RU2504869C2 - Microwave switch based on pin diodes with filter properties - Google Patents
Microwave switch based on pin diodes with filter properties Download PDFInfo
- Publication number
- RU2504869C2 RU2504869C2 RU2012113446/08A RU2012113446A RU2504869C2 RU 2504869 C2 RU2504869 C2 RU 2504869C2 RU 2012113446/08 A RU2012113446/08 A RU 2012113446/08A RU 2012113446 A RU2012113446 A RU 2012113446A RU 2504869 C2 RU2504869 C2 RU 2504869C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- circuits
- oscillatory
- parallel
- pin diodes
- filter
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области радиотехники, а именно к СВЧ переключателям на PIN-диодах. СВЧ переключатели применяются в приемопередающих системах для работы приемников и передатчиков в дуплексном режиме на одну антенну на одной частоте.The invention relates to the field of radio engineering, namely to microwave switches on PIN diodes. Microwave switches are used in transceiver systems for the operation of receivers and transmitters in duplex mode on a single antenna at a single frequency.
Известен полосно-пропускающий перестраиваемый фильтр СВЧ, приведенный в патенте №2372695, H01P 1/203 от 20.10.2008, в котором полупроводниковые элементы используются для перестройки фильтра по частоте. Это устройство обладает свойствами частотной селекции СВЧ сигнала, но не обеспечивает дуплексного режима работы системы на одну антенну на заданной частоте.Known band-pass tunable microwave filter, shown in patent No. 2372695, H01P 1/203 from 10.20.2008, in which semiconductor elements are used to rebuild the filter in frequency. This device has the properties of frequency selection of a microwave signal, but does not provide duplex mode of operation of the system on one antenna at a given frequency.
Недостатком попоено-пропускающего перестраиваемого фильтра, помимо отсутствия дуплексного режима работы, является и то, что в нем используются полевые транзисторы с барьером Шотки, которые не могут обеспечить прохождение через фильтр СВЧ сигнала большой мощности.Besides the lack of a duplex operation mode, the disadvantage of a pass-through tunable filter is that it uses field-effect transistors with a Schottky barrier, which cannot ensure the passage of a high-power microwave signal through the filter.
Для устранения этих недостатков в переключателе СВЧ были установлены PIN-диоды и сосредоточенные элементы, дающие возможность работать в дуплексном режиме и пропускать высокочастотные сигналы значительно большей мощности.To eliminate these shortcomings, PIN diodes and lumped elements were installed in the microwave switch, which made it possible to work in full duplex mode and transmit high-frequency signals of much greater power.
Известны СВЧ переключатели на PIN-диодах, обеспечивающие широкие полосы пропускания путем компенсации паразитных параметров PIN-диодов отрезками линий (заявки №2244989, Н01Р 1/15, №2275716, Н01Р 1/15, №2339126, H01P 1/15).Microwave switches on PIN diodes are known, which provide wide passband by compensating for stray parameters of PIN diodes with line segments (applications No. 2244989, Н01Р 1/15, No. 2275716, Н01Р 1/15, No. 2339126, H01P 1/15).
Однако эти переключатели используются только для обеспечения работы приемопередающего тракта в дуплексном режиме и получения необходимой развязки между приемником и передатчиком, не обеспечивая частотной избирательности, из-за чего приходится использовать в антенно-фидерном тракте устройства фильтрации высокочастотного сигнала, что ухудшает его общие электрические показатели, а кроме того отрицательно сказывается на массогабаритных показателях всей системы.However, these switches are used only to ensure the transceiver path in duplex mode and to obtain the necessary isolation between the receiver and transmitter, not providing frequency selectivity, which is why it is necessary to use high-frequency signal filtering devices in the antenna-feeder path, which degrades its general electrical performance, and in addition, adversely affects the overall dimensions of the entire system.
Наиболее близким по технической сущности к заявляемому переключателю является выключатель, приведенный в патенте №2195053, H01P 1/15, который был выбран в качестве прототипа (Фиг.1).The closest in technical essence to the claimed switch is a switch shown in patent No. 2195053, H01P 1/15, which was selected as a prototype (Figure 1).
Устройство-прототип выполнен на основе двух четвертьволновых трансформирующих шлейфов, расположенных на расстоянии четверти длины волны друг от друга и на концах которых включены полупроводниковые диоды. В режиме пропускания на полупроводниковые диоды подано прямое смещение. При этом структура выключателя соответствует попоено-пропускающему фильтру с четвертьволновыми связями. При обесточенных диодах структура выключателя соответствует режекторному фильтру. Предлагаемый выключатель работает в широкой полосе частот, достигающей 40%.The prototype device is made on the basis of two quarter-wave transforming loops located at a quarter quarter wavelength from each other and at the ends of which are included semiconductor diodes. In the transmission mode, a direct bias is applied to the semiconductor diodes. In this case, the switch structure corresponds to a pass-through filter with quarter-wave connections. With de-energized diodes, the structure of the switch corresponds to a notch filter. The proposed switch operates in a wide frequency band, reaching 40%.
Устройство-прототип содержит:The prototype device contains:
C1, C2 - первый и второй разделительные емкости (конденсаторы);C1, C2 - the first and second separation capacitors (capacitors);
L3 - блокировочная индуктивность;L3 - blocking inductance;
VD1 - первый полупроводниковый диод;VD1 is the first semiconductor diode;
VD2 - второй полупроводниковый диод;VD2 is the second semiconductor diode;
15 - первый четвертьволновый трансформирующий шлейф;15 - the first quarter-wave transforming loop;
16 - второй четвертьволновый трансформирующий шлейф;16 - the second quarter-wave transforming loop;
17 - четвертьволновый отрезок линии передачи;17 - a quarter-wave segment of the transmission line;
26 - источник управляющего напряжения.26 - source of control voltage.
Первая разделительная емкость C1, четвертьволновый отрезок линии передачи 17 и вторая разделительная емкость C2 соответственно образуют последовательную цепь, включенную между входом и выходом устройства. Блокировочная индуктивность L3 подключена между источником управляющего напряжения 26 и точкой соединения первой разделительной емкости C1 с четвертьволновым отрезком линии передачи 17. Первый четвертьволновый трансформирующий шлейф 15 подключен соответственно к первому электроду первого полупроводникового диода VD1 и к точке соединения первой разделительной емкости С1 с четвертьволновым отрезком линии передачи 17. Второй четвертьволновый трансформирующий шлейф 16 подключен соответственно к первому электроду второго полупроводникового диода VD2 и к точке соединения четвертьволнового отрезка линии передачи 17 со второй разделительной емкостью С2. Второй электрод первого полупроводникового диода VD1 и второй электрод второго полупроводникового диода VD2 соединены с общей шиной.The first separation capacitance C1, the quarter-wave length of the
Устройство-прототип работает следующим образом.The prototype device operates as follows.
При нулевом управляющем напряжении источника 26 полупроводниковые диоды VD1 и VD2 заперты и четвертьволновые трансформирующие шлейфы 15 и 16 совместно с четвертьволновым отрезком линии передачи 17 образуют структуру режекторного фильтра, которая обеспечивает требуемую величину потерь запирания в широкой полосе частот. При положительном управляющем напряжении источника 26 полупроводниковые диоды VD1 и VD2 открываются и обеспечивают режим короткого замыкания для четвертьволновых трансформирующих шлейфов 15 и 16. При этом короткозамкнутые четвертьволновые трансформирующие шлейфы 15, 16 и отрезок линии передачи 17 с соответствующими волновыми сопротивлениями, образуют структуру чебышевского полосно-пропускающего фильтра, полоса рабочих частот которого соответствует полосе режекции режекторного фильтра по уровню Кз. За счет этого соответствия обеспечивается максимально возможная полоса рабочих частот выключателя в режиме пропускания и в режиме запирания.At a zero control voltage of the
Недостатком устройства-прототипа является невозможность получения полноценной амплитудно-частотной характеристики заданной формы с хорошей крутизной.The disadvantage of the prototype device is the inability to obtain a full amplitude-frequency characteristic of a given shape with good slope.
В заявляемом изобретении решается задача создания СВЧ переключателя, обеспечивающего дуплексный режим работы приемо-передающих систем и позволяющего получить АЧХ полосно-пропускающего фильтра заданной формы с повышенной крутизной.The claimed invention solves the problem of creating a microwave switch that provides duplex operation of the transceiver systems and allows you to get the frequency response of the bandpass filter of a given shape with high slope.
Достигаемый технический результат - улучшение частотной избирательности, массогабаритных параметров системы, за счет объединения в одном устройстве коммутирующих и фильтрующих элементов.The technical result achieved is an improvement in the frequency selectivity, the overall dimensions of the system, by combining switching and filtering elements in one device.
Для достижения технического результата заявляется СВЧ переключатель с фильтрующими свойствами, который, согласно изобретению, содержит как минимум 3 последовательных и 2 параллельных колебательных LC-контура цепей развязки, как минимум 3 параллельных колебательных LC-контура цепей фильтрации, как минимум 4 PIN-диода, объединенные попарно отрицательными выводами, для подачи на них сигналов от управляющих источников через индуктивности соответствующих параллельных колебательных LC-контуров цепей развязки, при этом, положительные выводы PIN-диодов через элементы соответствующих последовательных колебательных LC-контуров цепей развязки подключены к соответствующим сигнальным выводам устройства, а через индуктивности соответствующих параллельных колебательных LC-контуров цепей фильтрации и соответствующие резисторы подключены к общей шине.To achieve a technical result, a microwave switch with filtering properties is claimed, which, according to the invention, contains at least 3 serial and 2 parallel oscillatory LC circuits of the decoupling circuits, at least 3 parallel oscillatory LC circuits of the filter circuits, at least 4 PIN diodes combined in pairs with negative outputs, for supplying them with signals from control sources through the inductances of the corresponding parallel oscillating LC-circuits of the decoupling circuits, while the positive conclusions are PIN-d odov elements through respective successive LC-oscillatory circuits decoupling circuits connected to respective signal output devices through a respective parallel inductor LC-oscillatory circuits and filtering circuits respective resistors connected to a common bus.
Схема заявляемого устройства приведена на фиг.2, где обозначено:A diagram of the inventive device is shown in figure 2, where it is indicated:
С1, С4, С7 - первая, четвертая и седьмая разделительные емкости (конденсаторы), входящие в последовательные колебательные LC-контуры цепей развязки;C1, C4, C7 - the first, fourth and seventh separation capacitors (capacitors) included in the sequential oscillatory LC-circuits of the isolation circuit;
С2, С5, С8 - вторая, пятая и восьмая контурные емкости (конденсаторы), входящие в параллельные колебательные LC-контуры цепей фильтрации;C2, C5, C8 - the second, fifth and eighth circuit capacitors (capacitors) included in parallel oscillating LC circuits of the filtering circuits;
С3, С6 - третья и шестая контурные емкости (конденсаторы), входящие в параллельные колебательные LC-контуры цепей развязки;C3, C6 - the third and sixth circuit capacitors (capacitors) included in the parallel oscillating LC-circuits of the isolation circuit;
С9, С10 - девятая и десятая блокировочные емкости (конденсаторы);C9, C10 - the ninth and tenth blocking capacities (capacitors);
L1, L4, L7 - первая, четвертая и седьмая индуктивности (дроссели), входящие в последовательные колебательные LC-контуры цепей развязки;L1, L4, L7 - the first, fourth and seventh inductances (chokes) included in the sequential oscillatory LC-circuit of the isolation circuit;
L2, L5, L8 - вторая, пятая и восьмая индуктивности (дроссели), входящие в параллельные колебательные LC-контуры цепей фильтрации;L2, L5, L8 - second, fifth and eighth inductances (chokes) included in parallel oscillatory LC circuits of the filtering circuits;
L3, L6 - третья и шестая индуктивности (дроссели), входящие в последовательные колебательные LC-контуры цепей развязки;L3, L6 - the third and sixth inductances (chokes) included in the sequential LC oscillatory circuits of the isolation circuit;
R1…R3 - с первого по третий ограничительные резисторы;R1 ... R3 - from the first to the third limiting resistors;
VD1…VD4 - с первого по четвертый PIN-диоды;VD1 ... VD4 - from the first to the fourth PIN diodes;
11, 12, 13 - сигнальные выводы устройства;11, 12, 13 - signal outputs of the device;
26, 27 - первый и второй источники управляющего напряжения.26, 27 - the first and second sources of control voltage.
Последовательно соединенные первая индуктивность L1 и первая емкость С 1 образуют первый (последовательный) колебательный LC-контур 1, подключенный одним концом индуктивности L1 к сигнальному выводу устройства 11, а другим концом емкости С1 к положительному выводу первого PIN-диода VD1.Serially connected, the first inductance L1 and the first capacitance C 1 form the first (sequential) oscillatory LC circuit 1, connected at one end of the inductance L1 to the signal output of the device 11, and the other end of the capacitance C1 to the positive terminal of the first PIN diode VD1.
Параллельно соединенные вторая индуктивность L2 и вторая емкость С2 образуют второй (параллельный) колебательный LC-контур 2, подключенный одним концом к положительному выводу первого PIN-диода VD1, а вторым - через первый резистор R1, к общей шине.In parallel, the second inductance L2 and the second capacitance C2 form a second (parallel)
Параллельно соединенные третья индуктивность L3 и третья емкость С3 образуют третий (параллельный) колебательный LC-контур 3, подключенный одним концом к отрицательным выводам первого VD1 и второго VD2 PIN-диодов, а другим концом, через девятый блокировочный конденсатор С9, - к общей шине.In parallel, the third inductance L3 and the third capacitance C3 form a third (parallel) oscillatory LC circuit 3 connected at one end to the negative terminals of the first VD1 and second VD2 PIN diodes, and at the other end, through the ninth blocking capacitor C9, to a common bus.
Последовательно соединенные четвертая индуктивность L4 и четвертая емкость С4 образуют четвертый (последовательный) колебательный LC-контур 4, подключенный одним концом индуктивности к положительным выводам второго VD2 и третьего VD3 PIN-диодов, а другим концом емкости ко второму сигнальному выводу устройства 12.The fourth inductance L4 and the fourth capacitance C4 connected in series form a fourth (sequential) LC oscillating circuit 4 connected at one end of the inductance to the positive terminals of the second VD2 and third VD3 PIN diodes, and the other end of the capacitance to the second signal terminal of the device 12.
Параллельно соединенные пятая индуктивность L5 и пятая емкость С5 образуют пятый (параллельный) колебательный LC-контур 5, подключенный одним концом к положительным выводам второго VD2 и третьего VD3 PIN-диодов, а другим, через второй резистор R2, - к общей шине.In parallel, the fifth inductance L5 and the fifth capacitance C5 form a fifth (parallel) oscillatory LC circuit 5, connected at one end to the positive terminals of the second VD2 and third VD3 PIN diodes, and the other, through the second resistor R2, to the common bus.
Параллельно соединенные шестая индуктивность L6 и шестая емкость С6 образуют шестой (параллельный) колебательный LC-контур 6, подключенный одним концом к отрицательным выводам третьего VD3 и четвертого VD4 PIN-диодов, а другим концом, через десятый блокировочный конденсатор С10, - к общей шине.In parallel, the sixth inductance L6 and the sixth capacitance C6 form the sixth (parallel) oscillatory LC circuit 6, connected at one end to the negative terminals of the third VD3 and fourth VD4 PIN diodes, and at the other end, through the tenth blocking capacitor C10, to the common bus.
Последовательно соединенные седьмая индуктивность L7 и седьмая емкость С7 образуют седьмой (последовательный) колебательный LC-контур 7, подключенный одним концом индуктивности L7 к третьему сигнальному выводу устройства 13, а другим концом емкости С3 к положительному выводу четвертого PIN-диод а VD4.Sequentially connected, the seventh inductance L7 and the seventh capacitance C7 form the seventh (sequential) oscillatory LC circuit 7, connected at one end of the inductance L7 to the third signal terminal of the device 13, and the other end of the capacitance C3 to the positive terminal of the fourth PIN diode a VD4.
Параллельно соединенные восьмая индуктивность L8 и восьмая емкость С8 образуют восьмой (параллельный) колебательный LC-контур 8, подключенный одним концом к положительному выводу четвертого PIN-диода VD4, а другим концом, через резистор R3, - к общей шине.In parallel, the eighth inductance L8 and the eighth capacitance C8 form the eighth (parallel) oscillatory LC circuit 8, connected at one end to the positive terminal of the fourth PIN diode VD4, and at the other end, via resistor R3, to the common bus.
Через третий 3 и шестой 6 параллельные колебательные LC-контуры осуществляется подача открывающих и запирающих напряжений с источников 26, 27 соответственно на PIN-диоды, а второй 2, пятый 5 и восьмой 8 параллельные колебательные LC-контуры служат для прохождения токов прямого смещения PIN-диодов на общую шину.Through the third 3 and sixth 6 parallel oscillating LC circuits, the opening and blocking voltages are supplied from
Заявляемое устройство работает следующим образом:The inventive device operates as follows:
При подаче прямого напряжения смещения минус 3 В с источника 26 через третью индуктивность L3, первый VD1 и второй VD2 PIN-диоды открываются, обеспечивая прямое прохождение СВЧ сигнала от сигнального вывода устройства 11 на сигнальный вывод устройства 12. В тоже время на третий VD3 и четвертый VD4 PIN-диоды, через шестую индуктивность L6, подается обратное напряжение плюс 150 В с источника 27, закрывающее их и не дающее СВЧ сигналу попасть на сигнальный вывод устройства 13. Контуры цепей развязки 1, 3 и 4 и контуры цепей фильтрации 2 и 5 являются резонансными цепями полосового фильтра передатчика, поэтому на сигнальном выводе устройства 12, в данном случае СВЧ сигнал имеет АЧХ полосового фильтра.When applying a direct bias voltage of minus 3 V from
При подаче прямого напряжения смещения минус 3 В с источника 27 через шестую индуктивность L6, третий VD3 и четвертый VD4 PIN-диоды открываются, обеспечивая прямое прохождение СВЧ сигнала от сигнального вывода 12 на сигнальный вывод устройства 13. В то же время на первый VD1 и второй VD2 PIN-диоды, через третью индуктивность L3, подается обратное напряжение плюс 150 В с источника 26, закрывающее их и не дающее СВЧ сигналу попасть на сигнальный вывод устройства 11. Контуры цепей развязки 4, 6 и 7 и контуры цепей фильтрации 5 и 8 являются резонансными цепями полосового фильтра приемника, поэтому в данном случае, на сигнальном выводе устройства 13 у СВЧ сигнала также появляется полоса пропускания и полосы не пропускания.When applying a direct bias voltage of minus 3 V from the source 27 through the sixth inductance L6, the third VD3 and the fourth VD4 PIN diodes open, providing a direct passage of the microwave signal from signal output 12 to the signal output of device 13. At the same time, to the first VD1 and second VD2 PIN diodes, through the third inductance L3, a reverse voltage plus 150 V is supplied from
Блокировочные емкости C1, C4 и С7 служат для развязки по постоянному току входов и выхода СВЧ переключателя.Lock capacities C1, C4 and C7 are used for decoupling the inputs and outputs of the microwave switch by direct current.
Блокировочные емкости С9 и С 10 предназначены для защиты от ВЧ-помех соответствующих источников 26 и 27 управляющего напряжения.Locking capacitances C9 and C 10 are designed to protect against RF interference of the respective
Стоковые резисторы R1-R3 служат для выравнивания токов через PIN-диоды: R1 для VD1, R2 для VD2 и VD3, R3 для VD4.Stock resistors R1-R3 are used to equalize currents through PIN diodes: R1 for VD1, R2 for VD2 and VD3, R3 for VD4.
Таким образом, использование вместо элементов развязки переключателя резонансных звеньев позволяет получить АЧХ с повышенной избирательностью в антенно-фидерном тракте, что дает возможность исключить полосовой фильтр как самостоятельный узел в приемопередающей системе.Thus, the use of resonant links instead of decoupling elements allows to obtain the frequency response with increased selectivity in the antenna-feeder path, which makes it possible to exclude the bandpass filter as an independent unit in the transceiver system.
Практическое подтверждение получено в результате экспериментов с макетом рассматриваемого PIN-диодного переключателя. На фиг.3, 4 и 5 приведены экспериментальные АЧХ макета.Practical confirmation was obtained as a result of experiments with a prototype of the considered PIN diode switch. Figure 3, 4 and 5 shows the experimental frequency response of the layout.
Как видно:As seen:
- потери в полосе пропускания в трактах передачи и приема составили соответственно 1,0 и 1,6 дБ;- losses in the passband in the transmission and reception paths were 1.0 and 1.6 dB, respectively;
- КСВ на выходе передатчика составляет 1,35;- SWR at the output of the transmitter is 1.35;
- ослабление в полосах непропускания в тракте на частотах f0/2 и 2f0 составляет соответственно -27 и -50 дБ;- attenuation in the stopband in the path at frequencies f 0/2 and 2f are respectively 0 -27 and -50 dB;
- развязка приемника от передатчика составляет 44 дБ;- the isolation of the receiver from the transmitter is 44 dB;
- ширина полосы пропускания на центральной частоте f0 составляет 15%.- the bandwidth at the center frequency f 0 is 15%.
Таким образом, заявленный попоено-пропускающий СВЧ переключатель на PIN-диодах позволит:Thus, the claimed drink-passing microwave switch on PIN diodes will allow:
- снизить требования к фильтрующим структурам в составе антенно-фидерных трактов;- reduce the requirements for filtering structures in the composition of the antenna-feeder paths;
- снизить общие потери в антенно-фидерном тракте;- reduce overall losses in the antenna-feeder path;
- уменьшить массогабаритные характеристики всей приемо-передающей системы.- reduce the overall dimensions of the entire transceiver system.
Указанные преимущества полосно-пропускающего СВЧ переключателя на PIN-диодах особенно актуальны при создании миниатюрных как отдельных приборов СВЧ, так и радиоэлектронных СВЧ систем.The indicated advantages of the band-pass microwave switch on PIN diodes are especially relevant when creating miniature both individual microwave devices and electronic microwave systems.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012113446/08A RU2504869C2 (en) | 2012-04-06 | 2012-04-06 | Microwave switch based on pin diodes with filter properties |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012113446/08A RU2504869C2 (en) | 2012-04-06 | 2012-04-06 | Microwave switch based on pin diodes with filter properties |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012113446A RU2012113446A (en) | 2013-10-20 |
| RU2504869C2 true RU2504869C2 (en) | 2014-01-20 |
Family
ID=49356717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012113446/08A RU2504869C2 (en) | 2012-04-06 | 2012-04-06 | Microwave switch based on pin diodes with filter properties |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2504869C2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2659866C1 (en) * | 2017-05-24 | 2018-07-04 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ВГУ") | Phased key modulo m |
| RU2671042C1 (en) * | 2017-05-22 | 2018-10-29 | Ордена трудового Красного Знамени федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский технический университет связи и информатики" (МТУСИ) | Band-rejection tunable lc-filter |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2130671C1 (en) * | 1997-08-05 | 1999-05-20 | Новосибирский государственный технический университет | Fast-response microwave switch |
| US6054907A (en) * | 1996-06-05 | 2000-04-25 | Trw Inc. | Coupled gate switch for high impedance load and split power control circuit |
| RU2195053C2 (en) * | 2000-07-05 | 2002-12-20 | Новосибирский государственный технический университет | Switch |
| DE10305302A1 (en) * | 2003-02-10 | 2004-08-19 | Valeo Schalter Und Sensoren Gmbh | High-frequency switching device |
| RU2244989C1 (en) * | 2003-08-11 | 2005-01-20 | Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Нижегородский Научно-Исследовательский Институт Радиотехники" | Microwave diode shunt-fed antenna polyplexer |
| RU2339126C1 (en) * | 2007-02-15 | 2008-11-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи" (ФГУП "РНИИРС") | Broadband microstrip uhf switch |
| EP2037530A1 (en) * | 2007-09-13 | 2009-03-18 | Alcatel Lucent | Switchable RF-path and frequency splitter for wide range multiband applications |
| US20110090022A1 (en) * | 2008-06-13 | 2011-04-21 | Nxp B.V. | Rf switch for an rf splitter |
-
2012
- 2012-04-06 RU RU2012113446/08A patent/RU2504869C2/en active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6054907A (en) * | 1996-06-05 | 2000-04-25 | Trw Inc. | Coupled gate switch for high impedance load and split power control circuit |
| RU2130671C1 (en) * | 1997-08-05 | 1999-05-20 | Новосибирский государственный технический университет | Fast-response microwave switch |
| RU2195053C2 (en) * | 2000-07-05 | 2002-12-20 | Новосибирский государственный технический университет | Switch |
| DE10305302A1 (en) * | 2003-02-10 | 2004-08-19 | Valeo Schalter Und Sensoren Gmbh | High-frequency switching device |
| RU2244989C1 (en) * | 2003-08-11 | 2005-01-20 | Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Нижегородский Научно-Исследовательский Институт Радиотехники" | Microwave diode shunt-fed antenna polyplexer |
| RU2339126C1 (en) * | 2007-02-15 | 2008-11-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи" (ФГУП "РНИИРС") | Broadband microstrip uhf switch |
| EP2037530A1 (en) * | 2007-09-13 | 2009-03-18 | Alcatel Lucent | Switchable RF-path and frequency splitter for wide range multiband applications |
| US20110090022A1 (en) * | 2008-06-13 | 2011-04-21 | Nxp B.V. | Rf switch for an rf splitter |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2671042C1 (en) * | 2017-05-22 | 2018-10-29 | Ордена трудового Красного Знамени федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский технический университет связи и информатики" (МТУСИ) | Band-rejection tunable lc-filter |
| RU2659866C1 (en) * | 2017-05-24 | 2018-07-04 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ВГУ") | Phased key modulo m |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2012113446A (en) | 2013-10-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6401301B2 (en) | Tunable high frequency filter with parallel resonator | |
| US8416035B2 (en) | Multiband matching circuit | |
| US10110194B2 (en) | Variable filter circuit, RF front end circuit and communication device | |
| JP2004194310A (en) | Switching circuit and frequency band separation circuit | |
| JP2017526205A (en) | HF filter | |
| CN109921761B (en) | Reconfigurable filter with passband adjustable and switchable functions | |
| EP3070785A1 (en) | Antenna and terminal | |
| RU2431920C1 (en) | Frequency selective device | |
| JP2017528013A (en) | Tunable HF filter with series resonator | |
| CN113889735A (en) | Wilkinson power combiner, communication unit and method thereof | |
| RU2504869C2 (en) | Microwave switch based on pin diodes with filter properties | |
| US20100237964A1 (en) | High frequency filter | |
| CN108448212B (en) | Duplex filtering switch based on coupling control | |
| JP2010521830A (en) | RF switch and device comprising RF switch | |
| EP2892151B1 (en) | Filter device and duplexer | |
| JP2017526201A (en) | Duplexer | |
| US10727806B2 (en) | Balun | |
| US10135134B2 (en) | Antenna system for receiving and transmitting wireless signals | |
| CN205646084U (en) | High -power quick frequency hopping combiner | |
| US11146242B2 (en) | Filter device, multiplexer, radio frequency front end circuit, and communication device | |
| KR20130003847A (en) | Filter using parallel connected crlhs | |
| CN108232382B (en) | A kind of ring-like microstrip line dual-passband electrically tunable filter of regular hexagon | |
| KR101889091B1 (en) | Miniature band pass filter of channels of ultra-wideband using multiple rings generating phase differences | |
| US10003376B2 (en) | RF module | |
| KR102600021B1 (en) | Band pass filter of variable band split |