RU2505907C2 - Rectenna - Google Patents

Rectenna Download PDF

Info

Publication number
RU2505907C2
RU2505907C2 RU2012128691/08A RU2012128691A RU2505907C2 RU 2505907 C2 RU2505907 C2 RU 2505907C2 RU 2012128691/08 A RU2012128691/08 A RU 2012128691/08A RU 2012128691 A RU2012128691 A RU 2012128691A RU 2505907 C2 RU2505907 C2 RU 2505907C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
dielectric
cells
rectenna
elastic deformation
conductors
Prior art date
Application number
RU2012128691/08A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2012128691A (en
Inventor
Сергей Вячеславович Бобков
Виктор Викторович Кадомкин
Сергей Сергеевич Робатень
Михаил Леонидович Сбитной
Original Assignee
Закрытое акционерное общество "НТК"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Закрытое акционерное общество "НТК" filed Critical Закрытое акционерное общество "НТК"
Priority to RU2012128691/08A priority Critical patent/RU2505907C2/en
Publication of RU2012128691A publication Critical patent/RU2012128691A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2505907C2 publication Critical patent/RU2505907C2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035209—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier or surface barrier
    • H01L31/108—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier or surface barrier the potential barrier being of the Schottky type

Abstract

FIELD: radio engineering, communication.
SUBSTANCE: rectenna comprises diodes and an array of receiving elements in form of intersecting conductors which are connected by their ends to two heteropolar direct current collecting buses and which, upon intersection, form a system of square cells, apparatus for elastic deformation of cells; some conductors are in form of a dielectric fibre the outer surface of which is successively coated, with mutual overlapping, by annular layers of metal, dielectric and another metal, mutual contacts of which form a MIM diode structure, wherein the apparatus for elastic deformation of cells is connected to buses to enable mutual displacement of the latter.
EFFECT: high efficiency of receiving energy in the thermal range of the rectenna.
2 dwg

Description

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в системах беспроводной передачи энергии на расстояние для повышения эффективности ректенн.The invention relates to radio engineering and can be used in wireless energy transmission systems over a distance to improve recten efficiency.

Цель изобретения - повышение эффективности работы за счет упрощения конструкции при одновременном удешевлении массового производства.The purpose of the invention is to increase work efficiency by simplifying the design while reducing the cost of mass production.

Известна ректенна по патенту РФ №1814746 от 05.10.1989, содержащая решетку приемных элементов из диодов и проводников в виде кольцевых зон, ячейки соединены в группы параллельно, а группы соединены последовательно с двумя разнополярными шинами сбора постоянного тока. Изобретение обеспечивает эффективную работу ректенны в СВЧ диапазоне, но в области инфракрасного и видимого излучения устройство малоэффективно ввиду невозможности настройки ректенны в резонанс с частотой воспринимаемого излучения.Known rectenne according to the patent of the Russian Federation No. 1814746 from 10/05/1989, containing a grid of receiving elements from diodes and conductors in the form of annular zones, the cells are connected in groups in parallel, and the groups are connected in series with two bipolar DC busbars. The invention provides effective operation of rectenes in the microwave range, but in the field of infrared and visible radiation, the device is ineffective due to the impossibility of tuning the rectenas in resonance with the frequency of the perceived radiation.

Известна ректенна, содержащая решетку проводящих элементов в виде вибраторов из колинеарно расположенных полых проводящих труб с вырезами, в которых установлены диоды (А.С. СССР №1628133 от 29.07.1988). Данное изобретение позволяет значительно повысить надежность работы за счет упрощения конструкции, но оно неприемлемо для приема энергии в тепловом диапазоне излучений ввиду технологических трудностей изготовления труб нужного размера.Known rectenna containing a lattice of conductive elements in the form of vibrators from colinearly arranged hollow conductive pipes with cutouts in which diodes are installed (AS USSR No. 1628133 from 07.29.1988). This invention can significantly improve the reliability due to simplification of the design, but it is unacceptable for receiving energy in the thermal range of radiation due to technological difficulties in manufacturing pipes of the desired size.

Известно устройство для передачи энергии в вакууме, содержащее ректенну и большое количество диодов Шоттки и проводников, связанных с диодами в решетку приемных элементов. (Brown W.C. The Technology and Application of Free Space Transmission by Microwave Beam. Proceedings IEEE, v.62, N1, January,1974). Недостатком указанного устройства является наличие диодов Шоттки, как наиболее ненадежных элементов технологии приема энергии.A device for transmitting energy in a vacuum is known, containing a rectenna and a large number of Schottky diodes and conductors connected to the diodes in the array of receiving elements. (Brown W. C. The Technology and Application of Free Space Transmission by Microwave Beam. Proceedings IEEE, v. 62, N1, January, 1974). The disadvantage of this device is the presence of Schottky diodes, as the most unreliable elements of the technology of energy reception.

Известна ректенна, содержащая решетку приемных элементов из диодов и пересекающихся проводников, подсоединенных своими концами к двум разнополярным шинам сбора постоянного тока. (А.С. СССР №1094110 от 01.02.1983). Известное устройство выбрано в качестве прототипа изобретения. Его недостатком является невозможность использования ректенны для приема энергии теплового диапазона частот.Known rectenna containing a lattice of receiving elements from diodes and intersecting conductors connected at their ends to two bipolar DC busbars. (A.S. USSR No. 1094110 dated 02/01/1983). The known device is selected as a prototype of the invention. Its disadvantage is the inability to use rectenns for receiving energy in the thermal frequency range.

Техническим результатом изобретения является повышение эффективности приема энергии в тепловом диапазоне за счет минимизации геометрических размеров приемных элементов при одновременном повышении надежности выпрямительных диодов.The technical result of the invention is to increase the efficiency of energy reception in the thermal range by minimizing the geometric dimensions of the receiving elements while improving the reliability of rectifier diodes.

Указанный технический результат достигается тем, что в ректенне, содержащей решетку приемных элементов из диодов и пересекающихся проводников, подсоединенных своими концами к двум разнополярным шинам сбора постоянного тока, имеется, согласно изобретению, приспособление для упругой деформации ячеек, и по крайней мере, некоторые проводники выполнены в виде диэлектрической нити, на внешнюю поверхность которой последовательно, с взаимным перекрытием нанесены кольцевые слои металла, диэлектрика и другого металла, взаимные контакты которых образуют кольцевую структуру МДМ диода, при этом приспособление для упругой деформации ячеек связано с шинами для обеспечения возможности взаимного перемещения последних.The specified technical result is achieved by the fact that in the rectenna containing the array of receiving elements from diodes and intersecting conductors connected at their ends to two bipolar DC busbars, according to the invention, there is a device for elastic deformation of the cells, and at least some conductors are made in the form of a dielectric filament, on the outer surface of which are sequentially, with mutual overlap, annular layers of metal, dielectric and other metal are applied, whose mutual contacts x form the ring structure of the MDM diode, while the device for the elastic deformation of the cells is connected to the buses to enable mutual movement of the latter.

Диэлектрическая нить, например из капрона, лавсана, базальта и других материалов, обладает весьма высокой механической прочностью, что позволяет при изготовлении ректенны отказаться от подложки. Сама решетка из диэлектрических нитей является несущим элементом конструкции и может быть использована для формирования ректенны значительных геометрических размеров.A dielectric filament, for example of kapron, lavsan, basalt, and other materials, has a very high mechanical strength, which makes it possible to reject the substrate in the manufacture of rectenes. The dielectric filament lattice itself is a supporting structural element and can be used to form rectenes of significant geometric dimensions.

Нанесение на внешнюю поверхность нити последовательных кольцевых слоев из металла (например, золота) диэлектрика (например, сульфида кадмия) и вновь металла (например, индия) обеспечивает создание структуры диэлектрического диода, который также называют МДМ диодом (см. Гранитов Г. И. Физика полупроводников и полупроводниковые приборы. Учебник для техникумов. Издательство «Советское радио», Москва, 1977 г. Рис.2.4).The application of successive annular layers of a metal (e.g., gold) to a dielectric (e.g., cadmium sulfide) and again a metal (e.g., indium) to the outer surface of the thread provides the structure of a dielectric diode, which is also called an MDM diode (see G. Granitov Physics semiconductors and semiconductor devices. Textbook for technical schools. Publishing house "Soviet Radio", Moscow, 1977. Fig.2.4).

Такие кольцевые по геометрической конструкции МДМ диоды образуют вдоль диэлектрической нити последовательную диодную цепь. Эти цепи соединяют параллельно в электрическом смысле к сборным шинам. Также их связывают между собой одним из способов переплетения нитей, например, наподобие рабицы, или другим способом переплетения нитей, которые применяются при производстве текстиля и трикотажа. В результате ректенну можно ткать или вязать из покрытых слоями металлов и диэлектрика диэлектрических нитей, как трикотаж.Such MDM diodes, circular in geometric design, form a sequential diode circuit along the dielectric filament. These circuits are connected in parallel in the electrical sense to the busbars. They are also tied together using one of the methods of weaving threads, for example, like chain-link, or another way of weaving threads, which are used in the manufacture of textiles and knitwear. As a result, the rectenna can be woven or knitted from dielectric filaments coated with layers of metals and dielectric, such as knitwear.

Из полученного в результате вязки полотнища можно изготавливать оболочки и конструкционные несущие элементы, которые найдут применение в космической технике и наземных устройствах, преобразующих энергию внешнего электромагнитного поля в полезную работу.From the cloth obtained as a result of knitting, it is possible to produce shells and structural load-bearing elements that will be used in space technology and ground-based devices that convert the energy of an external electromagnetic field into useful work.

Изобретение поясняется чертежами, на которых на фиг.1 показана диэлектрическая нить с напыленными слоями в разрезе; на фиг.2 показана часть ректенны.The invention is illustrated by drawings, in which Fig. 1 shows a dielectric filament with sprayed layers in a section; figure 2 shows part of the rectenna.

Диэлектрическую нить 1 покрывают последовательно накладываемыми с перекрытием слоями. Слой золота 2 (анод) покрыт слоем сульфида кадмия 3. Затем нанесен слой индия 4 (катод), который покрыт слоем золота 5. Далее на слой золота опять нанесен слой диэлектрика и далее покрывающие нить 1 слои следуют в указанном порядке. Взаимные перекрытия слоев 2,3,4 формируют диодные зоны 6, в которых образована МДМ структура диода.The dielectric thread 1 is coated sequentially with overlapping layers. The layer of gold 2 (anode) is covered with a layer of cadmium sulfide 3. Then a layer of indium 4 (cathode) is deposited, which is coated with a layer of gold 5. Next, a layer of dielectric is again applied to the layer of gold and then layers covering the filament 1 follow in the indicated order. The mutual overlap of the layers 2,3,4 form the diode zone 6, in which the MDM structure of the diode is formed.

Кольцеобразные слои золота 2 обеспечивают нити 1 необходимую для последующего плетения ректенны гибкость. После покрытия нитей 1 слоями металлов и диэлектрика их присоединяют к анодной шине 7, со стороны первого по порядку золотого кольца, переплетают между собой, например, наподобие рабицы и соединяют с катодной шиной 8 индиевым кольцом.The ring-shaped layers of gold 2 provide the strand 1 with the flexibility necessary for the subsequent weaving of recten. After coating the filaments 1 with layers of metals and a dielectric, they are connected to the anode bus 7, from the side of the first gold ring, intertwined, for example, like a chain link, and connected to the cathode bus 8 by an indium ring.

В результате переплетения нитей 1 возникают диодные мосты по контурам образующихся ячеек 9. Эти мосты способствуют уравниванию потенциалов по плоскости ректенны и позволяют перераспределять токи в обход поврежденных нитей и соединений. Тем самым повышается надежность ректенны в целом. Кроме того, повышается технологичность изготовления, поскольку обеспечивается исключение из электрической цепи случайно образованных кольцевых контуров, замкнутых накоротко при формировании ректенны. Шины 7 и 8 соединены приспособлением, например, в виде гидроцилиндра 10 и штока 11, с приводом (не показан), для взаимного перемещения. Раздвигая и сближая шины 7, 8 относительно друг друга перемещением штока 11 в гидроцилиндре 10, возможно увеличивать и уменьшать геометрические размеры ячеек 9, что позволяет производить настройку ректенны на предпочтительную частоту воспринимаемого излучения. Кроме того, поскольку каждая из нитей 1 имеет форму спирали, обеспечивается объемный резонанс токов в нити, что позволяет воспринимать энергию волны с любого направления и любой поляризации с повышенным к.п.д. относительно плоского в плане прототипа.As a result of interweaving of filaments 1, diode bridges arise along the contours of the formed cells 9. These bridges contribute to equalization of potentials along the rectenna plane and allow redistributing currents to bypass damaged filaments and connections. This increases the reliability of recten as a whole. In addition, the manufacturability is improved, since the elimination from the electrical circuit of randomly formed annular circuits, short-circuited during the formation of rectenna. Tires 7 and 8 are connected by a device, for example, in the form of a hydraulic cylinder 10 and a rod 11, with a drive (not shown), for mutual movement. Spreading and bringing together the tires 7, 8 relative to each other by moving the rod 11 in the hydraulic cylinder 10, it is possible to increase and decrease the geometric dimensions of the cells 9, which allows tuning of the rectenna to the preferred frequency of the perceived radiation. In addition, since each of the strands 1 has a spiral shape, the volume resonance of the currents in the filament is ensured, which makes it possible to perceive wave energy from any direction and any polarization with increased efficiency relatively flat in terms of prototype.

При разворачивании ректенны в рабочее положение гидроцилиндром 10 в шинах 7, 8 возникает разность потенциалов, которая используется для производства полезной работы. Источником энергии при этом служит внешнее поле электромагнитных излучений, воспринимаемое кольцевыми проводниками 2, 4, 5 и детектируемое кольцевыми зонами 6, в которых реализована структура МДМ диода. Поскольку вдоль нити 1 сформировано множество зон 6, происходит накопление потенциала на концах каждой нити 1, соединенной с шинами 7,8 своими металлическими кольцевыми слоями. Суммирование потенциала каждой из параллельно подключенных к шинам 7,8 нитей 1 определяет в конечном итоге мощность, которую возможно снять с шин 7,8.When deploying rectenes into working position with hydraulic cylinder 10 in tires 7, 8, a potential difference occurs, which is used to produce useful work. The energy source in this case is the external field of electromagnetic radiation, perceived by the ring conductors 2, 4, 5 and detected by the ring zones 6, in which the structure of the MDM diode is implemented. Since a plurality of zones 6 are formed along the yarn 1, a potential accumulates at the ends of each yarn 1 connected to the 7.8 tires by their metal annular layers. Summing the potential of each of the 7.8 threads 1 connected in parallel to the buses 1 ultimately determines the power that can be removed from the 7.8 buses.

Claims (1)

Ректенна, содержащая диоды и решетку приемных элементов, выполненную в виде пересекающихся проводников, подсоединенных своими концами к двум разнополярным шинам сбора постоянного тока и образующих при пересечении систему квадратных ячеек, отличающаяся тем, что она снабжена приспособлением для упругой деформации ячеек, и по крайней мере, некоторые проводники выполнены в виде диэлектрической нити, на внешнюю поверхность которой последовательно, с взаимным перекрытием нанесены кольцевые слои металла, диэлектрика и другого металла, взаимные контакты которых образуют структуру МДМ диода, при этом приспособление для упругой деформации ячеек связано с шинами для обеспечения возможности взаимного перемещения последних. A rectenna containing diodes and a grating of receiving elements made in the form of intersecting conductors connected at their ends to two bipolar DC busbars and forming a system of square cells at the intersection, characterized in that it is equipped with a device for elastic deformation of the cells, and at least some conductors are made in the form of a dielectric filament, on the outer surface of which are sequentially, with mutual overlap, annular layers of metal, dielectric, and other metal are deposited nye contacts which form the structure MDM diode, the device for elastic deformation of the cells associated with the tire to allow mutual displacement of the latter.
RU2012128691/08A 2012-07-10 2012-07-10 Rectenna RU2505907C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012128691/08A RU2505907C2 (en) 2012-07-10 2012-07-10 Rectenna

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012128691/08A RU2505907C2 (en) 2012-07-10 2012-07-10 Rectenna

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012128691A RU2012128691A (en) 2013-01-27
RU2505907C2 true RU2505907C2 (en) 2014-01-27

Family

ID=48805442

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012128691/08A RU2505907C2 (en) 2012-07-10 2012-07-10 Rectenna

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2505907C2 (en)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3434678A (en) * 1965-05-05 1969-03-25 Raytheon Co Microwave to dc converter
SU1094110A1 (en) * 1983-02-01 1984-05-23 Предприятие П/Я А-1836 Rectenna
SU1195407A1 (en) * 1983-04-15 1985-11-30 Предприятие П/Я А-1836 Rectenna
SU1363378A1 (en) * 1986-06-11 1987-12-30 Харьковский Институт Радиоэлектроники Им.Акад.М.К.Янгеля Rectenna
SU1480020A1 (en) * 1986-04-21 1989-05-15 Предприятие П/Я А-1836 Rectenna
SU1676003A1 (en) * 1989-06-21 1991-09-07 Харьковский Институт Радиоэлектроники Им.Акад.М.К.Янгеля Rectenna
RU1814746C (en) * 1989-10-05 1993-05-07 Харьковский Институт Радиоэлектроники Им.Акад.М.К.Янгеля Method of connection of reception-rectification cells of rectenna
RU73550U1 (en) * 2007-12-20 2008-05-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ЮРГУЭС) FRENEL ANTENNA WITH CONTROLLED PARAMETERS BASED ON A SEMICONDUCTOR MATERIAL WITH OPTICALLY CONTROLLED ELECTROMAGNETIC PARAMETERS
RU113434U1 (en) * 2011-07-06 2012-02-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Торий" WIRELESS POWER TRANSMISSION SYSTEM FOR POWER SUPPLY OF AIRCRAFT

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3434678A (en) * 1965-05-05 1969-03-25 Raytheon Co Microwave to dc converter
SU1094110A1 (en) * 1983-02-01 1984-05-23 Предприятие П/Я А-1836 Rectenna
SU1195407A1 (en) * 1983-04-15 1985-11-30 Предприятие П/Я А-1836 Rectenna
SU1480020A1 (en) * 1986-04-21 1989-05-15 Предприятие П/Я А-1836 Rectenna
SU1363378A1 (en) * 1986-06-11 1987-12-30 Харьковский Институт Радиоэлектроники Им.Акад.М.К.Янгеля Rectenna
SU1676003A1 (en) * 1989-06-21 1991-09-07 Харьковский Институт Радиоэлектроники Им.Акад.М.К.Янгеля Rectenna
RU1814746C (en) * 1989-10-05 1993-05-07 Харьковский Институт Радиоэлектроники Им.Акад.М.К.Янгеля Method of connection of reception-rectification cells of rectenna
RU73550U1 (en) * 2007-12-20 2008-05-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ЮРГУЭС) FRENEL ANTENNA WITH CONTROLLED PARAMETERS BASED ON A SEMICONDUCTOR MATERIAL WITH OPTICALLY CONTROLLED ELECTROMAGNETIC PARAMETERS
RU113434U1 (en) * 2011-07-06 2012-02-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Торий" WIRELESS POWER TRANSMISSION SYSTEM FOR POWER SUPPLY OF AIRCRAFT

Also Published As

Publication number Publication date
RU2012128691A (en) 2013-01-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20140053951A (en) Photovoltaic cell
CN105244570B (en) Active frequencies select the design method on surface
AU2017258961B2 (en) System for transforming energy of solar electromagnetic radiation into electric energy
RU2505907C2 (en) Rectenna
JP6807151B2 (en) Electrical wire
RU2504888C2 (en) Method of making rectenna
CN103477552B (en) There is the photovoltaic element of built-in resonance device
Karthikeya et al. Wearable button antenna array for V band application
Vaishnavi et al. Simulation of helical modulation in a focal plane array
US20050224904A1 (en) Solar battery and clothes
Boutayeb et al. New reconfigurable power divider based on radial waveguide and cylindrical electromagnetic band gap structure for low power and low cost smart antenna systems
RU164857U1 (en) DIRECTED DIRECTOR ANTENA
RU164860U1 (en) DIRECTED DIRECTOR ANTENNA
Zhang et al. Generating wideband orbital angular momentum beams using helical antenna
RU2580406C1 (en) Broadband directional zigzag quasi-shunt-fed antenna
US10217883B2 (en) Functional yarn equipped with semiconductor functional elements
US11404971B2 (en) Converter for converting an electromagnetic wave in a continuous electric current
US10396449B2 (en) Photovoltaic element with an included resonator
RU2777219C2 (en) Converter for conversion of electromagnetic wave into direct electric current
KR20160074383A (en) Wire bundle and manufacturing method of the same
US10389020B2 (en) Solar element comprising resonator for application in energetics
Surekha et al. Coverage of total Target Field to Form WSN using Delaunay Triangulation
AU2019201459B2 (en) A photovoltaic element with an included resonator
CN108922744A (en) A kind of coil and electronic equipment
KR101929547B1 (en) Apparatus for generating electric power using antenna integrated rectifying device

Legal Events

Date Code Title Description
HE9A Changing address for correspondence with an applicant
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20150711