RU2511669C1 - Электрические контакты для сверхпроводникового интегрального приемника - Google Patents

Электрические контакты для сверхпроводникового интегрального приемника Download PDF

Info

Publication number
RU2511669C1
RU2511669C1 RU2012146825/28A RU2012146825A RU2511669C1 RU 2511669 C1 RU2511669 C1 RU 2511669C1 RU 2012146825/28 A RU2012146825/28 A RU 2012146825/28A RU 2012146825 A RU2012146825 A RU 2012146825A RU 2511669 C1 RU2511669 C1 RU 2511669C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
receiver
wire
microcircuit
superconducting
contact
Prior art date
Application number
RU2012146825/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Валерий Павлович Кошелец
Николай Вадимович Кинев
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук filed Critical Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук
Priority to RU2012146825/28A priority Critical patent/RU2511669C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2511669C1 publication Critical patent/RU2511669C1/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires

Abstract

Изобретение относится к области разработки новых элементов и устройств сверхпроводниковой электроники и создания на их основе сверхчувствительных приемных устройств с высоким спектральным разрешением и может быть использовано при создании бортовых и наземных систем, предназначенных для радиоастрономии и мониторинга атмосферы Земли, а также медицинских исследований и систем безопасности. Сущность изобретения заключается в том, что в сверхпроводниковом интегральном приемнике электрические контакты между рабочими элементами микросхемы и печатной платой смещения, служащей для задания токов управления приемником, выполнены из проволоки в виде точечных контактов, при этом единичной проволокой осуществляется сразу несколько (более 1) последовательных контактных точек. Технический результат - понижение тепловыделения в системе, устранение необходимости дополнительной настройки рабочего режима сверхпроводникового приемника, включающего в себя ряд рабочих параметров, улучшение приемных и спектральных характеристик устройства. 2 з.п. ф-лы, 7 ил.

Description

Изобретение относится к области разработки новых элементов и устройств сверхпроводниковой электроники и создания на их основе сверхчувствительных приемных устройств с высоким спектральным разрешением; это изобретение может быть использовано при создании бортовых и наземных систем, предназначенных для радиоастрономии и мониторинга атмосферы Земли, а также медицинских исследований и систем безопасности.
Известным аналогом предлагаемого технического решения являются электрические контакты устройства на основе полупроводников или сверхпроводников между интегральной схемой (интегральным контуром, микросхемой) и печатной платой (платой задания смещения, внешним источником тока, напряжения), выполненные посредством ультразвуковой сварки проволокой [1-3]. Ультразвуковая сварка осуществляется сближением атомов свариваемых металлических поверхностей на расстояние действия межатомных сил за счет энергии ультразвуковых колебаний, вводимых в материалы. Такие контакты используются для соединения деталей, нагрев которых затруднен, а также при соединении разнородных металлов или металлов с прочными окисными пленками, поэтому они нашли широкое применение в производстве интегральных микросхем. Примеры осуществления электрического контакта при помощи ультразвуковой сварки проволокой показаны на фиг.1а, б, а микрофотография высокого разрешения области ультразвуковой сварки представлена на фиг.2. При ультразвуковой сварке обычно используется проволока из алюминия с малыми примесями (до 1%) кремния или других элементов, толщина проволоки составляет от 15 до 200 мкм.
Известен патент США «Ультразвуковое сварочное проволокой устройство» (Ultrasonic wire bonder) 1990 года [4]. Данный патент описывает комплексную машину по обеспечению контактов ультразвуковой сваркой при помощи проволоки, а также методику осуществления контактов.
Для подавляющего большинства аналогов предлагаемого технического решения, использующегося в полупроводниковых приборах с рабочими температурами порядка комнатной (300 К) либо жидкого азота (Т=77 К), совершенно несущественным является контактное сопротивление между проволокой и поверхностью ультразвукового приваривания (контактной площадкой устройства). Однако для низкотемпературных сверхпроводниковых устройств, работающих при температурах порядка жидкого гелия (Т=4,2 К и ниже), контактное сопротивление неизбежно приводит к тепловыделению в системе при пропускании тока через электрическую схему, что способно заметно влиять на температурный режим криогенной системы. Так, например, при контактном сопротивлении между проволокой и микросхемой Rк=0,02 Ом и пропускании через контур тока величий I=50 мА, помимо всего прочего в системе выделяется дополнительное тепло Pheat=I2*Rк=50 мкВт. Это может приводить к увеличению температуры в системе на десятые доли K, что заметно влияет на рабочие характеристики сверхпроводниковых элементов. К примеру, вольт-амперная характеристика (ВАХ) перехода на основе туннельной структуры сверхпроводник-изолятор-сверхпроводник (СИС-перехода) значительно зависит от температуры [5]: с ростом температуры происходит ухудшение параметра качества перехода Rj/Rn и уменьшение щелевого напряжения Vщ, поэтому чувствительность детектора на основе СИС-смесителя заметно ухудшается при нагреве системы, а также увеличивается ширина линии генерации сверхпроводникового генератора гетеродина на основе распределенного СИС-перехода [6-8]. Следует отметить, что для большинства низкотемпературных устройств очень важным является не только абсолютное значение температуры, но и ее стабильность. При сильных колебаниях температуры в системе или перегреве работа всего устройства становится невозможной.
Прототипом предлагаемого технического решения является конструкция электрических контактов для сверхпроводникового интегрального приемника (СИП) терагерцового (ТГц) диапазона [9], совмещающего на одной микросхеме все необходимые элементы гетеродинного приемника: приемную планарную антенну, смеситель на основе двух туннельных СИС-переходов площадью площадью 0,8 мкм каждый, сверхпроводниковый генератор гетеродина на основе распределенного туннельного СИС-перехода, а также гармонический СИС-смеситель площадью 1 мкм2, использующийся в системе фазовой автоподстройки частоты для стабилизации гетеродина и синхронизации его мощности. При подаче постоянного питания от батарей микросхема такого приемника работает как супергетеродинный приемник в ТГц частотном диапазоне, не требуя дополнительного СВЧ оборудования. Приемник предназначен для исследования распределения в атмосфере различных соединений и работает в режиме лимбового зондирования с борта высотного аэростата, на сегодняшний день он испытан в рамках проекта TELIS [10]. Перспективными практическими применениями приемника являются также такие области, как медицинские исследования и безопасность.
Фотография микросхемы приемника для измерения спектрального распределения внешнего электромагнитного сигнала показана на фиг.3. Для успешного функционирования как СИС-смесителя, так и гетеродина спроектированы линии управления магнитным полем через переход. Обеспечение электрических контактов между рабочими элементами приемника, расположенными на микросхеме, и печатной платой осуществляется в виде проволочных контактов ультразвуковой сваркой (фиг.4), толщина алюминиевых проволок равняется 25 мкм. Рабочая температура приемника составляет порядка 4,2 К.
Энергетическая щель сверхпроводника, а следовательно, и щелевое напряжение СИС-перехода обратным образом зависят от температуры [5, 11]. При пропускании рабочих токов через любой элемент СИП, а также через линию управления магнитным полем происходит видимое уменьшение щелевого напряжения на величины порядка нескольких мкВ. Так, например, при изменении рабочей частоты приемника зачастую необходимо существенное изменение тока через линию управления магнитным полем, после чего требуется время порядка 2-3 минут для стабилизации формы ВАХ (т.е. всего рабочего режима), что неприемлемо для работы СИП на борту аэростата с учетом его удаленного управления. Динамика изменения во времени щелевого напряжения при включении тока через линию управления магнитным полем гетеродина и тока смещения гетеродина показана на фиг.5, стрелкой на графике обозначен момент включения токов, а величина шума говорит о том, что погрешность измерения напряжения составляет доли мкВ. При изменении формы ВАХ меняются и параметры рабочей точки на ВАХ, при этом происходит изменение частоты генерации гетеродина, пропорциональной напряжению (в соответствии с соотношением Джозефсона [12-13]). Это говорит об ощутимом тепловыделении в системе вследствие лишь пропускания рабочего тока через любой рабочий элемент, именно поэтому вопрос о тепловыделении представляется актуальным.
Поскольку линия управления магнитным полем является пленкой из сверхпроводника и не имеет сопротивления, тепловыделение вследствие пропускания тока через линию вызвано падением напряжения либо на проволоке вблизи микросхемы, либо на контактном сопротивлении «проволока-площадка». Непосредственное измерение тепловыделения, вносимого проволоками, а также измерение контактного сопротивления при данной конструкции не представляется возможным. Это потребовало бы интегрирования в систему дополнительной комплексной системы, имеющей, в свою очередь, собственные контактные подводы, сопротивление которых снова представлялось бы невозможным учесть. Объективным и наиболее чувствительным параметром температуры системы, а значит, и индикатором выделяемой мощности является щелевое напряжение СИС-перехода. Таким образом, определение сопротивления, вносимого проволоками, осуществляется косвенным методом посредством измерения уменьшения щелевого напряжения.
Была проведена серия экспериментов по измерению и оценке сопротивления, вносимого в каналы управления токами проволоками, обеспечивающими контакт. Сопротивление, вносимое единичной проволокой длиной порядка 1 мм, оказалось равным примерно 0,15-0,2 Ом. Чтобы определить, какой вклад в это сопротивление вносит контактное сопротивление, было проведено независимое измерение сопротивления проволоки, помещенной в жидкий гелий. Сопротивление образца проволоки идентичной длины (1 мм) оказалось равным 0,01 Ом, что составляет порядка 5% от общего вносимого сопротивления. Таким образом, было установлено, что более 90% вклада в тепловыделение вносит контактное сопротивление между проволокой и контактными площадками микросхемы приемника. Поэтому основным требованием к обеспечению контактов посредством ультразвуковой сварки проволоками является минимизация контактного сопротивления.
Цель предлагаемого изобретения заключается в существенном понижении тепловыделения в системе вследствие уменьшения контактного сопротивления между проволоками и элементами микросхемы приемника, неизбежно вносимого в систему при ультразвуковой сварке, путем увеличения площади контакта. Это позволяет избежать дополнительной подстройки рабочего режима элементов интегрального приемника в связи с повышением температуры, а также улучшает приемные, спектральные характеристики прибора и его стабильность. Более того, предложенный подход существенно уменьшает время установления рабочего режима при перестройке частоты генератора.
Поставленная цель достигается тем, что в сверхпроводниковом интегральном приемнике электрические контакты между рабочими элементами микросхемы и печатной платой смещения, служащей для задания токов управления приемником, выполнены из проволоки в виде точечных контактов, при этом единичной проволокой осуществляется сразу несколько (более 1) последовательных контактных точек. Схематично техническое решение изображено на фиг.6, оно применимо и к контактным площадкам микросхемы, и к контактным площадкам печатной платы, причем как отдельно, так и совместно. При таком решении естественным путем увеличивается площадь контакта, что приводит к значительному снижению влияния контактного сопротивления и, следовательно, значительно меньшему его вкладу в тепловыделение в криогенной системе. При этом дополнительная длина петли не вносит существенного вклада в общее сопротивление, поскольку сопротивления проволоки составляет заведомо менее 10% от общего сопротивления.
Микросхема приемника устанавливается в специальном криогенном блоке, который обеспечивает охлаждение микросхемы вместе с окружающими ее элементами и крепление печатной платы с фильтрами. По этой плате передаются радиочастотные сигналы от микросхемы и задаются токи питания элементов микросхемы. Фотография криогенного блока сверхпроводникового интегрального приемника в разобранном виде показана на фиг.7.
Принципиально новым в представленном техническом решении по сравнению с известным является то, что при использовании такой конструкции осуществления контактов ультразвуковой сваркой вследствие значительного снижения тепловыделения в системе устранена необходимость дополнительной настройки рабочего режима сверхпроводникового приемника, включающего в себя ряд рабочих параметров. Кроме того, улучшаются приемные и спектральные характеристики устройства.
Перечень фигур
Фиг.1. а) Пример осуществления контакта ультразвуковой сваркой между алюминиевой проволокой и контактной площадкой транзистора KSY34; б) пример осуществления контакта ультразвуковой сваркой при помощи проволоки для трех электрических контуров.
Фиг.2. Микрофотография контакта, установленного ультразвуковой сваркой, полученная при помощи сканирующего микроскопа.
Фиг.3. Микрофотография микросхемы интегрального приемника, включающая в себя все рабочие элементы гетеродинного приемника, контактные площадки которых обозначены фигурными скобками: 1 - генератора гетеродина, 2 - гармонического смесителя, 3 - СИС-смесителя.
Фиг.4. Микрофотография микросхемы сверхпроводникового интегрального приемника (1), позолоченные контактные площадки которой (2) соединены с медными площадками (3) печатной платы задания смещения (4) при помощи алюминиевых проволок (5).
Фиг.5. График изменения щелевого напряжения СИС-смесителя во времени при задании некоторых значений токов в момент, обозначенный стрелкой:
1 - ток линии управления магнитным полем гетеродина 60 мА;
2 - ток смещения гетеродина 60 мА;
3 - ток линии управления магнитным полем гетеродина 90 мА;
4 - ток смещения гетеродина 90 мА.
Фиг.6. Схема электрического контакта в виде множества контактных точек с использованием одной проволоки. 1 - проволока, 2 - контактная площадка печатной платы смещения, 3 - контактная площадка микросхемы приемника, 4 - микросхема приемника.
Фиг.7. Фотография криогенного блока (1) с магнитным экраном (2), платы смещения (3) и микросхемы СИП, установленного на кремниевую линзу (4).
Предлагаемое устройство представляет собой конструкцию электрических контактов в составе интегральной системы, работающей как сверхчувствительное приемное устройство ТГц диапазона, которая включает в себя не только ключевые элементы гетеродинного приемника, но также все дополнительные элементы для их согласования, соединения с платами задания токов и напряжений и источниками питания, для их крепления в комплексной криогенной системе, а также для чтения и обработки полученных сигналов. Микросхема предлагаемого устройства изображена на фиг.3, а принципиальная схема установления контактов между элементами приемника и печатной платой задания смещения показана на фиг.6.
Шумовая температура интегрального приемника определялась из отношения сигнала на выходе приемника (Y-фактор), измеренного в режиме переключения горячей и холодной нагрузок. Лучшее значение температуры составляет порядка 120 К на частотах около 610 ГГц и 500 ГГц. Величина шумовой температуры приемника практически не зависит от тока смещения гетеродина, что дает возможность в некотором диапазоне изменять этот ток в поисках рабочей точки с минимальной шириной линии генерации.
Для спектральных измерений важно, чтобы шумовая температура приемника была равномерна во всем диапазоне промежуточной частоты (ПЧ). Для этих целей были разработаны и включены в конструкцию микросхемы приемника элементы, согласующие СИС-смеситель с трактом ПЧ в широкой полосе. Непосредственно на микросхеме размещены отстроечные емкости, которые, будучи расположенными до проволочного соединения ультразвуковой сваркой, закорачивают на землю по переменному току отрезок копланарной линии, играющей роль отстраивающей индуктивности, включенной параллельно паразитной емкости СИС-смесителя и его согласующим структурам терагерцового диапазона. Это наряду с разделением копланарной линии на две секции позволило увеличить ширину полосы ПЧ-тракта до 4 ГГц и добиться хорошей равномерности амплитудно-частотной характеристики тракта в диапазоне 4-8 ГГц.
Линия генерации сверхпроводникового генератора гетеродина с высокой степенью точности имеет лоренцеву форму [6-9]. Частота генерации однозначно связана с напряжением на генераторе при помощи соотношения Джозефсона. В автономном режиме стабильность генератора определяется низкочастотными наводками и медленными дрейфами в системе питания, а в режиме частотной стабилизации данные отклонения компенсируются за счет цепи обратной связи.
Мы провели цикл измерений для определения эффективного вклада системы проволок в сопротивление каналов управления током при использовании предлагаемой методики установления множества контактных точек одной проволокой ультразвуковой сваркой, в экспериментальном образце количество точек составляло 3. Вычисление значения вклада единичной проволоки дало результат в 0,05 Ом, что в 3-4 раза меньше по сравнению с сопротивлением, полученным при использовании стандартной методики. Таким образом, предлагаемое техническое решение позволяет понизить тепловыделение в криогенной системе более чем в 3 раза, что позволяет избежать дополнительной подстройки рабочего режима элементов интегрального приемника в связи с повышением температуры, а также улучшает приемные, спектральные характеристики прибора и его стабильность. Время установления рабочего режима при перестройке частоты не превышает 30 секунд.
Источники информации
1. Силин Л.Л., Баландин Г.Ф., Коган М.Г. Ультразвуковая сварка. М., 1962.
2. Физика и техника мощного ультразвука. Кн. 3. М., 1970.
3. Ультразвуковая технология. Ред. Б.А.Аграната. М., 1974.
4. United States Patent №4958762. Shimizu et al. Ultrasonic wire bonder. 25.09.1990.
5. Лихарев К. К. Введение в динамику джозефсоновских переходов. М.: Наука. 1985.
6. V.P.Koshelets, S.V.Shitov, А.V.Shchukin et al. // Appl. Phys. Lett., Vol.69, №5, p.699-701. 1996.
7. V.P.Koshelets, S.V.Shitov, A.V.Shchukin et al. // IEEE Trans, on Appl. Supercond. 7, p.3589-3592. 1997.
8. V.P.Koshelets, S.V.Shitov, L.V.Filippenko et.al. // IEEE Trans, on Appl. Supercond. 7, p.2905-2908. 1997.
9. В.П.Кошелец, П.Н.Дмитриев, А.Б.Ермаков et al. // Известия ВУЗов "Радиофизика", Том XLVIII, №10-11, стр.947-954. 2005.
10. Gert de Lange, Dick Boersma, Johannes Dercksen et al. // Supercond. Sci. Technol. Vol.23. P. 045016. 2010.
11. Шмидт В.В. Введение в физику сверхпроводников. М.: МЦНМО. 2000.
12. B.D.Josephson // Phys. Lett. 1, 251. 1962.
13. D.N.Langenberg et. al. // Phys. Rev. Lett. 15, 294. 1965.

Claims (3)

1. Электрические контакты для сверхпроводникового интегрального приемника, выполненные из проволоки, соединяющей посредством ультразвуковой сварки рабочие элементы сверхпроводникового интегрального приемника с печатной платой смещения для задания токов управления приемником, отличающиеся тем, что количество контактных точек единичной проволокой на контактных площадках по крайней мере одного из элементов - микросхемы либо платы задания смещения - превышает 1.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что количество контактных точек единичной проволокой на контактных площадках микросхемы и контактных площадках печатной платы смещения превышает 1.
3. Устройство по п.2, отличающееся тем, что количество контактных точек единичной проволокой на контактных площадках микросхемы и контактных площадках печатной платы смещения выбрано равным 3.
RU2012146825/28A 2012-11-02 2012-11-02 Электрические контакты для сверхпроводникового интегрального приемника RU2511669C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012146825/28A RU2511669C1 (ru) 2012-11-02 2012-11-02 Электрические контакты для сверхпроводникового интегрального приемника

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012146825/28A RU2511669C1 (ru) 2012-11-02 2012-11-02 Электрические контакты для сверхпроводникового интегрального приемника

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2511669C1 true RU2511669C1 (ru) 2014-04-10

Family

ID=50438113

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012146825/28A RU2511669C1 (ru) 2012-11-02 2012-11-02 Электрические контакты для сверхпроводникового интегрального приемника

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2511669C1 (ru)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4958762A (en) * 1988-08-25 1990-09-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Ultrasonic wire bonder
RU2179101C2 (ru) * 1999-12-15 2002-02-10 Воронежский государственный технический университет Инструмент для ультразвуковой сварки

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4958762A (en) * 1988-08-25 1990-09-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Ultrasonic wire bonder
RU2179101C2 (ru) * 1999-12-15 2002-02-10 Воронежский государственный технический университет Инструмент для ультразвуковой сварки

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
В.П. Кошелец, П.Н. Дмитриев, А.Б. Ермаков и др., Интегралный сверхпроводниковый спектрометр для мониторинга атмосферы, Известия ВУЗов "Радиофизика", Т. XLVIII, N 10-11, 2005, стр. 947-954. *
Силин Л.Л., Баландин Г.Ф., Коган М.Г,, Ультразвуковая сварка, М., 1962 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Skalare et al. Large bandwidth and low noise in a diffusion‐cooled hot‐electron bolometer mixer
Burke et al. Mixing and noise in diffusion and phonon cooled superconducting hot-electron bolometers
Yang et al. Wide-bandwidth electron bolometric mixers: A 2DEG prototype and potential for low-noise THz receivers
Jiang et al. Terahertz detectors based on superconducting hot electron bolometers
Irimajiri et al. Development of a superconducting low-noise 3.1-THz hot electron bolometer receiver
Bevilacqua et al. Study of IF Bandwidth of ${\hbox {MgB}} _ {2} $ Phonon-Cooled Hot-Electron Bolometer Mixers
Gao et al. Experimental investigation of a broadband high-temperature superconducting terahertz mixer operating at temperatures between 40 and 77 K
Kinev et al. Direct Experimental Observation of Harmonics of Josephson Generation in the Flux-Flow Oscillator
Wyss et al. Noise and bandwidth measurements of diffusion-cooled Nb hot-electron bolometer mixers at frequencies above the superconductive energy gap
RU2511669C1 (ru) Электрические контакты для сверхпроводникового интегрального приемника
Kuzmin et al. TES Bolometers With High-Frequency Readout Circuit
Sosso et al. Characterization of a Josephson array for pulse-driven voltage standard in a cryocooler
Bevilacqua et al. Fast room temperature THz bolometers
Manning et al. Apparatus for electrically detected electron nuclear double resonance in solid state electronic devices
Bruch et al. A single chip broadband noise source for noise measurements at cryogenic temperatures
Shitov et al. Wide-range bolometer with RF readout TES
Zhang et al. Heterodyne mixing and direct detection performance of a superconducting NbN hot-electron bolometer
Khudchenko et al. Cryogenic phase detector for superconducting integrated receiver
Fukuda et al. Development of multi-frequency ESR/EDMR system using a rectangular cavity equipped with waveguide window
Whalen et al. Temperature dependence of the conversion loss and response time of InSb mixers
Macfarlane et al. Simulation and measurement of HTS Josephson heterodyne oscillator
Arndt et al. Novel detection scheme for cryogenic bolometers with high sensitivity and scalability
Jiang et al. Characterization of the performance of a quasi-optical NbN superconducting HEB mixer
Kinev et al. Spectral Properties of a Terahertz Oscillator Based on the BI 2 SR 2 CACU 2 O 8+ δ Mesastructure
RU2757858C1 (ru) Сверхпроводящий источник высокочастотного шума