напыленной стороны. Поэтому на втором этапе (нанесения ZnSSe) пленки переворачивались и напыление проводилось на другую сторону пленки. Поскольку на первом этапе германий заполнял поры почти на 2/3 глубины поры (около 5 мкм), то толщина слоя сульфоселенида цинка составляла 150±15 нм. В связи с этим, рост этих слоев происходил на поверхности наноструктуры германия. Затем образцы перегружались в камеру напыления германия и полностью запылялись.A significant difference between these methods is that during thermal spraying, film growth occurs by dusting the pores. That is, by the end of the spraying process, the pores are blocked on the sprayed side. Therefore, at the second stage (ZnSSe deposition), the films were turned over and the deposition was carried out on the other side of the film. Since germanium filled the pores at almost 2/3 of the pore depth (about 5 μm) at the first stage, the thickness of the zinc sulfoselenide layer was 150 ± 15 nm. In this regard, the growth of these layers occurred on the surface of the germanium nanostructure. Then, the samples were loaded into the germination chamber and completely dusted.
При электрохимическом осаждении рост происходит от нижней границы поры, со стороны, на которой напылен контакт основы 2. Но в данном случае необходимо подобрать такие режимы осаждения (прежде всего, потенциал осаждения), чтобы обеспечить протекание тока через электролит. Одним из достоинств метода является то, что рост можно производить в условиях с контролируемой атмосферой, без выноса на воздух на промежуточных этапах.In electrochemical deposition, growth occurs from the lower boundary of the pore, on the side on which the contact of the
Полученные наногетероструктуры исследовались методом сканирующей электронной микроскопии на растровом электронном микроскопе. На фиг. 3 представлено изображение скола образца наногетероструктур, полученных электрохимическим осаждением в матрицу 5 оксида алюминия с диаметром пор 100 нм. Наногетероструктуры представляют собой заполненные поры.The obtained nanoheterostructures were investigated by scanning electron microscopy using a scanning electron microscope. In FIG. Figure 3 shows an image of a cleaved sample of nanoheterostructures obtained by electrochemical deposition of alumina with a pore diameter of 100 nm into
Использование гетероструктуры Ge/ZnSSe/Ge с толщиной промежуточного слоя ZnSSe 0,5-5% от толщины всей гетероструктуры, позволяет создавать дополнительные носители заряда благодаря процессам на границах разделов полупроводников (как описано выше).Using a Ge / ZnSSe / Ge heterostructure with an intermediate ZnSSe layer thickness of 0.5-5% of the thickness of the entire heterostructure allows you to create additional charge carriers due to processes at the semiconductor interfaces (as described above).
Проводящие прозрачные контакты 1 верхнего слоя изготавливаются методом магнетронного распыления мишени сплава In5Sn95 в атмосфере кислорода. Состав слоя - SnO∙In2O3. Контакты основы 2 на нижнем слое также получают методом магнетронного распыления мишени (например, Ni).Conducting
Детектор работает следующим образомThe detector operates as follows
Падающий пучок света проходит через прозрачный контакт 1, на который подается напряжение смещения. Фотоны, проходят через наногетероструктуру Ge/тонкий слой ZnSe(1-x)Sx/Ge (детектирующая структура). Далее, фототок, генерируемый в месте падения светового пятна, разделяется на две токовые компоненты, распределение которых позволяет определить местоположение светового пятна между двумя ближайшими контактами основы 2. Использование набора контактов основы 2 позволяет существенно повысить точность определения положения светового пучка.The incident light beam passes through the
Claims (7)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012149899/28A RU2517802C1 (en) | 2012-11-23 | 2012-11-23 | Radiation detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012149899/28A RU2517802C1 (en) | 2012-11-23 | 2012-11-23 | Radiation detector |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2517802C1 true RU2517802C1 (en) | 2014-05-27 |
Family
ID=50779685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012149899/28A RU2517802C1 (en) | 2012-11-23 | 2012-11-23 | Radiation detector |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2517802C1 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU177746U1 (en) * | 2015-07-23 | 2018-03-12 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки "Удмуртский федеральный исследовательский центр Уральского отделения Российской академии наук" (УдмФИЦ УрО РАН) | Electroluminescent light emitting device |
| RU2648310C1 (en) * | 2016-10-20 | 2018-03-23 | ООО "НПО "Синергетика" | Photoconverter |
| RU2816104C1 (en) * | 2023-12-28 | 2024-03-26 | Акционерное Общество "Сканда Рус" (Ао "Сканда Рус") | Electromagnetic radiation detector |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2460166C1 (en) * | 2011-04-28 | 2012-08-27 | Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт Уральского отделения РАН | Method of producing semiconductor nanostructure |
-
2012
- 2012-11-23 RU RU2012149899/28A patent/RU2517802C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2460166C1 (en) * | 2011-04-28 | 2012-08-27 | Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт Уральского отделения РАН | Method of producing semiconductor nanostructure |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU177746U1 (en) * | 2015-07-23 | 2018-03-12 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки "Удмуртский федеральный исследовательский центр Уральского отделения Российской академии наук" (УдмФИЦ УрО РАН) | Electroluminescent light emitting device |
| RU2648310C1 (en) * | 2016-10-20 | 2018-03-23 | ООО "НПО "Синергетика" | Photoconverter |
| RU2816104C1 (en) * | 2023-12-28 | 2024-03-26 | Акционерное Общество "Сканда Рус" (Ао "Сканда Рус") | Electromagnetic radiation detector |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Zhang et al. | Sensitive deep ultraviolet photodetector and image sensor composed of inorganic lead-free Cs3Cu2I5 perovskite with wide bandgap | |
| Shrestha et al. | High-performance direct conversion X-ray detectors based on sintered hybrid lead triiodide perovskite wafers | |
| Zhao et al. | Solar-blind avalanche photodetector based on single ZnO–Ga2O3 core–shell microwire | |
| Chen et al. | Highly narrow-band polarization-sensitive solar-blind photodetectors based on β-Ga2O3 single crystals | |
| Chen et al. | Ultra-sensitive flexible Ga 2 O 3 solar-blind photodetector array realized via ultra-thin absorbing medium | |
| CN100433369C (en) | Ultraviolet sensor and method for manufacturing the same | |
| Patel et al. | Polarity flipping in an isotype heterojunction (p-SnS/p-Si) to enable a broadband wavelength selective energy-efficient photodetector | |
| Meng et al. | Ultrasensitive fiber-based ZnO nanowire network ultraviolet photodetector enabled by the synergism between interface and surface gating effects | |
| Das et al. | Distinct band UV–Visible photo sensing property of ZnO-Porous silicon (PS): p-Si hybrid MSM heterostructure | |
| TWI703747B (en) | Semiconductor structure, optoelectronic device, photodetector and spectrometer | |
| Ghods et al. | Plasmonic enhancement of photocurrent generation in two-dimensional heterostructure of WSe2/MoS2 | |
| RU2517802C1 (en) | Radiation detector | |
| Rajkumari et al. | Effect of annealing on the structural and electrical properties of GLAD synthesized vertical aligned WO 3 nanowire | |
| Zhang et al. | Construction of n-SnO2 microwire/p-InGaN heterojunction for self-powered and broadband photodetector | |
| Wang et al. | Enhancing the performance of Self-Powered Deep-Ultraviolet photoelectrochemical photodetectors by constructing α-Ga2O3@ a-Al2O3 Core-Shell nanorod arrays for Solar-Blind imaging | |
| CN110993702A (en) | Rapid photoelectric detector based on graphene/molybdenum disulfide/graphene heterojunction and preparation method thereof | |
| Lee et al. | Photovoltaic response of transparent Schottky ultraviolet detectors based on graphene-on-ZnO hexagonal rod arrays | |
| Ahmed et al. | Multi–wavelength photodetectors based on porous spin-coated and compact RF-sputtered NiO films grown over Si substrate: Effect of surface morphology | |
| Zhou et al. | Solar-blind photodetector arrays fabricated by weaving strategy | |
| Yang et al. | Boosting photoresponses in a SnO2 microwire heterojunction ultraviolet self-biased photodetector through tailoring heterointerface | |
| US20230314636A1 (en) | Radiation detectors having perovskite films | |
| CN211480068U (en) | Photoelectric detector based on ultrashort channel graphene | |
| Kim et al. | Characterization of in-situ synthesized CdS x Se 1-x ternary alloy nanowire photosensor | |
| KR20150142744A (en) | Photo diode using hybrid structure of graphene/porous silicon and method of macufacturing the same | |
| KR102228652B1 (en) | Photodiode type self-powered gas sensor and preparation method thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20161124 |